CN101681095A - 图案形成方法、由此形成的图案或模具 - Google Patents

图案形成方法、由此形成的图案或模具 Download PDF

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Abstract

一种图案形成方法，包括：在形成于基材上的薄膜的表面上形成抗蚀剂的图案的步骤；在抗蚀剂的图案上形成反转层的步骤；通过在去除反转层以露出抗蚀剂的表面之后去除抗蚀剂、形成与抗蚀剂的图案互补的反转层的反转图案的步骤；通过以反转层的反转图案为掩模蚀刻薄膜、形成包含其上形成反转层的薄膜的硬掩模层的步骤；以及以其上保留反转层的硬掩模层或其上已去除反转层的硬掩模层作为掩模蚀刻基材的步骤。

Description

图案形成方法、由此形成的图案或模具
技术领域
本发明涉及图案形成方法、通过图案形成方法形成的图案、模具、处理装置和处理方法。
背景技术
近年来，用于将设置在模具上的精细结构转移到诸如树脂材料、金属材料等的待处理部件上的精细处理技术已经被开发并且受到关注。该技术被称为纳米压印(nanoimprint)或纳米压纹(nanoembossing)，并且提供几纳米的量级的处理分辨能力。因此，该技术可望代替诸如步进仪(stepper)、扫描仪等的曝光装置被应用于下一代半导体制造技术。并且，该技术能够在晶片水平上实行三维结构的同时处理。因此，该技术可望被应用于例如诸如光子晶体等的光学器件、诸如μ-TAS(微全分析系统)的生物芯片等的制造技术等广泛的各种领域。
在将这种使用压印的处理应用于半导体制造技术的情况下，例如，如Stephan Y.Chou et al.，Appl.Phys.Lett.，Vol.67，Issue 21，pp.3114-3316(1995)(“文献1”)描述的那样，以以下的方式执行处理。
即，关于包含基板(例如，半导体晶片)和设置在基板上的光可固化树脂材料的制品(工件)，具有希望的压印图案的模具与光可固化树脂材料压接，随后通过紫外线照射使光可固化树脂材料固化(“光压印”)。作为替代方案，在基板上形成热塑性树脂材料，并且将其加热以使其软化。然后，使模具与软化的树脂材料压接，随后通过降低温度以由此使树脂材料硬化(“热压印”)。结果，压印图案被转移到树脂材料层上。得到的树脂材料层被原样使用，或者，以树脂材料层作为掩模层，执行蚀刻等以将图案形成于基板上。
在这种压印技术中，转移形状的精度依赖于模具的处理精度。
作为模具的材料，例如，在光压印中，使用诸如石英的透明材料。通过抗蚀剂掩模进行蚀刻以在亚微米量级上处理石英在技术上是十分困难的。原因在于，与其它材料的情况相比，Si02的蚀刻一般需要非常高的离子能量，使得抗蚀剂掩模上的负荷非常大。
为了解决该问题，需要采取措施，使得：单独地或组合地，材料能抵抗高离子能量的冲击、以足够的厚度形成图案图像、建立用于抑制抗蚀剂消耗的蚀刻条件。
由于这种原因，在常规的压印技术中，一般已在许多情况下使用诸如Cr等的金属材料。
例如，在Ecron Thompson，Peter Rhyins，Ron Voisin，s.V.Sreenivasan，Patrick Martin.SPIE Microlithography Conference，February 2003(“文献2”)中，公开了图3(a)～3(c)所示的使用金属材料作为硬掩模的图案形成方法。在该图案形成方法中，首先，在基材301上由金属材料形成薄硬掩模层302，并且，在硬掩模层302上形成抗蚀剂303并对其进行构图(图3(a))。然后，通过使用抗蚀剂303作为掩模执行蚀刻，以将抗蚀剂图案转移到金属材料的薄硬掩模层302上(图3(b))。然后，通过使用硬掩模层302作为掩模蚀刻基材301(图3(c))。
并且，例如，如Stephen y.Chou.Peter R.Krauss，Wei Zhang，Lingjie Guo，and Lei Zhuang J.VAC.Sci.Technol.b.15，2897(1997)(“文献3”)中描述的那样，已研究了通过剥离方法制备具有小于28nm的处理尺寸的方法的方法。在图5(a)和图5(b)中表示该方法。首先，在基材501上形成抗蚀剂502并对其进行构图。在抗蚀剂502的表面上，通过诸如气相沉积或化学气相沉积(CVD)的方法由希望的材料形成硬掩模层503(图5(a))。然后，通过溶解抗蚀剂502，仅在抗蚀剂502的开口部分处留下硬掩模层503(图5(b))。与图3(c)的步骤类似，通过使用硬掩模层503作为掩模蚀刻基材501。
但是，在使用诸如Cr的金属材料作为硬掩模的文献2的上述方法中，在100nm或更小的量级的精细处理过程中可出现以下的问题。
在100nm或更小的量级的精细处理中，抗蚀剂的厚度的减小和材料的弱化是明显的。由于这种原因，在一些情况下，抗蚀剂在硬掩模的处理过程中消失。并且，即使在抗蚀剂具有足够的厚度并且不在处理过程中消失的情况下，如图4(a)～4(c)所示，由于在干蚀刻过程中由等离子体导致的损伤，基材变形。
图4(a)是图3(a)的透视图，其中，在基材301上形成硬掩模层302和抗蚀剂303。
当通过使用抗蚀剂303作为掩模蚀刻硬掩模层302时，抗蚀剂303变形为不希望的形状(图4(b))。
结果，抗蚀剂303的图案的粗糙性被转移到硬掩模层302上。通过随后的蚀刻，粗糙性被进一步转移到基材301上(图4(c))。
由于这些因素，因此难以满足临界尺寸(CD)精度和低的边缘线粗糙度(ELR)。
并且，根据文献3描述的剥离方法，能够以小于28nm的处理精度实行处理。但是，可出现图6(a)～6(c)所示的问题。
即，导致出现由于去除失败而引起沉积于抗蚀剂表面上的硬掩模材料与邻近的图案部分连接这样的问题(图6(a))。
并且，出现在图案边缘处留下毛刺(burr)这样的问题(图6(b))。
并且，出现不能在图案边缘处保证足够的厚度这样的问题(图6(c))。
由于这些问题，因此，在剥离方法中，难以获得能够满足大规模生产的产量。
发明内容
本发明的主要目的是，提供解决上述的问题并能够在不使用抗蚀剂作为蚀刻掩模并且不使用剥离方法的情况下形成图案的图案形成方法。
本发明的另一目的是，提供通过图案形成方法形成的图案。
本发明的另一目的是，提供具有图案的模具、使用模具的处理装置和使用模具的处理工艺。
根据本发明的一个方面，提供一种图案形成方法，包括：
在第一材料的基材的表面上形成第二材料的薄膜的步骤；
在第二材料的薄膜的表面上形成抗蚀剂的图案的步骤；
在抗蚀剂的图案上形成第三材料的反转层的步骤；
去除反转层以露出抗蚀剂的表面的步骤；
通过去除抗蚀剂形成与抗蚀剂的图案互补的反转(reverse)层的反转图案的步骤；
通过以反转层的反转图案作为掩模蚀刻薄膜、形成包含其上形成反转层的薄膜的硬掩模层的步骤；和
以其上保留反转层的硬掩模层或其上已去除反转层的硬掩模层作为掩模蚀刻基材的步骤。
