JP6028378B2 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
このフォトマスクは、ガラス基板上に1000Å(オングストローム)程度の膜厚の遮光性膜をドライエッチング等の方法によりパターニングすることで形成される部材であって、その用途としては、例えば半導体装置に用いられるシリコーンウエハー上に回路形成するための露光処理時にその回路の原版として使用される。
本発明は、透光性基板上に成膜された遮光性膜上に、所望パターンのスペース部に第一被覆膜(レジスト膜)パターンを形成した後、その上面を第二被覆膜(感光性レジスト、遷移金属の酸化物もしくは窒化物もしくは酸窒化物)で被覆する。次に、第二被覆膜を物理的研磨又は化学的研磨手法によって第一被覆膜パターンを露出させて剥離した後、前記第二被覆膜をハードマスクとして遮光膜をエッチングして所望パターンを形成するフォトマスクの製造方法である。
Claims (2)
- 透光性基板の遮光性膜上に形成される所望パターンの非パターン部に第一被覆膜パターンを形成し、該第一被覆膜パターンを所定の材料を用いて第二被覆膜で被覆した後、該第二被覆膜の膜厚を前記第一被覆膜パターンの膜厚以下の膜厚まで減少させる工程を含むフォトマスクの製造方法であって、
前記第一被覆膜パターンは、所定膜厚のフォトマスクブランクにパターニングされたポジ型レジストのレジストパターンであり、
前記第二被覆膜は、導電性遷移金属のスパッタと液相成膜法とによる、二段階に成膜してなる遷移金属の酸化物もしくは窒化物もしくは酸窒化物であり、
前記第二被覆膜の膜厚を、研磨もしくは化学的研削処理によって前記第一被覆膜パターンの膜厚以下の膜厚まで減少させた後、前記第一被覆膜パターンを剥離し、前記第二被覆膜をハードマスクとし、前記遮光性膜に対して、パターニングされた前記第一被覆膜パターンとは逆のパターンを形成する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記パターンは、42μm以下の線幅のOPCパターンあるいはSRAF補助パターンを含むことを特徴とする請求項1記載のフォトマスクの製造方法。
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