KR101789921B1 - 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법 - Google Patents

나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서, 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비한 후, 상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성한다. 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성한 후, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성한다. 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성한다.

Description

나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING A NANO THIN-LAYER PATTERN STRUCTURE}
본 발명은 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 나노 임프린팅 공정을 통한 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것이다.
산업 기술의 발달에 따라서 그 생산기술은 융복합화, 지능화, 정밀화, 초미세화로 발전하고 있다. 따라서 최근 개발되고 있는 대부분의 나노 반도체/광학/바이오 소자들은 각종 전자 부품 소자들의 고속화/고성능화/고집적화를 통해 사용자가 요구하는 다양한 기판 상에 원하는 나노소재를 이용한 초고분해능, 저가의 제조비용, 대면적 공정기술 및 저온 공정기술을 구현하고자 노력하고 있다. 더불어 이들 소자들을 구성하는 나노 스케일의 패터닝 기술 및 해당 소자의 미세 선폭 구현역시 절실히 요구되고 있으며, 기존 패터닝 공정 한계를 뛰어넘을 수 있는 차세대 나노 패터닝 기술개발에 대한 중요성이 날로 증대되고 있다.
지금까지 널리 알려져 있는 미세 패터닝 제작 기술은 실리콘(Silicon)을 기반으로 한 반도체 공정에 주로 사용되는 포토리소그래피(Photo lithography)가 대표적이다. 하지만 이 기술은 빛의 회절(Diffraction)과 간섭(Interference) 현상, 이를 극복하기 위한 매우 짧은 파장(Wave length)의 노출광 개발의 필요, 빛의 파장이 줄어듦에 따른 마스크(Mask) 재질의 개발, 높은 에너지의 광소스의 필요성, 그리고 포토레지스트(Photoresist)의 개발 등의 여러 가지 한계를 가진다.
따라서, 포토리소그래피 공정 이외에도 현재 여러 가지 미세 패터닝 방법이 알려져 있다. 예를 들면, X선 리소그래피(X-ray lithography), 전자빔 리소그래피(Electron-beam lithography), 이온빔 리소그래피(Ion-beam lithography) 그리고 주사탐침 리소그래피(Scanning probe lithography) 등이 있다. 그러나, 상기 방법들은 장비 자체가 매우 고가이며, 값비싼 재료가 필요하며 공정 속도도 매우 느려 제조 공정 단가가 높고, 매우 국부적인 지역만 패터닝이 가능하므로 생산성이 극히 떨어지는 문제점이 있다.
앞서 소개한 리소그래피 방법들 외에도 극자외선을 이용한 EUV lithography 기술과, 광의 굴절 현상을 이용한 액침 노광 리소그래피(Immersion lithography), 탄성 중합체 스탬프(Stamp)를 이용하는 소프트 리소그래피(Soft lithography) 등의 다양한 리소그래피 기술들이 연구되고 있지만 값이 싸고, 대면적으로 대량 생산해야 하는 방법으로는 한계가 있다.
특히, 나노 소재 같은 경우 선폭이 감소하면서 양자 구속 효과(Quantum confinement effect)가 발현하면서 특이한 거동을 나타내는데, 이를 구현하기 위해서는 기술은 기존의 패터닝 기술의 한계를 극복하는 10 nm 이하의 초미세 패턴 형성 기술이 필요하다. 따라서 미세패턴을 만드는 공정 기술 역시 그 수요에 맞추어 고속화와 대량생산, 대면적과 최소 선폭, 적은 생산비용 등을 만족하는 기술이 개발되어야 한다.
이에 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스페이서 재료층을 요철 패턴이 형성된 베이스 상에 형성하여 감소된 트렌치 선폭을 갖는 임프린팅 스탬프를 이용하여 다양한 주기와 선폭을 조절 가능한 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서, 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비하는 한편, 상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성한다. 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성한 후, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성한다. 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 유리, 석영 및 실리콘으로 이루어진 하드 스탬프 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 고분자 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 트렌치 평균 선폭은 50 내지 200 nm 범위를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스페이서 재료층은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스페이서 재료층은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 타타늄 산화물, 망간 산화물, 텅스텐 산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막은 Al, Au, Ni, Cr, Ti, Si, Zr, Ge, Zn, Pt, SiN, SiO2, TiO2, Al2O3, HfO2, MnO2, CrO2, RuO2, MoO3, WO3, V2O5, TaO3, LaNb2O7, (Ca,Sr)2Nb3O10, Bi4Ti3O12, Ca2Ta2TiO10 Ni(OH)2, Eu(OH)2, Graphene, hBN, BCN, Fluorographene, Graphene oxide, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2 GaSe, GaTe, InSe, 및 Bi2Se3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 희생층은 금속, 지용성 고분자 및 수용성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 상기 희생층을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중 적어도 하나를 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중에서 선택된 적어도 하나를 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막 패턴은 5 내지 60 nm 범위의 평균 선폭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스의 스페이서 재료층 상에 점착 방지층을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 점착 방지층은 불소계 고분자, 실리콘계 고분자, 실란계 고분자 및 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 나노 박막 패턴을 열처리하는 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 나노 박막 패턴 구조물 제조 방법에 있어서, 스페이서 재료층이 추가적으로 형성된 나노 임프린팅 스탬프를 이용한 나노 임프린팅 패터닝 공정을 이용하면 정확하고 균일한 패턴을 재현성 있게 형성할 수 있고, 공정의 한계보다 더 작은 선폭 구현이 가능하다. 따라서, 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법은 규칙적이고 균일한 패턴이 요구되는 메모리 소자 등의 패턴 형성 시에 적용될 수 있다. 나아가, 상대적으로 적은 생산 비용과 대량 생산이 가능하며, 빠른 공정 시간 및 간단한 공정 설비를 인하여 제작 단가가 획기적으로 절감된 나노 박막 패턴 구조물이 제조될 수 있다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 100 nm 선폭의 요철 패턴이 형성된 베이스를 나타내는 주사 현미경 사진(a) 및 마스터 스탬프로부터 복제된 ormostamp 재질로 이루어진 PET(Polyethylene Terephthalate) 베이스를 나타내는 주사 현미경 사진(b)이다.
