JP4533358B2 - インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 - Google Patents
インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4533358B2 JP4533358B2 JP2006244326A JP2006244326A JP4533358B2 JP 4533358 B2 JP4533358 B2 JP 4533358B2 JP 2006244326 A JP2006244326 A JP 2006244326A JP 2006244326 A JP2006244326 A JP 2006244326A JP 4533358 B2 JP4533358 B2 JP 4533358B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- mold
- substrate
- imprint
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/56—Compression moulding under special conditions, e.g. vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
- B41K3/00—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped
- B41K3/02—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
- B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Description
この技術は、数ナノメートルオーダーの分解能を持ち得ることが期待されるため、ナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれている。
また、この技術は、半導体製造への用途に加え、立体構造をウエハ上に一括して形成することができるため、フォトニッククリスタル等の光学素子、μ−TAS(Micro TotalAnalysis System)、バイオチップの製造技術への応用が期待されている。
まず、石英基板の表面に微細構造を作製してモールドとする。
また、加工領域に合わせて液状のUV硬化樹脂を滴下により基板に塗布してワークとする。
つぎに、モールドをワークに押し付けてモールドと基板の間にUV硬化樹脂を充填した後、UV光を照射してUV硬化樹脂を硬化させる。
最後にモールドをワークから剥離して微細構造の転写を完了させるというものである。
Stephan Y.Chou et.al., Appl.Phys.Lett,Vol.67,Issue 21,pp. 3114−3116(1995) Proceedings of the SPIE´s 24th International Symposium on Microlithography:Emerging Lithographic Technologies III,Santa Clara,CA,Vol.3676,Part One,pp.379−389,March 1999
特に、モールドと基板との間に樹脂を充填する工程には、非常に時間がかかることが指摘されている。
以下に、モールドと基板との間への樹脂の充填に、長時間を要する理由について、さらに説明する。
従来より光露光装置で形成されてきたレジストパターンの膜厚は、線幅ルールや他のプロセスの影響などにより増減はするが、およそ数10nmから数100nm程度となっている。
その際、樹脂層の膜厚は、微細構造の強度確保のため、あるいはエッチングなど他の工程への影響を抑えるために、上記線幅ルールが適用されるレジストパターンの膜厚の値から大きく変更することは難しい。
例えば、樹脂層の膜厚を100nm、モールドの大きさを20mm角とした場合、モールドと基板の間はアスペクト比にして1:50000もの空間となる。このため、この空間を樹脂が流動する際には、大きな抵抗が生じ、結果として充填に時間がかかってしまうこととなる。
充填時間の短縮のためには、例えば樹脂の粘度を下げること、塗布方法を工夫することが考えられる。
粘度と塗布方法による改善のみでは、未だに、長い充填時間を要するというのが実情である。
モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント方法において、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させ、
前記モールドと前記基板との間に、第1の圧力をかけて、前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積を広げ、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、前記第1の圧力の加圧方向に垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係を調節することを特徴とする。
また、第2の本発明は、
モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を載せるための基板ステージと、
前記モールドと前記基板との間にかかる圧力あるいは荷重を検出するための検出部と、前記モールドと前記基板との間にかかる圧力を制御するための圧力制御部と、
前記モールドと前記基板との位置関係を調節するための位置調節部と、
前記インプリントパターンと前記基板上のパターン転写物との接触状態に関する情報を取得するための情報取得部と、を備え、
前記圧力制御部は、第1及び第2の圧力設定値が設定可能であり、且つ
該第1の圧力設定値から、該第1の圧力設定値よりも低い該第2の圧力設定値へ変更は、前記情報取得部からの前記接触状態に関する情報に基づいて行われ、
該情報に基づいて第2の圧力設定値へ変更された状態のもとで、前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、
前記第1の圧力の加圧方向に垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係が前記位置調節部によって調節可能とされていることを特徴とする。
また、第3の本発明に係るチップの製造方法は、
前記インプリント装置を用いて、
前記モールドが有するインプリントパターンを、前記基板上の前記パターン転写物に転写し、
該パターン転写物をマスクとして、前記基板のエッチングを行うことを特徴とする。
また、第4の本発明に係るインプリント方法は、
モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント方法において、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させ、
前記モールドと前記基板との間に、第1の荷重をかけて、前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積を広げ、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記第1の荷重よりも小さい第2の荷重で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、
前記第1の荷重方向と垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係を調節することを特徴とする。
本発明の第1の実施形態に係るインプリント方法について、図1を用いて説明する。
図1(A)において、1104は基板、1106は基板上に設けられているパターン転写物、1105はモールド、1115はインプリントパターンである。
前記モールド1105と前記基板1104とを対向して配置し、徐々に、前記モールド1105と基板1104との間隙を狭くする。
そして、モールド1105とパターン転写物1106とを接触させた後、前記モールド1105と前記基板1104との間に圧力P1をかけて、前記パターン転写物1106と前記インプリントパターン1115との接触面積を拡大させる(図1(B)、図1(C))。
図1(B)における矢印1198と1199は、接触面積が拡大していく方向の例を示している。
なお、本実施形態における接触面積の拡大とは、図1(B)のように面内方向にその接触エリアが拡大する場合は勿論のこと、モールドが有する凹凸パターンの凹部の深さ方向へパターン転写物が充填されていく場合も含む概念である。
その後、圧力を下げてP2(<P1)にした状態で、基板1104とモールド1105との位置関係を調節する(図1(D))。
こうすることにより、モールドと基板との間へのパターン転写物を充填するための時間の短縮化を図りつつ、精度高く、両者の位置合わせを行うことが可能となる。
つまり、モールドと基板間に樹脂を充填する際における圧力に対して、位置調節を行う際における圧力を、充填の際の最大圧力よりも低くすることによって、高スループットと高精度のアライメントを両立することができる。
それは、高い圧力をかけて樹脂を高速に充填する充填期間と、低い圧力で高精度にアライメント工程と樹脂硬化工程(露光あるいは加熱工程を含む。)を行うアライメント露光期間とに分けて加圧を可能にしたことによるものである。
ここで、圧力の設定は、例えば以下のように行う。
まず、前記インプリントパターン1115と前記パターン転写物1106との接触面積が拡大している間、前記第1の圧力P1は増加するようにしておき、その増加した後の圧力よりも、前記第2の圧力P2を下げる。
