JP2013193454A - マスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法並びにそれらに使用される表面加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】段差構造を有する基板上に微細な溝を多数形成する場合であっても、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さが揃うように微細な溝を形成することを可能とする。
【解決手段】マスターモールド10の製造方法および表面加工方法において、段差構造2を有する基板1上に、この段差構造2の段差部2aおよび溝部2bそれぞれにおけるレジスト膜3の厚さt1およびt2が所定の要件を満たし、これらの差が小さくなるようにレジスト膜3を形成し、電子線描画装置を用いて、形成すべき凹凸構造12に対応するパターンをレジスト膜3に描画し、描画されたレジスト膜3を現像した後、このレジスト膜3をマスクとして基板1のエッチングを実施する。
【選択図】図1
【解決手段】マスターモールド10の製造方法および表面加工方法において、段差構造2を有する基板1上に、この段差構造2の段差部2aおよび溝部2bそれぞれにおけるレジスト膜3の厚さt1およびt2が所定の要件を満たし、これらの差が小さくなるようにレジスト膜3を形成し、電子線描画装置を用いて、形成すべき凹凸構造12に対応するパターンをレジスト膜3に描画し、描画されたレジスト膜3を現像した後、このレジスト膜3をマスクとして基板1のエッチングを実施する。
【選択図】図1
Description
本発明は、微細な凹凸構造を表面に有するマスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法に関するものである。また、本発明は、上記の製造方法に使用される表面加工方法に関するものである。
微細な突起(ドット)形状の凹凸構造(いわゆるモスアイ構造)は、優れた光の反射防止性能を示すことが知られている。レンズや回折格子等の光学素子の表面に上記凹凸構造を形成すれば、光学素子表面での光の反射を低減し、光の利用効率を上げることができる。このような凹凸構造は、例えば非特許文献1および非特許文献2に示されるように電子線リソグラフィーによって形成することができる。
例えば非特許文献1では電子線リソグラフィーによって、段差構造を有する回折格子の当該段差構造の表面に、数十nmサイズの円錐状の突起構造が多数並んだ構造を形成する方法が開示されている。
またスループットの観点から、微細な突起形状の凹凸構造の形成において、ナノインプリント法によるパターン転写技術も注目されている。ナノインプリントは、凹凸構造を形成した型(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジストに押し付け(インプリント)、レジストを力学的に変形または流動させて微細なパターンを精密にレジスト膜に転写する技術である。その後、例えばパターンが転写されたレジストをマスクとしてエッチングすることにより凹凸構造を被加工物の表面に形成することができる。
ナノインプリントは、モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野へも応用が期待されている。
なお、ナノインプリントは、反転したパターンを転写する技術であるから、形成すべき凹凸構造と反転した凹凸構造を有するモールドを用意する必要がある。つまり、前述した反射防止構造をナノインプリントにより形成したい場合には、前述した場合とは逆に、円錐状の溝構造が多数並んだ構造を有するモールドを用意する必要がある。
福田宏輝、「反射防止構造の作製」、大阪府立産業技術総合研究所報告、大阪府立産業技術総合研究所、平成18年(2006)、No.20、p.81−86
菊田久雄、「反射低減技術の新展開」、光学、日本光学会、平成23年(2011)、第40巻、第1号、p.2−10
しかしながら、段差構造を有する基板上に微細な溝が多数並んだ構造を形成するべく、当該段差構造上にレジスト膜を形成し、その後露光および現像を経たレジスト膜をマスクとしてエッチングすると、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さが異なる微細な溝が形成されるという問題がある。これは、段差構造の段差部および溝部それぞれにおけるレジスト膜の厚さが大きく異なるからであると考えられる。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、段差構造を有する基板上に微細な溝を多数形成する場合であっても、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さが揃うように微細な溝を形成することを可能とするマスターモールドの製造方法および表面加工方法を提供することを目的とするものである。
さらに本発明は、上記製造方法により製造されたマスターモールドを原盤として複製されるモールドの製造において、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに高さが揃うように微細な突起を形成することを可能とするモールドの製造方法を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、本発明に係るマスターモールドの製造方法は、
