JP5621201B2 - インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド - Google Patents
インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド Download PDFInfo
- Publication number
- JP5621201B2 JP5621201B2 JP2009059600A JP2009059600A JP5621201B2 JP 5621201 B2 JP5621201 B2 JP 5621201B2 JP 2009059600 A JP2009059600 A JP 2009059600A JP 2009059600 A JP2009059600 A JP 2009059600A JP 5621201 B2 JP5621201 B2 JP 5621201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- stage
- imprint mold
- substrate
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004113 cell culture Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000012567 medical material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
本発明は、インプリントモールド製造方法およびインプリントモールドに関する。
近年、基板（例えば、ガラス、樹脂、金属、シリコンなど）に特定の微細な３次元構造パターン（例えば、多段の階段状形状など）を形成したパターン形成体が広範に用いられている。
例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、インプリントモールド、フォトマスクなどの用途が挙げられる。
また、このようなパターン形成体では、仕様に応じて、多段構造のパターンを形成することが求められることがある。
このような微細な多段構造のパターンを形成する方法として、インプリント法を用いることが提案されている。
例えば、多段構造のパターンを備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により、デュアルダマシン構造の配線回路の形成に対して、必要な工程数を１／３近くに削減できることが報告されている（非特許文献１参照）。
例えば、多段構造のパターンを形成するためのパターン形成方法として、リソグラフィを用いて多段構造を形成する方法が知られている。
以下、一例として、図１を用いながら、従来の典型的な、リソグラフィを用いた多段構造のパターンの形成方法について、説明を行う。
以下、一例として、図１を用いながら、従来の典型的な、リソグラフィを用いた多段構造のパターンの形成方法について、説明を行う。
まず、基板１６上に導電層１２を積層した積層基板に、レジスト材料１１を成膜する（図１（ａ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、１段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｂ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｃ））
次に、１段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして、基板１６をエッチングし、段差パターン１３を形成する（図１（ｄ））。
次に、基板を洗浄し、マスクパターン１４を除去する（図１（ｅ））。
次に、段差パターン（１段）１３が形成された基板に、レジスト材料１１を成膜する（図１（ｆ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、２段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｇ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｈ））。
次に、２段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして基板１３をエッチングし多段インプリントモールド１７を形成する（図１（ｉ））。
次に、多段インプリントモールド１７を洗浄し、マスクパターン１４および導電層１２を除去する（図１（ｈ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、１段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｂ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｃ））
次に、１段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして、基板１６をエッチングし、段差パターン１３を形成する（図１（ｄ））。
次に、基板を洗浄し、マスクパターン１４を除去する（図１（ｅ））。
次に、段差パターン（１段）１３が形成された基板に、レジスト材料１１を成膜する（図１（ｆ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、２段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｇ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｈ））。
次に、２段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして基板１３をエッチングし多段インプリントモールド１７を形成する（図１（ｉ））。
次に、多段インプリントモールド１７を洗浄し、マスクパターン１４および導電層１２を除去する（図１（ｈ））。
一方、リソグラフィ法では、レジストパターンが高アスペクト比であるほどレジストパターンの倒壊が起こりやすいことが知られている。
例えば、レジスト表層に架橋部を形成することにより、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊を抑制する方法が提案されている（特許文献１参照）。
Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ．，ｖｏｌ．５９９２， ｐｐ．７８６−７９４ （２００５）
微細な３次元構造パターンを持つインプリントモールドの製造では、３次元構造パターンに応じて複数回のレジストパターン形成を行うことが知られている。
しかしながら、既に段差を備えた基板に対して、新たにレジストのパターニングを行うことは以下の事由から困難である。
（１）段差のある基板上にレジストをコートする際、レジスト膜の厚さが段差と同じかそれ以下だと凸部上のレジスト膜が薄くなってしまい、平坦なレジスト膜を得ることが出来ない。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である（図１（ｆ））。