その様子の一例を図2(A)に示す。縦軸はモールドと基板間にかかる圧力、あるいは荷重である。
モールド(インプリントパターン)と、パターン転写物と、基板とが接触した瞬間から、基板側あるいはモールド側で測定される荷重や圧力は同図のように上昇していく。
この時、実際には、モールドと基板間の間隙が徐々に狭まることになる。そして、基板とモールド間に係る圧力がP1になる。
その後、モールドと基板との位置調節を行うために、圧力をP2にまで下げる。この際、一定の時間(図2(B)のt2)だけ、圧力をP1に保持した後、その後、圧力P2まで下げることもできる。
なお、圧力を下げる為には、圧力がP1になった状態から基板とモールドとの間隙は一定にしておき、そこに介在するパターン転写物が更に広がることに起因して、圧力をP2まで下げることができる。
また、圧力P1の状態から、モールドと基板とが相対的に離間するように移動させることで、圧力をP2にまで下げることもできる。
また、前記インプリントパターン1115と前記パターン転写物1106との接触面積が拡大している間、前記圧力値P1は一定なるようにしてもよい。すなわち、設定圧力値P1は固定であってもよい。
勿論、当該接触面積が拡大している間、前記基板あるいはモールドに、直接あるいは間接的に、一定の荷重を加えるようにすることもできる。
第1の圧力P1は、例えば、第2の圧力P2の5倍以内、好ましくは、3倍以内、より好ましくは1.5倍以内であるのがよい。
また、P1の絶対値としては、例えば、0.1MPa以上10MPa以下になるように設定することができる。
P2の値としては、例えば、−0.1MPa以上0.1MPa以下になるように設定することができる。
なお、モールドと基板との面内方向のアライメントを行う際には、測定している圧力値が負の状態であってもよい。
なお、圧力値自体を制御せずに、荷重を調節することのみを行っているとしても、第1及び第2の圧力値の関係が、上述の関係になる場合は、本発明に包含される。
例えば、前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積が拡大している間、前記第1の圧力は増加と減少を繰り返し、その増加した時の圧力よりも、前記第2の圧力P2は低くなるようにすることができる。
勿論、図2(C)に示すような圧力変化を経て、P1に到達させてもよい。
なお、圧力P1に到達するまでに、モールドと基板間にかかる圧力を振動させるには、両者の間隔(ギャップ)が振動するように位置を制御してもよいし、超音波振動などを利用することもできる。
超音波振動を利用する場合には、少なくとも基板あるいはモールドに、直接あるいは間接的に超音波振動を印加する。樹脂自体に振動を加えることもできる。
更にまた、前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させて、両者の接触面積を拡大する際に、前記モールドと前記基板間にかける圧力をパルス状に変化させることもできる。
パルス状の加圧を行う場合には、その周期は、例えば、数μsecから数10sec、好ましくは数sec以内の範囲で行うことができる。
好ましくは、数msecから数10secである。ここで、数msecとは、例えば、2、3msecである。
このような断続的、あるいは間欠的な加圧方法は、特に樹脂の慣性(例えば、粘性が低い場合が該当する。)が大きい場合には、一時的に樹脂に加わる力が解除される。
従って、基板とモールドとのギャップ制御性の観点からは、このようなパルス状の加圧は好ましい。
例えば、ステップアンドリピートにより、基板上の複数のエリアにインプリントを行う際には、インプリント位置によって、圧力値P1自体は変動する場合がある。
パターン転写物の充填状況で制御するか、圧力値で制御するかは、適宜選択することができる。
パターン転写物である樹脂の充填状況や状態を光学的観測により検出して、前述の充填期間とアライメント露光期間との切り替えを行うように構成することにより、充填時間のばらつきを低減することができる。
ある圧力値に制御する際には、例えば、以下のように行う。まず、基板とモールド間の間隙と、所望の圧力値との相関についての情報をメモリしているデータテーブルを用意し、そして、ある圧力値に対応した、間隙の距離(間隔)の情報を取得する。
そして、モールドと基板とを相対的に、加圧軸方向に動かして、その間隔になるように制御する。こうして、所定の圧力値が得られることになる。
勿論、ロードセルで直接圧力あるいは荷重を計測することも好ましい形態である。なお、ロードセルとは、ものの重さ(荷重)を電気信号に変換する荷重変換器のことである。
上述したように、本実施形態に係る発明においては、樹脂とインプリントパターンとの接触面積を拡大させる際に樹脂にかかる圧力(荷重ということもできる。)に比して、
モールドと基板とのアライメントを行う際に樹脂にかかる圧力(あるいは荷重)を小さくすることが特徴である。
アライメントに関しては、以下において詳述する。
なお、荷重や圧力の検出には、圧力や荷重に応じて抵抗値や容量が変化するセンサや圧電素子などを利用できる。
つぎに、本実施形態におけるモールドと基板間の位置調節について説明する。上記モールドと基板間の位置調節に際し、図1(D)に示したように、圧力P2の状態で、モールド1105(正確には、インプリントパターン1115)と基板1106との位置調節を行う。
ここでいう位置調節には、例えば、以下のアライメントが含まれる。
(1)前記第1の圧力P1の加圧軸に垂直な面内方向に関する、前記モールドと前記基板との位置関係の調節(いわゆる面内方向のアライメント)。
なお、ここでいうアライメントには、基板とモールドとの加圧軸を中心にした回転に関するアライメントについても含む場合がある。
例えば、加圧方向をz軸とした場合のx、y、θである。θとは、Z軸まわりの角度のことである。
(2)前記第1の圧力P1の加圧軸に平行な方向に関する、前記モールドと前記基板とのギャップに関する調節(ギャップ調整)。
(3)α(x軸まわりの角度)、β(y軸まわりの角度)に関する、前記モールドと前記基板との面合わせ。
なお、前記モールドと前記基板との位置関係を調節した後、当該位置関係を維持するように該モールド及び該基板の少なくとも一方の位置を制御しながら、前記パターン転写物である樹脂を硬化させることになる。
また、位置調節の際には、圧力P2が変動しないように制御するか、あるいは圧力がP2を超えないように、モールドと基板間の間隙を制御するようなフィードバック制御を行うこともできる。
勿論、圧力P2を維持するような制御を行わずに、位置調節のみを行うこともできる。
モールド側と基板側にそれぞれあるアライメントマークの位置関係から、XY平面に関する位置を調整(XY調整)する。
そして、上記XY調整を、複数点(複数の異なるエリア)に関して行うことにより、Z軸まわりの角度(θ)を調節する。
次に、モールドと基板との間の光学的干渉により、両者間のギャップ(Z軸方向における両者の間隔)の調整をする。
このギャップ調整を、複数箇所に関して行い、α(X軸まわりの角度)と、β(Y軸まわりの角度)を調整する。
斯かる場合、インプリントパターンの凸部と基板との間に介在するパターン転写物(例えば、樹脂)の残膜を、薄くすることができる。
非常に残膜を薄くした状態で、面内方向のアライメントを行う場合は、基板表面やインプリントパターンへのダメージを与える可能性がある。
しかし、このように、ある程度の残膜を確保した状態で、面内方向のアライメントを行い、その後、ギャップを狭める工程を行うことは好ましい。
つまり、(a)インプリントパターンと樹脂との接触領域が所望の範囲になるようにギャップを狭める。その後、(b)面内方向のアライメントを行い、更に、(c)再度、ギャップを狭める工程を行うのである。
本実施形態に係る発明において、パターン転写はつぎのように行われる。
前記モールドと前記基板との位置関係を調節した後、前記パターン転写物である樹脂等を硬化させることにより、パターン転写を行う。その後、パターン転写物とモールドとを離間させる離型工程を行う。
つぎに、本実施形態に係るモールド(テンプレート)について説明する。
本実施形態に係る発明に適用されるモールドは、表面に凹凸パターンを有する。
このパターンは、モールド自体に凹部と凸部を形成することができる。
斯かる場合は、被加工物である基板上のパターン転写物にモールドの凹凸部が転写される。
なお、モールドが有する凹凸パタ−ンに、離型剤を塗布した後、被加工物とモールドとを当該離型剤を介して、間接的に接触させることもできる。
すなわち、本実施形態に係る発明において、モールド(あるいはインプリントパターン)と、パターン転写物(例えば、光硬化性の樹脂)とが接触するという場合には、離型剤を介して、両者が接触するという場合も含む。
なお、モールドは、石英等のガラスや、金属、シリコンなどの材料で構成することができる。凹凸パターンは例えば、電子線リソグラフィーにより形成される。
つぎに、本実施形態に係る基板、パターン転写物について説明する。
ここで、基板としては、例えばSi基板、GaAs基板等の半導体基板、樹脂基板、石英基板、ガラス基板などを用いることができる。
勿論、石英基板などの光透過性の基板を使用することもできる。
勿論、前記基板には、多層膜基板など、基板上に複数の薄膜が形成されているものも含む。
また、パターン転写物としては、例えば樹脂などを用いることができる。
基板に塗布される樹脂を硬化させるためには、例えば、紫外線をモールド側から当該樹脂に照射することにより行われる。
光硬化性樹脂の例としては、ウレタン系やエポキシ系やアクリル系などがある。
