KR101145495B1 - 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법 - Google Patents

표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101145495B1
KR101145495B1 KR1020090045489A KR20090045489A KR101145495B1 KR 101145495 B1 KR101145495 B1 KR 101145495B1 KR 1020090045489 A KR1020090045489 A KR 1020090045489A KR 20090045489 A KR20090045489 A KR 20090045489A KR 101145495 B1 KR101145495 B1 KR 101145495B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
dimensional
flat substrate
dimensional structure
liquid polymer
Prior art date
Application number
KR1020090045489A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100127009A (ko
Inventor
고종수
박치열
이상민
배승일
Original Assignee
부산대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 부산대학교 산학협력단 filed Critical 부산대학교 산학협력단
Priority to KR1020090045489A priority Critical patent/KR101145495B1/ko
Publication of KR20100127009A publication Critical patent/KR20100127009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101145495B1 publication Critical patent/KR101145495B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

본 발명은 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 임의의 곡면을 가진 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 평면기판제작단계와, 3차원곡면물체표면밀착단계와, 액상폴리머캐스팅단계와, 3차원구조물분리단계를 포함한다. 상기 평면기판제작단계는 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작한다. 상기 3차원곡면물체표면밀착단계는 상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 밀착시켜 상기 형틀의 일측의 곡률과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시킨다. 상기 액상폴리머캐스팅단계는 액상폴리머를 상기 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅한다. 상기 3차원구조물분리단계는 상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리한다.
나노구조물, 마이크로구조물, 3차원 형상, 미세구조물

Description

표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법{The fabrication method of 3-dimensional substrate with fine structures}
본 발명은 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 임의의 곡면을 가진 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법에 관한 것이다.
나노 마이크로 가공기술의 발달로 포토 리소그래피, 소프트 리소그래피, LIGA, 핫 엠보싱 등의 공정을 이용하여 평면 기판 위에 나노 마이크로 크기의 미세 구조물을 제작하는 것은 이제 어렵지 않게 되었다. 하지만 평면 기판이 아닌 3차원 구조물 위에 나노 마이크로 크기의 미세 구조물을 제작하는 것은 쉽지 않다. 일반적으로 소프트 리소그래피를 이용하는 방법이 존재하지만, 이러한 방법은 공정 시간이 길며, 공정비용이 많이 들고, 제작할 수 있는 기판의 형태가 한정되어 있다.
본 발명은 상기한 종래의 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 박막위에 미세구조물을 형성한 후 박막을 3차원 형상으로 변형시켜 캐스팅 및 역캐스팅 하는 방법으로 3차원 입체 구조물을 제작할 수 있으며, 무엇보다도 종래의 방법으로는 이룰 수 없는 임의의 3차원 형상의 표면 위에 미세 구조물을 제작하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일측면에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 평면기판제작단계와, 3차원곡면물체표면밀착단계와, 액상폴리머캐스팅단계와, 3차원구조물분리단계를 포함한다. 상기 평면기판제작단계는 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작한다. 상기 3차원곡면물체표면밀착단계는 상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 밀착시켜 상기 형틀의 일측의 곡률과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시킨다. 상기 액상폴리머캐스팅단계는 액상폴리머를 상기 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅한다. 상기 3차원구조물분리단계는 상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리한다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 이형제를 상기 액상폴리머캐스팅단계 전에 상기 3차원 형상의 몰드에 증착하는 이형제증착단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 상기 분 리된 3차원구조물에 다른 액상폴리머를 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와, 상기 다른 액상폴리머가 경화되어 형성된 다른 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법에 있어서, 상기의 3차원곡면물체표면밀착단계는 진공으로 흡입하여 상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시키는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 상기 액상폴리머캐스팅단계 후 캐스팅된 액상폴리머를 가압하는 액상폴리머가압단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 미세접촉물질프린팅단계와, 미세접촉물질전사단계와, 식각단계와, 미세접촉물질제거단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 여기서 상기 미세접촉물질프린팅단계는 상기 분리된 3차원구조물에 미세접촉프린팅이 가능한 미세접촉물질을 묻히는 단계이다. 그리고 상기 미세접촉물질전사단계는 상기 평면기판의 몰드가 접촉하는 상기 3차원형상의 형틀의 곡면과 동일한 곡면을 가진 3차원폴리머에 상기 미세접촉물질이 묻은 3차원구조물을 접촉시켜 상기 미세접촉물질을 전사시키는 단계이다. 상기 식각단계는 상기 전사된 미세접촉물질을 식각 방지막으로 사용하여 상기 미세접촉물질이 전사된 3차원폴리머의 표면을 식각하는 단계이다. 상기 미세접촉물질제거단계는 식각된 3차원폴리머의 표면에 전사된 미세접축물질을 제거하는 단계이다.
본 발명의 다른 측면에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법은 평면기판제작단계와, 3차원곡면기판형성단계와, 이형제증착단계와, 액상폴리머캐스팅단계와, 3차원구조물분리단계를 포함한다. 상기 평면기판제작단계는 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 단계이다. 상기 3차원곡면기판형성단계는 상기 평면기판의 몰드의 일측을 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 접착제로 접착시켜 곡면을 가진 3차원 형상의 몰드로 변형시키는 단계이다. 상기 이형제증착단계는 이형제를 상기 3차원 형상의 몰드에 증착하는 단계이다. 상기 액상폴리머캐스팅단계는 액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅하는 단계이다. 상기 3차원구조물분리단계는 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 평면기판제작단계와, 금속씨앗층증착단계와, 3차원곡면물체표면밀착단계와, 금속도금단계와, 3차원금속구조물분리단계를 포함한다. 상기 평면기판제작단계는 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 단계이다. 상기 금속씨앗층증착단계는 금속증착기를 이용하여 상기 평면기판의 몰드에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 상기 3차원곡면물체표면밀착단계는 상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시켜 상기 형틀의 형상과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시키는 단계이다. 상기 금속도금단계는 상기 금속씨앗층에 음극을 걸고 전기도금을 하는 단계이다. 상기 3차원금속구조물분리단계는 상기 금속도금이 완료된 3차원 금속구조물을 분리하는 단계이다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 열가소 성폴리머사출성형단계와, 3차원구조물분리단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열가소성폴리머사출성형단계는 상기 분리된 3차원금속구조물에 열가소성폴리머를 사출성형하는 단계이다. 또한 상기 3차원구조물분리단계는 상기 열가소성폴리머가 사출성형되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 단계이다.
또는, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 수지주입단계와, 경화단계와, 3차원구조물분리단계를 더 포함하는 것이 가능하다. 여기서 상기 수지주입단계는 상기 분리된 3차원금속구조물에 광경화성수지 또는 열경화성수지를 붓는 단계이다. 그리고 상기 경화단계는 상기 광경화성수지 또는 열경화성수지를 경화시키기 위하여 광 또는 열을 가하는 단계이다. 그리고 상기 3차원구조물분리단계는 광 또는 열에 의하여 경화된 3차원구조물을 분리하는 단계이다.
또는, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법은 상기 분리된 3차원금속구조물을 폴리머층에 올리고 상기 3차원금속구조물 위에 혼을 올려서 정렬하는 단계와, 상기 혼을 진동시켜서 상기 3차원금속구조물을 가압하여 상기 폴리머층을 3차원구조물로 형성하는 단계와, 상기 3차원구조물을 분리하는 단계를 더 포함하는 것이 가능하다.
또한, 상기의 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법에 있어서상기 평면기판제작단계는 감광막도포단계와, 사진공정단계와, 이형제증착단계와, 액상폴리머캐스팅단계와, 평면기판분리단계를 구비하는 것이 바람직하다. 상기 감광막도포단계는 편평한 기판에 감광막을 도포하는 단계이다. 상기 사진공정단계는 자외선을 선택적으로 상기 감광막에 노출시켜 임의의 감광막패턴을 형성하는 단계 이다. 상기 이형제증착단계는 이형제를 상기 감광막패턴이 형성된 편평한 기판에 증착하는 단계이다. 상기 액상폴리머캐스팅단계는 액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 편평한 기판에 부어서 캐스팅하는 단계이다. 상기 평면기판분리단계는 상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 평면기판의 몰드를 분리하는 단계이다.
본 발명에 따르면, 평판에 미세 패턴을 제작하던 종래 방법과는 달리 다양한 3차원 형태의 곡면 기판에 미세패턴을 형성시킬 수 있다. 따라서 기존의 기술로는 제작하기 어려웠던 곤충 눈을 모사한 곡면 기판 위의 마이크로렌즈 어레이 등을 제작하여 광학 장치에 활용할 수 있다. 또한 나노 마이크로 구조물이 형성된 초소수성 표면을 곡면 형태의 박막, 메쉬 시트 등으로 제작 가능하다. 또한, 이러한 방식으로 제작된 몰드를 반영구적으로 사용할 수 있기 때문에 보다 저렴한 비용으로 다양한 산업에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 일 실시예의 순서도이고, 도 2는 도 1에 도시된 실시예의 일례이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 일 실시예에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원구조물 제작방법의 일 실시예는 평면기판제작단계와, 3차원곡면물체표면밀착단계(S60)와, 제2이형제증착단계(S70)와, 액상폴리머2차캐스팅단계(S80)와, 3차원구조물분리단계(S90)를 포함한 다.
상기 평면기판제작단계는 미세패턴이 형성된 평면기판(6_1)을 제작하는 단계로서 감광막도포단계(S10)와, 사진공정단계(S20)와, 제1이형제증착단계(S30)와, 액상폴리머1차캐스팅단계(S40)와, 평면기판분리단계(S50)를 구비한다.
감광막도포단계(S10)는 도 2의 (a)와 같이 편평한 기판(1)에 감광막(2)을 도포하는 단계이다. 이때 감광막(2)은 양성 감광막 또는 음성 감광막이 사용될 수 있다.
사진공정단계(S20)는 도 2의 (b)와 같이 자외선, 전자빔, X-선과 같은 극초단빔을 선택적으로 감광막(2)에 노출시켜 원하는 감광막패턴(3)을 형성하는 단계이다. 극초단빔에 반응한 감광막은 제거되어 감광막패턴(3)이 형성된다.
제1이형제증착단계(S30)은 이형제(4)를 감광막패턴(3)이 형성된 편평한 기판(1)에 증착하는 단계이다. 액상폴리머1차캐스팅단계(S40)는 도 2의 (c)와 같이 이형제(4)가 증착된 편평한 기판(1)에 액상폴리머(5)를 부어서 캐스팅을 수행하는 단계이다. 평면기판분리단계(S50)는 도 2의 (d)와 같이 액상폴리머가 경화되어 형성된 평면기판(6_1)의 몰드를 편평한 기판(1)으로부터 분리하는 단계이다. 이형제(4)에 의하여 평면기판(6_1)은 편평한 기판(1)으로부터 원활하게 분리될 수 있다. 도 2의 (e)는 평면기판(6_1)의 사시도이며, 도 2의 (e)를 A-A'로 자른 단면이 도 2의 (d)이다.
3차원곡면물체표면밀착단계(S60)는 도 2의 (f)와 같이 평면기판(6_1)을 3차원 형상의 형틀(8)의 일측에 밀착시켜 3차원 형상의 형틀(8)의 일측의 곡률과 동일 한 3차원 형상의 몰드(6)로 변형시키는 단계이다. 도 2의 실시예에서는 반원기둥 형상의 3차원 형틀(8)을 사용하였다. 3차원 형틀(8)로는 반원기둥 형상 뿐만 아니라 반구형, 원추형, 다각기둥 등 다양한 형상이 사용될 수 있다.
제2이형제증착단계(S70)는 도 2의 (g)와 같이 3차원 형상 몰드(6)에 이형제(4)를 증착하는 단계이다. 액상폴리머2차캐스팅단계(S80)는 도 2의 (h)와 같이 액상폴리머(7)를 이형제(4)가 증착된 3차원 형상 몰드(6)에 부어서 캐스팅하는 단계이다. 3차원구조물분리단계(S90)는 도 2의 (i)와 같이 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물(9)을 3차원 형상 몰드(6)에서 분리하는 단계이다. 이형제(4)가 3차원 형상 몰드(6)에 증착되어 있으므로 원활하게 분리될 수 있다. 도 2의 (j)는 3차원구조물(9)의 사사도이고, 도 2의 (j)를 A-A'로 자른 단면이 도 2의 (i)이다.
도 3은 도 1에 도시된 실시예의 다른 일례이다. 도 2에 도시된 일례는 3차원 형상의 형틀로 반원기둥 형상의 곡면을 가지는 형틀을 사용하였다. 그러나 도 3에 도시된 일례는 3차원 기둥 형상의 형틀로 반구 형상의 곡면을 가지는 형틀(18)을 사용하였다. 도 3의 (a)는 3차원곡면물체표면밀착단계(S60)로서, 평면기판을 3차원 형상의 형틀(18)의 일측에 밀착시켜 평면기판을 3차원 형상의 형틀(18)의 일측의 곡률과 동일한 3차원 형상의 몰드(16)로 변형시키는 단계이다. 도 3의 (b)는 제2이형제증착단계(S70)로서 3차원 형상 몰드(16)에 이형제(14)를 증착하는 단계이다. 도 3의 (c)는 액상폴리머2차캐스팅단계(S80)로서 액상폴리머(17)를 이형제(14)가 증착된 3차원 형상 몰드(16)에 부어서 캐스팅하는 단계이다. 도 3의 (d)는 3차원구조물분리단계(S90)로서 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물(9)을 3차원 형 상 몰드(16)에서 분리하는 단계이다. 도 3의 (e)는 3차원구조물(19)의 사사도이고, 도 3의 (e)를 A-A'로 자른 단면이 도 3의 (d)이다.
도 4 및 도 5는 3차원구조물에 형성된 미세구조물의 다양한 평면도이다. 그리고 도 6은 3차원구조물에 형성된 미세구조물의 다양한 단면도이다. 이러한 미세 구조물은 단면이 삼각형, 사각형, 원형, 육각형 등의 다양한 형태의 나노마이크로 형상을 가질 수 있다. 그리고 직경, 폭 및 높이가 수 나노에서 수백 마이크로의 크기를 가지며, 돌출 또는 함몰 형태일 수 있다. 또한 도 6의 (p), (q), (r)과 같이 나노/마아크로의 복합형태일 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 다른 실시예의 순서도이고, 도 8은 도 7에 도시된 실시예의 일례이다.
도 7에 도시된 실시예는 도 1에 도시된 실시예에서 액상폴리머3차캐스팅단계(S100)와 3차원구조물2차분리단계(S110)를 더 포함한다. 즉 감광막도포단계(S10) 내지 3차원구조물분리단계(S90)은 도 1에 도시된 실시예와 동일하다.
액상폴리머3차캐스팅단계(S100)는 3차원구조물분리단계(S90)에서 분리된 3차원구조물(21)에 도 8의 (b)와 같이 액상폴리머(22)를 부어서 캐스팅하는 단계이다. 3차원구조물2차분리단계(S110)는 도 8의 (c)와 같이 액상폴리머(22)가 경화되어 형성된 다른 3차원 구조물(23)을 분리하는 단계이다. 즉 도 1의 실시예에서와 같이 3차원 구조물을 형성한 후 형성된 3차원 구조물을 이용하여 다른 3차원 구조물을 형성할 수 있다. 도 8의 (d)는 도 8의 (a)에 도시된 3차원구조물(21)의 사시도이고, 도 8의 (e)는 도 8의 (c)에 도시된 다른 3차원구조물(23)의 사시도이다.
도 9는 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예이고, 도 10은 도 9에 도시된 실시예의 일례이다. 감광막도포단계(S10) 내지 평면기판분리단계(S50)는 도 1에 도시된 실시예와 동일하다.
3차원곡면물체표면밀착단계(S60_1)는 도 10의 (a)와 같이 진공압을 이용하여 평면기판의 몰드를 3차원 형상의 형틀(28)에 밀착시켜 3차원 형상의 몰드(26)로 변형시킨다. 제2이형제증착단계(S70)는 도 10의 (b)와 같이 3차원 형상의 몰드(26)에 이형제(24)를 증착시킨다. 액상폴리머2차캐스팅단계(S80)는 이형제(24)가 증착된 3차원 형상의 몰드(26)에 액상폴리머(27)를 부어서 캐스팅한다. 액상폴리머가압단계(S81)는 도 10의 (c)에서와 같이 가압판(25)을 이용하여 캐스팅된 액상폴리머(27)를 가압한 후 일정한 형태를 유지하기 위하여 액상폴리머(27)를 경화시킨다. 3차원구조물분리단계(S90)은 도 10의 (e)에 도시된 바와 같이 액상폴리머(27)가 경화된 3차원구조물(29)을 분리시킨다. 도 10의 (f)는 도 10의 (d)의 사시도이다.
도 11은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도이고, 도 12는 도 11에 도시된 실시예의 일례이다.
감광막도포단계(S10) 내지 평면기판분리단계(S50)는 도 1에 도시된 실시예와 동일하다. 3차원곡면물체표면밀착단계(S60_1)는 도 12의 (a)와 같이 진공압(31)으로 평면기판을 3차원형상의 형틀(38)에 밀착시켜 3차원 형상 몰드(36)로 변형시킨다. 액상폴리머2차캐스팅단계(S80)는 도 12의 (b)와 같이 액상폴리머(37)를 3차원 형상 몰드(36)에 부어 캐스팅하는 단계이다. 3차원구조물분리단계(S90)는 액상폴리머(37)가 경화된 3차원구조물(39)을 3차원 형상의 형틀(38)에서 분리시킨다. 미세 접촉물질프린탱단계(S150)는 도 12의 (c)와 같이 자기조립단분자막(SAM : Self Assembled Monolayer), 감광제(photoresist)와 같은 액상의 잉크류, 금속류 또는 각종 세라믹류 등 미세접촉프린팅이 가능한 미세접촉물질(32)을 3차원구조물(39)의 미세구조물에 묻히는 단계이다. 미세접촉물질전사단계(S160)는 도 12의 (d)와 같이 3차원 형상의 형틀(38)과 동일한 곡면을 가진 3차원폴리머(33)에 미세접촉물질(32)이 묻은 3차원구조물(39)을 접촉시켜 미세접촉물질(32)을 3차원폴리머(33)에 전사시키는 단계이다. 이렇게 전사시킨 패턴 자체로 표면을 개질할 수 있으며, 더 나아가 다음 단계에서처럼 표면을 식각할 수도 있다. 식각단계(S170)는 도 12의 (e)와 같이 전사된 미세접촉물질(32)을 식각방지막(etch mask)으로 사용하여 미세접촉물질(32)이 전사된 3차원폴리머(33)의 표면을 식각(35)하는 단계이다. 건식 또는 습식식각법으로 표면을 식각할 수 있다. 미세접촉물질제거단계(S180)는 식각된 3차원구조물(40)의 표면에 전사된 미세접촉물질(32)을 제거하는 단계이다. 그러면 도 12의 (f)와 같이 3차원구조물(40) 만 남는다. 도 12의 (g)는 도 12의 (f)의 사시도이며, 도 12의 (g)의 A-A' 단면이 도 12의 (f)이다.
도 13은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도이고, 도 14는 도 13에 도시된 실시예의 일례이다.
감광막도포단계(S10) 내지 평면기판분리단계(S50)는 도 1에 도시된 실시예와 동일하다. 3차원곡면기판형성단계(S60_2)는 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이 평면기판의 몰드의 일측을 3차원 형상의 형틀(48)의 일측에 접착제(41)로 접착시켜 곡면을 가진 3차원 형상의 몰드(46)로 변형시키는 단계이다. 3차원 형상의 형틀(48) 은 가운데에 홈이 형성되어 있고 접착제(41)를 사용하여 평면기판의 몰드의 가운데를 3차원 형상의 형틀(48)에 결합시키면 3차원 형상의 몰드(46)로 변형된다. 제2이형제증착단계(S70) 내지 3차원구조물분리단계(S90)는 도 1에 도시된 실시예와 동일하다. 그러면 도 14의 (d)에 도시된 바와 같이 3차원구조물(49)을 얻을 수 있다. 도 14의 (e)는 도 14의 (d)의 3차원구조물(49)의 사시도이다.
도 15는 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도이고, 도 16은 도 15에 도시된 실시예의 일례이다.
감광막도포단계(S10) 내지 평면기판분리단계(S50)는 도 1에 도시된 실시예와 동일하다. 금속씨앗층증착단계(S51)는 금속증착기를 이용하여 도 16의 (a)에 도시된 바와 같이 평면기판(56_1)의 몰드에 금속씨앗층(53)을 증착하는 단계이다. 금속씨앗층(53)은 크롬, 티타늄, 구리, 니켈, 금 등의 전도성 금속으로 형성될 수 있다. 3차원곡면물체표면밀착단계(S60)는 도 16의 (b)에 도시된 바와 같이 금속씨앗층(53)이 증착된 평면기판(56_1)을 3차원 형상의 형틀(58)에 밀착시켜 3차원 형상 몰드(56)로 변형시키는 단계이다. 금속도금단계(S61)는 금속씨앗층(53)에 음극을 걸고 전기도금하는 단계이다. 그러면 도 16의 (c)에 도시된 바와 같이 3차원 형상의 몰드(56)에 금속구조물(55)이 도금된다. 3차원금속구조물분리단계(S90_1)는 금속도금이 완료된 3차원 금속구조물(55)을 분리하는 단계이다. 그러면 도 16의 (d)에 도시된 바와 같이 금속구조물(55)이 분리된다. 도 16의 (e)는 도 16의 (d)의 금속구조물(55)의 사시도이다.
도 17은 도 15에 도시된 실시예의 다른 예이다. 도 17의 (a)는 3차원곡면물 체표면밀착단계(S60)로서 3차원 형상의 형틀(68)에 3차원 형상의 몰드(66)가 밀착된 도면이다. 도 17의 (b)는 금속씨앗층증착단계(S51)로서 3차원 형상 몰드(66)에 금속씨앗층(63)을 증착시킨 도면이다. 도 16의 예에서는 금속씨앗층증착단계(S51)을 먼저 실시한 후 3차원곡면물체표면밀착단계(S60)를 실시하였으나 도 17의 예에서는 3차원곡면물체표면밀착단계(S60)를 실시한 후 금속씨앗층증착단계(S51)를 실시하였다. 도 17의 (c)는 금속도금단계(S61)로서 금속씨앗층(63)에 음극을 걸고 금속구조물(65)이 형성되도록 금속 전기도금을 실시한 도면이다. 금속 전주도금은 니켈, 니켈 코발트, 구리 등의 금속을 이용하여 실시될 수 있다. 도 17의 (d)는 3차원금속구조물분리단계(S90_1)를 실시한 후 분리된 금속구조물(65)의 단면을 나타낸 도면이다. 도 17의 (e)는 금속구조물(65)의 사시도이다.
도 18은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도이고, 도 19는 도 18에 도시된 실시예의 일례이다.
감광막도포단계(S10) 내지3차원금속구조물분리단계(S90_1)은 도 15에 도시된 실시예와 동일하다.
열가소성폴리머사출성형단계(S91)는 도 19의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 사출성형기(72)를 사용하여 3차원금속구조물(65)에 열가소성폴리머(71)를 사출성형하는 단계이다. 3차원구조물분리단계(S93)는 도 19의 (c)에 도시된 바와 같이 열가소성폴리머(71)가 사출성형되어 형성된 3차원구조물(79)을 분리하는 단계이다.
본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예는 도 15에 도시된 실시예에서 수지주입단계와, 경화단계와, 3차원구조물 분리단계를 더 포함한다. 수지주입단계는 도 20의 (a)에 도시된 바와 같이 금속구조물(65)에 광경화성수지(81)를 붓는 단계이다. 이대 광경화성수지(81) 대신 열겨화성수지도 가능하다. 경화단계는 도 20의 (b)에 도시된 바와 같이 광(83)을 가하여 광경화성수지를 경화시킨다. 열경화성수지를 사용한 경우 열을 가하여 열경화성수지를 경화시킨다. 3차원구조물분리단계는 경화되어 형성된 3차원구조물(89)을 분리시킨다. 그러면 도 20의 (c)와 같이 3차원구조물(89)이 형성된다.
본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예는 도 15에 도시된 실시예에서 혼정렬단계와, 진동단계와, 3차원구조물분리단계를 더 포함한다. 혼정렬단계는 도 21의 (a)에 도시된 바와 같이 폴리머층에 3차원 금속구조물(65)을 올리고 그 위에 혼(91)을 올려서 정렬시킨다. 진동단계는 도 21의 (b)에 도시된 바와 같이 혼(91)을 화살표 93의 방향으로 진동시켜서 3차원 금속구조물을 가압하여 폴리머층을 3차원구조물로 형성한다. 3차원구조물분리단계는 도 21의 (c)에 도시된 바와 같이 3차원구조물(99)를 분리시킨다. 도 22는 본 발명의 실시에 의하여 제작된 3차원 형상몰드의 사진이다. 도 22의 (a)와 (b) 그리고 (e)와 (f)는 카메라 사진이며, (c)와 (d) 그리고 (g)와 (h)는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscopy) 사진이다.
본 발명의 실시예에서 사용된 액상폴리머의 재료로는 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), PH(Phenolic), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer), EP(Epoxy), SU-8(감광저항제), PR(감광막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 각종 열 가소성 폴리머, 열 경화성 폴리머, 광 경화성 폴리머와 더불어 각종 고무류 등이 사용될 수 있다.
그리고 이형제의 재료로는 석유원으로부터 유도되거나 실리콘(즉, 폴리디메틸실록산)을 함유하거나, 두 가지 조합으로 구성되거나 스테아르산과 같은 포화된 장쇄 지방산의 염인 액체 또는 조성물로 보면, 에틸렌 비스-스테아르아미드, 수용성 황상염화된 오일, 설포석신산 나트륨의 디옥틸 에스테르, 비극성 용매 및 석유 오일, 모노알킬 1급 아민, 직쇄 지방족 탄화수소, 포리우레탄, 수소화된 피마자유, 메틸 하이드록시스테아레이트, 에스테르 혼합물, 석유 베이스 중의 지방산,에스테르의 블렌드, 지방산 유도체의 블렌드 및 계면 활성 화합물, 실리콘 마이카-글리콜 유탁액, 단일-, 이중- 및 삼중-압착된 식품 등급 스테아르산, 단일- 및 이중-압착된 올레산 증류물, 인산염화 모노-및 디글리세라이드, 개질된 지방산 아미드, 디메틸 실록산의 유탁액, 아미드 왁스, 올레일 팔미트아미드, 스테아릴 에루카미드, 스테아르산탈슘, 스테아르산아연, 리시놀레산 칼륨 및 나트륨, 미세결정성 왁스, N-(2-하이드록시 에틸)-12-하이드록시스테아르아미드, 폴리비닐 폴리피롤리돈, 분자 량이 500인 결정성의 포화된 지방족 폴리에틸렌, 분자량이 700인 결정성이 포화된 고밀도 지방족 폴리에틸렌, 분자량이 1,000인 결정성의 포화된 고밀도 지방족 폴리에틸렌, 분자량이 2,000인 결정성의 포화된 고밀도 지방족 폴리에틸렌, 유화성 고밀도 폴리에틸렌, 지방 아미도-아민 염, 지방 아미드, 왁스, 합성 왁스, 실리콘 옥시알킬렌 공중합체, 메틸 페닐 실리콘, 레시틴, 비이온성, 음이온성, 양이온성 및 양쪽성 계면활성제와 같은 계면활성제 등이 사용될 수 있다.
그리고 미세접촉프린팅이 가능한 미세접촉물질로는 자기조립단분자막(SAM: Self Assembled Monolayer), 감광제(photoresist)와 같은 액상의 잉크류 그리고 금속류 또는 각종 세라믹류, 각종 유기, 금속, 세라믹 재질로 제작된 나노/마이크로 입자류와 더불어 이들 각종 재료를 혼합한 재료들이 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 일 실시예의 순서도,
도 2는 도 1에 도시된 실시예의 일례,
도 3은 도 1에 도시된 실시예의 다른 예,
도 4는 평면기판의 몰드에 형성된 미세패턴들의 평면도,
도 5는 평면기판의 몰드에 형성된 다른 미세패턴들의 평면도,
도 6은 평면기판의 몰드에 형성된 미세패턴 들의 단면도,
도 7은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 다른 실시예의 순서도,
도 8은 도 7에 도시된 실시예의 일례,
도 9는 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 10은 도 9에 도시된 실시예의 일례,
도 11은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 12는 도 11에 도시된 실시예의 일례,
도 13은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 14는 도 13에 도시된 실시예의 일례,
도 15는 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 16은 도 15에 도시된 실시예의 일례,
도 17은 도 15에 도시된 실시예의 다른 예,
도 18은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 19는 도 18에 도시된 실시예의 일례,
도 20은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 개념도,
도 21은 본 발명에 따른 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법의 또 다른 실시예의 개념도,
도 22는 본 발명에 따른 실시예의 사진이다.
<도면부호의 간단한 설명>
1 : 편평한 기판 2 : 감광막
3 : 감광막패턴 4 : 이형제
5 : 액상폴리머 6_1 : 평면기판
6: 3차원 형상 몰드 7 : 액상폴리머
8 : 3차원 형상의 형틀 9 : 3차원구조물
14 : 이형제 16 : 평면기판
16 : 3차원 형상 몰드 17 : 액상폴리머
18 : 3차원 형상의 형틀 19 : 3차원구조물
21 : 3차원구조물 22 : 액상폴리머
23 : 3차원구조물 24 : 이형제
25 : 가압판 26 : 3차원 형상 몰드
27 : 액상폴리머 28 : 3창원 형상의 형틀
29 : 3차원구조물 31 : 진공압
32 : 미세접촉물질 33 : 3차원폴리머
35 : 식각 36 : 3차원 형상 몰드
37 : 액상폴리머 38 : 3차원 형상의 형틀
39 : 3차원구조물 40 : 3차원구조물
41 : 접착제 44 : 이형제
46 : 3차원 형상 몰드 47 : 액상폴리머
48 : 3차원 형상의 형틀 49 : 3차원구조물
53 : 금속씨앗층 55 : 금속구조물
56 : 3차원 형상 몰드 56_1 : 평면기판
64 : 이형제 65 : 금속구조물
66 : 3차원 형상 몰드 68 : 3차원 형상의 형틀
71 : 열가소성폴리머 72 : 사출성형기
79 : 3차원구조물 81 : 액상폴리머
65 : 금속구조물 89 : 차원구조물
91 : 혼 99 : 3차원구조물

Claims (12)

  1. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 밀착시켜 상기 형틀의 일측의 곡률과 동일한 3차원 형상의 몰드로 상기 평면기판을 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    이형제를 상기 3차원 형상의 몰드에 증착하는 이형제증착단계와,
    액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 상기 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와,
    상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계와,
    상기 분리된 3차원구조물에 다른 액상폴리머를 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와,
    상기 다른 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물2차분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  2. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 밀착시켜 상기 형틀의 일측의 곡률한 3차원 형상의 몰드로 상기 평면기판을 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    이형제를 상기 3차원 형상의 몰드에 증착하는 이형제증착단계와,
    액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 상기 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와,
    상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계를 포함하며,
    상기 3차원곡면물체표면밀착단계는 진공으로 흡입하여 상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 액상폴리머캐스팅단계 후 캐스팅된 액상폴리머를 가압하는 액상폴리머가압단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  4. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀의 일측에 밀착시켜 상기 형틀의 일측의 곡률한 3차원 형상의 몰드로 상기 평면기판을 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    이형제를 상기 3차원 형상의 몰드에 증착하는 이형제증착단계와,
    액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 상기 3차원 형상의 몰드에 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와,
    상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계와,
    상기 분리된 3차원구조물에 미세접촉프린팅이 가능한 미세접촉물질을 묻히는 미세접촉물질프린팅단계와,
    상기 평면기판의 몰드가 접촉하는 상기 3차원형상의 형틀의 곡면과 동일한 곡면을 가진 3차원폴리머에 상기 미세접촉물질이 묻은 3차원구조물을 접촉시켜 상기 미세접촉물질을 전사시키는 미세접촉물질전사단계와,
    상기 전사된 미세접촉물질을 식각 방지막으로 사용하여 상기 미세접촉물질이 전사된 3차원폴리머의 표면을 식각하는 식각단계와,
    식각된 3차원폴리머의 표면에 전사된 미세접축물질을 제거하는 미세접촉물질제거단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  5. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    금속증착기를 이용하여 상기 평면기판의 몰드에 금속씨앗층을 증착하는 금속씨앗층증착단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시켜 상기 형틀의 형상과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    상기 금속씨앗층에 음극을 걸고 전기도금을 하는 금속도금단계와,
    상기 금속도금이 완료된 3차원 금속구조물을 분리하는 3차원금속구조물분리단계와,
    상기 분리된 3차원금속구조물에 열가소성폴리머를 사출성형하는 열가소성폴리머사출성형단계와,
    상기 열가소성폴리머가 사출성형되어 형성된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  6. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    금속증착기를 이용하여 상기 평면기판의 몰드에 금속씨앗층을 증착하는 금속씨앗층증착단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시켜 상기 형틀의 형상과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    상기 금속씨앗층에 음극을 걸고 전기도금을 하는 금속도금단계와,
    상기 금속도금이 완료된 3차원 금속구조물을 분리하는 3차원금속구조물분리단계와,
    상기 분리된 3차원금속구조물에 광경화성수지 또는 열경화성수지를 붓는 수지주입단계와,
    상기 광경화성수지 또는 열경화성수지를 경화시키기 위하여 광 또는 열을 가하는 경화단계와,
    광 또는 열에 의하여 경화된 3차원구조물을 분리하는 3차원구조물분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  7. 미세패턴을 가지는 평면기판의 몰드를 제작하는 평면기판제작단계와,
    금속증착기를 이용하여 상기 평면기판의 몰드에 금속씨앗층을 증착하는 금속씨앗층증착단계와,
    상기 평면기판의 몰드를 임의의 3차원 형상의 형틀에 밀착시켜 상기 형틀의 형상과 동일한 3차원 형상의 몰드로 변형시키는 3차원곡면물체표면밀착단계와,
    상기 금속씨앗층에 음극을 걸고 전기도금을 하는 금속도금단계와,
    상기 금속도금이 완료된 3차원 금속구조물을 분리하는 3차원금속구조물분리단계와,
    상기 분리된 3차원금속구조물을 폴리머층에 올리고 상기 3차원금속구조물 위에 혼을 올려서 정렬하는 단계와,
    상기 혼을 진동시켜서 상기 3차원금속구조물을 가압하여 상기 폴리머층을 3차원구조물로 형성하는 단계와,
    상기 3차원구조물을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평면기판제작단계는
    편평한 기판에 감광막을 도포하는 감광막도포단계와,
    자외선을 선택적으로 상기 감광막에 노출시켜 임의의 감광막패턴을 형성하는 사진공정단계와,
    이형제를 상기 감광막패턴이 형성된 편평한 기판에 증착하는 이형제증착단계와,
    액상폴리머를 상기 이형제가 증착된 편평한 기판에 부어서 캐스팅하는 액상폴리머캐스팅단계와,
    상기 액상폴리머가 경화되어 형성된 평면기판의 몰드를 분리하는 평면기판분리단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 표면에 미세구조물이 형성된 3차원 구조물 제작방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
KR1020090045489A 2009-05-25 2009-05-25 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법 KR101145495B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090045489A KR101145495B1 (ko) 2009-05-25 2009-05-25 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090045489A KR101145495B1 (ko) 2009-05-25 2009-05-25 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100127009A KR20100127009A (ko) 2010-12-03
KR101145495B1 true KR101145495B1 (ko) 2012-05-15

Family

ID=43504397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090045489A KR101145495B1 (ko) 2009-05-25 2009-05-25 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101145495B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101358988B1 (ko) * 2012-03-30 2014-02-11 한국과학기술원 3차원 나노구조를 이용한 물질 고유 한계 이상의 고신축성 재료 및 이의 제조방법
KR101596110B1 (ko) * 2014-01-14 2016-02-19 부산대학교 산학협력단 다단 메쉬구조체 및 그 제조방법
CN108008599B (zh) * 2017-12-27 2024-01-26 青岛天仁微纳科技有限责任公司 用于三维曲面纳米级压印的方法、装置及模具制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060214330A1 (en) * 2004-05-24 2006-09-28 Agency For Science, Technology And Research Imprint lithographic method for making a polymeric structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060214330A1 (en) * 2004-05-24 2006-09-28 Agency For Science, Technology And Research Imprint lithographic method for making a polymeric structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100127009A (ko) 2010-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5435824B2 (ja) マイクロ構造を作製する方法
Zhao et al. Soft lithographic methods for nano-fabrication
Losic et al. Rapid fabrication of micro‐and nanoscale patterns by replica molding from diatom biosilica
Acikgoz et al. Polymers in conventional and alternative lithography for the fabrication of nanostructures
Xue et al. Pattern formation by dewetting of polymer thin film
US8881650B2 (en) Stamp for micro contact printing and method for the production thereof
KR100805229B1 (ko) 나노임프린트를 이용한 미세 패턴의 형성방법
US20120126458A1 (en) Casting microstructures into stiff and durable materials from a flexible and reusable mold
JP2007062372A (ja) 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法
Scharnweber et al. Rapid prototyping of microstructures in polydimethylsiloxane (PDMS) by direct UV-lithography
KR101107474B1 (ko) 소프트몰드와 이를 이용한 패턴방법
TW201103769A (en) A method for printing arranged fine particles
KR101145495B1 (ko) 표면에 미세 구조물이 형성된 3차원 구조물 제작 방법
KR101565835B1 (ko) 복제 몰드 제조 방법 및 이를 이용한 미세 구조 및 그 활용.
CN105378563B (zh) 图案化印模制造方法、图案化印模压印方法以及压印物品
US10146128B2 (en) Tool surface nano-structure patterning process
US10927005B2 (en) Method for manufacturing doubly re-entrant microstructures
Yesildag et al. Micropatterning of Au NPs on PEG hydrogels using different silanes to control cell adhesion on the nanocomposites
KR101385070B1 (ko) 레이저간섭 노광을 이용한 대면적 미세패턴 제작 방법, 상기 방법을 이용하여 제작된 미세패턴의 비평면적 전사 방법 및 이를 이용하여 미세 패턴을 전사한 물품
Suh et al. Fabrication of high aspect ratio nanostructures using capillary force lithography
JP7326876B2 (ja) 樹脂製モールド、レプリカモールドの製造方法、及び光学素子の製造方法
KR100526053B1 (ko) 비결정성 불소 수지를 이용한 주형 및 그 제조 방법
CN108008599B (zh) 用于三维曲面纳米级压印的方法、装置及模具制备方法
Byun et al. Fabrication of PDMS nano-stamp by replicating Si nano-moulds fabricated by interference lithography
KR101884248B1 (ko) 연속적으로 대면적에 입자를 배치하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150504

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160509

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171026

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180517

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190521

Year of fee payment: 8