微細な凹凸構造を表面に有するマスターモールドの製造方法であって、
凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の上記表面上に、レジストを塗布して下記式1および式2を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて凹凸構造に対応するパターンをレジスト膜に描画し、
描画されたレジスト膜を現像した後、このレジスト膜をマスクとして上記基板のエッチングを実施することを特徴とするものである。
t1≧d/3 式1
t1≧t2/3 式2
微細な凹凸構造を表面に有するマスターモールドの製造方法であって、
凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の上記表面上に、レジストを塗布して下記式1および式2を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて凹凸構造に対応するパターンをレジスト膜に描画し、
描画されたレジスト膜を現像した後、このレジスト膜をマスクとして上記基板のエッチングを実施することを特徴とするものである。
t1≧d/3 式1
t1≧t2/3 式2
本明細書において、t1は段差構造の段差部でのレジスト膜の厚さを表し、t2は段差構造の溝部でのレジスト膜の厚さを表す。また、dはエッチングにおける目標深さを表す。
また、本発明に係るモールドの製造方法は、
上記に記載の製造方法により製造されたマスターモールドの凹凸構造がある表面上に電鋳法により電鋳物を形成し、
モールドとしての電鋳物をマスターモールドから剥離することを特徴とするものである。
上記に記載の製造方法により製造されたマスターモールドの凹凸構造がある表面上に電鋳法により電鋳物を形成し、
モールドとしての電鋳物をマスターモールドから剥離することを特徴とするものである。
また、本発明に係る表面加工方法は、
微細な凹凸構造を基板の表面に形成する表面加工方法であって、
凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の上記表面上に、レジストを塗布して上記式1および式2を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて凹凸構造に対応するパターンをレジスト膜に描画し、
描画されたレジスト膜を現像した後、このレジスト膜をマスクとして上記基板のエッチングを実施することを特徴とするものである。
微細な凹凸構造を基板の表面に形成する表面加工方法であって、
凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の上記表面上に、レジストを塗布して上記式1および式2を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて凹凸構造に対応するパターンをレジスト膜に描画し、
描画されたレジスト膜を現像した後、このレジスト膜をマスクとして上記基板のエッチングを実施することを特徴とするものである。
本発明に係るマスターモールドの製造方法および表面加工方法は、特に、段差構造の段差部および溝部それぞれにおけるレジスト膜の厚さが所定の要件を満たし、これらの差が小さくなるようにレジスト膜を形成することを特徴とする。通常、マスクの厚さが異なる場所では、マスクが薄い方の場所で実際のエッチング深さが深くなる傾向がある。これは、マスクが薄い方の場所でエッチングガスが被加工面表面に到達しやすいためである。したがって、本発明では、段差構造の段差部および溝部それぞれにおけるレジスト膜の厚さの差が小さくなるようにレジスト膜を形成するから、段差部および溝部それぞれの被加工面に等しくエッチングガスが到達し易くなる。この結果、段差構造を有する基板上に微細な溝を多数形成する場合であっても、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さが揃うように微細な溝を形成することが可能となる。
また、本発明に係るモールドの製造方法は、特に、上記製造方法により製造されたマスターモールドを用いた電鋳法により、マスターモールドが有する段差構造および凹凸構造を転写することを特徴とする。したがって本発明によれば、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに高さが揃うように微細な突起を形成することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
「マスターモールドの製造方法および表面加工方法」
マスターモールドの製造方法および表面加工方法の実施形態について説明する。図1は、本実施形態におけるマスターモールドの製造方法および表面加工方法の工程を示す概略断面図である。
マスターモールドの製造方法および表面加工方法の実施形態について説明する。図1は、本実施形態におけるマスターモールドの製造方法および表面加工方法の工程を示す概略断面図である。