（２）レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合（図２（ａ））、形成したレジストパターンのアスペクト比はレジスト膜の厚みに応じて高くなるため、レジストパターン倒れが発生する（図２（ｂ））。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である。
（１）段差のある基板上にレジストをコートする際、レジスト膜の厚さが段差と同じかそれ以下だと凸部上のレジスト膜が薄くなってしまい、平坦なレジスト膜を得ることが出来ない。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である（図１（ｆ））。
（２）レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合（図２（ａ））、形成したレジストパターンのアスペクト比はレジスト膜の厚みに応じて高くなるため、レジストパターン倒れが発生する（図２（ｂ））。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である。
そこで、本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、複数の段差を備えたインプリントモールドの製造に好適なインプリントモールド製造方法を提供することを目的とする。
請求項１に記載の本発明は、微細なＮ（Ｎ＝２以上の自然数）段の３次元構造パターンを有し、最も線幅の小さいパターンが存する第１段目のパターンの線幅が５００ｎｍ以下である、多段構造のインプリントモールドの製造方法であって、
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプリントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
転写基板上に積層された転写材料と、前記反転多段インプリントモールドと、を接触させて荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの前記反転３次元構造パターンとは凹凸が反転した多段構造パターンを、前記転写基板上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記転写基板をエッチングして、前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法である。
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプリントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
転写基板上に積層された転写材料と、前記反転多段インプリントモールドと、を接触させて荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの前記反転３次元構造パターンとは凹凸が反転した多段構造パターンを、前記転写基板上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記転写基板をエッチングして、前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法である。
請求項２に記載の本発明は、前記第Ｎ段目の凹パターンの線幅は、第（Ｎ−１）段目の凹パターンの線幅よりも大きく、
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド製造方法である。
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド製造方法である。
請求項３に記載の本発明は、微細なＮ（Ｎ＝２以上の自然数）段の３次元構造パターンを有し、最も線幅の小さいパターンが存する第１段目のパターンの線幅が５００ｎｍ以下である、多段構造のインプリントモールドの製造方法であって、
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプリントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
導電層が表層に形成された転写基板の前記導電層上に積層された転写材料と、前記反転多段インプリントモールドと、を接触させて荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの前記反転３次元構造パターンとは凹凸が反転した多段構造パターンを、前記転写基板表層に形成された前記導電層上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記導電層をエッチングして、前記導電層に多段構造を形成し、
前記多段構造が形成された前記導電層をマスクとして、前記転写基板をエッチングして、前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法である。
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプリントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
導電層が表層に形成された転写基板の前記導電層上に積層された転写材料と、前記反転多段インプリントモールドと、を接触させて荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの前記反転３次元構造パターンとは凹凸が反転した多段構造パターンを、前記転写基板表層に形成された前記導電層上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記導電層をエッチングして、前記導電層に多段構造を形成し、
前記多段構造が形成された前記導電層をマスクとして、前記転写基板をエッチングして、前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法である。
請求項４に記載の本発明は、前記第Ｎ段目の凹パターンの線幅は、第（Ｎ−１）段目の凹パターンの線幅よりも大きく、
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド製造方法である。
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド製造方法である。
請求項５に記載の本発明は、前記導電層がクロム膜であること
を特徴とする請求項４に記載のインプリントモールド製造方法である。
を特徴とする請求項４に記載のインプリントモールド製造方法である。
本発明のインプリントモールド製造方法は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」により、多段構造パターンの中で最も微細なパターンから順に形成することが出来る。このため、線幅の小さい凹パターンを覆うようにレジストを塗布しても、該凹パターンのレジストが埋まる容積が小さいため、平坦となるレジスト膜の厚みを抑制することが出来る。よって、好適に２段目以降のパターン形成を行うことが出来る。
以下、本発明のインプリントモールド製造方法について、具体的に説明を行う。
＜基板に第１番目の凹パターンを形成する工程＞
まず、基板に第１番目の凹パターンを形成する。
なお、本発明のインプリントモールド製造方法では、第一番目に形成する凹パターンの線幅が、最終的な多段構造パターンにおいて、もっとも線幅の狭いパターン部位となる。