例えば、低粘性UV硬化樹脂HDDA(1,6−hexanediol−diacrylate)、HEBDM(bis(hydroxyethyl) bisphenol−A dimethacrylate)が知られている。
なお、光の照射自体は、透明基板を用いれば、当該基板側から光を照射することもできる。
また、フェノール樹脂やエポキシ樹脂やシリコーンやポリイミドなどの熱硬化性を有する樹脂や、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネ−ト(PC)、PET、アクリルなどの熱可塑性を有する樹脂を用いることもできる。
なお、熱硬化型の樹脂になるか否かは上記フェノール樹脂等における重合機構により定まる。
必要に応じて加熱処理を行うことでパターンを転写することもできる。
パターン転写物として、インジウムなどを含む低融点金属や銀ペーストなども利用することができる。
なお、基板上への樹脂を設ける際には、インプリントを行うエリア毎に、後述のディスペンサにより樹脂を基板上に載せることができる。
また、予めスピン塗布により基板全面に樹脂を塗布しておき、インプリント工程を繰り返し行うこともできる。
なお、図1(A)においては、基板上に塗布するパターン転写物1106が、一つの塊のように描いているが、あくまでも一例である。
例えば、樹脂を一塊ではなく、微小なドット状に複数配置したり、あるいは、基板全面に層状に塗布するような場合も本発明に含まれる。
以上、AからEにおいて説明した技術事項は、以降の実施形態に係る発明、及び既述の第1から第4の本発明(以下、これらを纏めて本発明群という。)においても、適用される。
また、本実施形態に係る発明などの本発明群には、参照により以下の米国特許明細書、米国特許出願、等に記載の技術が、本発明群と矛盾する要素を除いて組み込まれる。
それらは、米国特許第6,696,220号明細書、米国特許第6,719,915号明細書、米国特許第6,334,960号明細書、米国特許第5,772,905号明細書、及び米国特許出願第10/221,331号、等に記載の技術である。
なお、本発明群におけるインプリント方法は、特にナノオーダからミクロンオーダの凹凸パターン転写に適用できる。
例えば、数ナノから数百ナノの間隔のパターン形成に好適に使用できる。
また、後述の実施例でも示すように、前述の充填期間と位置調節期間、あるいは充填期間と露光期間との間に、圧力の緩和期間を設けても良い。
また、露光期間と位置調節期間における圧力を同じに(あるいは相違15パーセント以内)にしておくのが好ましい。圧力変化により位置変化する可能性があるからである。
つぎに、本発明の第2の実施形態に係るインプリント装置について、図3を用いて説明する。
ここでいうインプリント装置とは、モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント装置のことであり、少なくとも、以下の装置パーツを含む。
すなわち、前記モールドを保持するためのモールド保持部と、前記基板を載せるための基板ステージである。
モールド保持部には、モールドをチャックする機構とを有する。
更に、前記モールドと前記基板との間にかかる圧力あるいは荷重を検出するための検出部3001と、
前記モールドと前記基板との間にかかる圧力を制御するための圧力制御部3002と、
前記モールドと前記基板との位置関係を調節するための位置調節部3003と、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触状態に関する情報を取得するための情報取得部3004と、を備えている。
なお、ここでいう圧力制御部3002には、荷重を制御する荷重制御部も含まれる。
そして、この検出部3001から、基板とモールド間に係る圧力あるいは荷重に関するデータが、圧力制御部3002に入力される。
更に、情報取得部3004は、モールドが有するインプリントパターンとパターン転写物との接触状態を、顕微鏡などの光学的観測装置から取得し、当該取得した情報を圧力制御部3002に入力する。
ここで、情報取得部3004から圧力制御部3002に入力される情報は、前述の光学的観測装置からの情報に替えて、時間情報であってもよい。
また、ここでいう、時間情報とは、例えば、樹脂とモールドのインプリントパターンと基板とが接触した時点からの時間である。
接触時から、検出部3001における検出値は変化するので、検出部3001からのデータが、情報取得部3004に入力されるようにしておく。
これにより、接触後、所定の時間経過した時に、前記時間情報を情報取得部3004から、圧力制御部3002に入力することができる。
経験的に、パターン転写物である樹脂とインプリントパターンが、所望の接触をするまでの時間が分かっている時には、前記時間情報も有用である。
位置調節部3003には、ギャップ制御回路とギャップ調節機構(あるいは荷重調節機構)が内在しており、圧力制御部3002からの命令に応じて、ギャップの調節を行うことになる。
さらに、位置調節部3003には、面内方向の位置制御回路と面内方向のアライメント調節機構も含む。
そして、該第1の圧力設定値から、該第1の圧力設定値よりも低い該第2の圧力設定値へ変更は、前記情報取得部3004からの情報に基づいて行うのである。第2の設定値に圧力値を下げた後は、位置調節部3003に含まれる、面内方向のアライメント制御を行うことになる。
なお、インプリント装置全体として、面内方向の位置制御回路、及び面内方向のアライメント調節機構を有するのであれば、必ずしも前記位置調節部3003に全て含まれている必要は無い。
面内方向のアライメント工程を行った後には、前記パターン転写物を硬化させるためのエネルギー源(例えば、UV光源)からのエネルギー照射を、前記第2の圧力設定値、あるいはそれ以下の圧力で行うのがよい。
なお、インプリント装置については、後述の実施例で、詳述している。
つぎに、本発明の第3の実施形態に係るチップの製造方法について説明する。本実施形態に係るチップの製造方法においては、インプリント装置としては、後述する実施例において説明する装置を利用することができる。
具体的には、前記モールドが有するインプリントパターンを、前記基板上の前記パターン転写物(例えば光硬化性樹脂)に転写する。
勿論、紫外線等のエネルギー照射によりパターンが転写された後の樹脂は、通常は、光硬化性を失っている。
なお、樹脂に形成された凹部における当該樹脂の膜厚(残膜と呼ばれる。)の厚さにもよるが、必要に応じて、アッシング(酸素リアクティブエッチング)により当該残膜を除去することもできる。
上記したように、シリコンや酸化物などの薄膜を含む基板に、様々なパターンを形成することが可能である。つまり、通常の半導体プロセスにおけるリソグラフィー工程に替えて、インプリント工程を導入して、トランジスタやメモリを含む、いわゆる半導体チップを製造することができる。
なお、上記チップとは、半導体物品のみならず、石英基板に流路等を形成して作られるバイオチップも含む。
第3の本発明の骨子は、モールドとウエハなどの被加工部材間に介在する樹脂に、パルス状のエネルギー(光や熱)を加えて、樹脂を硬化させることである。
例えば、モールド裏面や内部に電気導電性膜を配置して、それに流す電流をパルス電流とすることができる。
[実施例1]
実施例1においては、本発明を適用した加圧加工装置の構成例について説明する。
図4に、本実施例における加圧加工装置の構成例を示す。
図4において、4101は筐体、4102はステージ、4103はチャック、4104はワーク(基板)、4105はモールドである。
なお、図において、モールドと基板間に介在する樹脂は省略している。
4106はロードセル、4107はスコープ、4108はレーザ、4109はフォトダイオード、4110はUV光源、4111はディスペンサ、4112はステージ可動部である。
4120は塗布制御回路、4121は位置検出回路、4122は露光量制御回路、4123は充填量検出回路、4124は圧力検出回路、4125は圧力制御回路、4126は位置制御回路である。
4127はプロセス制御回路、4128は充填量制御回路である。
モールド4105は、透明材料で形成されワーク4104側表面に所望の凹凸パターンを有し、ロードセル4106、部材等を介して筐体4101に接続されている。
その材質としては、石英、サファイア、TiO2、SiN等、透明な材料から適宜選択可能であり、ワーク4104側表面にシランカップリング等の処理により、離型処理を施されるのが一般的である。
スコープ4107は、レンズ系とCCDカメラから構成されており、モールド4105、ワーク4104及び両者の間の情報を画像として取得する。
筐体4101のモールド4105の裏面側にあたる部分にはUV光源4110がある。
レーザ4108とフォトダイオード4109は、互いの光軸がモールド4105とワーク4104の間で交わるように配置される。
両光軸の間の角度は、モールド4105及びワーク4104表面で反射したレーザ4108からの出射光が直接フォトダイオード4109に入射されないように設定される。
ワーク4104はチャック4103を介してステージ4102に取り付けられる。
ステージ4102は、6軸(x、y、z、θ、α、β)の可動方向を持ち、筐体4101に取り付けられる。
ディスペンサ4111は、ワーク4104上の任意の位置と相対できるようにステージ4102の可動範囲のZ方向に取り付けられる。
そして、プロセスを進めると共に、これらからの出力データを受け取る。
塗布制御回路4120は、ディスペンサ4111を制御してワーク4104上に光硬化樹脂を塗布する。
露光量制御回路4122はUV光源4110を制御して露光を行う。