도 3은 도 1의 베이스 표면 상에 스페이서 재료층을 형성 후의 트렌치 선폭별 나노 임프린팅 스탬프의 일 예를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 4는 도 1의 베이스 표면 상에 스페이서 재료층을 형성 후의 트렌치 선폭별 나노 임프린팅 스탬프의 다른 예를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 5는 도 1의 스페이서 재료층의 표면 위에 점착 방지층을 포함하는 나노 임프린팅 스탬프를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 6은 점착 방지층을 형성시킨 전후의 트렌치 선폭별 PET(Polyethylene Terephthalate)로 이루어진 나노 임프린팅 스탬프에 대한 접촉각을 나타내는 사진이다.
도 7은 도 3의 나노 임프린팅 스탬프(점착 방지층 포함)를 이용하여 형성된 예비 레지스트층 패턴을 선폭별로 나타내는 주사 현미경 사진들이다.
도 8은 도 4의 나노 임프린팅 스탬프(점착 방지층 포함)를 이용하여 형성된 예비 레지스트층 패턴을 선폭별로 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 9는 도 8의 예비 레지스트층 및 희생층을 반응성 이온 식각 공정을 통하여 식각한 전후의 예비 레지스트층 패턴 및 레지스트층 패턴 각각의 크기와 모양을 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 10은 기판 위에 형성된 나노 박막 패턴을 후처리 공정을 실시한 전후의 광학 현미경 사진 및 원자힘 현미경 사진이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 나노 박막 패턴을 형성시킨 전후에 변화되는 저항값 및 라만 스펙트럼 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1a 내지 도 1j는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a을 참조하면, 요철 패턴이 형성된 베이스(10)를 준비한다.
상기 베이스(10)는 유리, 석영, 실리콘 등으로 이루어진 하드 스탬프에 해당할 수 있으며, 이에 의해 한정되지 않는다. 또한 필요에 따라 상기 베이스(10)는 마스터 스탬프로부터 복제된 고분자 재질로 이루어진 소프트 스탬프에 해당할 수도 있다.
상기 요철 패턴이 형성된 베이스(10)에는 50 내지 200 nm의 범위를 갖는 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 트렌치가 형성될 수 있다. 50 nm 이하의 트렌치 평균 선폭으로 제작하기 위해서는 고비용과 장시간이 소요되며, 200 nm 이상의 트렌치 평균 선폭으로 제작되면 추후 증착될 스페이서 재료층과 점착 방지층을 형성하는데 많은 시간과 비용이 발생한다. 상기 베이스를 마스터 스탬프로 이용하여 소프트 스탬프를 복제하는 경우를 고려할 때, 복제 후에도 패턴 간격이 일정한 트렌치 평균 선폭 100 nm 및 패턴 평균 선폭 100 nm인 베이스(10)가 가장 바람직하다.
상기 요철 패턴이 형성된 베이스를 형성하기 위하여, X선 리소그래피(X-ray lithography), 전자빔 리소그래피(Electron-beam lithography), 건식 및 습식 식각(dry, wet etching) 공정 등을 통하여 수행할 경우 매우 고가의 제작비가 소모될 수 있다. 따라서, 하드 물질로 이루어진 베이스를 마스터 스탬프로 이용하여 복제된 고분자 재질로 이루어진 베이스(10)가 이용될 수 있다.
상기 베이스(10)는 자외선이 투과되는 PET(Polyethylene Terephthalate) 또는 PC(Polycarbonate) 등의 고분자 기판 상에 형성된 ormostamp와 같은 UV 경화형 수지층을 마스터 스탬프를 이용하여 임프린팅함으로써 베이스가 복제될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 스페이서 재료층(20)이 상기 베이스(10) 상에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 균일한 두께로 형성된다. 이로써, 상기 제1 트렌치 평균 선폭은 상기 스페이서의 재료층의 두께의 2배 만큼 감소됨으로써, 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프가 형성될 수 있다. 결과적으로 스페이서 재료층이 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 형성됨에 따라, 보다 감소된 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프가 용이하게 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 제2 트렌치 평균 선폭은 5 ~ 60 nm의 크기를 가질 수 있다.