本発明のインプリントモールド製造方法によれば、複数の段差を備えたインプリントモールドを好適に製造することが出来る。よって、特に、もっとも線幅の狭いパターン部位である第１番目の凹パターンの線幅が５００ｎｍ以下であるインプリントモールドを好適に製造することが出来る。
まず、基板に第１番目の凹パターンを形成する。
なお、本発明のインプリントモールド製造方法では、第一番目に形成する凹パターンの線幅が、最終的な多段構造パターンにおいて、もっとも線幅の狭いパターン部位となる。
本発明のインプリントモールド製造方法によれば、複数の段差を備えたインプリントモールドを好適に製造することが出来る。よって、特に、もっとも線幅の狭いパターン部位である第１番目の凹パターンの線幅が５００ｎｍ以下であるインプリントモールドを好適に製造することが出来る。
基板は、後述する微細加工技術に適した物理的特性／機械的特性を備えていれば良く、特に、限定されるものではない。例えば、シリコン基板、石英基板、ＳＯＩ基板、などを用いても良い。
光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクなどの製造工程に本発明のパターン形成方法を用いる場合、基板は使用する露光光を透過することが求められる。このため、光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクとして用いる場合、一般的な露光光に対して透過性を有する石英基板を好適に用いることが出来る。
また、基板は、導電層が表層に形成された積層基板であることが好ましい。導電層を形成することにより、荷電粒子線を用いて微細加工を行うとき、基板のチャージアップを抑制でき、荷電粒子線を用いた微細加工に好適に用いることが出来る。
特に、本発明は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」から、導電層が表層に形成された積層基板を用いた場合、従来の方法と比して、２回目以降のパターニングにおいて、基板上の導電層の残存面積が大きい（例えば、図１（ｆ）と図３（ｆ）を比較参照のこと）。このことから、特に、荷電粒子線を用いて本発明のインプリントモールド製造方法を実施する場合、導電層が表層に形成された積層基板を好適に用いることが出来る。
特に、本発明は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」から、導電層が表層に形成された積層基板を用いた場合、従来の方法と比して、２回目以降のパターニングにおいて、基板上の導電層の残存面積が大きい（例えば、図１（ｆ）と図３（ｆ）を比較参照のこと）。このことから、特に、荷電粒子線を用いて本発明のインプリントモールド製造方法を実施する場合、導電層が表層に形成された積層基板を好適に用いることが出来る。
また、基板に微細な凹型パターンを形成する方法としては、所望する３次元構造パターンを形成することの出来る微細加工技術を用いれば良い。例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法（レーザ加工、マシニング加工など）などを用いても良い。
＜基板に２段目以降のパターンを形成する工程＞
次に、基板の前記第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成する。本発明のインプリントモールド製造方法では、第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きい。なお、ここで、Ｎは２以上の自然数とする。
次に、基板の前記第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成する。本発明のインプリントモールド製造方法では、第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きい。なお、ここで、Ｎは２以上の自然数とする。
２段目以降のパターンは、レジスト材料を塗膜し、該レジスト材料をパターニングし、パターニングされたレジスト材料をマスクとしてエッチングを行うことにより、形成する。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
＜レジスト材料を塗膜する工程＞
１番目の凹パターンを有する基板上に、レジスト材料を塗膜する。
レジスト材料は、パターニングを行う露光光に応じて、適宜選択してよい。
また、レジスト材料の塗膜形成方法としては、粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
１番目の凹パターンを有する基板上に、レジスト材料を塗膜する。
レジスト材料は、パターニングを行う露光光に応じて、適宜選択してよい。
また、レジスト材料の塗膜形成方法としては、粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
＜レジストパターンを形成する工程＞
次に、レジスト材料に、露光光を用いてレジストパターンを形成する。
このとき、レジストパターンの線幅は、以前に形成した凹パターンよりも大きい。露光後、現像処理を行いレジストパターンが形成される。現像処理は用いたレジスト膜に応じて適宜行って良い。このとき、現像処理に際して、洗浄処理を行っても良い。洗浄処理としては、現像液／異物を除去することが出来ればよく、例えば、純水、超臨界流体などを用いて行っても良い。
次に、レジスト材料に、露光光を用いてレジストパターンを形成する。
このとき、レジストパターンの線幅は、以前に形成した凹パターンよりも大きい。露光後、現像処理を行いレジストパターンが形成される。現像処理は用いたレジスト膜に応じて適宜行って良い。このとき、現像処理に際して、洗浄処理を行っても良い。洗浄処理としては、現像液／異物を除去することが出来ればよく、例えば、純水、超臨界流体などを用いて行っても良い。
＜エッチングを行う工程＞
次に、レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
次に、レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
以上より、複数の段差を備えたインプリントモールドを製造することが出来る。
また、上述のように製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いた転写加工成形を用いて、更にインプリントモールドを製造してもよい。このとき、製造されたインプリントモールドの多段構造パターンが凹凸反転したインプリントモールドを製造することが出来る。
例えば、具体的には、製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により段差を有するレジストパターンを形成し、該レジストパターンを凹凸パターンとしたインプリントモールドを製造してもよい。
このとき、用いる転写材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料、ＵＶ硬化樹脂、などがあげられる。特に、フッ素系ＵＶ硬化樹脂の場合、離型性に優れているため望ましい。
このとき、用いる転写材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料、ＵＶ硬化樹脂、などがあげられる。特に、フッ素系ＵＶ硬化樹脂の場合、離型性に優れているため望ましい。
