JP2005153091A - 転写方法及び転写装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に微細構造を形成するために、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、基板表面上に接触、加圧する転写装置において、スタンパと基板を加圧する工程と基板からスタンパを剥離する工程が独立したユニットから構成され、加圧工程から剥離工程に移動する際、スタンパと基板が密着した状態で移動され、好ましくは、少なくとも2組のスタンパと基板が同時または時間的に重なるように異なる工程で処理される転写装置。
【選択図】 図1
Description
イ)各種バイオデバイス
ロ)DNAチップ等の免疫系分析装置、使い捨てのDNAチップ等
ハ)半導体多層配線
ニ)プリント基板やRF MEMS
ホ)光または磁気ストレージ
ホ)導波路、回折格子、マイクロレンズ、偏光素子等の光デバイス、フォトニック結晶
ヘ)カラーシート
ト)LCDディスプレイ
チ)FEDディスプレイ
本発明において、ナノプリントとは、転写されるスタンパの凹凸の断面積の大きさが数100μmから数nm程度、特にサブミクロン(1μmより小)の範囲の凹凸の転写を言う。また、本発明において、スタンパは、転写されるべき微細なパターンを有するものであり、スタンパに該パターンを形成する方法は特に制限されない。例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等、所望する加工精度に応じて、選択される。スタンパの材料としては、シリコンウエハ、各種金属材料、ガラス、石英、セラミック、プラスチック等、強度と要求される精度の加工性を有するものであれば良い。具体的には、Si、SiC、SiN、多結晶Si、ガラス、Ni、Cr、Cu、及びこれらを1種以上含むものが好ましく例示される。また、これらスタンパ表面には樹脂との接着を防止するための離型処理が施されていることがより好ましい。表面処理剤としてはシリコーン系の離型剤の他、フッ素系のカップリング剤が好ましい。
図1は、本発明による転写装置の各ユニットの配置の模式平面図を示す。本実施例の転写装置を用い、以下の微細パターンの転写実験を行った。
次にスタンパ保管ユニット4よりスタンパ93をロボットアーム2により位置合わせユニット5に移動する。(b)→(c)
位置合わせを行った後、基板92にスタンパ93を乗せた状態で加圧ユニット6に移動し加圧加熱する。(c)→(d)
冷却後、圧力を開放しスタンパ93と基板92が一体化して重ね合わさった状態で剥離ユニット7に移動する。(d)→(e)
剥離ユニット7で基板92とスタンパ93を剥離した後、加工済み基板94は基板搬入搬出ユニット3へ、スタンパはスタンパ洗浄ユニット8へ移動される。ここでは剥離の後スタンパがスタンパ洗浄ユニットに移動したが、汚染が少ない場合は直接スタンパ保管ユニット4に移動される場合もある。
図9に示す光硬化タイプの加圧ユニットを用いた転写装置により、実施例1と同様の転写実験を行った。なお、基板には6inchφのシリコンウエハ上に液状の光硬化樹脂であるPKA01(東洋合成製)をスピンコート法により500nm基板に塗布したものを基板として使用した。
(実施例3)
図10に示す実施例1の転写装置にスタンパ検査ユニット95と基板検査ユニット96が増設された転写装置を用い実施例1と同様の転写実験を行った。図10及び図11において、図1、図8と同じ符号は同じ要素を示す。図11はその際の金型基盤92とスタンパ93の動きに着目したフロー図を示す。本フロー図は説明のため基板とスタンパ1組のみが移動しているように記載しているが、実際には複数組の基板/スタンパが同時に移動し加工されている。
次にスタンパ保管ユニット4よりスタンパ93をロボットアーム2により位置合わせユニット5に移動する。(a)→(b)
位置合わせを行った後、基板92にスタンパ93を乗せた状態で加圧ユニット6に移動し加圧加熱する。(b)→(c)
冷却後、圧力を開放しスタンパ93と基板92が合わさった状態で剥離ユニット7に移動する。(c)→(d)
剥離ユニット7で基板92とスタンパ93を剥離した後、加工済み基板97は基板検査ユニット96へ、スタンパはスタンパ検査ユニット95へ移動される。これら検査ユニットではブルーレーザ顕微鏡を用いスタンパおよび加工済み基板表面のパターン形状を検査する。(d)→(e)
検査の結果、スタンパおよび加工済み基板に欠陥等が無かった場合は、加工済み基板94は基板搬入搬出ユニット3へ、スタンパはスタンパ保管ユニット4へ移動する。(e)→(f)
以上の工程により本発明の転写装置を用いシリコン基板上へ微細なパターンの転写を行った。本転写装置は位置合わせ、加圧、剥離の各工程を複数枚のスタンパおよび基板を用い同時に連続的に加工処理を行っている。
(実施例4)
図12は本転写装置のスタンパ、基板、検査データの流れを模式的に示したフローチャートである。実施例3(図10、図11)と同様の転写装置を用い以下の方法でパターン転写実験を行った。
(実施例5)
図13は本発明の転写装置に用いるスタンパ作製受注のためのシステムスキームを示す。最初に顧客より、転写により形成したい転写物パターン形状、転写物材質、転写物パターンサイズ、作製数量等の要求仕様を入手する。要求仕様の入手方法としては顧客と直接面接するか、インターネット300等のホームページにおけるテンプレートに入力する方法で行う。
(1)表面に微細凹凸構造が形成されたスタンパを、必要に応じ軟質性を保持し得る材料からなる表面を有する基板に接触・加圧して該表面に上記微細凹凸構造を転写する工程、及び該表面から該スタンパを剥離する工程を含み、上記スタンパと上記基板を一体として、好ましくはロボットにより上記工程間を移動する微細構造転写方法。
(2)上記材料が基板面に保持されている方法。
(3)上記材料が光硬化性樹脂組成物である方法。
(4)上記材料が熱可塑性樹脂である方法。
(5)前記転写工程に先立って、前記基板上に形成された材料をその軟化点又はガラス転移温度以上に加熱して、前記材料の軟質性を与える微細構造転写方法。
(6)前記スタンパの少なくとも一部は光透過性を有し、前記基板上に保持された光硬化性樹脂組成物に前記スタンパを加圧し、前記スタンパを介して光照射し前記樹脂組成物を硬化させた後、上記スタンパを上記組成物から引き剥がす微細構造転写方法。
(7)前記スタンパの少なくとも一部は光透過性を有し、前記基板上に保持された光硬化性樹脂組成物に前記スタンパを加圧し、光を前記スタンパの光透過部を介して照射し前記樹脂組成物を硬化させた後、上記スタンパを上記組成物から引き剥がし、未硬化部分を除去して現像する微細構造転写方法。
(8)表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、必要に応じて軟質性を保持し得る材料を備えた基板表面に接触・保持する手段、上記スタンパと基板の接触面に圧力を与える加圧手段、該スタンパを基板表面から剥離する手段を備え、上記スタンパと基板とを上記加圧手段から剥離手段に移動する際、上記スタンパと基板を一体として上記接触・保持手段、加圧手段及び剥離手段から切り離すことが可能である転写装置。
(9)基板とスタンパ間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニット、及び上記スタンパと基板とを各ユニット間を搬送するためのロボットを有する転写装置。
(10)転写装置を構成する2つ以上のユニットが搬送装置の周辺に配置されている装置。
(11)前記保管ユニットにはパターンの異なるスタンパを複数個保管することが可能である装置。
(12)前記加圧ユニットは加熱機構を有する装置。
(13)前記加圧ユニットは光照射機構を有する装置。
(14)前記スタンパは金属または無機材料からできている装置。
(15)前記スタンパの微小凹凸の最小寸法が数nm以上であり、最大寸法が100μm以下である装置。