本実施形態におけるマスターモールド10の製造方法および表面加工方法は、図1に示されるように、段差部2aおよび溝部2bから構成される段差構造2を有する基板1を用意し(図1a)、この基板1の被加工面S上にレジストを塗布して下記式3および式4を満たすレジスト膜3を形成し、電子線描画装置を用いて、多数の微細な溝から構成される凹凸構造12であって基板1に形成すべき凹凸構造12に対応するパターンをレジスト膜3に描画し(図1b)、描画されたレジスト膜3を現像した後、このレジスト膜3をマスクとして目標深さdまで基板1のエッチングを実施し、その後残ったレジスト膜3を除去するものである(図1c)。この製造方法によれば、例えば図1dに示されるような、段差部2aに形成された微細な溝12aおよび溝部2bに形成された微細な溝12bから構成される凹凸構造12を有するマスターモールド10が製造される。
基板1は、微細な凹凸構造12を形成する表面加工の対象物となる基板である。基板1が有する段差構造2は段差部2aおよび溝部2bから構成され、段差部2aの上面および溝部2bの底面は所定の段差を有する2段面を形成している。この段差の高さは、特に制限はないが、0.05〜10μmであることが好ましい。段差が10μmを超えると、レジスト膜3の電子線描画の段階で段差部2aおよび溝部2bそれぞれにおけるパターンスケールが著しく異なったり溝部2bで描画できなくなったりするという問題が生じ得るためである。また、段差構造2の平面視でのパターンは、特に限定されず例えば、帯状の段差部2aおよび溝部2bが1次元に交互に並んだストライプ模様や、正方形状または長方形状の段差部2aおよび溝部2bが2次元に交互に並んだ格子模様(いわゆる市松模様)とすることができる。段差構造2の周期(段差部2a同士の中心間距離)は、形成すべき凹凸構造12の周期(微細な溝同士の中心間距離)よりも長く設定される。すなわち、段差構造2のパターンスケールは凹凸構造12のものよりも大きく設定される。この相対的な大きさは例えば3倍以上であることが好ましい。基板材料としては、特に制限されず、例えば金属、石英等のガラス、シリコン、および酸化シリコン等のシリコン化合物を使用することができる。本発明では、段差部2aの上面および溝部2bの底面が加工対象となる被加工面Sとなる。
レジスト膜3は、段差構造2の形状との関係で下記式3および式4を満たすように形成される。
t1≧d/3 式3
t1≧t2/3 式4
t1≧d/3 式3
t1≧t2/3 式4
t1は段差構造の段差部でのレジスト膜の厚さを表し、t2は段差構造の溝部でのレジスト膜の厚さを表す(図1b)。また、dはエッチングにおける目標深さを表す(図1d)。t1をd/3以上とした理由は、t1がd/3未満であると、エッチング量が目標深さdに到達する前にレジスト膜3が消失してしまい、形成すべき凹凸構造12を基板1に形成することが難しくなる場合があるためである。また、t1をt2/3以上とした理由は、通常t1<t2となるがt1がt2/3未満であると、段差部2aに形成された微細な溝12aおよび溝部2bに形成された微細な溝12bの互いの深さが大きく異なってしまうためである。溝12aおよび溝12bの互いの深さが異なると反射防止性能にムラが生じてしまう。したがって、t1およびt2は可能な限り等しくすることが好ましい。そこで本発明では、このような反射防止性能のムラを低減するべく、溝12aおよび溝12bの互いの深さが揃えることができるように、レジスト膜3の段差部2aにおける厚さと溝部2bにおける厚さとを考慮してレジスト膜3を形成する。
上記のような要件を満たすレジスト膜3の形成は、例えば、レジストの粘度およびレジストの塗布方法を適宜調整することにより実施することができる。レジストとしては、一般的に使用される電子線描画用のポジ型レジストを使用することができ、その中からレジスト膜3の形成に適したものを選択すればよい。一方、塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法およびディップコート法等の一般的な塗布方法を使用することができ、その中からレジストの粘度を考慮しつつレジスト膜3の形成に適したものを選択すればよい。塗布方法の具体的な条件(例えば、スピンコート法であれば基板の回転数、スプレー法であれば噴霧時間、ディップコート法であれば浸漬時間)は、レジストの粘度を考慮しながら調整される。具体的にレジストとしては、FEP171(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製、化学増幅型レジスト、粘度3mPa・s)やZEP520(日本ゼオン株式会社製、粘度7mPa・s)を使用することができる。
電子線描画装置は、一般的に使用されるXYステージ描画装置やRθステージ描画装置を使用することができ、特に回転ステージ付きの描画装置を使用することが好ましい。描画パターンは、凹凸構造12に対応するパターン、すなわち微細な溝12aおよび12bを形成する複数の場所から構成されるパターンである。これにより、電子線描画された部分のレジスト膜3が除去され、その下の被加工面Sが露出することになる。電子線のスポット径は、形成すべき微細な溝12aおよび12bの大きさに応じて適宜調整される。