例えば、具体的には、製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により段差レジストパターンを形成し、該段差レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、基板に段差構造パターンを形成し、インプリントモールドを製造してもよい。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
＜製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法を行う工程＞
まず、転写基板に転写材料を積層する。
まず、転写基板に転写材料を積層する。
転写基板は、使用する転写材料に適するように適宜選択することが出来る。例えば、シリコン、石英ガラス、などが挙げられる。
転写材料は、所望する凹凸パターン、凹凸パターンの用途などに応じて適宜選択してよい。例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料などを用いても良い。
転写材料の積層方法としては、転写材料の粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
次に、転写基板と凹型インプリントモールドとを接近させ、転写材料に対し多段構造パターンの転写を行う。
転写材料や、所望する凹凸パターンの精度に応じて、転写材料の硬化を行っても良い。
例えば、転写材料として熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱により硬化を行ってよい。また、例えば、転写材料として光硬化性樹脂を用いた場合、露光光により硬化を行っても良い。
例えば、転写材料として熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱により硬化を行ってよい。また、例えば、転写材料として光硬化性樹脂を用いた場合、露光光により硬化を行っても良い。
また、所望するレジストパターンに応じて、残膜を除去してもよい。ここで、残膜とは、転写基板とインプリントモールドとの間に存在した転写材料であり、転写されたレジストパターンが形成されていない部位をいう。
残膜の除去は、選択した転写材料に応じて適宜適した除去方法を用いて良い。例えば、転写材料として、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いた場合、Ｏ２ ＲＩＥ法を用いて除去してもよい。
また、Ｏ２ＲＩＥの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
残膜の除去は、選択した転写材料に応じて適宜適した除去方法を用いて良い。例えば、転写材料として、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いた場合、Ｏ２ ＲＩＥ法を用いて除去してもよい。
また、Ｏ２ＲＩＥの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
＜エッチングを行う工程＞
次に、インプリント法により形成された多段構造パターンを有するレジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。
エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
次に、インプリント法により形成された多段構造パターンを有するレジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。
エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
以上より、本発明により製造されたインプリントモールドのパターンが凹凸反転したインプリントモールドを製造することが出来る。
以下、インプリントモールド製造方法について、具体的に図３を用いて、光インプリントモールドを作製する場合の一例を挙げながら説明を行う。当然のことながら、本発明のインプリントモールド製造方法は下記実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
まず、図３（ａ）に示すように、基板１６上に導電層１２が形成された積層基板上にレジスト材料を２００ｎｍ厚をコートした。
このとき、基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であり、レジスト材料１１はポジ型電子線レジストである。
まず、図３（ａ）に示すように、基板１６上に導電層１２が形成された積層基板上にレジスト材料を２００ｎｍ厚をコートした。
このとき、基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であり、レジスト材料１１はポジ型電子線レジストである。
次に、図３（ｂ）に示すように、電子線描画装置にて、レジスト材料１１に対して電子線をドーズ１００μＣ／ｃｍ２で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行いレジストパターン１４を形成した。
このとき、リンス液には純水を用いた。
このとき、リンス液には純水を用いた。
次に、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、レジストパターン１４をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって導電層１２および基板１６のエッチングを行い、段差パターン１８を形成した。
このとき、導電層１２であるＣｒ膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるＣｒ膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
次に、図３（ｅ）に示すように、段差パターン１８が形成された基板１６に残存したレジスト材料１１の剥離洗浄を行った。
このとき、剥離洗浄としてＯ２アッシングを用いた。
このとき、剥離洗浄としてＯ２アッシングを用いた。
次に、図３（ｆ）に示すように、一段目パターンが形成された基板上にレジスト材料１１を２００ｎｍ厚にて塗膜した。
次に、図３（ｇ）に示すように、電子線描画装置にて、レジスト材料１１に対して電子線をドーズ１００μＣ／ｃｍ２で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行い、２段目パターンのためのレジストパターン１４を形成した。
このとき、リンス液には純水を用いた。
このとき、リンス液には純水を用いた。
次に、図３（ｈ）および図３（ｉ）に示すように、２段目パターンのためのレジストパターン１４をマスクとしてＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって導電層および基板のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
次に、図３（ｊ）に示すように、レジスト材料１１および導電層１２の剥離洗浄を行った。
このとき、レジスト材料１１の剥離洗浄にはＯ２アッシングを用いた。
また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
このとき、レジスト材料１１の剥離洗浄にはＯ２アッシングを用いた。