位置検出回路4121は、スコープ4107の取得画像を画像処理し、モールド4105とワーク4104の位置関係を算出する。
充填量検出回路4123は、レーザ4108を用いてレーザ光を出射し、フォトダイオード4109を用いて検出結果からモールド4105とワーク4104との間の樹脂の充填量を算出する。
圧力検出回路4124は、ロードセル4106の検出信号と被加工部の面積からモールド4105とワーク4104との間にかかる圧力を算出する。
圧力制御回路4125は、モールド4105とワーク4104との間に所望の圧力がかかるようにステージ4102を制御する。
位置制御回路4126は、モールド4105とワーク4104とが所望の位置関係になるようにステージ4102を制御する。
充填量制御回路4128は、樹脂の充填量がモールド4105とワーク4104との間で所望の値となるように圧力制御回路4125と位置制御回路4126に制御量を指示し、また、両者の切り替えを行う。
なお、各機構の配置、方式等は本実施例に限るものでなく、例えば、ワーク4104の代わりにモールド4105を動かすなど、他の構成が適用可能であることはいうまでもない。
まず、ワーク4104上の被加工部分をディスペンサ4111と相対させ、被加工部にUV硬化樹脂を塗布する。
つぎに、この部分をモールド4105と相対させ、ワーク4104とモールド4105とを押し付けて高い圧力をかけ、両者の間に樹脂を高速に充填する。
つぎに、樹脂の充填の完了が検出された時点で、圧力を低下させ、ワーク4104とモールド4105の位置関係を調整する。
つぎに、UV光を照射してワーク4104とモールド4105との間の樹脂を硬化させる。
最後に、ワーク4104とモールド4105とを遠ざけて硬化した樹脂をモールドから剥離する。
以上の工程により、ワーク4104上の樹脂層にモールド4105表面の凹凸パターンが転写される。
さらに、ワーク4104上の別の部分に対し、前述の加工工程を行いこれを繰り返すことで、代表的な光露光機であるステッパ、スキャナ等のように、ワーク4104の表面に複数個の凹凸パターンを形成することもできる。
なお、樹脂の塗布方法は本実施例に限るものでなく、例えば、別の装置を用いて塗布を行うなど適宜選択可能である。
また、より高い加工精度を要求する場合や、樹脂の硬化収縮、各部材の熱変形、周囲からの振動等により樹脂の硬化中や硬化後の位置ずれが問題となる場合においては、UV光の照射中や、剥離まで等の期間、位置関係の調整を続けても構わない。
図5に制御量とその時間的変化を示す。
図5中において、樹脂を充填する期間を充填期間、位置関係の調整やUV光の照射を行う期間をアライメント露光期間とする。
各期間における圧力の値は、樹脂の特性、モールドの強度、要求精度、要求スループット等の兼ね合いで適宜定める。
例えば、充填期間を1MPa、アライメント露光期間を0.05MPa、等とする。
図5(a)、(b)において、縦軸「圧力」の上の点線位置のP1で示されているのがモールドと基板間に樹脂を充填する際における圧力であり、第一の圧力に対応するものである。
また、図5(a)において、縦軸「圧力」の下の点線位置のP2、及び図5(b)の中間の点線位置のP2で示されているのが位置調節を行う際における圧力であり、第二の圧力に対応するものであり、P1よりも低い圧力である。
また、図5(b)において、一番下の点線位置のP3で示されているのが、充填期間とアライメント露光期間の間に、アライメント露光期間よりさらに低い圧力あるいは負の加圧力である。
図5(a)に示すように、P1による高い圧力をかけて樹脂を高速に充填する充填期間、P2による低い圧力で高精度にアライメントと樹脂硬化を行うアライメント露光期間に分け、加圧工程を行う。
これにより、高スループットと高精度を両立する加圧加工装置および加圧加工方法を実現できる。
また、図5(b)は、充填期間とアライメント露光期間の間に、アライメント露光期間よりさらに低い圧力あるいは負の加圧力で加圧を行う緩和期間を設けた例である。
これによると、例えば、樹脂の慣性が大きい場合などにおいても、精密な充填量制御が可能であり、より高い圧力をかけて充填時間を短縮することや、より精密な加工形状を実現できる。
また、樹脂内の残留応力を緩和させることにより、成型後の形状精度を向上させることができる。
また、各部材の寸法、機械的定数、液の特性等から、圧力あるいは加工結果を計算でき、あるいは経験的に推測等ができる場合、制御量としての位置をもって圧力の実測値に代えることもできる。
このような方法は、モールド4105やワーク4104の寸法や機械的定数のばらつき、樹脂の粘性や塗布量、ステージの位置誤差、温度変化による各部材の変形、等により、圧力や加工結果にばらつきを生じる場合がある。
しかしながら、そのばらつきを許容できる場合においては、圧力の検出、制御機構を省くことができ、より簡便で低コストの装置を実現することができる。
なお、制御に用いる位置情報としては、モールド4105とワーク4104との間隔を直接計測し、あるいはチャック等他の部材の位置を計測するなどして得られる他の位置情報も、使用可能であることはいうまでもない。
図6に、樹脂の充填過程を説明するための模式図を示す。
図6において、6104はワーク(基板)、6105はモールド、6108はレーザ、6109はフォトダイオード、6201は樹脂である。
図6(a)は加圧前の状態であり、加圧により図6(b)、図6(c)の状態へと樹脂6201の充填が進み充填完了となる。
図6(a)に示される状態において、レーザー6108からの出射されたレーザ光はモールド6105とワーク6104の表面で反射されるが、先に述べた配置のため、フォトダイオード6109へは入射しない。
樹脂6201の充填が進み図6(b)に示されるように、その界面がレーザ光を横切る状態となると、界面にて反射、散乱されたレーザ光がフォトダイオード6109へ入射する。
さらに、樹脂6201の充填が進み図6(c)に示されるように、その界面がレーザ光を外れると再びフォトダイオード6109への入射光は無くなる。
本実施例においては図中切り替え時刻として示す時点で、充填期間の終了動作すなわち加圧力の減少を開始するものとする。
なお、充填量の検出方法については、本実施例の方式に限定されるものではない。例えば、スコープ4107を用いて樹脂の広がりを画像として取得し、画像処理により充填量を算出するなど、他の検出方法も適用可能である。
また、装置構成上の理由により、充填量の検出点がモールドの中心に近くならざるを得ない場合や、あるいは樹脂の特性により充填速度が低い等の場合には、前述の充填量の検出時刻から一定時間を置いて充填期間の終了動作が開始する等の方法も適用可能である。
さらに、充填時間のばらつきが少ない場合や、充填時間のばらつきによるスループットや加工精度の低下を許容できる場合等においては、充填量を検出する機構を用いないようにすることも可能である。
例えば、充填量制御回路4128により、加圧開始からの時間管理により充填期間を終了するようにすることも可能である。
そのような場合には、充填量の検出、制御機構を省くことができ、より簡便で低コストの装置を実現できる。
なお、面内方向のアライメントを正確に行うためには、0.001〜0.1Mpaといった低い圧力により、あるいはそれ以下の圧力下で行うのがよい。
実施例2においては、実施例1とは異なる態様による構成例について説明する。
本実施例と実施例1との差異は、加圧制御の方法だけであるから実施例1と共通する部分の説明は省略し、加圧制御についてのみ説明する。
図8に、本実施例における制御量とその時間的変化を示す。
図8(a)、(b)において、縦軸「圧力」の上の点線位置のP1で示されているのがモールドと基板間に樹脂を充填する際における圧力であり、第一の圧力に対応するものである。
また、図8(a)において、縦軸「圧力」の下の点線位置のP2、及び図8(b)の中間の点線位置のP2で示されているのが位置調節を行う際における圧力であり、第二の圧力に対応するものであり、P1よりも低い圧力である。
また、図8(b)において、一番下の点線位置のP3で示されているのが、充填期間とアライメント露光期間の間に、アライメント露光期間よりさらに低い圧力あるいは負の加圧力である。
図8中(a)から図8(d)は、それぞれ図5中(a)から(d)に対応し、充填期間に圧力をパルス状に印加するようにしたものである。
本実施例では、充填期間において、実施例1と同様に樹脂の充填量を検出し、基準値に達した時点で、つぎの加圧を中止して、アライメント露光期間への切り替えを行う。
本実施例の方式においては、切り替えが各パルスの間の離散的なタイミングになるため、充填量の制御分解能は低下する。
しかしながら、例えば樹脂の慣性が大きい場合や、樹脂の充填速度が非常に高い場合など、充填量制御が難しい際においても、確実に充填期間を終了させることが可能となり、加工の確実性を向上させることができる。
なお、図8(a)における充填期間の加圧力の下限が、同図では、アライメント期間等における圧力と同じように記載しているが、当該下限値は、アライメント期間等における圧力より低くてもよいし、また高くても良い。
充填期間の圧力下限値とアライメント期間における圧力値の相違は、好ましくは0%から50%以内、好ましくは30%以内、更に好ましくは、15パーセント以内である。
実施例3においては、本発明における以下の特徴を有する加圧加工方法が含まれる。
具体的な、加圧加工方法として、モールドと被加工部材の少なくとも一方側から、両者間に介在する樹脂を硬化させる加圧加工方法において、前記樹脂にパルス状のエネルギーを付与する加圧加工方法を構成することができる。
これにより当該樹脂を硬化させて、前記モールドの加工面が有するパターンを前記樹脂に形成することができる。
ここで、エネルギーとして、光硬化性樹脂の場合は、紫外線やレーザ光を用いることができ、熱効果の場合は、例えば赤外線を用いることができる。
このように、パルス状に硬化のためのエネルギーを付与することで、樹脂の硬化状態の制御性が高くなる。
本実施例は、上記実施例1や実施例2で説明した、樹脂に対する加圧を制御する発明に適用してもよい。勿論、実施例1や実施例2の加圧を行わずに、本実施例3自体のみを行うことも、本発明に包含される。
1105:モールド
1106:パターン転写物
1115:インプリントパターン
4101:筐体
4102:ステージ
4103:チャック
4104:ワーク(基板)
4105:モールド
4106:ロードセル
4107:スコープ
4108:レーザ
4109:フォトダイオード
4110:UV光源
4111:ディスペンサ
4112:ステージ可動部
4120:塗布制御回路
4121:位置検出回路
4122:露光量制御回路
4123:充填量検出回路
4124:圧力検出回路
4125:圧力制御回路
4126:位置制御回路
4127:プロセス制御回路
4128:充填量制御回路
4155:樹脂
6104:ワーク(基板)
6105:モールド
6108:レーザ
6109:フォトダイオード
6201:樹脂
Claims (13)
- モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント方法において、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させ、
前記モールドと前記基板との間に、第1の圧力をかけて、前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積を広げ、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、前記第1の圧力の加圧方向に垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係を調節することを特徴とするインプリント方法。 - 前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積が拡大している間、前記第1の圧力は増加し、その増加した後の圧力よりも、前記第2の圧力は低いことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積が拡大している間、前記第1の圧力は増加と減少を繰り返し、その増加した時の圧力よりも、前記第2の圧力は低いことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記モールドと前記基板との位置関係を調節した後、前記パターン転写物である樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記モールドと前記基板との位置関係を調節した後、該位置関係を維持するように該モールド及び該基板の少なくとも一方の位置を制御しながら、前記パターン転写物である樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記第1の圧力の加圧方向に垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係を調節した後に、前記モールドと前記基板とにおける前記第1の圧力の加圧方向の両者の間隔を調整することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積を広げる際に、超音波振動を前記基板あるいは前記モールドに印加することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記モールドと前記基板との間に前記第1の圧力をかけた後、前記第2の圧力をかける前に、該第2の圧力よりも低い圧力、あるいは負の圧力を両者間に加えて、加圧力の緩和を行うことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させて、両者の接触面積を拡大する際に、前記モールドと前記基板間にかける圧力をパルス状に変化させることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を載せるための基板ステージと、
前記モールドと前記基板との間にかかる圧力あるいは荷重を検出するための検出部と、前記モールドと前記基板との間にかかる圧力を制御するための圧力制御部と、
前記モールドと前記基板との位置関係を調節するための位置調節部と、
前記インプリントパターンと前記基板上のパターン転写物との接触状態に関する情報を取得するための情報取得部と、を備え、
前記圧力制御部は、第1及び第2の圧力設定値が設定可能であり、且つ
該第1の圧力設定値から、該第1の圧力設定値よりも低い該第2の圧力設定値へ変更は、前記情報取得部からの前記接触状態に関する情報に基づいて行われ、
該情報に基づいて第2の圧力設定値へ変更された状態のもとで、前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、
前記第1の圧力の加圧方向に垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係が前記位置調節部によって調節可能とされていることを特徴とするインプリント装置。 - 前記パターン転写物を硬化させるためのエネルギー源を備え、且つ
前記エネルギー源によるパターン転写物の硬化は、前記第2の圧力設定値で行われることを特徴とする請求項10に記載のインプリント装置。 - チップの製造方法であって、
請求項10に記載のインプリント装置を用いて、
前記モールドが有するインプリントパターンを、前記基板上の前記パターン転写物に転写し、
該パターン転写物をマスクとして、前記基板のエッチングを行うことを特徴とするチップの製造方法。 - モールドが有するインプリントパターンを、基板上のパターン転写物に転写するインプリント方法において、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とを接触させ、
前記モールドと前記基板との間に、第1の荷重をかけて、前記インプリントパターンと前記パターン転写物との接触面積を広げ、
前記インプリントパターンと前記パターン転写物とが接触した状態で、前記第1の荷重よりも小さい第2の荷重で、前記モールドおよび前記基板のそれぞれが有するアライメントマークの位置関係に基づいて、
前記第1の荷重方向と垂直な面内方向に関する前記モールドと前記基板との位置関係を調節することを特徴とするインプリント方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244326A JP4533358B2 (ja) | 2005-10-18 | 2006-09-08 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
US11/548,525 US7828984B2 (en) | 2005-10-18 | 2006-10-11 | Imprint method, imprint apparatus, and process for producing chip |
EP06122371A EP1795959B1 (en) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Imprint method, imprint apparatus, and process for producing chip |
AT06122371T ATE433134T1 (de) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Imprint-lithographieverfahren, gerät hierfür, sowie verfahren zur herstellung eines halbleiterchips |
EP09151853.0A EP2073059B1 (en) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Imprint method, imprint apparatus, and process for producing chip |
ES06122371T ES2323979T3 (es) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Metodo de impresion, aparato de impresion y procedimiento para la fabricacion de un chip. |
DE602006007089T DE602006007089D1 (de) | 2005-10-18 | 2006-10-16 | Imprint-Lithographieverfahren, Gerät hierfür, sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
KR1020060101097A KR100771747B1 (ko) | 2005-10-18 | 2006-10-18 | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 칩의 제조 방법 |
CN2006101362768A CN1952777B (zh) | 2005-10-18 | 2006-10-18 | 刻印方法,刻印设备,以及用于生产芯片的工艺 |
US12/894,450 US9507256B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-09-30 | Imprint method, imprint apparatus, and process for producing chip |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005302747 | 2005-10-18 | ||
JP2006244326A JP4533358B2 (ja) | 2005-10-18 | 2006-09-08 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007137051A JP2007137051A (ja) | 2007-06-07 |
JP4533358B2 true JP4533358B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=37834137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006244326A Active JP4533358B2 (ja) | 2005-10-18 | 2006-09-08 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7828984B2 (ja) |
EP (2) | EP2073059B1 (ja) |
JP (1) | JP4533358B2 (ja) |
KR (1) | KR100771747B1 (ja) |
CN (1) | CN1952777B (ja) |
AT (1) | ATE433134T1 (ja) |
DE (1) | DE602006007089D1 (ja) |
ES (1) | ES2323979T3 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078617A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
CN102360162B (zh) | 2007-02-06 | 2015-08-26 | 佳能株式会社 | 刻印方法和刻印装置 |
JP5188192B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法 |
JP4810496B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-11-09 | 株式会社東芝 | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
JP5144127B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用のモールドの製造方法 |
KR100867951B1 (ko) * | 2007-07-16 | 2008-11-11 | 삼성전기주식회사 | 임프린팅 방법 |
KR100914061B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2009-08-28 | 주식회사 디씨엔 | 소프트 스탬핑 장치 |
US8945444B2 (en) * | 2007-12-04 | 2015-02-03 | Canon Nanotechnologies, Inc. | High throughput imprint based on contact line motion tracking control |
US8457175B2 (en) * | 2008-01-29 | 2013-06-04 | Sony Corporation | Systems and methods for securing a digital communications link |
JP5326468B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | インプリント法 |
JP5150309B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2013-02-20 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP5666082B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2015-02-12 | 東芝機械株式会社 | 転写装置およびプレス装置 |
US20100022036A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Ikuo Yoneda | Method for forming pattern, and template |
JP5279397B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、およびデバイス製造方法 |
KR101027468B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2011-04-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
JP5517423B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP2010067796A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Canon Inc | インプリント装置 |
NL2003347A (en) | 2008-09-11 | 2010-03-16 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP2010080631A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | 押印装置および物品の製造方法 |
US8652393B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-02-18 | Molecular Imprints, Inc. | Strain and kinetics control during separation phase of imprint process |
US8309008B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-11-13 | Molecular Imprints, Inc. | Separation in an imprint lithography process |
US20110210480A1 (en) * | 2008-11-18 | 2011-09-01 | Rolith, Inc | Nanostructures with anti-counterefeiting features and methods of fabricating the same |
FR2939241B1 (fr) * | 2008-11-28 | 2011-03-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled |
JP5376930B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5402069B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-01-29 | 凸版印刷株式会社 | 針状構造物の製造方法 |
JP5173944B2 (ja) | 2009-06-16 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP5284212B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US9044879B2 (en) | 2009-08-31 | 2015-06-02 | Konica Minolta Opto, Inc. | Production method of wafer lens |
NL2005265A (en) | 2009-10-07 | 2011-04-11 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
JP5385749B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2014-01-08 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP5364533B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | インプリントシステムおよびインプリント方法 |
JP2011146447A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
US20130224322A1 (en) * | 2010-11-12 | 2013-08-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method For Cleaning Fine Pattern Surface Of Mold, And Imprinting Device Using Same |