基板1のエッチングは、サイドエッチングによる形状劣化を抑制するために、基板1上にエネルギービームを照射する異方性エッチングによって実施されることが好ましい。このようなエッチングとしては、例えばドライエッチングが好ましく、その中でもイオンビームエッチング、プラズマエッチング、スパッタエッチングなどが挙げられる。さらにプラズマエッチングが好ましく、特に反応性イオンエッチング(誘導結合型、平行平板型およびマイクロ波アシスト型を含む)が好ましい。エッチングガス5は、レジストおよび基板材料の種類によって適宜調整される。
以上のように、本実施形態に係るマスターモールドの製造方法および表面加工方法は、特に、段差構造2の段差部2aおよび溝部2bそれぞれにおけるレジスト膜3の厚さが所定の要件を満たし、これらの差が小さくなるようにレジスト膜3を形成することを特徴とする。したがって、本実施形態では、段差構造2の段差部2aおよび溝部2bそれぞれにおけるレジスト膜3の厚さt1およびt2の差が小さくなるようにレジスト膜3を形成するから、段差部2aおよび溝部2bそれぞれの被加工面Sに等しくエッチングガス5が到達し易くなる。この結果、段差構造2を有する基板1上に微細な溝12aおよび12bを多数形成する場合であっても、段差構造2の段差部2aおよび溝部2bそれぞれで互いに深さdが揃うように微細な溝12aおよび12bを形成することが可能となる。
「モールドの製造方法」
次に、マスターモールドを原盤として複製されるモールドの製造方法について説明する。ナノインプリントでは、同じモールドを何回も繰り返し使用することができるが、繰り返し回数に応じてモールドが劣化する。このため、例えば光学素子の製造や表面加工等の現場では、同じパターンを有するモールドを複製し複数準備しておく必要がある。このように、同じパターンを有するモールドを複製する場合に、本発明は有効である。
次に、マスターモールドを原盤として複製されるモールドの製造方法について説明する。ナノインプリントでは、同じモールドを何回も繰り返し使用することができるが、繰り返し回数に応じてモールドが劣化する。このため、例えば光学素子の製造や表面加工等の現場では、同じパターンを有するモールドを複製し複数準備しておく必要がある。このように、同じパターンを有するモールドを複製する場合に、本発明は有効である。
本実施形態のモールドの製造方法は、前述した本発明に係る製造方法により製造されたマスターモールド10(図2a)の凹凸構造12がある表面(または段差構造2の表面)上に電鋳法により電鋳物14を形成し(図2b)、モールド20としての電鋳物14をマスターモールド10から剥離するものである(図2c)。この製造方法によれば、例えば図2cに示されるような、段差部に形成された微細な突起22aおよび溝部に形成された微細な突起22bから構成される凹凸構造22を有するモールド20が製造される。
電鋳物14の形成は、マスターモールド10の凹凸構造12がある表面上に例えばニッケル(Ni)を電鋳することにより実施する。電鋳方法は公知の方法でよい。電鋳物14の最も薄い部分の厚さは、0.2〜数mmであることが好ましい。マスターモールド10の材料が金属材料でない場合には、導電性を確保するために、まず金属薄膜を凹凸構造12がある表面上に形成してから電鋳することが好ましい。
電鋳物14の剥離は、例えばマスターモールド10および電鋳物14の外縁部または裏面を保持した状態で、マスターモールド10および電鋳物14を引き離すことにより実施する。そして、剥離された電鋳物14は、マスターモールド10の複版としてのモールド20となる。
以上のように、本実施形態に係るモールドの製造方法は、特に、上記製造方法により製造されたマスターモールド10を用いた電鋳法により、マスターモールド10が有する段差構造2および凹凸構造12を転写することを特徴とする。したがって本実施形態によれば、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに高さが揃うように微細な突起22aおよび22bを形成することが可能となる。
なお、モールド20を用いて同様な電鋳工程を実施することにより、さらに2次的に複製されたモールド21を製造することも可能である(図2d)。このようなモールドは、段差部に形成された微細な溝24aおよび溝部に形成された微細な溝24bから構成される凹凸構造24を有し、マスターモールド10と同一の構造となる。またさらに、2次的に複製されたモールドを用いて同様な電鋳工程を実施することにより、さらに3次的に複製されたモールドを製造することも可能である。このように複製を繰り返すことにより、1枚のマスターモールド10から安価に大量のモールドを製造することができる。
本発明の実施例を以下に示す。
<マスターモールドの製造>
まず、フォトリソグラフィーによって厚さ0.725mmの8インチシリコンウェハ上に、幅5μmの帯状のパターンがピッチ10μmで並んだストライプ状の段差構造を形成した。そして、回転数1600rpmのスピンコート法によって上記段差付きシリコン基板上にFEP171を塗布してレジスト膜を形成した。このレジスト膜について、t1およびt2を測定した結果、t1は270nmであり、t2は370nmであり、上記式4を満たしていた。
まず、フォトリソグラフィーによって厚さ0.725mmの8インチシリコンウェハ上に、幅5μmの帯状のパターンがピッチ10μmで並んだストライプ状の段差構造を形成した。そして、回転数1600rpmのスピンコート法によって上記段差付きシリコン基板上にFEP171を塗布してレジスト膜を形成した。このレジスト膜について、t1およびt2を測定した結果、t1は270nmであり、t2は370nmであり、上記式4を満たしていた。