また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
以上より、本発明の多段インプリントモールド１９を作製することが出来た。
＜実施例２＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、凹凸パターンが反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、凹凸パターンが反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
まず、図４（ａ）に示すように、転写基板１６上に転写材料２０として光硬化性樹脂を２００ｎｍ厚を積層し、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を対向して配置した。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板は石英基板であった。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板は石英基板であった。
次に、図４（ｂ）に示すように、転写材料２０と多段インプリントモールド１９を接触させ、多段インプリントモールド１９側から露光光を照射し、転写材料２０を硬化した。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
次に、図４（ｃ）に示すように、転写基板１６と多段インプリントモールド１９とを遠ざけ、転写材料２０に凸型の多段構造パターンを形成した。
次に、図４（ｄ）に示すように、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって残膜を除去した。
次に、図５（ｅ）に示すように、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、エッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
このとき、エッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
＜実施例３＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層された場合を例示する。
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層された場合を例示する。
まず、図５（ａ）に示すように、導電層１２が積層された転写基板１６上に転写材料２０として光硬化性樹脂２００ｎｍ厚を積層し、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を対向して配置した。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であった。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であった。
次に、図５（ｂ）に示すように、転写材料２０と多段インプリントモールド１９を接触させ、多段インプリントモールド１９側から露光光を照射し、転写材料２０を硬化した。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
次に、図５（ｃ）に示すように、転写基板１６と多段インプリントモールド１９とを遠ざけ、転写材料２０に凸型の多段構造パターンを形成した。
次に、図５（ｄ）に示すように、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって残膜を除去した。
次に、図５（ｅ）に示すように、多段構造パターンが形成された転写材料２０をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって１段目の導電層１２および転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
次に、図５（ｆ）に示すように、多段構造パターンが形成された転写材料２０の残存した２段目部位をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって２段目の導電層１２および転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板１６の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板１６の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
次に、図５（ｇ）に示すように、転写材料２０および導電層１２の剥離洗浄を行った。
このとき、転写材料２０の剥離には、Ｏ２アッシングを用いた。また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
このとき、転写材料２０の剥離には、Ｏ２アッシングを用いた。また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
＜実施例４＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２および実施例３とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層し、該導電層に多段構造パターンを形成する場合を例示する。
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２および実施例３とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層し、該導電層に多段構造パターンを形成する場合を例示する。
実施例３と同様に、残膜処理まで行った後（図６（ａ））、多段構造パターンが形成された転写材料２０をマスクとして導電層１２に多段構造パターンを形成した（図６（ｂ））。
このとき、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングを行った。
また、導電層１２である、クロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー１００Ｗ、ＲＩＥパワー１５Ｗであった。
このとき、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングを行った。
また、導電層１２である、クロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー１００Ｗ、ＲＩＥパワー１５Ｗであった。
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングにより、導電層１２をマスクとして転写基板１６のエッチングを行った（図６（ｃ））。
このとき、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２ 流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー６５０Ｗであった。
このとき、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２ 流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー６５０Ｗであった。