JP5850717B2 (ja) | 2010-12-02 | 2016-02-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
JP5637931B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-12-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
JP5864929B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP6061524B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP6333039B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法 |
JP6315904B2 (ja) | 2013-06-28 | 2018-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
CN103596372B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-08-31 | 丁保美 | Pcb板超声波灌孔方法 |
JP6363838B2 (ja) | 2014-01-08 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6465577B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
TWI512292B (zh) * | 2014-09-04 | 2015-12-11 | Taiwan Green Point Entpr Co | 薄膜式生物晶片之製作方法 |
JP6470153B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-02-13 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
JP6875879B2 (ja) | 2017-02-22 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
US10534259B2 (en) * | 2017-03-28 | 2020-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and system for imprint force control |
US10211072B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method of reconstituted substrate formation for advanced packaging applications |
US11036130B2 (en) * | 2017-10-19 | 2021-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Drop placement evaluation |
CN109119404B (zh) * | 2018-07-16 | 2021-04-02 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 对准方法、压印方法和晶圆堆叠方法 |
US11815811B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnification ramp scheme to mitigate template slippage |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6330199A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 等方圧圧縮成形プレス |
JPH05297225A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面レリーフパターン複製方法及び装置 |
JPH0694907A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-04-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基板上に微細凹凸パターンを形成する方法 |
JPH09201874A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-05 | Sony Corp | 表面に凹凸模様を備えた物品、特に光ディスクの成形方法及びその成形装置 |
WO2004062886A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Scivax Corporation | パターン形成装置、パターン形成方法、パターン形成システム |
JP2004288811A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント装置、及び微細構造転写方法 |
JP2005049829A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 微細形状を有する成形物、光学素子、成形方法及び成形装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3724996C2 (de) | 1987-07-28 | 1993-11-04 | Siemens Ag | Verfahren zur schnellen fuellung eines engen raumes mit einem fliessfaehigen harz |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
SE515962C2 (sv) * | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
US6551720B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-04-22 | Sarnoff Corporation | Materials to fabricate a high resolution plasma display back panel |
KR101031528B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿 |
KR20050035134A (ko) * | 2001-10-11 | 2005-04-15 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 비점착성 몰드를 이용한 패턴 구조의 재현 |
US7442336B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-10-28 | Molecular Imprints, Inc. | Capillary imprinting technique |
US6916584B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
US7618510B2 (en) * | 2003-05-23 | 2009-11-17 | The Regents Of The University Of Michigan | Imprinting polymer film on patterned substrate |
US7150622B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
JP2005153091A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | 転写方法及び転写装置 |
EP1538482B1 (en) | 2003-12-05 | 2016-02-17 | Obducat AB | Device and method for large area lithography |
KR100558754B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2006-03-10 | 한국기계연구원 | Uv 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을수행하는 장치 |
JP4564272B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7229933B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Embossing processes for substrate imprinting, structures made thereby, and polymers used therefor |
JP4574240B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 加工装置、加工方法、デバイス製造方法 |