상기 스페이서 재료층은 원자층 증착(Atomic layer depostion) 방법에 의해 형성될 수 있다. 원자층 증착 방법에 따르면, 상기 스페이서 재료층이 1 nm 이하 수준의 두께 조절이 가능하며, 저온 공정이 가능하여 최후 증착면에 영향을 거의 미치지 않으며, 증착 두께에 있어서 극히 컨포멀(Conformal)하고 균일하며, 재현성 있게 낮은 불순물과 핀홀 없이 대면적 제조가 가능한 방법이다.
상기 원자층 증착 방법의 원리는 불활성 가스에 의해서 운반된 하나의 반응물(X)이 기판과 반응하여 화학적으로 반응물을 증착하고자 하는 대상에 흡착을 하게 된다. 하지만, 과잉의 반응물(X)이 추가로 공급되어도 자기 제한적 반응(Self-limiting reaction)에 의해 더 이상의 반응은 이루어지지 않고 하나의 원자층이 증착되는 원리이다. 이후, 하나의 반응물이 증착 대상물에 화학 흡착이 일어난 후 불활성 기체로 남아있는 반응물(X)을 외부로 제거하고, 제2 반응물(Y)을 다시 공급하여 화학 흡착된 반응물(X)과 반응이 일어나면서 원하는 두께의 박막이 형성될 수 있다.
상기 스페이서 재료층(20)은 20 nm 내지 47.5 nm의 두께 범위를 가질 수 있다. 상기 스페이서 재료층(20)은 베이스의 재질에 무관하게 적용 가능하다. 나아가, 상기 스페이서 재료층(20)을 이용함으로써 추가적인 공정 없이 원하는 트렌치 선폭의 나노 임프린팅 스탬프가 형성될 수 있다. 다만, 상기 스페이서 재료층(20)의 두께가 상기 상한치를 초과할 경우에는 트렌치의 형태가 무너질 수 있다.
상기 스페이서 재료층(20)은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 주석산화물, 타니타늄산화물, 망간 산화물, 텅스텐산화물 및 마그네슘 불화물을 이용하여 형성될 수 있다. 특히, 내열성이 높으며 절연성, 내마모성, 내식성, 기계적 강도와 경도 등의 물리적, 화학적 특성이 탁월하며 저온에서 뛰어난 균일성과 두께 조절이 용이한 알루미늄 산화물이 이용될 수 있다. 이로써, 상기 스페이서 재료층(20)은 나노 임프린팅 스탬프의 내구성을 증대시킬 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 점착 방지층(30)은 상기 스페이서 재료층(20) 상에 형성될 수 있다. 이러한 점착 방지층을 포함하는 나노 임프린팅 스탬프는 기판(40)에 코팅된 레지스트층(70)과의 접착성이 감소됨으로써 추후 임프린팅된 예비 레지스트층 패턴으로부터 나노 임프린팅 스탬프가 용이하게 이형될 수 있다.
상기 점착 방지층(30)은 불소계 고분자, 실리콘계 고분자, 실란계 고분자 및 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)을 이용하여 형성될 수 있다. 특히, 가장 일반적으로 비첩착층(Antiadhesion layer)에 쓰이는 플루오르기(Fluorine group) 기반의 PTFE와 비슷한 표면에너지를 갖고 비교적 공정이 간단한 실록산 기반 고분자인 PDMS(Poly(dimethylsiloxane) monoglycidyl ether terminated)가 이용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 나노 임프린팅 스탬프에 포함된 PDMS로 이루어진 점착 방지층 상에 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)이 추가적으로 형성될 수 있다.
상기 자기조립단분자막은 기상법을 이용하여 형성할 경우, 나노 임프린팅 스탬프 사이로 침투가 용이한 장점이 있어 보다 용이하게 상기 나노 임프린팅 스탬프가 상기 예비 레지스트 패턴으로부터 이형될 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 기판(40)은 실리콘 기판, 유리 기판, 석영 기판 등의 하드 기판 및 고분자 재질의 소프트 기판을 포함할 수 있으며, 표면의 균일한 접촉을 고려하면 하드 스탬프와 소프트 기판, 소프트 스탬프와 하드 기판 조합이 바람직하다.
상기 나노 박막(50)은 상기 기판(40) 상에 형성된다. 상기 나노 박막(50)은 후속하는 공정에서 패터닝되어 상기 기판 상에 나노 박막 패턴이 형성된다.
상기 나노 박막(50)은 Al, Au, Ni, Cr, Ti, Si, Zr, Ge, Zn, Pt, SiN, SiO2, TiO2, Al2O3, HfO2, MnO2, CrO2, RuO2, MoO3, WO3, V2O5, TaO3, LaNb2O7, (Ca,Sr)2Nb3O10, Bi4Ti3O12, Ca2Ta2TiO10 Ni(OH)2, Eu(OH)2, Graphene, hBN, BCN, Fluorographene, Graphene oxide, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2 GaSe, GaTe, InSe, 또는 Bi2Se3 으로 형성될 수 있다.