(16)表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、基板表面上に接触、加圧する転写ユニット、基板とスタンパ間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニット、及び使用前及び使用後ならびに洗浄後あるいはそのいずれかのスタンパを検査する検査ユニットを有する転写装置。
(17)2組以上のスタンパと基板との対を異なるユニットで同時又は時間的に重なるように処理されるように制御する制御装置を有する装置。
(18)表面に微細な凹凸が形成されたスタンパと基板間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、及び基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニットおよび基板を検査するユニット、スタンパを検査するユニットを有し、2組以上のスタンパと基板が異なるユニットで同時又は時間的に重なるように、あるいは重ならないように処理されるように制御する制御装置を有する転写装置。
(19)前記表面に微細な凹凸が形成されたスタンパに識別のための表示またはデータが表記または刻印されている装置。
(20)表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、軟質性を保持し得る基板表面上に接触、加圧する転写ユニット、スタンパまたは基板を搭載するステージ部をスライドさせるための昇降ユニット、基板とスタンパに加重を加える加圧ユニットを有し、上記昇降ユニットを駆動するモータ、及び上記加圧機構を駆動するエアシリンダを有する転写装置。
(21)前記基板を検査するユニット、スタンパを検査するユニットはそれぞれの検査結果を共有する装置。
(22)表面に微細な凹凸が形成された透明スタンパを、光硬化性樹脂組成物のフィルムを保持する基板のフィルム表面に接触、加圧する転写ユニット、スタンパまたは基板を搭載するステージ部をスライドさせるための昇降ユニット、基板とスタンパに加重を加える加圧ユニットを有し、上記昇降ユニットを駆動するモータ、及び上記加圧ユニットを駆動するエアシリンダ、及び上記透明スタンパを介してスタンパと上記フィルムが接触・加圧された状態で所定の光を露光する光照射装置を有する転写装置。
(23)前記昇降ユニットはスクリューネジ軸とこれと螺合するステージ部に取り付けられたナットから構成され、電動モータによりスクリューネジ軸を回転させ、ステージ部をスライドさせる装置。
(24)前記昇降ユニットは2本以上のスクリューネジ軸と、これと螺合するステージ部に取り付けられたナットとから構成され、電動モータによりスクリューネジ軸を回転させ、ステージ部をスライドさせる装置。
(25)前記加圧ユニットは、所定の圧力まで少なくとも2段階のステップにより加圧する装置。
(26)スタンパに形成された凹凸の位置をCCDラメラにより撮像し、その画像により可塑性を有する材料面を有する基板との位置合わせを行うユニットを有する装置。
(27)スタンパを、可塑性を有する材料面を有する基板から引き剥がすために両者の界面に楔を挿入する機構を有する装置。
(28)更に複数の洗浄液を収容するように複数の洗浄容器を備える装置。
(29)微細な凹凸を有し、透明材料からなるスタンパを光硬化性樹脂組成物のフィルムを貼り付けた基板に加圧し、その状態で光源から光を照射して上記フィルムを露光する手段を備える装置。
(30)入荷したスタンパ、可塑性を有する表面を有する基板から引き剥がしたスタンパ、洗浄したスタンパ及び補修・修復したスタンパを検査する装置を有する装置。
(31)表面に微細凹凸構造が形成されたスタンパを、可塑性を維持しうる表面を有する基板に接触・加圧して該微細凹凸構造を転写するに際し、該スタンパに形成する微細凹凸の形状、及び該スタンパの使用環境に基づいて、予め集積されたデータベースから少なくとも該スタンパの製造方法及び材質を選択し、その結果に基づいてスタンパの製造費用及びそのスタンパによって製造される微細柱状突起群の形状をコンピュータにより演算し、それらの演算結果を出力して、目的のスタンパを製造するかどうかを決定する方法。
(32)少なくとも、表面の微細な凹凸の寸法および作成する数量により、スタンパの加工方法が選択され、加工される方法。
(33)前記転写工程は、スタンパの原盤にレジストパターンを形成する工程と、エッチングにより原盤にパターンを形成する工程と、レジストパターンを剥離する工程を含む方法。
(34)前記レジストパターンを形成する工程は、電子線による直接描画法、フォトリソ法、または、これらを組み合わせた工程を含む微小柱状突起群を製造する方法。
(35)前記転写工程は、スタンパの原盤を直接、フォーカストイオンビーム法により加工する工程を含む方法。
(36)前記転写工程は、レジストパターンまたは、ドライエッチングにより形成された原盤またはフォーカストイオンビームにより形成された原盤をもとにめっき法により複製を作製する工程を含む方法。
Claims (26)
- 表面に微細凹凸構造が形成されたスタンパを、必要に応じ軟質性を保持し得る材料からなる表面を有する基板に接触・加圧して該表面に上記微細凹凸構造を転写する工程、及び該表面から該スタンパを剥離する工程を含み、上記スタンパと上記基板を一体として上記工程間を移動することを特徴とする微細構造転写方法。
- 前記転写工程に先立って、前記基板上に形成された材料をそのガラス転移温度以上に加熱して、前記材料の軟質性を保持することを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写方法。
- 前記スタンパは光透過性を有し、前記基板上に保持された光硬化性樹脂組成物に前記スタンパを加圧し、前記スタンパを介して光照射し前記樹脂組成物を硬化させた後、上記スタンパを上記組成物から引き剥がすことを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写方法。
- 前記スタンパの少なくとも一部は光透過性を有し、前記基板上に保持された光硬化性樹脂組成物に前記スタンパを加圧し、光を前記スタンパの光透過部を介して照射し前記樹脂組成物を硬化させた後、上記スタンパを上記組成物から引き剥がし、未硬化部分を除去して現像することを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写方法。
- 表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、必要に応じて軟質性を保持し得る材料を備えた基板表面に接触・保持する手段、上記スタンパと基板の接触面に圧力を与える加圧手段、該スタンパを基板表面から剥離する手段を備え、上記スタンパと基板とを上記加圧手段から剥離手段に移動する際、上記スタンパと基板を一体として上記接触・保持手段、加圧手段及び剥離手段から切り離すことが可能であることを特徴とする転写装置。
- 基板とスタンパ間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニット、及び上記スタンパと基板とを各ユニット間を搬送するための搬送ユニットを有することを特徴とする転写装置。
- 前記スタンパの微小凹凸の最小寸法が数nm以上であり、最大寸法が100μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の転写装置。
- 表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、基板表面上に接触、加圧する転写ユニット、基板とスタンパ間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニット、及び使用前及び使用後ならびに洗浄後のスタンパを検査する検査ユニットを有することを特徴とする転写装置。
- 2組以上のスタンパと基板を異なるユニットで同時に処理されるように制御する制御装置を有することを特徴とする請求項8記載の転写装置。
- 表面に微細な凹凸が形成されたスタンパと基板間の相対位置を決めるための位置合わせユニット、基板とスタンパを加圧するための加圧ユニット、基板からスタンパを剥離するための剥離ユニット、使用したスタンパを洗浄するための洗浄ユニット、スタンパを保管するための保管ユニット、及び基板の搬入・搬出を行う搬入搬出ユニットおよび基板を検査するユニット、スタンパを検査するユニットを有し、2組以上のスタンパと基板が異なるユニットで処理されるように制御する制御装置を有することを特徴とする転写装置。
- 前記表面に微細な凹凸が形成されたスタンパに識別のための表示またはデータが表記または刻印されている請求項10に記載の転写装置。
- 表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを、軟質性を保持し得る基板表面上に接触、加圧する転写ユニット、スタンパまたは基板を搭載するステージ部をスライドさせるための昇降ユニット、基板とスタンパに加重を加える加圧ユニットを有し、上記昇降ユニットを駆動するモータ、及び上記加圧機構を駆動するエアシリンダを有することを特徴とする転写装置。
- 表面に微細な凹凸が形成された透明スタンパを、光硬化性樹脂組成物のフィルムを保持する基板のフィルム表面に接触、加圧する転写ユニット、スタンパまたは基板を搭載するステージ部をスライドさせるための昇降ユニット、基板とスタンパに加重を加える加圧ユニットを有し、上記昇降ユニットを駆動するモータ、及び上記加圧ユニットを駆動するエアシリンダ、及び上記透明スタンパを介してスタンパと上記フィルムが接触・加圧された状態で所定の光を露光する光照射装置を有することを特徴とする転写装置。
- 前記昇降ユニットはスクリューネジ軸とこれと螺合するステージ部に取り付けられたナットから構成され、電動モータによりスクリューネジ軸を回転させ、ステージ部をスライドさせることを特徴とする請求項13記載の転写装置。
- 前記昇降ユニットは2本以上のスクリューネジ軸と、これと螺合するステージ部に取り付けられたナットとから構成され、電動モータによりスクリューネジ軸を回転させ、ステージ部をスライドさせることを特徴とする請求項13に記載の転写装置。
- 前記加圧ユニットは、所定の圧力まで少なくとも2段階のステップにより加圧することを特徴とする請求項13に記載の転写装置。
- スタンパに形成された凹凸の位置をCCDラメラにより撮像し、その画像により可塑性を有する材料面を有する基板との位置あわせを行うユニットを有する請求項13記載の転写装置。
- スタンパを、可塑性を有する材料面を有する基板から引き剥がすために両者の界面に楔を挿入する機構を有することを特徴とする請求項13に記載の転写装置。
- 更に複数の洗浄液を収容するように複数の洗浄容器を備えたことを特徴とする請求項13に記載の転写装置。
- 微細な凹凸を有し、透明材料からなるスタンパを光硬化性樹脂組成物のフィルムを貼り付けた基板に加圧し、その状態で光源から光を照射して上記フィルムを露光する手段を備えることを特徴とする請求項13に記載の転写装置。
- 入荷したスタンパ、可塑性を有する表面を有する基板から引き剥がしたスタンパ、洗浄したスタンパ及び補修・修復したスタンパの少なくとも1種類を検査する装置を有することを特徴とする請求項13記載の転写装置。
- 表面に微細凹凸構造が形成されたスタンパを、可塑性を維持しうる表面を有する基板に接触・加圧して該微細凹凸構造を転写するに際し、該スタンパに形成する微細凹凸の形状、及び該スタンパの使用環境に基づいて、予め集積されたデータベースから少なくとも該スタンパの製造方法、材質、寸法を選択し、その結果に基づいてスタンパの製造費用及びそのスタンパによって製造される微細柱状突起群の形状をコンピュータにより演算し、それらの演算結果を出力して、目的のスタンパを製造するかどうかを決定することを特徴とする方法。
- 前記転写工程は、スタンパの原盤にレジストパターンを形成する工程と、エッチングにより原盤にパターンを形成する工程と、レジストパターンを剥離する工程を含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記レジストパターンを形成する工程は、電子線による直接描画法、フォトリソ法、または、これらを組み合わせた工程からなることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記転写工程は、スタンパの原盤を直接、フォーカストイオンビーム法により加工する工程からなることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記転写工程は、レジストパターンまたは、ドライエッチングにより形成された原盤またはフォーカストイオンビームにより形成された原盤をもとにめっき法により複製を作製する工程からなることを特徴とする請求項22に記載の方法。
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Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007062372A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Seoul National Univ Industry Foundation | 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法 |
JP2007182063A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2008006639A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
JP2008503364A (ja) * | 2004-05-24 | 2008-02-07 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
JP2008183731A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びその装置 |
JP2009056762A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Toshiba Mach Co Ltd | 離型装置、給排システムおよび離型方法 |
JP2009518863A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の両面パターニングする方法及びシステム |
JP2009265187A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
JP2009262350A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
JP2009262351A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
WO2010147056A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010150740A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010150741A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010150742A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置及びインプリントシステム |
JP2011000806A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011005695A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011005694A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011507727A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-10 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | 光学素子の製造 |
JP2011066180A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | テンプレート作成管理方法、テンプレート及びテンプレート作成管理装置 |
WO2011040466A1 (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011091104A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Canon Inc | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
JP2011104910A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム |
JP2011129881A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置 |
JP2011152675A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写システムおよび転写方法 |
WO2011145607A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011145611A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011145610A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2012029843A1 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 転写システムおよび転写方法 |
JP2012060074A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | インプリント装置及び方法 |
US8147234B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-04-03 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | Imprint apparatus and method for fine structure lithography |
US8245754B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-08-21 | Tdk Corporation | Peeling apparatus, peeling method, and method of manufacturing information recording medium |
US8268209B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-09-18 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method and its mold |
JP2013091328A (ja) * | 2013-02-04 | 2013-05-16 | Toshiba Corp | パターン形成装置 |
JP2013180535A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 型剥離装置および型剥離方法 |
US8896923B2 (en) | 2006-05-10 | 2014-11-25 | Oji Holdings Corporation | Corrugated pattern forming sheet, and methods for manufacturing antireflector, retardation plate, original process sheet plate, and optical element |
US8973495B2 (en) | 2008-08-06 | 2015-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method |
US9095944B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-08-04 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Work setting apparatus, work setting method, and work holder removing method |
US9481114B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080213418A1 (en) * | 2000-07-18 | 2008-09-04 | Hua Tan | Align-transfer-imprint system for imprint lithogrphy |
US7409759B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Method for making a computer hard drive platen using a nano-plate |
US7410591B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Method and system for making a nano-plate for imprint lithography |
US7331283B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-02-19 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for imprint pattern replication |
US7363854B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-29 | Asml Holding N.V. | System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography |
US7399422B2 (en) * | 2005-11-29 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | System and method for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby |
JP4533358B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
US7878791B2 (en) * | 2005-11-04 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7517211B2 (en) * | 2005-12-21 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
KR20080015536A (ko) * | 2006-08-16 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 와이어 그리드 편광자 제조 시스템 및 제조 방법 |
US7832416B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-11-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Imprint lithography apparatus and methods |