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
＜実施例５＞
作製した多段インプリントモールドを走査顕微鏡にて観察を行った。
作製した多段インプリントモールドを走査顕微鏡にて観察を行った。
図７（ａ）は、実施例１にて作製した多段インプリントモールド１９である。１層目と２層目のパターンがほぼ中心に存在していることが観察された。
図７（ｂ）は、従来の典型的なリソグラフィを用いて作製した多段インプリントモールド１７である。２層目パターンが１層目パターンの中心から右へ２５ｎｍ程度位置ズレが観察された。
したがって、実施例１にて示したインプリントモールド製造方法は、多段パターンの位置精度向上の効果も期待できる。
図７（ｂ）は、従来の典型的なリソグラフィを用いて作製した多段インプリントモールド１７である。２層目パターンが１層目パターンの中心から右へ２５ｎｍ程度位置ズレが観察された。
したがって、実施例１にて示したインプリントモールド製造方法は、多段パターンの位置精度向上の効果も期待できる。
本発明のインプリントモールド製造方法は、多段パターンが求められる広範な分野に応用が期待できる。例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、インプリントモールド、フォトマスク、ＥＵＶフォトマスクなどの分野に利用が期待される。
１１…レジスト材料
１２…導電層
１３…段差パターン
１４…レジストパターン
１５…倒壊したレジストパターン
１６…基板
１７…多段インプリントモールド
１８…段差パターン
１９…多段インプリントモールド
２０…転写材料
１２…導電層
１３…段差パターン
１４…レジストパターン
１５…倒壊したレジストパターン
１６…基板
１７…多段インプリントモールド
１８…段差パターン
１９…多段インプリントモールド
２０…転写材料
Claims (5)
- 微細なＮ（Ｎ＝２以上の自然数）段の３次元構造パターンを有し、最も線幅の小さいパ
ターンが存する第１段目のパターンの線幅が５００ｎｍ以下である、多段構造のインプリ
ントモールドの製造方法であって、
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形
成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプ
リントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを
有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
転写基板上に積層された転写材料と、前記反転多段インプリントモールドと、を接触させ
て荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの前記反転３次元構造パターンとは凹凸が
反転した多段構造パターンを、前記転写基板上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記転写基板をエッチ
ングして、前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法。 - 前記第Ｎ段目の凹パターンの線幅は、第（Ｎ−１）段目の凹パターンの線幅よりも大き
く、
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド製造方法。 - 微細なＮ（Ｎ＝２以上の自然数）段の３次元構造パターンを有し、最も線幅の小さいパ
ターンが存する第１段目のパターンの線幅が５００ｎｍ以下である、多段構造のインプリ
ントモールドの製造方法であって、
基板に第１段目の凹パターンを形成した後に、前記基板の前記第１段目の凹パターンが形
成された側に、順に、第２段目から第Ｎ段目の凹パターンまで形成して、前記多段インプ
リントモールドの前記３次元構造パターンとは凹凸が反転した反転３次元構造パターンを
有する、反転多段インプリントモールドを作製し、
導電層が表層に形成された転写基板の前記導電層上に積層された転写材料と、前記反転多
段インプリントモールドと、を接触させて荷重をかけ、反転多段インプリントモールドの
前記反転３次元構造パターンとは凹凸が反転した多段構造パターンを、前記転写基板表層
に形成された前記導電層上に積層された前記転写材料に形成し、
前記多段構造パターンが形成された前記転写材料をマスクとして、前記導電層をエッチン
グして、前記導電層に多段構造を形成し、
前記多段構造が形成された前記導電層をマスクとして、前記転写基板をエッチングして、
前記転写基板に前記３次元構造パターンを形成すること
を特徴とするインプリントモールド製造方法。 - 前記第Ｎ段目の凹パターンの線幅は、第（Ｎ−１）段目の凹パターンの線幅よりも大き
く、
前記転写基板は石英基板であること
を特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド製造方法。 - 前記導電層がクロム膜であること
を特徴とする請求項４に記載のインプリントモールド製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009059600A JP5621201B2 (ja) | 2008-11-13 | 2009-03-12 | インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008290693 | 2008-11-13 | ||
| JP2008290693 | 2008-11-13 | ||
| JP2009059600A JP5621201B2 (ja) | 2008-11-13 | 2009-03-12 | インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010137538A JP2010137538A (ja) | 2010-06-24 |
| JP5621201B2 true JP5621201B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=42348091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009059600A Active JP5621201B2 (ja) | 2008-11-13 | 2009-03-12 | インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5621201B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2942739B1 (fr) * | 2009-03-03 | 2011-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression |
| JP5649479B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2015-01-07 | 株式会社フジクラ | インプリントモールドの製造方法、インプリントモールド、及び配線板 |