根据本发明的另一方面，提供通过图案形成方法形成的图案、具有图案的模具、使用模具的处理装置、以及使用模具的处理工艺。
根据本发明，能够实现能够在不使用抗蚀剂作为掩模并且不使用剥离方法的情况下形成图案的图案形成方法。还能够实现通过图案形成方法形成的图案、具有该图案的掩模、使用模具的处理装置、以及使用模具的处理工艺。
当结合附图考虑本发明的优选实施例的以下描述时，本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得更加明显。
附图说明
图1(a)～图1(f)是用于示出作为本发明的实施例的图案形成方法的截面图。
图2(a)～图2(i)是用于示出作为本发明的另一实施例的图案形成方法的截面图。
图3(a)～图3(c)是用于示出文献2中的图案形成方法的截面图。
图4(a)～图4(c)是用于示出常规的压印技术中的问题的透视图。
图5(a)和图5(b)是用于示出文献3中的图案形成方法的示意图。
图6(a)～图6(c)是用于示出常规的剥离方法中的问题的透视图。
图7(a)和图7(b)是用于示出通过本发明的实施例中的图案形成方法形成的图案的透视图。
图8是通过本发明的实施例中的图案形成方法形成的图案的截面摄影图像。
图9是通过本发明的实施例中的图案形成方法形成的图案的透视摄影图像。
具体实施方式
根据上述的构成，能够抑制以下的情况，即，抗蚀剂在硬掩模的处理过程中消失；以及，由于在干蚀刻过程中由等离子体导致的损伤而出现抗蚀剂的变形。并且，可以在不使用剥离方法的情况下执行图案形成。
更具体而言，可通过以下的作为本发明的实施例的图案形成方法实现这些方面。
在图案形成方法中，首先，在形成于薄膜(所述薄膜设置于基材上，用于形成硬掩模)上的抗蚀剂的图案的表面上，使用耐用(robust)材料层作为反转层，所述耐用材料层能够关于抗蚀剂和用于形成硬掩模的薄膜提供其蚀刻选择比，并且具有高的对等离子体的抵抗力(resistance)。
然后，去除反转层，直到露出抗蚀剂图案的表面，并且在那之后仅将抗蚀剂选择性地去除。由此，形成与抗蚀剂图案互补的反转图案。
通过使用该反转图案作为掩模，形成在基材中的用于形成硬掩模的薄膜被蚀刻为形成硬掩模层。
然后，通过使用硬掩模层作为掩模蚀刻基材以形成图案。
由此，能够在基材的蚀刻过程中不使用抗蚀剂作为蚀刻掩模、并且不使用剥离方法而形成图案。
因此，与常规的图案形成方法不同，当在平版印刷(lithography)过程中将图案形状转移到硬掩模上时，能够减轻形状的劣化(变形)。
(实施例)
以下，将参照作为用于示出图案形成方法的截面图的图1(a)～图1(f)描述根据本发明的实施例的图案形成方法。
参照图1(a)～图1(f)，通过使用基材101、用于形成硬掩模的薄膜102、抗蚀剂103、反转层104和反转图案105，通过以下的步骤执行第三实施例的图案形成方法。
(1)在第一材料的基材的表面上形成第二材料的薄膜的步骤
首先，在基材101的表面上，形成用于形成硬掩模的第二材料的薄膜102。可通过从气相沉积、CVD、旋转涂敷等适当地选择方法，形成用于形成硬掩模的薄膜102。
然后，在用于形成硬掩模的薄膜102上，形成抗蚀剂图案103(图1(a))。抗蚀剂103的构图方法的例子可包含通过使用步进仪、扫描仪等曝光，以及利用电子束平版印刷。
(2)在第二材料的薄膜的表面上形成抗蚀剂图案并在抗蚀剂图案上形成第三材料的反转层的步骤
在抗蚀剂103上，由第三材料形成反转层104。结果，抗蚀剂图案103被完全埋入反转层104中(图1(b))。从诸如旋转涂敷、气相沉积和CVD的方法适当地选择用于形成反转层104的方法。
在形成反转层104的步骤之后，希望反转层104可被平坦化。出于这种目的，能够在成膜过程中使用在一定程度上提供平坦化表面的旋转涂敷。并且，能够通过例如化学机械抛光(CMP)在成膜之后使膜表面平坦化。也可在旋转涂敷之后执行诸如CMP的平坦化处理。
(3)去除反转层直到露出抗蚀剂的表面的步骤
去除反转层104，直到露出抗蚀剂103的上表面(图1(c))。可通过借助于干蚀刻的回蚀刻(etch back)或诸如CMP的平坦化处理执行该步骤。还可以继续步骤(2)中的平坦化处理(图1(b))，直到获得图1(c)所示的状态。
(4)通过去除抗蚀剂形成与抗蚀剂图案互补的反转层的反转图案的步骤
去除抗蚀剂103。这样，以抗蚀剂图案103的开口部分(图1(a))被反转层104替代的方式形成反转图案105(图1(d))。
通过使用分离(释放)液体或等离子体进行蚀刻/灰化，执行抗蚀剂103的去除。
(5)通过以反转层的反转图案作为掩模蚀刻薄膜、形成包含其上形成反转层的薄膜的硬掩模层的步骤
通过以反转图案105作为掩模蚀刻用于形成硬掩模的薄膜102，形成硬掩模层(图1(e))。
(6)通过以其上保留反转层的薄膜的硬掩模层或其上已去除反转层的硬掩模层作为掩模、蚀刻第一材料的基材的步骤
通过使用反转图案105和硬掩模102的组合作为掩模、或使用其上已去除反转图案105的硬掩模102作为掩模，蚀刻基材101(图1(f))。在蚀刻之后，可以根据需要去除反转图案105和/或硬掩模层102。
在本实施例中，反转层104可由与抗蚀剂103相比对等离子体的抵抗力优异的材料形成。
因此，能够防止由于掩模厚度不足导致的尺寸控制性能的降低和由于掩模图案的变形导致的形状劣化，这在用于形成硬掩模的第二材料的薄膜102的蚀刻过程中已成为问题。
并且，在精细图案中的抗蚀剂的构图中，会出现这样一种现象，即，在显影液或清洗液的干燥化的过程中，相邻的图案部分由于表面张力而相互吸引从而落下(图案掉落)。随着相对于图案宽度的抗蚀剂厚度的增加，这种现象更易于出现。
但是，通过使用本实施例的图案形成方法，能够减少出现图案掉落的程度。原因在于，反转层104以比抗蚀剂小的厚度在蚀刻过程中用作掩模，使得即使对于相同的处理尺寸与常规的工艺的情况相比也可减小抗蚀剂的厚度。
基材101和用于形成硬掩模的薄膜102的典型组合是石英(用于基材101)和Cr(用于薄膜102)。但是，在本实施例中，该组合不特别限于石英和Cr，而是，只要用于组合的材料可保证它们之间的适当的蚀刻选择比，就可以从任意的组合适当地进行选择。
例如，作为用于基材101的材料，能够使用诸如TiO2、Al2O3、ZnO、ITO(氧化铟锡)、CaF2或SiN的透明材料，硅，氧化硅化合物，普通的金属材料等。
作为用于薄膜102的材料，能够选择Al、WSi、Ni、Cr等，使得选择的材料可与用于基材101的材料组合提供适当的蚀刻选择比。
作为用于反转层104的材料，能够使用诸如SiO2、SiN、氧化硅化合物的硅基材料，包含硅的树脂基化合物，诸如TiO2和Al2O3的绝缘材料，以及普通的金属材料。可以从这些材料选择能够相对于用于形成硬掩模的薄膜102的材料提供适当的蚀刻选择比的材料。
例如，作为形成SiO2的反转层的方法，能够采用利用包含氧化硅的旋涂玻璃(SOG)的旋转涂敷，或利用原硅酸四乙酯(TEOS)的等离子体CVD的成膜。