상기 나노 박막(50)은 열증착(Thermal evaporation), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 화학기상 증착(Chemical vapor deposition), 원자층 증착(Atomic layer depostion), Sputtering, 전사(Transfer), 스핀코팅, 바코팅, 딥코팅, 스프레이코팅 등으로 형성될 수 있다.
상기 나노 박막(50)이 나노 크기의 패터닝되어 미세 패턴을 가질 경우, 전자가 느끼는 공간의 크기가 작아지게 되고 이로 인하여 전자의 에너지 레벨이 높아져 넓은 에너지 밴드갭(Energy band-gap)을 갖는 현상이 발생하게 되는데 이런 현상을 양자 구속 효과(Quantum confinement effect)라고 한다. 이러한 양자 구속 효과로 인해 기존의 벌크(Bulk) 상태와는 다른 독특한 물리적, 전기 광학적 특성들을 발현할 수 있다.
상기 희생층(60)은 상기 나노 박막(50) 상에 형성된다.
상기 희생층(60)은 금속, 지용성 고분자 및 수용성 고분자를 포함할 수 있으나, 보다 친환경적인 수용성 고분자가 바람직하다. 경우에 따라서 상기 희생층 표면에 레지스트층(70)의 상에 코팅이 어려운 경우에는 지용성 고분자를 추가적으로 형성할 수도 있다.
상기 희생층(60)의 재질은 건식 식각과 습식 식각 둘 다 수행 가능한 것을 포함할 수 있다. 이는 거의 모든 레지스트층(70)이 후속하는 경화 공정 및 패터닝 공정을 통하여 경화된 레지스트층 패턴을 형성할 경우, 습식 식각 공정을 통하여 경화된 레지스트층 패턴(70a)을 제거하기가 불가능할 수 있다. 한편, 상기 경화된 레지스트층 패턴을 습식 식각 공정을 통하여 제거할 경우, 인접하는 패턴들, 예를 들면, 나노 박막 패턴 또한 함께 제거되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 후속하는 리프트 오프(Lift-off) 공정을 통하여 상기 희생층 패턴이 레지스트층 패턴(70a)과 함께 기판으로부터 선택적으로 제거할 수 있다.
상기 레지스트층(70)의 재질은 열경화성 레진(Resin) 및 UV 경화성 레진을 이용하여 형성될 수 있다.
열경화성 레진은 유리전이온도(Glass transition temperature)까지 가열 한 후 제작된 나노 임프린팅 스탬프를 압력과 함께 물리적 접촉을 시킨 후 다시 온도를 유리전이온도 이하로 냉각시켜 패턴을 형성할 수 있다.
UV 경화성 레진은 열 대신 자외선을 조사 받으면 경화되면서 패턴을 형성할 수 있는데 열경화성 레진에 비해 높은 온도와 압력을 필요로 하지 않고 경화시간이 짧기 때문에 쉽게 손상되기 쉬운 재질 위에 패터닝 하기에 유리하며 다층화 공정이 비교적 쉬어 상기 레지스트층(70)으로 바람직하다.
상기 UV 경화성 레진은 대량 생산을 위한 빠른 경화 속도, 기판과의 우수한 접착력, 나노 임프린팅 스탬프와의 분리시 잘 이형(Release)되기 위한 낮은 표면 에너지, 산소 플라즈마 식각(O2 plasma etching) 내구성, 그리고 높은 기계적 강도 등을 필요로 할 수 있다.
도 1e를 참조하면, 나노 박막(50), 희생층(60) 및 레지스트층(70)을 순차로 형성시킨 기판(40) 상에 스페이서 재료층(20) 및 점착 방지층(30)이 순차로 형성된 나노 임프린팅 스탬프를 대향시키고, 상기 나노 임프린팅 스탬프를 레지스트층(70)을 향하여 가압한다. 여기서 진공상태의 조건에서 4bar의 공압으로 압력을 가하게 되면 레지스트 물질이 모세관현상에 의해 나노 임프린팅 스탬프의 트렌치의 내부로 이동하여 트렌치 내부를 완전히 채울 수 있다.
도 1f 내지 1g를 참조하면, 열처리 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 기판(40) 상에 나노 임프린팅 스탬프의 패턴 내부에 수용된 레지스트층을 경화시킨다. 이후 나노 임프린팅 스탬프를 기판으로부터 이형시켜 상기 희생층 상에 예비 레지스트층 패턴을 형성할 수 있다. 그 후 대기압 조건에서 UV를 이용한 후경화(Post-curing) 공정이 추가적으로 수행될 수 있다.
도 1h를 참조하면, 상기 예비 레지스트층 패턴(70) 및 희생층(60)에 대한 이방성 식각 공정이 수행된다. 이로써, 레지스트층 패턴(70a) 및 희생층 패턴(60a)이 상기 나노 박막 상에 형성된다.
상기 이방성 식각 공정의 예로는, 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정을 들 수 있다.
반응성 가스를 이용하는 건식 식각의 경우, 미세 패턴 가공이 용이하며 레지스트의 들뜸 불량이 적으며 에칭 종료시간 조정이 용이하여 상기 레지스트층 패턴(70a) 및 희생층 패턴(60a)이 일정한 크기 및 형태로 형성될 수 있다.
도 1i를 참조하면, 레지스트층 패턴(70a)과 희생층 패턴(60a)을 마스크로 사용하여 상기 나노 박막(50)을 선폭 변화 없이 식각하여 상기 기판(40) 상에 나노 박막 패턴(50a)을 형성한다.
상기 나노 박막(50)에 대한 식각 공정의 예로는, 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정을 포함할 수 있다. 이 때, 나노 박막 패턴(50a)이 노출되지 않도록 레지스트층 패턴(70a) 및 희생층(60b)이 잔존하도록 상기 식각 공정이 수행될 수 있다.
도 1j를 참조하면, 레지스트층 패턴(70a) 및 희생층(60b)을 기판으로부터 제거하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴(50a)을 형성할 수 있다. 일 예로, 리프트-오프 공정을 이용할 수 있다. 이 때, 상기 리프트-오프 용매로 아세톤 내지 물을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막 패턴(50a)의 선폭은 5 ~ 60 nm의 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 이는 기존의 식각 공정에서는 구현하기 힘든 양자 구속 효과(Quantum confinement effect)가 나타날 수 있는 다양한 수준의 미세 패턴 제작이 가능하고, 복잡한 공정장비가 필요하지 않으며 저렴하면서 신뢰성 있는 나노 박막 패턴(50a)을 제작할 수 있는 장점이 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 나노 박막 패턴(50a) 형성 단계 이후, 상기 나노 박막 패턴(50a)을 열처리하는 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 일 예로, 상기 열처리는 RTP(Rapid thermal processing) 시스템을 이용하여 수행될 수 있다. 열처리 공정을 통하여 레지스트층 패턴(70a) 및 희생층 패턴(60a)을 충분히 제거할 수 있어 향상된 나노 박막 패턴(50a)의 특성을 볼 수 있다.
또한, 상기 방법으로 제조된 나노 박막 패턴(50a)은 바이오 분야, 디스플레이 장치 또는 태양전지 분야에 적용될 수 있다. 즉, 상기 나노 박막 패턴(50a)은 진단용 DNA칩, 단백질 칩 등의 랩온어 칩(Lab-on-a-chip)의 저가 생산에 크게 활용될 수 있다. 또한 디스플레이 장치에 있어서, 상기 나노 박막 패턴(50a)은 센서, 트렌지스터, 나노렌즈 어레이, 편광판, 편광 빔 스플리터, 확산판 등의 전자분야에 광범위하게 적용이 가능하다. 나아가, 상기 나노 박막 패턴(50a)은 태양에너지를 많이 흡수할 수 있도록 반사나 산란특성을 조절할 수 있으며 저가, 고효율, 고밀도, 태양전지기술개발 등의 분야에 활용이 가능하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
공정예 1. 나노 임프린팅 스탬프 제조
KrF scanner(Nikon NRS-S203B)장비 및 반응성 이온 식각(Reactive ion etching) 공정을 이용해서 요철 패턴이 형성된 베이스를 제작하였다.
도 2는 100 nm 선폭의 요철 패턴이 형성된 베이스를 나타내는 주사 현미경 사진(a) 및 마스터 스탬프로부터 복제된 ormostamp 재질로 이루어진 PET(Polyethylene Terephthalate) 베이스를 나타내는 주사 현미경 사진(b)이다.
전계방출형 주사 전자현미경의 분석 이미지는 Hitachi사의 S-4700 FE-SEM system과 FEI사의 Quanta 250 FEG의 두 가지 장비로 가속전압(Accelerating voltage) 10 ~ 15 KV 조건하에 분석하였다.
주사 현미경 사진(a)에서 100 nm의 선폭(Line width)과 200 nm 피치(Pitch), 100 nm의 깊이(Depth)를 갖는 요철 패턴 갖는 베이스를 확인할 수 있다.
PET(Polyethylene Terephthalate) 로 이루어진 베이스는 자외선 경화성 고분자의 일종인 ormostamp(Micro resist technology Co.)를 이용하여 베이스를 마스터 스탬프로 이용하여 PET(polyethylene terephthalate)기판에 복제하여 제작하였다.
실리콘으로 이루어진 베이스 표면의 중앙 부분에 ormostamp를 drop-casting한 후 PET(Polyethylene Terephthalate)기판을 덮어 접촉시킨다. 고무롤러(Roller)를 사용하여 안쪽에서 바깥쪽으로 밀어내듯이 실리콘 재질의 베이스와 PET(Polyethylene Terephthalate)사이의 ormostamp를 균일하게 도포시킨 후 자외선을 5분간 조사하여 경화시킨다. 주사 현미경 사진(b)에서 Si재질의 베이스와 같은 선폭과 피치를 갖는 ormostamp 재질로 이루어진 PET(Polyethylene Terephthalate) 재질의 베이스가 형성됨을 확인할 수 있다.
PET(Polyethylene Terephthalate) 재질의 베이스는 투명성(Transparency)을 가지고 있기 때문에 웨이퍼와 같은 불투명 기판과 PET(Polyethylene Terephthalate)와 같은 투명한 기판 모두에 임프린팅 공정이 가능하다. 또한 유연성(Flexibility)이 있으므로 하드 기판에 균일하고 밀착된 접촉(Conformal contact)이 가능하여 패턴 효율을 높일 수 있다는 장점을 가지고 있다.
공정예 2-1. Si 재질의 베이스 상에 스페이서 재료층 형성
이동 주파수 방식(Traveling wave type thermal ALD)으로 공정을 했으며 225 ℃ 온도에서 공정을 수행하였다. Al2O3 소스(Source)로 TMA, O2 소스로는 탈 이온수가 사용되었다. 1사이클(Cycle)은 Al (1 sec) → Ar+N2 (30 sec) → H2O (1 sec) → Ar+N2 (30 sec) 의 순으로 진행되며 1사이클당 1.28ㅕ의 두께로 증착 되었다. 원자층 증착(Atomic layer deposition)공정 장비는 CN1사의 Atomic classic 모델을 사용하였다.
도 3은 도 1의 베이스 표면 상에 스페이서 재료층을 형성 후의 트렌치 선폭별 나노 임프린팅 스탬프의 일 예를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
20 nm ~ 47.5 nm의 두께 맞는 사이클(Cycle)로 원자층 증착 공정을 실시하여 5 nm ~ 60nm에 이르는 다양한 평균 선폭을 가지는 트렌치가 형성되었다.
공정예 2-2. PET 재질의 베이스 상에 스페이서 재료층 형성
Si 재질의 베이스와 마찬가지로 이동 주파수 방식(Traveling wave type thermal ALD)으로 공정을 이용하였으며 공정 온도는 PET 기판에 손상이 없는 수준인 100 ℃ 온도에서 공정을 수행하였다.
도 4는 도 1의 베이스 표면 상에 스페이서 재료층을 형성 후의 트렌치 선폭별 나노 임프린팅 스탬프의 다른 예를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
원자층 증착 공정을 이용하여 공정 사이클을 조절함에 따라 100 nm의 기존 트렌치 선폭에서 그 이하의 5, 10, 25, 30 nm 트렌치 선폭으로 형성됨을 알 수 있었다. 또한 깊이 방향으로도 균일하게 증착되면서 그 선폭이 일정하게 줄어들었음을 확인할 수 있었다.
공정예 3. 점착 방지층 형성
먼저 베이스 표면에 하이드록실기(Hydroxyl group, OH-)를 활성화시키기 위해 산소(O2)플라즈마 공정(0.1 torr, 50 W)을 30분간 실시한 후, PDMS(Poly(dimethylsiloxane) monoglycidyl ether terminated)와 결합할 APTES(3-Amino propyl. trietoxysilone 99%)를 탈이온수(Deionized water)에 0.5 wt%의 농도로 희석시킨 용액을 10분간 침전시킨다. 이때 APTES 말단기과 하이드록실기가 반응하게 된다. 이후 탈이온수와 질소 건조를 통하여 충분히 세척한 후 실록산(Siloxane)기반 고분자인 PDMS(Poly(dimethylsiloxane) monoglycidyl ether terminated)를 스탬프 위에 코팅하고 80 ℃의 핫플레이트에서 4시간 동안 반응시킨다. 모든 반응이 끝나면 IPA(Isopropyl alcohol)에 담지하여 1분간 sonication을 하여 미반응 PDMS를 제거한다. 여기에 추가적으로 자기조립단분자막(Self assembled monolayers) 코팅을 위해 Trichloro-(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl) silane(FOTS)을 질소 가스를 주입시켜 공기가 제거된 챔버(chamber)내의 투입 하면서 증발(Evaporation)시켜 PDMS에 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)을 증착시켰다.
도 5는 도 1의 스페이서 재료층의 표면 위에 점착 방지층을 포함하는 나노 임프린팅 스탬프를 나타내는 주사 현미경 사진이다.
Si 재질 베이스 내지 PET 재질 베이스 모두에서 트렌치 표면이 더 깔끔하고 매끄러워졌음을 확인할 수 있었다.
도 6은 점착 방지층을 형성시킨 전후의 트렌치 선폭별 PET(Polyethylene Terephthalate)로 이루어진 나노 임프린팅 스탬프에 대한 접촉각을 나타내는 사진이다.
일반적으로 점착 방지층의 코팅 여부는 접촉각을 통하여 판단되는데 나노 임프린팅 공정 중에 이형이 잘 일어날 수 있는 표면에너지는 90ㅀ이상의 접촉각을 나타낸다. 점착 방지층 처리 전 49 ~ 68ㅀ에서 처리 이후 접촉각은 100ㅀ전후로 측정되어 표면이 소수성(Hydrophobic)을 띄면서 표면에너지가 감소함을 보였고, 성공적으로 점착 방지층이 형성되었음을 확인하였다. 접촉각 측정 장비는 Surface Electro Optics사의 General Type Phoenix 150 모델을 사용하였다.
공정예 4. 나노 박막 패턴이 형성될 기판 제조
나노 박막 패턴이 형성될 기판은 실리콘 산화물(SiO2)이 올라가 있는 실리콘 (Si) 기판에 나노 박막으로는 전사(Transfer)된 그래핀(Graphene)을 준비한다. 그 후, 희생층으로 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol; PVA), 폴리메틸 메타클릴레이트(Polymethyl methacrylate; PMMA), 레지스트층으로 자외선 경화성 수지인 UVcur-21을 스핀코터(Spin coater)를 이용하여 순서대로 증착한다. 이 때 PVA는 4000 rpm에서 30초, PMMA는 2000 rpm에서 20초, UVcur-21 레진은 3000 rpm에서 20초 동안 스핀 코팅(Spin coating) 공정이 진행되었다. 스핀 코팅 공정이 끝난 직후에 각기 다른 조건으로 핫플레이트에서 소프트 베이킹(Soft baking)을 실시하여 필름에 남아있는 용매를 제거하였다. PVA는 100 ℃에서 20초, PMMA는 100 ℃에서 2분, UVcur-21 레진은 100 ℃, 40 ~ 50초 소프트 베이킹을 실시하였다.
공정예 5. 나노 임프린팅 공정을 이용한 예비 레지스트층 패턴 제조
UVcur-21 레진의 소프트 베이킹까지 끝나면 준비된 PET(Polyethylene Terephthalate)로 이루어진 나노 임프린팅 스탬프로 기판을 덮은 뒤 고무롤러로 힘을 주어 밀어 압착시켜 임프린팅 장비에 넣고 4 bar의 공압으로 2분동안 나노 임프린팅 스탬프와 기판을 압착시킨 상태에서 자외선을 180초 조사시켜 스탬프 내부의 레진를 경화 시킨다. 자외선 조사가 끝나면 트위저로 기판에 부착되어있는 나노 임프린팅 스탬프를 제거하고 대기압 조건에서 자외선으로 3분간 추가로 후경화(post-curing) 공정을 진행하여 예비 레지스트층 패턴을 제작하였다.
도 7은 도 3의 나노 임프린팅 스탬프(점착 방지층 포함)를 이용하여 형성된 예비 레지스트층 패턴을 선폭별로 나타내는 주사 현미경 사진들이다.
도 7을 참조하면, Si 재질의 나노 임프린팅 스탬프의 트렌치 선폭과 동일한 선폭을 가지는 예비 레지스트층 패턴을 확인할 수 있었다. 또한 10 nm 수준의 패턴도 끊어지지 않고 연속적으로 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
도 8은 도 4의 나노 임프린팅 스탬프(점착 방지층 포함)를 이용하여 형성된 예비 레지스트층 패턴을 선폭별로 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 8을 참조하면, Si 재질의 나노 임프린팅 스탬프와 소프트 기판을 사용했을 때의 나노 임프린팅 결과를 비교했을 때 PET 재질의 나노 임프린팅 스탬프와 하드 기판이 이용될 때 라인 패턴의 흑백 대비가 더욱 선명하여 보다 더 우수한 예비 레지스트층 패턴을 얻을 수 있었다.
이는 기판 준비시 하드 기판 상에서 균일한 코팅을 얻을 수 있기 때문인 것 같다. 소프트 기판을 사용할 때는 소프트 베이킹 시간이나 온도도 제한적일 수 있어 나노 패턴 형성이 어려울 수 있다.
공정예 6. 나노 패턴 식각을 통한 나노 박막 패턴 제조
예비 레지스트층 패턴 및 희생층에 대한 식각 공정 및 그래핀 식각 공정이 순차적으로 진행되었다. 먼저 예비 레지스트층 패턴 및 희생층에 대한 식각 공정으로 반응성 이온 식각 공정이 수행되었다. 반응성 이온 식각 기기에 시편을 넣고 압력을 20 mTorr까지 낮춘다. 그 뒤, 산소(O2) 25 sccm, 플루오르포름(CHF3) 0 ~ 25 sccm 을 주입하여 20 W 전압 하에서 120 ~ 180 초 동안 식각을 진행하였다.
도 9는 도 8의 예비 레지스트층 및 희생층을 반응성 이온 식각 공정을 통하여 식각한 전후의 예비 레지스트층 패턴 및 레지스트층 패턴 각각의 크기와 모양을 나타내는 주사 현미경 사진이다.
도 9를 참조하면, 예비 레지스트층 패턴 및 희생층의 식각이 완료되면 상기 나노 박막의 상면을 노출시키면서 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴이 형성됨을 확인할 수 있다.
이후, 상기 반응성 이온 식각 기기 내부의 압력을 다시 20 mTorr로 낮춰 진공 분위기로 만든 뒤 산소 기체 25 sccm을 주입하여 20 W 전압 하에서 30초 동안 식각을 하여 상기 나노 박막의 상면 중 노출된 영역의 그래핀이 식각되었다. 이 때 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴은 나노 박막의 식각 공정시 마스크(Mask)로 작용하여 희생층 패턴의 하부에 위치한 나노 박막의 식각을 억제한다.
나노 박막에 대한 식각 공정이 완료된 후, 희생층 패턴을 상기 기판으로부터 리프트 오프 공정으로 그래핀으로 이루어진 나노 박막 패턴을 만들기 위해서 물과 아세톤(Acetone)에 교차로 투입하여 희생층 패턴을 제거하였다. 먼저 고분자의 가장 아래층에 있는 PVA가 물에 용해되는 성질을 이용하여 시편을 증류수(Deionized water)에 넣고 1시간 동안 자석막대기로 저어준다. 이 때 증류수의 온도를 약 80 ℃로 올려 PVA가 더 잘 용해될 수 있게 한다. 그리고 PVA 위에 있는 PMMA가 코팅 시에 PVA와 섞여 증류수에 잘 녹지 않을 수 있으므로 아세톤에 넣고 1시간동안 자석막대기로 저어준다. 잔여 희생층 패턴의 완벽한 제거를 위해 증류수와 아세톤에 위에 언급한 방식으로 각 2회 교차투입한 뒤 증류수로 씻어내고 질소(N2) 가스로 불어 표면의 물기를 제거하였다.
추가적으로 리프트 오프가 끝나면 표면에 미세한 잔여 레지스트층 및 희생층을 제거하기 위해 관 형태의 노(Tube furnace)를 이용하여 열처리 공정이 추가적으로 수행되었다. 시편을 기기에 장입하고 압력을 2 mTorr 이하로 낮춘 뒤 질소 100 sccm 분위기에서 300 ℃로 가열하여 1시간 열처리를 진행하였고 공정이 끝난 뒤 상온까지 자연냉각을 하였다. 가열 중 그래핀 나노리본의 화학적 반응을 억제하기 위해 낮은 압력에서 질소를 주입하여 열처리를 진행하였다.
도 10은 기판 위에 형성된 나노 박막 패턴을 후처리 공정을 실시한 전후의 광학 현미경 사진 및 원자힘 현미경 사진이다.
도 10을 참조하면, 열처리 공정을 진행한 후 나노 박막 패턴의 표면이 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴의 제거로 인하여 깨끗해졌음을 광학 현미경 사진을 통하여 확인할 수 있었다. 또한 원자힘 현미경을 통하여 표면의 거칠기가 매우 낮아졌음을 확인할 수 있었다. 그래핀으로 이루어진 박막 나노 패턴의 표면의 높낮이를 확인한 결과 높이는 1 ~ 2 nm 사이로 관측되었다. 이는 그래핀의 실제 두께인 0.35 nm보다 훨씬 두껍지만 이는 그래핀이 기판에 완전히 접촉하지 않기 때문으로 기존의 연구결과에서도 동일하게 보고되고 있어 측정값이 단층의 패턴된 그래핀임을 확인할 수 있었다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 나노 박막 패턴을 형성시킨 전후에 변화되는 저항값 및 라만 스펙트럼 그래프이다.
도 11을 참조하면, 나노 박막 패턴을 형성하기 전의 저항값은 3.98 KΩ이었으나 나노 박막 패턴 형성 후 저항값은 515 KΩ으로 크게 증가하였다. 이는 식각에 의해 그래핀이 잘려 증가된 결함(Defect)에서 비롯된 것임으로 그래핀 나노 패턴의 형성 여부를 예상할 수 있다.
또한 마이크로 라만 분광법을 통해 그래핀 나노 패턴 존재를 더 확실히 확인할 수 있다. 532 nm 여기광(Excitation light)하에서 측정한 그래핀의 진동모드(Vibrational mode) 중 1350 cm-1은 D 피크(Peak)로 명명된 그래핀의 결함(Defect)을 나타내는 진동모드로 나노 박막 패턴 형성 전에는 거의 나타나지 않다가 나노 박막 패턴 형성 후에 도드라지게 나타나는 것으로 잘 형성된 그래핀으로 이루어진 나노 박막 패턴이 생성되었음을 예상할 수 있다.
10 : 베이서 20 : 스페이서 재료층
30 : 점착 방지층 40 : 기판
50 : 나노 박막 60 : 희생층
70 : 레지스트층

Claims (15)

  1. 제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비하는 단계;
    상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성하는 단계;
    상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성하는 단계;
    상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 스페이서 재료층은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정을 통해 형성되고,
    상기 희생층은 지용성 고분자 및 수용성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 유리, 석영 및 실리콘으로 이루어진 하드 스탬프 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 고분자 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 트렌치 평균 선폭은 50 내지 200 nm 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 스페이서 재료층은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 타타늄 산화물, 망간 산화물, 텅스텐 산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 Al, Au, Ni, Cr, Ti, Si, Zr, Ge, Zn, Pt, SiN, SiO2, TiO2, Al2O3, HfO2, MnO2, CrO2, RuO2, MoO3, WO3, V2O5, TaO3, LaNb2O7, (Ca,Sr)2Nb3O10, Bi4Ti3O12, Ca2Ta2TiO10 Ni(OH)2, Eu(OH)2, Graphene, hBN, BCN, Fluorographene, Graphene oxide, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2 GaSe, GaTe, InSe, 및 Bi2Se3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 상기 희생층을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 나노 박막을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중에서 선택된 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴은 5 내지 60 nm 범위의 평균 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 베이스의 스페이서 재료층 상에 점착 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 점착 방지층은 불소계 고분자, 실리콘계 고분자, 실란계 고분자 및 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 나노 박막 패턴을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법.
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