US8377361B2 (en) * | 2006-11-28 | 2013-02-19 | Wei Zhang | Imprint lithography with improved substrate/mold separation |
US7837907B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-11-23 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process |
JP2009088264A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | 微細加工装置およびデバイス製造方法 |
US8795572B2 (en) * | 2008-04-17 | 2014-08-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Symmetric thermocentric flexure with minimal yaw error motion |
JP5413816B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2014-02-12 | 株式会社ニコン | テンプレートの検査方法及び検査装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム、並びにデバイス製造方法 |
EP2138896B1 (en) * | 2008-06-25 | 2014-08-13 | Obducat AB | Nano imprinting method and apparatus |
SG162633A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-29 | Helios Applied Systems Pte Ltd | Integrated system for manufacture of sub-micron 3d structures using 2-d photon lithography and nanoimprinting and process thereof |
KR101309865B1 (ko) * | 2009-12-23 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법 |
US8747092B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-06-10 | Nanonex Corporation | Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold |
NL2006004A (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-27 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL2007128A (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-20 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography inspection method and apparatus. |
WO2014145360A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | Imprint lithography system and method for manufacturing |
WO2014145826A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography |
KR101636070B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2016-07-14 | 주식회사 라파스 | 마이크로니들 제조장치 |
JP6768409B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-10-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び物品製造方法 |
CN110964225B (zh) * | 2019-12-16 | 2020-12-22 | 江南大学 | 一种磁性分子印迹光子晶体传感器及其制备方法与应用 |
CN113009783A (zh) * | 2021-03-06 | 2021-06-22 | 长春工业大学 | 一种可制备多级微结构的装置 |
CN114516188A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-20 | 深圳睿晟自动化技术有限公司 | 微纳米级光波导镜面热压工艺方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226171A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask creation method |
JPH03230334A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Sharp Corp | 光メディア用基材の製造方法並びに製造装置 |
JPH06876A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | Sony Corp | 光ディスク製造装置 |
JPH08203138A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Ricoh Co Ltd | スタンパ剥離装置 |
JPH11185291A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-07-09 | Sony Corp | 記録媒体及びその製造方法、製造装置 |
JPH11273159A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク製造用スタンパの生産管理システム |
JP2001239545A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加飾成形方法及び装置 |
JP2002100038A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 転写装置、転写用カートリッジ、及び転写方法 |
JP2003326535A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-19 | Tdk Corp | 多層記録媒体の形成方法および装置、ならびに多層記録媒体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7432634B2 (en) * | 2000-10-27 | 2008-10-07 | Board Of Regents, University Of Texas System | Remote center compliant flexure device |
SE515607C2 (sv) * | 1999-12-10 | 2001-09-10 | Obducat Ab | Anordning och metod vid tillverkning av strukturer |
TW508653B (en) * | 2000-03-24 | 2002-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method |
CH695607A5 (de) * | 2001-10-01 | 2006-07-14 | Cpar Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Werkstückbezeichnung. |
WO2003031163A2 (en) * | 2001-10-08 | 2003-04-17 | California Institute Of Technology | Microfabricated lenses, methods of manufacture thereof, and applications therefor |
US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
TW570290U (en) * | 2003-05-02 | 2004-01-01 | Ind Tech Res Inst | Uniform pressing device for nanometer transfer-print |
US6829988B2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-14 | Suss Microtec, Inc. | Nanoimprinting apparatus and method |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
-
2003
- 2003-11-27 JP JP2003397108A patent/JP2005153091A/ja active Pending
-
2004
- 2004-11-29 US US10/997,865 patent/US20050116370A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226171A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask creation method |
JPH03230334A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-14 | Sharp Corp | 光メディア用基材の製造方法並びに製造装置 |
JPH06876A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | Sony Corp | 光ディスク製造装置 |
JPH08203138A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Ricoh Co Ltd | スタンパ剥離装置 |
JPH11185291A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-07-09 | Sony Corp | 記録媒体及びその製造方法、製造装置 |
JPH11273159A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク製造用スタンパの生産管理システム |
JP2001239545A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加飾成形方法及び装置 |
JP2002100038A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 転写装置、転写用カートリッジ、及び転写方法 |
JP2003326535A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-19 | Tdk Corp | 多層記録媒体の形成方法および装置、ならびに多層記録媒体 |
Cited By (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011011558A (ja) * | 2004-05-24 | 2011-01-20 | Agency For Science Technology & Research | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
JP4709322B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-06-22 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
JP2008503364A (ja) * | 2004-05-24 | 2008-02-07 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
JP2007062372A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Seoul National Univ Industry Foundation | 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法 |
JP2010016405A (ja) * | 2005-11-04 | 2010-01-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP4629147B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2011-02-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
JP2007182063A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-07-19 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP4604012B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2010-12-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
JP2009518863A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の両面パターニングする方法及びシステム |
US8268209B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-09-18 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method and its mold |
US8896923B2 (en) | 2006-05-10 | 2014-11-25 | Oji Holdings Corporation | Corrugated pattern forming sheet, and methods for manufacturing antireflector, retardation plate, original process sheet plate, and optical element |
JP2008006639A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
US9403316B2 (en) | 2007-01-26 | 2016-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and pattern forming apparatus |
JP2008183731A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びその装置 |
US9944014B2 (en) | 2007-01-26 | 2018-04-17 | Toshiba Memory Corporation | Pattern forming method and pattern forming apparatus |
JP2009056762A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Toshiba Mach Co Ltd | 離型装置、給排システムおよび離型方法 |
JP2011507727A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-10 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | 光学素子の製造 |
US8962079B2 (en) | 2007-12-19 | 2015-02-24 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Manufacturing optical elements |
US8147234B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-04-03 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | Imprint apparatus and method for fine structure lithography |
US8245754B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-08-21 | Tdk Corporation | Peeling apparatus, peeling method, and method of manufacturing information recording medium |
JP2009262351A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
US8834774B2 (en) | 2008-04-22 | 2014-09-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Imprinting method and apparatus therefor |
JP2009262350A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
JP2009265187A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インプリント方法およびその装置 |
US9146460B2 (en) | 2008-04-22 | 2015-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Imprinting method and apparatus therefor |
US8973495B2 (en) | 2008-08-06 | 2015-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method |
JP2011000805A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011000806A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010147056A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
US8888920B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-11-18 | Tokyo Electron Limited | Imprint system, imprint method, and non-transitory computer storage medium |
JP2011005695A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011025220A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011005694A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010150740A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011009359A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置及びインプリントシステム |
US8840728B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-09-23 | Tokyo Electron Limited | Imprint system for performing a treatment on a template |
JP2011009362A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2010150742A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置及びインプリントシステム |
WO2010150741A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011066180A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | テンプレート作成管理方法、テンプレート及びテンプレート作成管理装置 |
WO2011040466A1 (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011091104A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Canon Inc | インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法 |
JP2011104910A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム |
JP2011129881A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置 |
JP2011152675A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写システムおよび転写方法 |
WO2011145607A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011145610A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2011145611A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012006380A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012009831A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012009830A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2012029843A1 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 転写システムおよび転写方法 |
JP5546066B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-07-09 | 東芝機械株式会社 | 転写システムおよび転写方法 |
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