JP2008503364A - 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)構造化された表面を含む第1のモールド、および第1のモールドの構造化された表面とは互いに異なる界面エネルギを有する構造化された表面を含む第2のモールドを形成するステップと、
(b)第1の側面、および第1の側面に対向する第2の側面を含み、ガラス転移温度Tgを有するポリマフィルムであって、ポリマフィルムの第1の側面が第1のモールドの構造化された表面に接触するように第1のモールド上に載置されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)第2のモールドの構造化された表面を第1のモールド上に載置されたポリマフィルムの第2の側面に押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントするとともに、ポリマフィルムの第1および第2の側面の両方に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(d)Tgより低い温度で、第1または第2のモールドの一方をポリマフィルムから分離して、一方の側面がポリマフィルムから分離されなかった他方のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
分離されたモールドの構造化された表面の界面エネルギに比してより高い界面エネルギを有する他方のモールドの構造化された表面にポリマフィルムが接触することにより、上記固着が維持される。
(a)第1の3Dポリマ構造体を基板上に形成するステップと、
(b)第2の3Dポリマ構造体を表面処理したモールド内に形成するステップと、
(c)第1および第2の3Dポリマ構造体を接合させるステップと、
(d)表面処理したモールドを第2の3Dポリマ構造体から分離させて、第1の3Dポリマ構造体上の第2の3Dポリマ構造体からなる組立構造体を形成するステップとを有する。
(a)低位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有する第1のモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tg1を有する第1のポリマを、パターン形成されて表面処理された第1のモールドの表面上にコーティングして、第1のモールドと接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)中位エネルギを有し、パターン形成された表面を有する第2のモールドを形成するステップと、
(d)ガラス転移温度Tg2を有する第2のポリマを、パターン形成されて表面処理された第2のモールド上にコーティングして、第2のモールドと接触する第2の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)いずれか一方のポリマのTgより高い温度で、第1のモールド上にあるポリマフィルムの表面に第2のモールドを押圧して、両方のポリマフィルムを固着させて、ポリマフィルムの第1および第2の側面上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(f)両方のポリマフィルムのTgより低い温度で3D構造化されたポリマフィルムから第1のモールドを分離させて、第2のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
上記固着は、第2のモールドとポリマフィルムの第2の側面が接触することを含む。
(a)低位エネルギを有し、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された表面を有する第1のシリコンモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tgを有するポリマを、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された第1のシリコンモールドの表面の上にスピンコーティング処理を行い、第1のシリコンモールドに接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)中位エネルギを有し、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された表面を有する第2のシリコンモールドを形成するステップと、
(d)Tgより高い温度で、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された第2のシリコンモールドの表面を、第1のシリコンモールド内にあるポリマフィルムに押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントし、フィルムの第1および第2の側面の両方の上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)Tgより低い温度で、第1のシリコンモールドをポリマフィルムから分離させ、第2のシリコンモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、このときこうした固着は、ポリマフィルムの第2の側面が第2のシリコンモールドに接触することにより維持される。
(a)中位エネルギを有し、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された表面を有する第1のシリコンモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tgを有するポリマを、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された第1のシリコンモールドの表面の上にスピンコーティング処理を行い、第1のシリコンモールドに接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)低位エネルギを有し、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された表面を有する第2のシリコンモールドを形成するステップと、
(d)Tgより高い温度で、シラン処理されてリソグラフィ技術により構造化された第2のシリコンモールドの表面を、第1のシリコンモールド内にあるポリマフィルムに押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントし、フィルムの第1および第2の側面の両方の上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)Tgより低い温度で、第2のシリコンモールドをポリマフィルムから分離させ、第1のシリコンモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、このときこうした固着は、3D構造化されたポリマフィルムの第1の側面が第1のシリコンモールドに接触することを含む。
(a)ガラス転移温度Tg1を有する第1の3Dポリマ構造体を基板上に形成するステップと、
(b)Tg1より低いガラス転移温度Tgを有する第2の3Dポリマ構造体を表面処理したモールド内に形成するステップと、
(c)Tg2付近の温度条件、室温で電磁放射線に曝した条件、およびそれらを組み合わせた条件からなる群より選択された条件下で、第2の3Dポリマ構造体を第1の3Dポリマ構造体の上に押圧するステップと、
(d)Tg2より低い温度で、表面処理したモールドを第2の3Dポリマ構造体から分離させて、第1の3Dポリマ構造体上の第2の3Dポリマ構造体からなる積層型構造体を形成するステップとを有する。
(a)第1の3Dポリマ構造体を基板の上に形成するステップと、
(b)第2の3Dポリマ構造体を表面処理したモールド内に形成するステップと、
(c)第2の3Dポリマ構造体が第1の3Dポリマ構造体の上に嵌合するように、第2の3Dポリマ構造体を第1の3Dポリマ構造体内に押圧するステップと、
(d)表面処理したモールドを第2の3Dポリマ構造体から分離させて、第1の3Dポリマ構造体上の第2の3Dポリマ構造体からなる組立構造体を形成するステップとを有する。
(a)低位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有する第1のモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tgを有するポリマを、パターン形成されて表面処理された第1のモールドの表面上にコーティングして、第1のモールドと接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)中位エネルギを有し、パターン形成された表面を有する第2のモールドを形成するステップと、
(d)Tgより高い温度で、第1のモールド上にあるポリマフィルムの表面に第2のモールドを押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントし、ポリマフィルムの第1および第2の側面上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)Tgより低い温度で、第1のモールドをポリマフィルムから分離させて、第2のモールドに固着された3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
上記固着は、ポリマフィルムの第2の側面が第2のモールドに接触することにより維持される。
(a)中位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有する第1のモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tgを有するポリマを、パターン形成されて表面処理された第1のモールドの表面上にコーティングして、第1のモールドと接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)低位エネルギを有し、パターン形成された表面を有する第2のモールドを形成するステップと、
(d)Tgより高い温度で、第1のモールド上にあるポリマフィルムの表面に第2のモールドを押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントし、ポリマフィルムの第1および第2の側面上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)Tgより低い温度で、第2のモールドをポリマフィルムから分離させて、第1のモールドに固着された3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
上記固着は、ポリマフィルムの第1の側面が第1のモールドに接触することにより維持される。
ここで用いられる以下の単語および用語は、以下の意味を有するものとする。
ここで用いられる用語のほとんどが当業者ならば理解されるものであるが、本発明を理解しやすくするために、以下の定義が提示される。ただし、例示的に定義されない場合、これらの用語は現在当業者が容認する意味を採用するものとして解釈する必要がある。
O2プラズマ洗浄した凹凸のないSi基板の上に、ポリマのTgに近い温度でモールドBを適当な圧力で押圧する。そしてモールドBは、ポリマのTgより低い温度でモールドBを分離し、これによりポリマフィルム(このとき3D構造を有するポリマフィルム)をSi基板に移転させる(図1、ステップc1)。その後、プラズマエッチングを用いて、ポリマフィルムの残渣層を除去してもよい(図1、ステップd1)。こうして、マイクロスケールおよびまたはナノスケールの大きさを有する最終的な3Dポリマ構造体が得られる。
択一的には、ポリマフィルムをモールドBから分離することにより、独立した3Dポリマ構造体を形成することができる(図1、ステップc2)。溶液(例えばフッ酸)の中で(モールドに含まれる)酸化シリコン、金属、または酸化金属をエッチングすることにより、ポリマフィルムをモールドBから分離してもよい。
第3の択一例は、ポリマフィルムが未だモールドBに固着しているときに、O2プラズマエッチングを用いて、残渣層を取り除いてもよい。サブプロセスA(図1、ステップd2)と同じように3Dポリマ構造体をSi基板へ移転させるか、サブプロセスB(図1、ステップd3)と同じようにモールドBから分離することができる。
本発明のいくつかの実施形態では、上述のプロセスを用いて形成された3Dマイクロおよび/またはナノ構造体をより大きな「上部構造体(super structures)」に組み立てる。こうした組立処理は、示差界面エネルギおよびガラス転移温度の利点を用いて、ポリマ3Dマイクロおよび/またはナノ構造体を、先に積層した3Dマイクロおよび/またはナノ構造体へ移転させて、複数の3Dマイクロおよび/またはナノ構造体の層または組立体を形成することができる。択一的には、ガラス転移温度を有するポリマを用いる必要性を排除した「ラッチオン」メカニズムを用いて、こうした組立体を形成することができる。
上記説明は、一見したところ、微小スケールに基づくか、ある特定の構造体を生成するためのモールド対に基づく方法を説明している。しかし、これらのプロセスは、いくつかの手法を用いて、寸法を拡大することができる。
a)ステップ・リピート
ステップ・リピート手法では、3インチ×3インチまでのモールド対を繰り返して用い、3Dポリマ構造体をより大きな基板にインプリントおよび移転させる。
b)ウエハサイズ(直径最大6インチ)のモールド対
ウエハサイズのモールド対を用いて、パターンを反復して形成し、複数の3D構造体をウエハサイズの基板の上に形成する。
c)リール・リールプロセス
図6に示すように、リール・リールプロセスは、二重モールドプロセスの規模を格段に拡大する。円柱上にパターン形成して円柱状モールドを構成し、円柱状モールドを処理して、低位界面エネルギを有するモールドおよび中位界面エネルギを有するモールドを得る。ポリマシート601を2つの円柱状モールド602,603の間に供給するか、一方のモールドを浸漬被覆することができる。このプロセスは、加熱チャンバ内で、2つの円柱状モールドの間の圧力を一定にして行うことができる。中位界面エネルギを有するモールドとローラ605の間にシートを供給して、最終的には、パターン形成されたポリマフィルムを基板の上に移転することができる。
1)モールドAは、高さ250nmで幅3μmおよび5μm四方の正方形のSiモールドである。モールドAは、(へブタン中の)20mMのFDTSのシラン溶液で処理され、低位界面エネルギを有するモールドが形成される。
2)モールドBは、高さ350nm、1:1のデューティサイクル比で700nmピッチの格子を有するSiモールドである。モールドBは、(へブタン中の)20mMのFDTSのシラン溶液で処理され、低位界面エネルギを有するモールドが形成される。
501,502,503 ポリマ構造体、504 基板、505,506 モールド、507,508 組立構造体、
601 ポリマ、602,603 円筒状モールド、604 基板、605 ローラ、
701 金属コンタクト、702 帰還分布型導波路、
800 マイクロミラーアレイ、802 Cr鏡、803 ポリマ構造体。
Claims (38)
- 3次元ポリマ構造体フィルムを作製する方法であって、
(a)構造化された表面を含む第1のモールド、および第1のモールドの構造化された表面とは互いに異なる界面エネルギを有する構造化された表面を含む第2のモールドを形成するステップと、
(b)第1の側面、および第1の側面に対向する第2の側面を含み、ガラス転移温度Tgを有するポリマフィルムであって、ポリマフィルムの第1の側面が第1のモールドの構造化された表面に接触するように第1のモールド上に載置されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)第2のモールドの構造化された表面を第1のモールド上に載置されたポリマフィルムの第2の側面に押圧して、ポリマフィルムの第2の側面をインプリントするとともに、ポリマフィルムの第1および第2の側面の両方に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(d)Tgより低い温度で、第1または第2のモールドの一方をポリマフィルムから分離して、一方の側面がポリマフィルムから分離されなかった他方のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
分離されたモールドの構造化された表面の界面エネルギに比してより高い界面エネルギを有する他方のモールドの構造化された表面にポリマフィルムが接触することにより、上記固着が維持されることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
上記ステップ(b)は、
(b1)第1のモールドの表面上にポリマをスピンコーティングして、ポリマフィルムを形成するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
第1のモールドの構造化された表面は、低位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有し、
第2のモールドの構造化された表面は、中位エネルギを有し、パターン形成された表面を有し、
上記ステップ(b)は、
(b2)パターン形成されて表面処理された第1のモールドの表面の上にポリマをコーティングして、ポリマフィルムを形成するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項1または2に記載の方法であって、
第1のモールドの構造化された表面は、中位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有し、
第2のモールドの構造化された表面は、低位エネルギを有し、パターン形成された表面を有することを特徴とする方法。 - 請求項1〜4のいずれか一に記載の方法であって、
第1および第2のモールドのうちの少なくとも一方は、シリコン、金属、セラミック、ポリマ、およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする方法。 - 請求項1〜5のいずれか一に記載の方法であって、
(e)第1および第2のモールドのうちの少なくとも一方は、リソグラフィ技術を用いて作製するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項1または2に記載の方法であって、
第1のモールドの構造化された表面は、低位エネルギを有し、リソグラフィ技術を用いて構造化されてシラン表面処理された表面を有し、
第2のモールドの構造化された表面は、中位エネルギを有し、リソグラフィ技術を用いて構造化されてシラン表面処理された表面を有することを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
上記分離ステップ(d)は、
(d1)Tgより低い温度で、第1のモールドをポリマフィルムから分離して、第2のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップを有し、
ポリマフィルムの第2の側面が第2のモールドに接触することにより、上記固着が維持されることを特徴とする方法。 - 請求項1または2に記載の方法であって、
第1のモールドの構造化された表面は、中位エネルギを有し、リソグラフィ技術を用いて構造化されてシラン表面処理された表面を有し、
第2のモールドの構造化された表面は、低位エネルギを有し、リソグラフィ技術を用いて構造化されてシラン表面処理された表面を有することを特徴とする方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
上記分離ステップ(d)は、
(d2)Tgより低い温度で、第2のモールドをポリマフィルムから分離して、第1のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップを有し、
上記固着は、3D構造化されたポリマフィルムの第1の側面が第1のモールドに接触することを含むことを特徴とする方法。 - 請求項1〜10のいずれか一に記載の方法であって、
(f)およそTgである温度で、3D構造化されたポリマフィルムの固着されていない側面を基板に押圧するステップをさらに有することを特徴とする方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
(g)Tgより低い温度で、3D構造化されたポリマフィルムに固着したモールドを分離して、3D構造化されたポリマフィルムを基板に移転するステップをさらに有することを特徴とする方法。 - 請求項11または12に記載の方法であって、
(h)3Dポリマ構造体を基板の上に形成するために、3D構造化されたポリマフィルムから残渣フィルムを除去するステップをさらに有することを特徴とする方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
(h1)上記ステップ(h)は、プラズマエッチング処理を行うステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項1〜14のいずれか一に記載の方法であって、
ポリマフィルムが固着した他方のモールドを3D構造化されたポリマフィルムから分離して、独立した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
ポリマフィルムが固着した他方のモールドは、シリコンおよび酸化シリコンの内の少なくとも一方からなり、
分離ステップ(i)は、
(i1)シリコンおよび酸化シリコンをエッチング除去して、独立した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
上記エッチング除去ステップ(i1)は、エッチング剤として塩基または酸を用いるステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項1〜17のいずれか一に記載の方法であって、
第1および第2のモールドは、ナノスケールまたはマイクロスケールの寸法を有する特徴物を有することを特徴とする方法。 - 請求項1〜18のいずれか一に記載の方法であって、
ポリマフィルムを構成するポリマは、熱可塑性ポリマ、ポリマブレンドおよびコポリマからなる群から選択されることを特徴とする方法。 - 請求項1〜19のいずれか一に記載の方法であって、
ポリマフィルムを構成するポリマは、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリビニルアセテート(PVAc)、ポリスチレン(PS)、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリブチレン、ポリペンタジエン、ポリビニルクロライド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリイミド、セルロース、セルロースアセテート、エチレンプロピレンコポリマ、エチレンブテンプロピレンターポリマ、ポリオキサゾリン、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリビニルピロリドン、およびその混合物からなる群から選択され、
エラストマ、ポリマブレンド、コポリマは、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリイソプレン、ポリブタジエン、およびその混合物からなる群から選択されることを特徴とする方法。 - 請求項3または4に記載の方法であって、
第1および第2のモールドのパターン形成されて表面処理された表面は、シラン処理、プラズマ蒸着、プラズマ処理、グラフト処理およびこれらの組み合わせからなる群から選択された表面処理方法を用いて表面処理されたことを特徴とする方法。 - 請求項11〜21のいずれか一に記載の方法であって、
基板は、シリコン、金属、セラミック、ポリマ、およびこれらの混合物からなる群から選択される材料を含むことを特徴とする方法。 - 請求項22に記載の方法であって、
基板は、酸素プラズマ洗浄処理、結合剤の調剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されたプロセスを用いて表面処理されることを特徴とする方法。 - 請求項1〜10のいずれか一に記載の方法であって、
(j)3D構造化されたポリマフィルムが他方のモールドに固着している間に、ポリマフィルムを酸素エッチングプラズマに曝して残渣フィルムを除去し、他方のモールドに固着している3Dポリマ構造体を形成するステップと、
(k)Tgに近い温度で、3Dポリマ構造体の第1の側面を基板上に押圧することにより、3Dポリマ構造体を基板に移転させるステップと、
(l)Tgより低い温度で、他方のモールドを分離させ、3Dポリマ構造体を基板に完全に移転させるステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項1〜10のいずれか一に記載の方法であって、
(m)3D構造化されたポリマフィルムが他方のモールドに固着している間に、ポリマフィルムを酸素エッチングプラズマに曝して残渣フィルムを除去し、他方のモールドに固着している3Dポリマ構造体を形成するステップと、
(n)他方のモールドを構成する少なくともいくつかの材料をエッチング除去することにより、3D構造化されたポリマフィルムを他方のモールドから分離させて、独立した3Dポリマ構造体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項5〜24のいずれか一に記載の方法であって、
第1および第2のポリマは、同じであることを特徴とする方法。 - 請求項5〜24のいずれか一に記載の方法であって、
第1および第2のポリマは、異なることを特徴とする方法。 - 3D構造化されたポリマフィルムを作製する方法であって、
(a)低位エネルギを有し、パターン形成されて表面処理された表面を有する第1のモールドを形成するステップと、
(b)ガラス転移温度Tg1を有する第1のポリマを、パターン形成されて表面処理された第1のモールドの表面上にコーティングして、第1のモールドと接触する第1の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(c)中位エネルギを有し、パターン形成された表面を有する第2のモールドを形成するステップと、
(d)ガラス転移温度Tg2を有する第2のポリマを、パターン形成されて表面処理された第2のモールド上にコーティングして、第2のモールドと接触する第2の側面が構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(e)いずれか一方のポリマのTgより高い温度で、第1のモールド上にあるポリマフィルムの表面に第2のモールドを押圧して、両方のポリマフィルムを固着させて、ポリマフィルムの第1および第2の側面上に構造体を有する3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップと、
(f)両方のポリマフィルムのTgより低い温度で3D構造化されたポリマフィルムから第1のモールドを分離させて、第2のモールドに固着した3D構造化されたポリマフィルムを形成するステップとを有し、
上記固着は、第2のモールドとポリマフィルムの第2の側面が接触することを含むことを特徴とする方法。 - 3Dポリマ構造体を組み立てる方法であって、
(a)第1の3Dポリマ構造体を基板上に形成するステップと、
(b)第2の3Dポリマ構造体を表面処理したモールド内に形成するステップと、
(c)第1および第2の3Dポリマ構造体を接合させるステップと、
(d)表面処理したモールドを第2の3Dポリマ構造体から分離させて、第1の3Dポリマ構造体上の第2の3Dポリマ構造体からなる組立構造体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
第1の3Dポリマ構造体がガラス転移温度Tg1を有し、第2の3Dポリマ構造体がガラス転移温度Tg2を有し、このときTg2はよりTg1低く、
上記接合ステップ(c)は、
(c1)Tg2付近の温度条件、室温で電磁放射線に曝した条件、およびそれらを組み合わせた条件からなる群より選択された条件下で、第2の3Dポリマ構造体を第1の3Dポリマ構造体の上に押圧するステップを有し、
上記分離ステップ(d)は、Tg2より低い温度で行われることを特徴とする方法。 - 請求項29に記載の方法であって、
上記接合ステップ(c)は、
(c2)第2の3Dポリマ構造体が第1の3Dポリマ構造体の上に嵌合するように、第2の3Dポリマ構造体を第1の3Dポリマ構造体の中に押圧するステップを有することを特徴とする方法。 - 請求項29または30に記載の方法であって、
(e)表面処理された第2のモールド内に、Tg2より低いガラス転移温度Tg3を有する第3の3Dポリマ構造体を形成するステップと、
(f)Tg3より高い温度条件、室温で電磁放射線に曝した条件、およびそれらを組み合わせた条件からなる群より選択された条件下で、第3の3Dポリマ構造体を第2の3Dポリマ構造体の上に押圧するステップと、
(g)Tg3より低い温度で、表面処理された第2のモールドを第3の3Dポリマ構造体から分離させて、第1および第2の3Dポリマ構造体の上に第3の3Dポリマ構造体が積層された拡大された組立構造体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項29または31に記載の方法であって、
(h)表面処理された第2のモールド内に第3の3Dポリマ構造体を形成するステップと、
(i)第3の3Dポリマ構造体が、組立構造体の一部である第2の3Dポリマ構造体上に嵌合するように、第3の3Dポリマ構造体を第2の3Dポリマ構造体内に押圧するステップと、
(j)第3の3Dポリマ構造体から表面処理された第2のモールドを分離させて、第1および第2のポリマ構造体からなる組立構造体の上に、第3の3Dポリマ構造体を設けた拡大された組立構造体を形成するステップとをさらに有することを特徴とする方法。 - 請求項29〜33のいずれか一に記載の方法であって、
表面処理されたモールドは、シラン処理されることを特徴とする方法。 - 請求項29〜34のいずれか一に記載の方法であって、
3Dポリマ構造体の追加的な層を第2の積層構造体の上に漸次積層するステップをさらに有することを特徴とする方法。 - 請求項29〜35のいずれか一に記載の方法であって、
3Dポリマ構造体は、ナノスケールからマイクロスケールの範囲の大きさの特徴物を有するように構造化されることを特徴とする方法。 - 請求項1〜36のいずれか一に記載の方法を用いて作製された3Dポリマ構造体。
- 請求項1〜36のいずれか一に記載の方法を用いて作製された3Dマイクロサイズまたはナノサイズのポリマ構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/852,448 US8025831B2 (en) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures |
PCT/SG2005/000159 WO2005113422A1 (en) | 2004-05-24 | 2005-05-24 | Imprinting of supported and free-standing 3-d micro-or nano-structures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010226766A Division JP4709322B2 (ja) | 2004-05-24 | 2010-10-06 | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008503364A true JP2008503364A (ja) | 2008-02-07 |
JP4630898B2 JP4630898B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=35374450
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007514999A Expired - Fee Related JP4630898B2 (ja) | 2004-05-24 | 2005-05-24 | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
JP2010226766A Expired - Fee Related JP4709322B2 (ja) | 2004-05-24 | 2010-10-06 | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010226766A Expired - Fee Related JP4709322B2 (ja) | 2004-05-24 | 2010-10-06 | 支持された、および独立した3次元のマイクロまたはナノ構造体のインプリント方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8025831B2 (ja) |
EP (1) | EP1761457A4 (ja) |
JP (2) | JP4630898B2 (ja) |
CN (1) | CN101061058B (ja) |
WO (1) | WO2005113422A1 (ja) |
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- 2005-05-24 CN CN2005800231166A patent/CN101061058B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-24 EP EP05741094A patent/EP1761457A4/en not_active Withdrawn
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JP2011011558A (ja) | 2011-01-20 |
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JP4709322B2 (ja) | 2011-06-22 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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