JP5020251B2 - リソグラフィマスクなどの形状体を搭載する支持体を形成する方法 - Google Patents
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Description
複数の重畳層が除去できる基板上に生成され、それぞれの層は2つの異なる材料の領域から形成され、重畳層を構成する領域および材料の形状は基板上に反転した上記パターンを形成するように画定されており、これらのパターンは3D型であり、これらのパターンのいくつかはこれらパターン内および/または他のパターンと比較して異なる高さを有し、
所定の材料の層は層のスタック上に生成され、
少なくとも基板は、反転後に上記パターンを備える上記支持体を得るために除去される。
陰極スパッタリング、
エピタキシ、
電解成長、
遠心力利用堆積、
により形成できる。
暗い背景、すなわち、突起部を形成する金型を用いて得られる樹脂マスクに少数の開口しか備えない(これは明るい色調の樹脂を用いて標準的なリソグラフィ工程を実行することと同等である)または、
明るい背景、すなわち、凹部を形成する金型を用いて得られる樹脂マスクに多数の開口を備える(これは、暗い色調の樹脂を用いて標準的なリソグラフィ工程を実行することと同等である)。
比較的厚い(厚さ数百ミクロン)基板上の石英のエッチング。
透過性マスクの品質を損なう、エッチングパターンの底部の粗さ。
三次元パターンを生成するための簡単な方法。
位相シフトマスクの場合における位相の高精度の制御。
「型押し」または「凹型」構造体を生成する能力。
この方法により得られるナノインプリントリソグラフィのための金型であって、この金型は支持体およびこの支持体により搭載される印刷パターンから形成され、材料は可視光線、紫外線(UV)、深紫外線(DUV)または極紫外線(EUV)に対して透過性である支持体およびパターンを構成し、パターンのうちの少なくともいくつかまたは隣接するパターン間の間隙の少なくともいくつかは有利には、数ナノメートルおよび数マイクロメートル間である支持体に平行な寸法を有し、
この方法により得られる干渉リソグラフィマスクであって、このマスクは支持体およびこの支持体により搭載されるパターンから形成され、材料は248ナノメートル未満の波長で紫外線に対して透過性である支持体およびパターンを構成し、パターンのうちの少なくともいくつかまたは隣接するパターン間の間隙の少なくともいくつかは有利には、約数十ナノメートルである、支持体に平行な寸法を有し、
上述の方法により得られる光学リソグラフィのための位相シフト光学マスクであって、このマスクは支持体および支持体により搭載されるパターンから形成され、材料は紫外線に対して透過性である支持体およびこれらのパターンのうちのいくつかを構成するのに対して、これらのパターンのうちの他のパターンはこのような照射線を反射する材料からなり、このパターンを備える支持体は様々な厚さの透過性材料を有し、少なくともいくつかのパターンまたは少なくとも隣接するパターン間の間隙のいくつかは約数十ナノメートルである支持体に平行な寸法を有する。
第1材料Aを腐食し、第2材料Bを残すことができる選択的除去プロセスがあり、第2材料は第1材料上に堆積でき、第1材料に接着し、エッチングされる。
材料B(例えば、CVDにより堆積されたシリカまたはシリコン酸化物)は、有利にはシリコンである材料A上に堆積されている。材料Bは次に、材料A上の材料Bの2Dパターンを形成するためにパターン形成(リソグラフィ+エッチング+ストリッピング)の工程を受ける(図5および図6)。
材料AおよびA’(例えばシリコン)は、有利には同じ種類(材料A)である基板上に堆積される。材料Aは次に、基板上で材料Aの2Dパターンを形成するためにパターン形成工程(リソグラフィ+エッチング+ストリッピング)を受ける(図19および図20)。
上述のプロセスは簡単に位相シフトマスクの製造に適用できる。
ステップ1:層Aが材料Aの基板上に堆積される(図37)。
ステップ2:リソグラフィ(マスクを形成するため)に続いて、層Aのエッチングを実行する(図38)。
ステップ3:(不透過性)材料Bを堆積し、および平坦化をして、エッチングされた層Aを同一高さに維持する(図39)。
ステップ4:相補層Aを堆積する(図40)。
ステップ5:リソグラフィに続いて、材料Aの第2層をエッチングする(図41)。
ステップ6:(透過性)材料Cを堆積および平坦化する(図42)。
ステップ7:透過性基板T上に材料Bを支持する層Cを接着する(図43)。
ステップ8:基板および材料Aを除去する(図44)。
Claims (23)
- 少なくとも1つの所定の材料の支持体であって、さらにパターンを含む支持体から成るナノプリントリソグラフィのための成形型を製造する方法であって、該方法は、
複数の重畳層を除去できる基板上に生成することを含み、該複数の層の各々はそれぞれ少なくとも2つの異なる材料の領域を含んでおり、複数の重畳層を構成する領域および材料の形状が基板上に反転した前記パターンを形成するように画定されており、これらのパターンが3Dパターンからなり、これらのパターンの一部が個々のパターン内でまたは他のパターンに対して異なる高さを有し、方法は更に、
所定の材料の層を重畳層上に生成することと、
少なくとも基板を除去することと、を含み、
方法が更に、重畳層の材料のうちの少なくとも1つを、凹型または型押しパターンまたはその両方を形成するように除去することを含む、ナノプリントリソグラフィのための成形型を製造する方法。 - 前記パターンが突出していることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- パターンのうちの少なくとも一部、または隣接するパターン間の間隙の少なくとも一部が、約100ナノメートル未満である、支持体と平行な寸法を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 重畳層を構成する材料が、少なくとも1種類の照射線に関して異なる特性を有し、これら材料のうちの少なくとも1つの材料がこの照射線に対して実質的に透過性であり、1つの材料がこの照射線を吸収し、前記パターンが層内の前記材料の間の境界面により境界を定められていることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 方法が更に、
第1材料を腐食し、および、第1材料上に堆積させることができ、そこに付着でき、エッチングすることができる第2材料を残すことができる、選択的除去プロセスを特定することと、
第1材料上に堆積させることができ、そこに付着でき、エッチングすることができ、前記選択的除去プロセスにより除去することができる、第1材料と少なくとも融和性がある少なくとも1つの材料を特定することと、
第1および第2材料上に堆積させることができ、そこに付着でき、エッチングすることができ、前記選択的除去プロセスにより除去することができない、第2材料と少なくとも融和性がある少なくとも1つの材料を特定することと、
前記第1材料から形成される基板を生成することと、
第1材料と少なくとも融和性がある材料の領域および前記第2材料の相補的領域からなる第1層を基板上に形成するように基板にパターン形成することと、
基板上に層のスタックを形成するように、前の層の上に、第1材料と融和性がある材料の領域および第2材料と少なくとも融和性のある材料の相補的領域からなる別の層を形成するように少なくとも1つの追加のパターン形成を実行することと、
スタックの最上層をキャリア層に付着することと、
第2材料の積層された相補的領域または第2材料と少なくとも融和性がある材料をストリッピングし、キャリア層が、これらの相補的領域とともに、パターンを搭載する支持体を形成するように、第1材料および第1材料と少なくとも融和性がある材料の領域を選択的に除去することと、を含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - パターン形成が堆積、エッチングおよびストリッピングにより実現されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 第2材料と少なくとも融和性のある材料に支持体の所定の材料を付着または接着する、第3材料を特定することと、前記第3材料の付着層を前記層のスタック上に生成することと、上記所定の材料のキャリア層を付着層上に生成することと、を更に含むことを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。
- 少なくとも1つの追加のパターン形成の実行が、前の層のパターン形成とは異なり、この結果、パターンのうちの少なくともいくつかが支持体に対して垂直な高さの違いを有することを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の方法。
- パターン形成サイクルのうちの少なくとも1つが物理的または化学的研磨によるストリッピングを含むことを特徴とする、請求項5から8のいずれか一項に記載の方法。
- 型押し部分を有するパターンが、上縁部および少なくとも1つの下縁部のスタックを含み、前記第1および他の層の相補的な領域がそれぞれこれらの上縁部および下縁部の形状を有することを特徴とする、請求項5から9のいずれか一項に記載の方法。
- 凹型部分を含むパターンが、上縁部および少なくとも1つの下縁部のスタックを含み、第1材料と少なくとも融和性のある材料の前記第1および他の段階の領域がそれぞれこれらの上縁部および下縁部の形状を有することを特徴とする、請求項5から10のいずれか一項に記載の方法。
- 支持体の所定の材料が所与の照射線に対して透過性の材料であることを特徴とする、請求項5から11のいずれか一項に記載の方法。
- 支持体の所定の材料が可視光に対して透過性の材料であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 支持体の所定の材料がUVに対して透過性の材料であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 支持体の所定の材料が石英であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 支持体の所定の材料が石英ガラスであることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 第2材料がシリカまたは熱酸化物またはシリカと熱酸化物の組み合わせであり、第2材料と少なくとも融和性のある材料がシリカまたはシリコン酸化物またはシリカとシリコン酸化物の組み合わせであることを特徴とする、請求項5から16のいずれか一項に記載の方法。
- 第1材料および第1材料と少なくとも融和性のある材料が本質的にシリコンであることを特徴とする、請求項5から17のいずれか一項に記載の方法。
- 第1材料が単結晶シリコンであり、第1材料と少なくとも融和性のある材料が多結晶またはアモルファスシリコン、窒化珪素またはシリコンゲルマニウム合金であることを特徴とする、請求項18に記載の方法。
- 選択的除去プロセスがTMAHまたはKOH型の酸化物上のウェットエッチングを含むことを特徴とする、請求項18または19に記載の方法。
- 第1材料および第1材料と少なくとも融和性のある材料が本質的にアルミニウムであることを特徴とする、請求項5から17のいずれか一項に記載の方法。
- 選択的除去プロセスがH3PO4の液浴によるエッチングを含むことを特徴とする、請求項21に記載の方法。
- 第1材料および第1材料と少なくとも融和性のある材料が本質的にクロムであることを特徴とする、請求項5から17のいずれか一項に記載の方法。
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