| KR101327310B1 (ko) | 2011-07-06 | 2013-11-11 | (재)한국나노기술원 | 임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법 |
| JP7027200B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-03-01 | キオクシア株式会社 | レプリカテンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7178277B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2022-11-25 | 株式会社トッパンフォトマスク | インプリントモールド製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3287236B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2002-06-04 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子の製作方法 |
| JPH11160510A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-06-18 | Canon Inc | 多段階段状素子の作製方法又は該素子作製用モールド型の作製方法 |
| JP2000098116A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Canon Inc | 素子又は素子作製用モールド型の作製方法 |
| JP2007266193A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用の型部材とその作製方法、およびこれらに用いられる積層基板 |
| JP4899638B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-03-21 | 大日本印刷株式会社 | モールドの製造方法 |
| JP2008119870A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールド |
| WO2009078190A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Toppan Printing Co., Ltd. | パターン形成方法およびパターン形成体 |
-
2009
- 2009-03-12 JP JP2009059600A patent/JP5621201B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010137538A (ja) | 2010-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4407770B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP5359430B2 (ja) | パターン形成方法、インプリントモールド及びフォトマスク | |
| JP5621201B2 (ja) | インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド | |
| JP5703896B2 (ja) | パターン形成方法およびパターン形成体 | |
| JP4935312B2 (ja) | インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 | |
| JP4998168B2 (ja) | インプリントモールド製造方法 | |
| JP2008126450A (ja) | モールド、その製造方法および磁気記録媒体 | |
| JP5114962B2 (ja) | インプリントモールド、これを用いたインプリント評価装置、レジストパターン形成方法及びインプリントモールドの製造方法 | |
| JP5125655B2 (ja) | インプリントモールド | |
| Nakagawa et al. | Selection of di (meth) acrylate monomers for low pollution of fluorinated mold surfaces in ultraviolet nanoimprint lithography | |
| JP4420746B2 (ja) | 形状転写用金型、及びその製造方法、並びにそれを用いた製品の製造方法 | |
| JP5866934B2 (ja) | パターン形成方法およびインプリント方法 | |
| JP2012023242A (ja) | パターン製造方法およびパターン形成体 | |
| JP5200726B2 (ja) | インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置 | |
| JP2010014857A (ja) | マイクロレンズモールド製造方法、マイクロレンズモールド、マイクロレンズ | |
| JP2010194733A (ja) | ナノインプリント用モールドの製造方法 | |
| JP4889316B2 (ja) | ３次元構造物の製造方法、３次元構造物、光学素子、ステンシルマスク、微細加工物の製造方法、及び微細パターン成形品の製造方法。 | |
| JP2011167780A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成体 | |
| JP2008126448A (ja) | マイクロ・ナノ微細構造体を有するスタンパーおよびその製造方法 | |
| JP2007035998A (ja) | インプリント用モールド | |
| JP2013193454A (ja) | マスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法並びにそれらに使用される表面加工方法 | |
| TWI508148B (zh) | 金屬光柵的製備方法 | |
| JP5477562B2 (ja) | インプリント方法および組みインプリントモールド | |
| JP2008286828A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2010120283A (ja) | マイクロレンズモールド製造方法およびマイクロレンズモールド原版 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130910 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140520 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140717 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140826 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140908 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5621201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |