JPS5862643A - 電離放射線感応ネガ型レジスト - Google Patents
電離放射線感応ネガ型レジストInfo
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- JPS5862643A JPS5862643A JP56161431A JP16143181A JPS5862643A JP S5862643 A JPS5862643 A JP S5862643A JP 56161431 A JP56161431 A JP 56161431A JP 16143181 A JP16143181 A JP 16143181A JP S5862643 A JPS5862643 A JP S5862643A
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- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＊ｖｔハ、Ｌ８Ｉ、［Ｌ１９Ｉ等（０４６１１１ｍ６
１１ＱＩＩＩ６るいはそれ等の製造に用ｒる７オトマス
クの製造の録のリソグラフィーエ楊で用いられる微細〕
くターン形成に適したレジスト材料に関し、斐に詳しく
は電離放射線に対して高感度かつ高解像性であり硬化後
には耐エツチング性に優れたレジスト膜を与える新規な
ネガ型レジスト材料に関する。
１１ＱＩＩＩ６るいはそれ等の製造に用ｒる７オトマス
クの製造の録のリソグラフィーエ楊で用いられる微細〕
くターン形成に適したレジスト材料に関し、斐に詳しく
は電離放射線に対して高感度かつ高解像性であり硬化後
には耐エツチング性に優れたレジスト膜を与える新規な
ネガ型レジスト材料に関する。
周知のように、近年、半導体乗積回路等の高性能化、高
集積度化への要求は一層増大している。
集積度化への要求は一層増大している。
このためリソグラフィー技術としては、従来の紫外線を
用いたフォトリソグラフィーに代って、より波長が短か
く高エネルギーである電離放射線、すなわち′電子線、
軟ｘ ｔｌｉ ｓイオンビー−ム等を用いるリソグラフ
ィーにより超微細なパターン加工技術を確立する努゛力
が払われている。
用いたフォトリソグラフィーに代って、より波長が短か
く高エネルギーである電離放射線、すなわち′電子線、
軟ｘ ｔｌｉ ｓイオンビー−ム等を用いるリソグラフ
ィーにより超微細なパターン加工技術を確立する努゛力
が払われている。
一方、このよう表線源の変更による超微細リソグラ、フ
ィー技術を可能とするためには、使用されるレジスト材
料もそれに応える特性を有するものでなければならない
。一般に高エネルギーの電離放射線を用いる超微細リソ
グラフィーに使用するレジスト材料には次のような特性
が要求される。
ィー技術を可能とするためには、使用されるレジスト材
料もそれに応える特性を有するものでなければならない
。一般に高エネルギーの電離放射線を用いる超微細リソ
グラフィーに使用するレジスト材料には次のような特性
が要求される。
イλ 電離放射線に対して高感度であること。
口） 高解像性であること。
ハ） 均質な薄膜の形成が９詣であること。
二） 高Ｖ１１度の徴−パターン化に必須のドライエツ
チングを適用するため耐ドライエツチング性に優れるこ
と。
チングを適用するため耐ドライエツチング性に優れるこ
と。
ホ） 現像性が優れること。
従来、上述した目的で用いる電離放射線感応レジストと
しては、数多くのものが開発されており、これらは、電
離放射縁の照射によって崩壊反応を起して照射部が可溶
化するポジ型と、電離放射縁の照射によ・つて架橋反応
を起し照射部が不溶化するネガ型とに分類される。
しては、数多くのものが開発されており、これらは、電
離放射縁の照射によって崩壊反応を起して照射部が可溶
化するポジ型と、電離放射縁の照射によ・つて架橋反応
を起し照射部が不溶化するネガ型とに分類される。
これらのうち、ポジ＃１社、一般に現像液の適性範囲が
狭く、また耐ドライエツチング性が弱いという欠点を有
している。これに対し、ネガ屋レジストは、これらの点
において、ポジ型よりは優れているものが多い。
狭く、また耐ドライエツチング性が弱いという欠点を有
している。これに対し、ネガ屋レジストは、これらの点
において、ポジ型よりは優れているものが多い。
従来、開発されているネガ瀝レジストの代表的なものと
しては、ポリグリシ″１ジルメタクリレート系、グリシ
ジルメタクリレート−エチルアクリレート共重合体系、
不飽和カルボン鈑−メタクリレート共重合体系などがあ
る、しかしながら、これらのネガ型レジストも実用上い
くつかの欠点を有し、必ずしも満足なものとは云い難い
。たとえば、グリシジルメタクリレート系レジストは、
高感度を有しているものの、描画パターンの縁部にスカ
ムが多く発生するため解像力が低下し、実用的には２．
０μｍ 程度の解僧度しか得られない。また上記レジス
トはいずれも耐ドライエツチング性が低く（ドライエツ
チングに際し、ての膜厚の減少が大であるＪ１重密度の
微細パターン化に不可欠なドライエツチングプロセスの
適用が内鑵であるという欠点を有している。
しては、ポリグリシ″１ジルメタクリレート系、グリシ
ジルメタクリレート−エチルアクリレート共重合体系、
不飽和カルボン鈑−メタクリレート共重合体系などがあ
る、しかしながら、これらのネガ型レジストも実用上い
くつかの欠点を有し、必ずしも満足なものとは云い難い
。たとえば、グリシジルメタクリレート系レジストは、
高感度を有しているものの、描画パターンの縁部にスカ
ムが多く発生するため解像力が低下し、実用的には２．
０μｍ 程度の解僧度しか得られない。また上記レジス
トはいずれも耐ドライエツチング性が低く（ドライエツ
チングに際し、ての膜厚の減少が大であるＪ１重密度の
微細パターン化に不可欠なドライエツチングプロセスの
適用が内鑵であるという欠点を有している。
上述した事情に罐み、本発明は、高感度でかつ耐ドライ
エツチング性に優れ、高解偉度を達成し得るｊ＃規な型
の電離放射線感応ネガ型レジストを提供することを目的
とする。
エツチング性に優れ、高解偉度を達成し得るｊ＃規な型
の電離放射線感応ネガ型レジストを提供することを目的
とする。
すなわち、本発明の電離放射線感応ネガ型レジ１ρ
ストは、一般式
（式中、Ｒは少くとも−の二価の有機基）で表わされる
繰１返し単位を有するポリアミド重合体「単独またはこ
れと相溶性の他の重合体との混合物」からなることを特
徴とするものである。
繰１返し単位を有するポリアミド重合体「単独またはこ
れと相溶性の他の重合体との混合物」からなることを特
徴とするものである。
本発明のレジストを構成するポリアミド重合体は、その
構造ならびに製造法自体は公知のものである（たとえば
Ｊ、Ｐｏｌｙｍ、Ｓｅｉ、 １６３０３５−３０３８
（１９７８） ）。しかしながら、その架橋性樹脂とし
ての利用、特に電離放射線の照射により架橋して耐ドラ
イエツチング性に優れ九しジスト換を与えることは知ら
れていなかったことである。
構造ならびに製造法自体は公知のものである（たとえば
Ｊ、Ｐｏｌｙｍ、Ｓｅｉ、 １６３０３５−３０３８
（１９７８） ）。しかしながら、その架橋性樹脂とし
ての利用、特に電離放射線の照射により架橋して耐ドラ
イエツチング性に優れ九しジスト換を与えることは知ら
れていなかったことである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。以下の記載におい
て、組成を表わす「チ」および「部」は特に断らない限
シ重量基準とする。
て、組成を表わす「チ」および「部」は特に断らない限
シ重量基準とする。
上記式で表わしたポリアミド重合体中の基Ｒは、一般に
二価の有機基であるが、より詳しくはジカルボン酸は又
は士の塩化物を与える基ならびにこれからの誘導体基を
包含するものであり、より實体的には−（Ｃ８２）２
＊ 、ｊ、Ｃ）１２．；、３ ｅ （ＣＨ２）４
４−（ＣＨ，）、−などの脂肪族飽和炭化水素基；など
の芳香族炭化水素基：ピリジン、７ラン、チオフェンな
どのへテロ環化合備から誘導される二価のへテロ環基；
あるいは上記のようなオレフイなどが挙げられる。なか
でもオレフィン系彬化水素基、エポキシ系炭化水本基、
ヘテロ環基が高感度のポリアミド重合体を与えるために
好ましい。
二価の有機基であるが、より詳しくはジカルボン酸は又
は士の塩化物を与える基ならびにこれからの誘導体基を
包含するものであり、より實体的には−（Ｃ８２）２
＊ 、ｊ、Ｃ）１２．；、３ ｅ （ＣＨ２）４
４−（ＣＨ，）、−などの脂肪族飽和炭化水素基；など
の芳香族炭化水素基：ピリジン、７ラン、チオフェンな
どのへテロ環化合備から誘導される二価のへテロ環基；
あるいは上記のようなオレフイなどが挙げられる。なか
でもオレフィン系彬化水素基、エポキシ系炭化水本基、
ヘテロ環基が高感度のポリアミド重合体を与えるために
好ましい。
基Ｒは、上記に例示し九基の一つに限らず、二つ以上で
あることができる。すなわち、ポリアミド重合体は、寛
かけ上共重合体の構造を取シ得る。
あることができる。すなわち、ポリアミド重合体は、寛
かけ上共重合体の構造を取シ得る。
上記したポリアミド重合体の製造は既知の方法によって
行うことができる。たとえば、上記したＪ、 Ｐｏｌｙ
ｍ、 Ｓｅｉ １６３０３５−３０３８（１９７８）
に記載されるように、α−アミノ−ε−カプロラクタ
ムのる３−アミ°ノーペルヒドロアゼピン（ＡＰＡ）ト
、式ＣＩ ＯＲ’ＯＣｌで表わされる二価の酸塩化物と
を、塩基等の酸受容体の存在下に、界面反応によりある
いは溶液中で縮重合させることにょ）得られる。
行うことができる。たとえば、上記したＪ、 Ｐｏｌｙ
ｍ、 Ｓｅｉ １６３０３５−３０３８（１９７８）
に記載されるように、α−アミノ−ε−カプロラクタ
ムのる３−アミ°ノーペルヒドロアゼピン（ＡＰＡ）ト
、式ＣＩ ＯＲ’ＯＣｌで表わされる二価の酸塩化物と
を、塩基等の酸受容体の存在下に、界面反応によりある
いは溶液中で縮重合させることにょ）得られる。
ま九エポキシ含有ボリアＺドは、たとえば上記酸塩化物
中ＯＲ４基としてオレフィン系炭化水素基を用い、得ら
れたポリアミド中の不飽和基を部分離化してエポキシ基
を導入することにより侍られる。
中ＯＲ４基としてオレフィン系炭化水素基を用い、得ら
れたポリアミド中の不飽和基を部分離化してエポキシ基
を導入することにより侍られる。
上記のような反応により分子量１０．００（）−１、０
００，０００のボリア、オド重合体が得られる。
００，０００のボリア、オド重合体が得られる。
本発明のレジストは、上記のポリアミド重合体単独が好
ましいが、必要に応じてこれと相溶性が良く肚つ溶解性
の良い他の１合体との混合物とすることもできる。この
ような１合体の例としては６−ナイロン、６．６−ナイ
ロン等の脂肪族ポリアミドをエポキシ化合物と反応させ
グラフト化によ、り可溶性としたもの等が挙げられる。
ましいが、必要に応じてこれと相溶性が良く肚つ溶解性
の良い他の１合体との混合物とすることもできる。この
ような１合体の例としては６−ナイロン、６．６−ナイ
ロン等の脂肪族ポリアミドをエポキシ化合物と反応させ
グラフト化によ、り可溶性としたもの等が挙げられる。
混合物として用いる場合、上記式で表わされるベルヒド
ロアゼピン環を有するボリアオド重合体は、他の１合体
、との合計の菫の５０−以上で用いることが好ましい。
ロアゼピン環を有するボリアオド重合体は、他の１合体
、との合計の菫の５０−以上で用いることが好ましい。
次に本発明のレジストを用いて、リソグラフィーを行う
方法について説明する。
方法について説明する。
まず、本発明のレジストを、メタノール、エタノール等
の低級アルコール；クロロホルム、メチルセロソルブな
どに溶解して塗布に適した粘度を有する５〜１５％程度
のレジスト浴液としてｇ４製する。
の低級アルコール；クロロホルム、メチルセロソルブな
どに溶解して塗布に適した粘度を有する５〜１５％程度
のレジスト浴液としてｇ４製する。
次いで、このレジスト溶液を処理すべき半導体基板もし
くはマスク基板上にスピンナーコーティング法等の常法
によシ均一に塗布し、プリベーク処理を施して厚さ０．
１〜２１μｍ程度のレジスト膜を形材、。オｖ＜−、＊
’″′件ゆあ□、え、媒。種刺にもよるが、低級アルコ
ールの場合、一般に温［７０〜９０℃、時間２０〜４０
分＃ｉ度が適している。
くはマスク基板上にスピンナーコーティング法等の常法
によシ均一に塗布し、プリベーク処理を施して厚さ０．
１〜２１μｍ程度のレジスト膜を形材、。オｖ＜−、＊
’″′件ゆあ□、え、媒。種刺にもよるが、低級アルコ
ールの場合、一般に温［７０〜９０℃、時間２０〜４０
分＃ｉ度が適している。
続いて、レジスト膜の所望部分に、常法に従って電子線
、軟Ｘ線等の電離放射線を照射してパターン描画を行い
、史に現像液で処理して未照射部のレジスト膜を選択的
に溶解除去することによりレジストパターンを形成する
。現像液としては、メタノ−ルミエタノール等の低級ア
ルコール、あるいはこれら低級アルコールとベンゼン、
クロロホルム等との混合溶媒が好適に用いられる。
、軟Ｘ線等の電離放射線を照射してパターン描画を行い
、史に現像液で処理して未照射部のレジスト膜を選択的
に溶解除去することによりレジストパターンを形成する
。現像液としては、メタノ−ルミエタノール等の低級ア
ルコール、あるいはこれら低級アルコールとベンゼン、
クロロホルム等との混合溶媒が好適に用いられる。
現曽俊のレジストパターンを有する基板には、必要に応
して更にボストベーク処理およびスカム除去＃を番古参
書柘処理を施した後、エツチングを竹い、基板の塵出部
にエツチングパターンを形成する。ポストベーク処理は
、たとえば一度１２０〜１４０℃１時間２０〜４０分の
条件で行い、またスカム除去処理は、たとえば酸素プラ
ズマを用い圧力０、９〜Ｉ Ｔａｒｒ 、 出力１０
０Ｗの条件で１〜２分処理することにより行える。
して更にボストベーク処理およびスカム除去＃を番古参
書柘処理を施した後、エツチングを竹い、基板の塵出部
にエツチングパターンを形成する。ポストベーク処理は
、たとえば一度１２０〜１４０℃１時間２０〜４０分の
条件で行い、またスカム除去処理は、たとえば酸素プラ
ズマを用い圧力０、９〜Ｉ Ｔａｒｒ 、 出力１０
０Ｗの条件で１〜２分処理することにより行える。
エツチングは、ウェットエツチング、ドライエツチング
のいずれも適用可能であるが、高集積度／７−１四這ｆ
ｋ真諧−マスク某飯篩の加工には、微Ｍ／＜ターン化に
適したドライエツチングの方が適して１いる。前述した
ように、本発明のレジストの架橋膜は、耐ドライエツチ
ング性に優れるので、この点で特に好ましい。たとえば
、本発明のレジストの一パターン化膜をクロムマスク基
板上に形成し、四塩化炭素等の塩素系のガスによりクロ
ム露出部をドライエツチングする場合、レジスト膜の膜
ペリ速度は、耐ドライエツチング性が紋も優れているノ
ボラック系フェノールＩ＃脂からなるフォトレジストの
それと１’＝Ｊ等の値が得られる。上記し友フェノール
系レジストが＾い耐ドライエツチング性を有するのは分
子構造中にベンゼン環を有するためでろると考えられて
いるのに対して、このようなベンゼン環を含まない本発
明のレジストが優れたドライエツチング性を示すのは、
アミド結合間の水素結合力によるものと考えられる。こ
のため、本発明のレジスト膜は、物理的ないしＦｉ機械
的特性も一般に優れている。
のいずれも適用可能であるが、高集積度／７−１四這ｆ
ｋ真諧−マスク某飯篩の加工には、微Ｍ／＜ターン化に
適したドライエツチングの方が適して１いる。前述した
ように、本発明のレジストの架橋膜は、耐ドライエツチ
ング性に優れるので、この点で特に好ましい。たとえば
、本発明のレジストの一パターン化膜をクロムマスク基
板上に形成し、四塩化炭素等の塩素系のガスによりクロ
ム露出部をドライエツチングする場合、レジスト膜の膜
ペリ速度は、耐ドライエツチング性が紋も優れているノ
ボラック系フェノールＩ＃脂からなるフォトレジストの
それと１’＝Ｊ等の値が得られる。上記し友フェノール
系レジストが＾い耐ドライエツチング性を有するのは分
子構造中にベンゼン環を有するためでろると考えられて
いるのに対して、このようなベンゼン環を含まない本発
明のレジストが優れたドライエツチング性を示すのは、
アミド結合間の水素結合力によるものと考えられる。こ
のため、本発明のレジスト膜は、物理的ないしＦｉ機械
的特性も一般に優れている。
エツチング後、残存するレジストパターンを剥ｐａｗに
より除去すれば、リソグラフィ一工程の１サイクルが終
了する。
より除去すれば、リソグラフィ一工程の１サイクルが終
了する。
上述したように本発明によれば、高感度から高解偉力を
有するとともに耐ドライエツチング性に、優れるため、
微細パターン化のためにドライエツチングを必須とする
高集積度の半導体回路あるいはフォトマスクの製造に好
適な実用性の高い電離放射線感応ネガ型レジストが提供
される。
有するとともに耐ドライエツチング性に、優れるため、
微細パターン化のためにドライエツチングを必須とする
高集積度の半導体回路あるいはフォトマスクの製造に好
適な実用性の高い電離放射線感応ネガ型レジストが提供
される。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例１゜
３−アミノ−ペルヒドロアゼピン（ＡＰＡ） １＆ ６
ｊｉ１（０，１２モル）を０．２４モルの水酸化ナトリ
ウムを含む水皺液６００ｄに溶解し、これを、トランス
−２−ブテン−１，４−ジカルボン酸クロリド２１、７
ｇ（０，１２モル）をベンゼン６００ ｄ中に溶解した
ものとともに反応器に入れ、外部を氷冷しながら高速攪
拌し５分間の界面重合を行った。生成、′ｉ し九沈殿をＣ過により回収し、メタノール−ベンゼン混
合溶媒に熔解し、アセトンで再沈殿させて、ｆ過回収す
ることにより、下記の式で表わされる重合物（ＨＣ）を
得た。
ｊｉ１（０，１２モル）を０．２４モルの水酸化ナトリ
ウムを含む水皺液６００ｄに溶解し、これを、トランス
−２−ブテン−１，４−ジカルボン酸クロリド２１、７
ｇ（０，１２モル）をベンゼン６００ ｄ中に溶解した
ものとともに反応器に入れ、外部を氷冷しながら高速攪
拌し５分間の界面重合を行った。生成、′ｉ し九沈殿をＣ過により回収し、メタノール−ベンゼン混
合溶媒に熔解し、アセトンで再沈殿させて、ｆ過回収す
ることにより、下記の式で表わされる重合物（ＨＣ）を
得た。
得られた重合物の濃硫酸中０．１９／ ｌＯｄ溶液のＩ
℃に−おける溶液粘度は１３０ｃｓｔ／９であつ九。推
定分子量は約３４．０００である。
℃に−おける溶液粘度は１３０ｃｓｔ／９であつ九。推
定分子量は約３４．０００である。
上記重合物（１Ｉｃ）をメタノールに＃！解し、０．２
μｍのフィルターで１過して向彫物を除き濃度８チ、の
レジスト溶液を得た。
μｍのフィルターで１過して向彫物を除き濃度８チ、の
レジスト溶液を得た。
このレジスト浴液をクロムマスク基板上にスピンナーコ
ーティング法により塗布し、（イ）℃でＩ分間プリベー
クして厚さ６． ｏｏｏｉの均一なレジスト膜を得た。
ーティング法により塗布し、（イ）℃でＩ分間プリベー
クして厚さ６． ｏｏｏｉの均一なレジスト膜を得た。
次に、このレジスト膜に１、ビーム径Ｑ−２５μｍ ｓ
エネルギー１０ ＫｅＶの電子巌を５ＸＩＯ−’クーロ
ン／ｃＩ／！の照射量・で照射してパターン描画を１１
、′ 行った。艷にこのレジスト膜をメタノールで１分間処理
して現像し、イングロビルアルコールで１分間洗浄して
レジストパターンを形成した。
エネルギー１０ ＫｅＶの電子巌を５ＸＩＯ−’クーロ
ン／ｃＩ／！の照射量・で照射してパターン描画を１１
、′ 行った。艷にこのレジスト膜をメタノールで１分間処理
して現像し、イングロビルアルコールで１分間洗浄して
レジストパターンを形成した。
次に、得られたレジストパターンを有する基板を１４０
℃で：引分間ポストベークした後、圧力ＩＴｏｒｒ 、
出力１００Ｗの酸素プラズマにより１分間のスカム除去
処理をした。この基板について圧力３ＸｌＯＴｏｒｒ、
出力３００ＷでＣＣｌ４と０２の混合ガスを用゛いた反
応性スパッタエツチングに−よりクロム膜の露出部を５
分間エツチングした。レジストパターンの膜べり速度は
２５０１／分であり、十分な耐ドライエツチング性を示
した。
℃で：引分間ポストベークした後、圧力ＩＴｏｒｒ 、
出力１００Ｗの酸素プラズマにより１分間のスカム除去
処理をした。この基板について圧力３ＸｌＯＴｏｒｒ、
出力３００ＷでＣＣｌ４と０２の混合ガスを用゛いた反
応性スパッタエツチングに−よりクロム膜の露出部を５
分間エツチングした。レジストパターンの膜べり速度は
２５０１／分であり、十分な耐ドライエツチング性を示
した。
エッチイブ後、基板を硫酸−過酸化水率混合液よりなる
剥膜液に７０℃で５分間浸漬した後、レジストパターン
を剥膜し、１μｍのラインとスペースからなるクロムパ
ターンを有するフォトマスクを得た。
剥膜液に７０℃で５分間浸漬した後、レジストパターン
を剥膜し、１μｍのラインとスペースからなるクロムパ
ターンを有するフォトマスクを得た。
実施例２
トランス−２−ブテン−１，４−ジカルボン酸クロリド
の代りに、２２ｇ（０，１２モル）のアジピン酸クロリ
ドを使用した以外Ｌ１夾施例１の操作を繰り返すことに
より、下記の式で表わされる重合物（ＡＣ）を約４０−
の収率で得た。
の代りに、２２ｇ（０，１２モル）のアジピン酸クロリ
ドを使用した以外Ｌ１夾施例１の操作を繰り返すことに
より、下記の式で表わされる重合物（ＡＣ）を約４０−
の収率で得た。
−°この重合物の濃硫酸中０．１９／１０ ｉ溶液の３
０’Ｃ，における粘度は１２０ｍ／９であり、推定分子
量は約２７、−９００である。
０’Ｃ，における粘度は１２０ｍ／９であり、推定分子
量は約２７、−９００である。
上記重合物（ＡＣ）をメタノールに溶解し、固形物を除
いて濃度１０％のレジスト溶液を得た。
いて濃度１０％のレジスト溶液を得た。
このレジスト溶液をシリコン酸化膜を有するウェハー上
に、スピンナーコーティング法によ抄塗布し、＋［’ｃ
、（資）分間のプリベーク６理を行い、厚さ１μｍの均
一なレジスト膜を形成し友。次に、このレジスト膜にｌ
ＯＫ＠Ｖの電子線を８Ｘ１０ クーロン／ｄで照射し
た後、エタノールで現像し、キシレンで洗浄してレジス
トパターンを形成した。
に、スピンナーコーティング法によ抄塗布し、＋［’ｃ
、（資）分間のプリベーク６理を行い、厚さ１μｍの均
一なレジスト膜を形成し友。次に、このレジスト膜にｌ
ＯＫ＠Ｖの電子線を８Ｘ１０ クーロン／ｄで照射し
た後、エタノールで現像し、キシレンで洗浄してレジス
トパターンを形成した。
次いで実施例１と同様のボストベーク処理およびスカム
除去処理をしたのち、ＣＦ４と酸素の混合ガスを用い九
以外岐実施例１と同様にプラズマエツチングし、エツチ
ング後レジストを剥膜してノ（ターン化したシリフン酸
化膜を有するウニバーを得た。
除去処理をしたのち、ＣＦ４と酸素の混合ガスを用い九
以外岐実施例１と同様にプラズマエツチングし、エツチ
ング後レジストを剥膜してノ（ターン化したシリフン酸
化膜を有するウニバーを得た。
実施例３
トランス−２−ブテン−１，４−ジカルボン酸クロリド
２１． ’Ｉｇ＜０．１２モル）に代えて、アジピン酸
クロリド４１ｇ（０，０杆ル）とトランス−２−ブテン
−１，４−ジカルボン酸クロリド１０．９７（α圓モル
）との混合物を用いる以外は、実施例１の操作を繰や返
すことにより、下式に相当する重合物を約あ−の収率で
得た。
２１． ’Ｉｇ＜０．１２モル）に代えて、アジピン酸
クロリド４１ｇ（０，０杆ル）とトランス−２−ブテン
−１，４−ジカルボン酸クロリド１０．９７（α圓モル
）との混合物を用いる以外は、実施例１の操作を繰や返
すことにより、下式に相当する重合物を約あ−の収率で
得た。
ＣＨ２−ＣＩ（。
ＣＨ，−Ｃ１（２
（ただし、ｒｎ、Ｅｌは、共重合体中に含まれるユニッ
ト数の比（すなわち組成比）のみを示すものであり、実
際にはランダム共重合伴となっている。）得られた共重
合体の、ｌ１ＩＩ硫酸０．１’；１ＡＯｃｄ溶液の匁℃
における溶液粘度は１００ｃ＋ｆ／’７であり、推定分
子量は約２３．０００であった。
ト数の比（すなわち組成比）のみを示すものであり、実
際にはランダム共重合伴となっている。）得られた共重
合体の、ｌ１ＩＩ硫酸０．１’；１ＡＯｃｄ溶液の匁℃
における溶液粘度は１００ｃ＋ｆ／’７であり、推定分
子量は約２３．０００であった。
得られた共重合体の組成比ｍ／ｎはほぼ１であった。
上記共重合体の８−メチルセロソルブ溶液からなるレジ
スト溶液を塗布乾燥して得た厚さ０．６μｍのレジスト
膜に、ＩＯＫ＠Ｖの電子−をパターン照射し、メタノー
ルで現像したところ、感度（レジスト現像後の残喚率が
５０％となる照射量）は、２ＸｌＯ”’クーロン／Ｃｒ
＆と、実施例１と実施例２のほぼ中間的な値を示し、ま
た耐ドライエツチング性も良好であった。
スト溶液を塗布乾燥して得た厚さ０．６μｍのレジスト
膜に、ＩＯＫ＠Ｖの電子−をパターン照射し、メタノー
ルで現像したところ、感度（レジスト現像後の残喚率が
５０％となる照射量）は、２ＸｌＯ”’クーロン／Ｃｒ
＆と、実施例１と実施例２のほぼ中間的な値を示し、ま
た耐ドライエツチング性も良好であった。
なお、上記で用いたアジ１ン酸クロリドとトランス−２
−ブテン−１，ａ−ジカルボン酸クロリドの量比を変え
ることにより、上記式でｍ ／ ｎの比が連続的に変化
し、またこれに対応して感度も推溶媒に溶解し、十分に
ブレンドした後、濾過して濃＆５％のレジスト溶液を得
た。このレジスト溶液を用い、現儂液として、上記のメ
チルエチルケトン／ギ酸混合溶媒を用いる以外は実施例
３と同様に感度測定を実施したところ％８Ｘｌ１１
クーロン／ｃＴ／ｌの感度が得られた。
−ブテン−１，ａ−ジカルボン酸クロリドの量比を変え
ることにより、上記式でｍ ／ ｎの比が連続的に変化
し、またこれに対応して感度も推溶媒に溶解し、十分に
ブレンドした後、濾過して濃＆５％のレジスト溶液を得
た。このレジスト溶液を用い、現儂液として、上記のメ
チルエチルケトン／ギ酸混合溶媒を用いる以外は実施例
３と同様に感度測定を実施したところ％８Ｘｌ１１
クーロン／ｃＴ／ｌの感度が得られた。
出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ％式％ （式中、８は少くとも−の二価の有機基）で表わされる
繰り返し単位を有するポリアミド重合体若しくは他の七
ツマ−との共重合体！友はこれと相溶性の他の重合体と
め混合物からなることを特徴とするＩＥｆＩＡ放射−感
応ネガ戯レジスト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161431A JPS5862643A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
| US06/432,448 US4520097A (en) | 1981-10-09 | 1982-10-04 | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation |
| DE8282109353T DE3269664D1 (en) | 1981-10-09 | 1982-10-08 | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation |
| EP82109353A EP0077056B1 (en) | 1981-10-09 | 1982-10-08 | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161431A JPS5862643A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862643A true JPS5862643A (ja) | 1983-04-14 |
| JPH0121492B2 JPH0121492B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=15734974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161431A Granted JPS5862643A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4520097A (ja) |
| EP (1) | EP0077056B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5862643A (ja) |
| DE (1) | DE3269664D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862643A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Kiyoshi Oguchi | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
| JP5144127B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用のモールドの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US26018A (en) * | 1859-11-08 | Railroad-gate | ||
| JPS5862643A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Kiyoshi Oguchi | 電離放射線感応ネガ型レジスト |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161431A patent/JPS5862643A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-04 US US06/432,448 patent/US4520097A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-10-08 EP EP82109353A patent/EP0077056B1/en not_active Expired
- 1982-10-08 DE DE8282109353T patent/DE3269664D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0077056B1 (en) | 1986-03-05 |
| EP0077056A1 (en) | 1983-04-20 |
| DE3269664D1 (en) | 1986-04-10 |
| US4520097A (en) | 1985-05-28 |
| JPH0121492B2 (ja) | 1989-04-21 |
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