その後、回転ステージ付きの電子線描画装置を用いて、ステージを回転させながら200nmピッチのドットパターンを描画した。描画後のレジスト膜を現像した後、反応性イオンエッチングにより上記段差付きシリコン基板をエッチングし、マスターモールドを製造した。なお、目標深さは0.25μmとし、エッチングガスとしてはCHF3およびSF6を使用した。
<電鋳工程>
上記マスターモールド上の凹凸構造がある表面に5nmのニッケル薄膜を形成し、その後電鋳法により目標厚さ0.3mmまでニッケル電鋳物を形成し、ニッケル電鋳物を剥離してモールドを製造した。
上記マスターモールド上の凹凸構造がある表面に5nmのニッケル薄膜を形成し、その後電鋳法により目標厚さ0.3mmまでニッケル電鋳物を形成し、ニッケル電鋳物を剥離してモールドを製造した。
<プラスチック成形>
上記モールドを使用してポリメタクリル酸メチル(PMMA)樹脂を射出成形することにより、反射防止構造として微細な凹凸構造を有する段差付き成形品を製造した。
上記モールドを使用してポリメタクリル酸メチル(PMMA)樹脂を射出成形することにより、反射防止構造として微細な凹凸構造を有する段差付き成形品を製造した。
<結果>
図3は、上記成形品の反射防止構造の走査型電子顕微鏡画像である。また、図4は、反射防止構造がある場合の成形品と無い場合の成形品の反射率を示すグラフである。図3および4から、段差構造を有する基板上に微細な溝(或いは突起)を多数形成する場合であっても、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さ(或いは高さ)が揃うように微細な溝(或いは突起)を形成することが可能であることがわかる。
図3は、上記成形品の反射防止構造の走査型電子顕微鏡画像である。また、図4は、反射防止構造がある場合の成形品と無い場合の成形品の反射率を示すグラフである。図3および4から、段差構造を有する基板上に微細な溝(或いは突起)を多数形成する場合であっても、段差構造の段差部および溝部それぞれで互いに深さ(或いは高さ)が揃うように微細な溝(或いは突起)を形成することが可能であることがわかる。
本発明により製造されたマスターモールドまたはモールドは、例えばナノインプリントやプラスチック成形(射出成形、熱プレス成形、UV硬化成形およびキャスト成形等)において利用することができる。
1 基板
2 段差構造
2a 段差部
2b 溝部
3 レジスト膜
5 エッチングガス
10 マスターモールド
12 凹凸構造
12a 段差部における微細な溝
12b 溝部における微細な溝
14 電鋳物
20、21 モールド
22 凹凸構造
22a 段差部における微細な突起
22b 溝部における微細な突起
24 凹凸構造
24a 段差部における微細な溝
24b 溝部における微細な溝
S 被加工面
2 段差構造
2a 段差部
2b 溝部
3 レジスト膜
5 エッチングガス
10 マスターモールド
12 凹凸構造
12a 段差部における微細な溝
12b 溝部における微細な溝
14 電鋳物
20、21 モールド
22 凹凸構造
22a 段差部における微細な突起
22b 溝部における微細な突起
24 凹凸構造
24a 段差部における微細な溝
24b 溝部における微細な溝
S 被加工面
Claims (3)
- 微細な凹凸構造を表面に有するマスターモールドの製造方法であって、
前記凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の前記表面上に、レジストを塗布して下記式1および式2を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて前記凹凸構造に対応するパターンを前記レジスト膜に描画し、
描画された前記レジスト膜を現像した後、該レジスト膜をマスクとして前記基板のエッチングを実施することを特徴とするマスターモールドの製造方法。
t1≧d/3 式1
t1≧t2/3 式2
(式1および式2において、t1は前記段差構造の段差部での前記レジスト膜の厚さを表し、t2は前記段差構造の溝部での前記レジスト膜の厚さを表し、dは前記エッチングにおける目標深さを表す。) - 請求項1に記載の製造方法により製造されたマスターモールドの凹凸構造がある表面上に電鋳法により電鋳物を形成し、
モールドとしての前記電鋳物を前記マスターモールドから剥離することを特徴とするモールドの製造方法。 - 微細な凹凸構造を基板の表面に形成する表面加工方法であって、
前記凹凸構造よりも周期の長い段差構造を表面に有する基板の前記表面上に、レジストを塗布して下記式3および式4を満たすレジスト膜を形成し、
電子線描画装置を用いて前記凹凸構造に対応するパターンを前記レジスト膜に描画し、
描画された前記レジスト膜を現像した後、該レジスト膜をマスクとして前記基板のエッチングを実施することを特徴とする表面加工方法。
t1≧d/3 式3
t1≧t2/3 式4
(式3および4において、t1は前記段差構造の段差部での前記レジスト膜の厚さを表し、t2は前記段差構造の溝部での前記レジスト膜の厚さを表し、dは前記エッチングにおける目標深さを表す。)
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