本实施例中的工艺更适于在蚀刻基材的步骤中用作掩模的硬掩模层的区域以外的面积为基材的整个表面的面积的50％或更大的情况。
得到的图案的例子可优选包含图7(a)所示的点图案和图7(b)所示的隔离线图案。还能够包含由点图案和隔离线图案的组合构成的图案。
在常规的平版印刷技术中，大多数的具有高的分辨率的抗蚀剂是其中在显影过程中去除曝光部分的所谓的正抗蚀剂。在用正抗蚀剂形成上述的图案的情况下，执行曝光以包围图案，使得去除部分的量增加。由于这种原因，实行尺寸控制是十分困难的。
并且，即使在电子束(直接)绘制(drawing)或光刻(photolithography)中，在掩模的制备中，包围(邻近)图案的大的面积被曝光，使得花费长的时间和大的成本。
在本发明中，例如，点图案形成仅需要孔图案绘制。这不仅导致容易的尺寸控制，还导致处理时间的大大减少。
在蚀刻基材的步骤中用作掩模的硬掩模层的区域以外的面积小于基材的整个表面的面积的50％的情况下，图1(a)～图1(f)所示的图案形成方法在一些情况下不总是合适的。即，对基材的整个表面的面积的50％或更大进行绘制，由此导致尺寸控制和处理时间方面的缺点。在这种情况下，与图1(a)～图1(f)所示的不同的图2(a)～图2(i)所示的图案形成方法是有效的。
以下，将参照图2(a)～图2(i)描述本发明的图案形成方法的另一实施例。
(1)在设置在第二材料的薄膜(该薄膜设置在第一材料的基材的表面上)上的转移层上形成抗蚀剂的图案的步骤
首先，在基材101的表面上，形成用于形成硬掩模的第二材料的薄膜102。
然后，在用于形成硬掩模的薄膜102上，形成转移层201并在其上形成抗蚀剂图案103(图2(a))。
(2)在抗蚀剂图案上形成第三材料的第一反转层的步骤
在抗蚀剂图案103上，由第三材料形成第一反转层202(图2(b))。
(3)通过在去除第一反转层直到露出抗蚀剂的表面之后去除抗蚀剂、形成与抗蚀剂图案互补的第一反转层的第一反转图案的步骤
首先，处理并去除反转层202直到露出抗蚀剂103的上表面。然后，去除抗蚀剂103，从而以抗蚀剂103的图案的开口部分被第一反转层202替代的方式形成反转图案层203(图2(c))。以与上面参照图1(c)和图1(d)描述的步骤(3)和步骤(4)中相同的方式执行该步骤中的处理。顺便说一句，在形成第一反转层的步骤之后，还能够执行使第一反转层平坦化的步骤。
(4)通过以第一反转层作为掩模蚀刻转移层、形成包含转移层与在转移层上形成的第一反转图案的第二反转图案的步骤
以反转图案层203作为掩模，转移层201被蚀刻以形成包含转移层201和设置在转移层201上的反转图案层203的第二反转图案204(图2(d))。
(5)在第二反转图案上形成第三材料的第二反转层的步骤
在反转图案204上，形成第二反转层205(图2(e))。
(6)去除第二反转层和第一反转图案直到露出转移层的表面的步骤
处理并去除第二反转层205和第一反转图案203，直到露出转移层201的上表面(图2(f))。顺便说一句，在形成第二反转层的步骤之后，还可执行使第二反转层平坦化的步骤。
(7)通过在以上的步骤(6)之后去除转移层、形成与第一反转图案互补的第二反转层的第三反转层的步骤
通过去除转移层201形成第三反转图案206(图2(g))。
通过使用分离(释放)液体或等离子体进行蚀刻/灰化，执行转移层201的去除。
(8)通过以第三反转图案作为掩模蚀刻薄膜，形成包含其上形成第三反转图案的薄膜的硬掩模层的步骤
通过以第三反转图案206作为掩模蚀刻用于形成硬掩模的薄膜102，形成硬掩模层(图2(h))。
(9)以其上保留第三反转图案的薄膜的硬掩模层或其上已去除第三反转图案的硬掩模层作为掩模，蚀刻第一材料的基材的步骤
通过使用第三反转图案206和硬掩模102的组合作为掩模或使用其上已去除第三反转图案206的硬掩模102作为掩模，蚀刻基材101(图2(i))。在蚀刻之后，可根据需要去除第三反转图案206和/或硬掩模层102。
在使用以上的图案形成方法的情况下，抗蚀剂图案103和第三反转图案206在截面形状(凸出/凹陷配置)上相互一致。即，通过适当地使用图1(a)～图1(f)和图2(a)～图2(i)所示的工艺，能够从单一绘制图案(抗蚀剂图案103)形成与抗蚀剂图案103互补的(图1(d)的)反转图案105和与抗蚀剂图案103对应的(图2(g)的)反转图案206中的任一个。
并且，通过选择图2(a)～图2(i)所示的图案形成方法，能够形成具有小的绘制面积的图案。
作为用于转移层201的材料，希望材料可选自不通过抗蚀剂的绘制被显影并且为包含相对接近抗蚀剂成分的成分的有机材料的材料。
例如，用于转移层201的材料可适当地包含反射防止膜(底部抗反射涂层(BARC))、旋涂碳(SOC)、类金刚石碳(DLC)等。在使用这些材料的情况下，可以在类似的蚀刻条件下执行抗蚀剂103的去除(图2(c))和转移层201的蚀刻(图2(d))，使得还能够在单一的步骤中连续执行去除和蚀刻。
通过上述的图案形成方法，能够制备普通的精细图案。并且，通过将该图案形成方法应用于纳米压印的模具的制备，能够实现其中通过使用模具将图案压印到待处理部件上的处理装置、处理方法和通过该处理方法处理的结构。
通过上述的图案形成方法，能够制备一般的精细图案，但该图案形成方法还适用于纳米压印的模具的制备。通过得到的模具，能够提供被配置为将图案压印到待处理部件上的处理装置和处理方法，并提供通过该处理方法处理的结构。
并且，通过上述的图案形成方法，能够容易地制备图8所示的具有22nm或更小的半间距(half pitch，hp)、87.5度或更大的侧壁角、以及4.5或更大的纵横比的线-间隙图案(line-and-space pattern)。并且，能够容易地制备图9所示的具有32nm或更小的半间距(hp)、84度或更大的侧壁角和2.0或更大的纵横比的点图案。
通过例如使用石英作为第一材料的基材、使用10nm厚的铬(Cr)层作为用于形成硬掩模的第二材料的薄膜、以及使用SOG(氧化硅化合物)作为反转层，形成这些图案。
在上述的图案形成方法中，在反转层(SOG)保留于薄膜(Cr)上的状态下执行基材(石英)的蚀刻，但是，在蚀刻过程中反转层也与薄膜同时被蚀刻，使得反转层不保留于最终的结构上。
硬掩模(Cr)可原样留在薄膜上，但是，在得到的掩模被用作光压印的掩模的情况下，希望硬掩模被去除。
[工业适用性]
如上所述，根据本发明，可以实现能够在不使用抗蚀剂作为掩模并且不使用剥离方法的情况下形成图案的图案形成方法。还能够实现通过该图案形成方法形成的图案、具有该图案的掩模、使用模具的处理装置、使用模具的处理工艺、以及通过该处理工艺处理的结构。
虽然已参照这里公开的结构描述了本发明，但它不限于阐述的细节，并且，本申请意欲覆盖落入改进目的或者以下的权利要求的范围的修改或改变。

Claims (18)

1.一种图案形成方法，包括：
在第一材料的基材的表面上形成第二材料的薄膜的步骤；
在第二材料的所述薄膜的表面上形成抗蚀剂的图案的步骤；
在所述抗蚀剂的图案上形成第三材料的反转层的步骤；
去除所述反转层以露出所述抗蚀剂的表面的步骤；
通过去除所述抗蚀剂形成与所述抗蚀剂的图案互补的反转层的反转图案的步骤；
通过以所述反转层的反转图案作为掩模蚀刻所述薄膜、形成包含其上形成有所述反转层的所述薄膜的硬掩模层的步骤；和
通过以其上保留所述反转层的硬掩模层或其上已去除所述反转层的硬掩模层作为掩模蚀刻所述基材的步骤。
2.根据权利要求1的方法，其中，在所述蚀刻所述基材的步骤中，作为掩模的硬掩模层的区域以外的面积为所述基材的整个表面的面积的50％或更大。
3.根据权利要求1的方法，其中，所述图案形成方法还包括：在形成反转层的所述步骤之后使反转层的表面平坦化的步骤。
4.根据权利要求1的方法，其中，所述反转层由对等离子体的抵抗力比所述抗蚀剂高的材料形成。
5.根据权利要求1的方法，其中，第一材料是氧化硅，第二材料是铬，以及第三方法是包含氧化硅的旋涂玻璃。
6.一种图案形成方法，包括：
在设置在第二材料的薄膜上的转移层上形成抗蚀剂的图案的步骤，所述薄膜被设置在第一材料的基材的表面上；
在所述抗蚀剂的图案上形成第三材料的第一反转层的步骤；
通过在去除所述反转层以露出所述抗蚀剂的表面之后去除所述抗蚀剂、形成与所述抗蚀剂的图案互补的第一反转层的第一反转图案的步骤；
通过以第一反转层作为掩模蚀刻所述转移层、形成包含所述转移层和在所述转移层上形成的第一反转图案的第二反转图案的步骤；
在第二图案上形成第三材料的第二反转层的步骤；
通过在去除第二反转层和第一反转图案以露出所述转移层的表面之后去除所述转移层、形成与第一反转图案互补的第二反转层的第三反转图案的步骤；
通过以第三反转图案作为掩模蚀刻所述薄膜、形成包含其上形成有第三反转图案的所述薄膜的硬掩模层的步骤；和
以其上保留第三反转图案的硬掩模层或其上已去除第三反转图案的硬掩模层作为掩模蚀刻所述基材的步骤。
7.根据权利要求6的方法，其中，在所述蚀刻所述基材的步骤中，作为掩模的硬掩模层的区域以外的面积小于所述基材的整个表面的面积的50％。
8.根据权利要求6的方法，其中，所述图案形成方法还包括：在形成第一反转层的所述步骤之后使第一反转层平坦化的步骤。
9.根据权利要求6的方法，其中，所述图案形成方法还包括：在形成第二反转层的所述步骤之后使第二反转层平坦化的步骤。
10.根据权利要求6的方法，其中，所述反转层由对等离子体的抵抗力比所述抗蚀剂高的材料形成。
11.根据权利要求6的方法，其中，第一材料是氧化硅，第二材料是铬，以及第三方法是包含氧化硅的旋涂玻璃。
12.根据权利要求1的方法，其中，所述图案形成方法形成具有22nm或更小的半间距、87.5度或更大的侧壁角以及2.0或更大的纵横比的线-间隙图案。
13.根据权利要求1的方法，其中，所述图案形成方法形成具有32nm或更小的半间距、84度或更大的侧壁角以及2.0或更大的纵横比的点图案。
14.一种用于压印图案的模具，具有通过根据权利要求1的图案形成方法形成的图案。
15.一种用于压印图案的模具，具有权利要求12中所述的线-间隙图案。
16.一种用于在待处理部件上压印图案的处理装置，包括根据权利要求14的模具。
17.一种包括通过使用根据权利要求14的模具而在待处理部件上压印图案的步骤的处理方法。
18.一种通过根据权利要求17的处理方法所处理的结构。
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