US7641468B2 (en) * | 2004-09-01 | 2010-01-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Imprint lithography apparatus and method employing an effective pressure |
US7695667B2 (en) * | 2006-03-01 | 2010-04-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for separating a stamper from a patterned substrate |
JP2008078617A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Canon Inc | 構造体の製造方法 |
JP5188192B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法 |
JP5144127B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用のモールドの製造方法 |
-
2006
- 2006-09-08 JP JP2006244326A patent/JP4533358B2/ja active Active
- 2006-10-11 US US11/548,525 patent/US7828984B2/en active Active
- 2006-10-16 EP EP09151853.0A patent/EP2073059B1/en active Active
- 2006-10-16 EP EP06122371A patent/EP1795959B1/en active Active
- 2006-10-16 AT AT06122371T patent/ATE433134T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-10-16 DE DE602006007089T patent/DE602006007089D1/de active Active
- 2006-10-16 ES ES06122371T patent/ES2323979T3/es active Active
- 2006-10-18 KR KR1020060101097A patent/KR100771747B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-18 CN CN2006101362768A patent/CN1952777B/zh active Active
-
2010
- 2010-09-30 US US12/894,450 patent/US9507256B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6330199A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 等方圧圧縮成形プレス |
JPH0694907A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-04-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基板上に微細凹凸パターンを形成する方法 |
JPH05297225A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面レリーフパターン複製方法及び装置 |
JPH09201874A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-05 | Sony Corp | 表面に凹凸模様を備えた物品、特に光ディスクの成形方法及びその成形装置 |
WO2004062886A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Scivax Corporation | パターン形成装置、パターン形成方法、パターン形成システム |
JP2004288811A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント装置、及び微細構造転写方法 |
JP2005049829A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 微細形状を有する成形物、光学素子、成形方法及び成形装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070145639A1 (en) | 2007-06-28 |
US7828984B2 (en) | 2010-11-09 |
DE602006007089D1 (de) | 2009-07-16 |
ATE433134T1 (de) | 2009-06-15 |
CN1952777A (zh) | 2007-04-25 |
US20110042348A1 (en) | 2011-02-24 |
KR100771747B1 (ko) | 2007-10-30 |
EP1795959A1 (en) | 2007-06-13 |
EP2073059A1 (en) | 2009-06-24 |
ES2323979T3 (es) | 2009-07-28 |
CN1952777B (zh) | 2010-11-17 |
EP1795959B1 (en) | 2009-06-03 |
KR20070042478A (ko) | 2007-04-23 |
US9507256B2 (en) | 2016-11-29 |
EP2073059B1 (en) | 2017-01-04 |
JP2007137051A (ja) | 2007-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4533358B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 | |
US10990005B2 (en) | Method in which alignment control of a member and a substrate is effected with respect to an in-plane direction of the substrate and an uncured material in a state of bringing a member and the uncured material on a substrate into contact | |
KR100806231B1 (ko) | 가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법 | |
TWI326797B (en) | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process | |
JP4773729B2 (ja) | 転写装置およびデバイス製造方法 | |
JP4290177B2 (ja) | モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法 | |
JP4328785B2 (ja) | モールド、パターン転写装置、及びパターン形成方法 | |
JP2007081070A (ja) | 加工装置及び方法 | |
JP2007296783A (ja) | 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JP2007266053A (ja) | 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JP4774125B2 (ja) | 転写装置、型、および、デバイス製造方法 | |
KR20240031272A (ko) | 임프린트 장치, 물품 제조 방법, 및 임프린트 방법 | |
JP7150535B2 (ja) | 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法 | |
JP6604793B2 (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
JP7116552B2 (ja) | インプリント装置、および、物品製造方法 | |
JP5563243B2 (ja) | インプリント装置、および、物品の製造方法 | |
JP7179655B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
JP2024003899A (ja) | インプリントシステム、基板、インプリント方法、レプリカモールド製造方法及び、物品の製造方法 | |
JP2023058321A (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP2021061328A (ja) | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、及び、物品製造方法 | |
JP2020004920A (ja) | 平坦化装置、及び物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100506 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4533358 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |