JP2007062372A - 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に高分子薄膜を形成し、高分子薄膜にモールドを接触させる。次に、モールドの陰刻部のベース面と接触する高分子パターンを形成し、高分子薄膜から前記モールドを除去し、高分子パターンを伸張させることによって、高縦横比のナノ構造物を形成する。本発明のナノ構造物の形成方法を使用すれば、最適化されている自然系の各種繊毛を摸写できる。また、超疎水性又は高接着性などの性質を有する新しい機能性素材を開発できる。進んで、ますます微細化している電子素子のナノサイズの微細パターン形成工程などに応用が可能であり、かつ最近、注目されつつある炭素ナノチューブと共に、各種超精密産業の技術開発にも大きく寄与できる。
【選択図】図4
Description
この他にも、ソフトリソグラフィー技術の一種として、下記特許文献2には、所謂MIMIC(Micromolding in capillaries)と呼ばれる技術が開示されている。この技術によれば、パターンのあるPDMSモールドを基板上に位置させた後、モールドの横面から流体を流すことによって、マイクロサイズの3次元構造体を形成できる技術である。この方法を複数の層に繰り返す場合、高い3次元構造物を形成できる。しかしながら、信頼性のある高縦横比の構造物を形成するためには、複数の層のモールドを精密に配列しなければならないため、工程が困難かつ複雑である。
また、本発明の他の目的は、高縦横比のナノ構造物の形成方法を利用した微細パターンの形成方法を提供することにある。
例えば、本発明によるナノ構造物の形成方法を使用すれば、最適化されている自然系の各種繊毛を摸写できる。具体的に、ナノ水準の繊毛を摸写することによって、各種材料表面の摩擦抵抗や抗力を減少させることができる。このような技術を自動車などの運送手段、特に、航空機、船舶、深海底探査船などの大型移動手段の表面に適用すれば、極めて卓越した燃料低減の効果を期待することができる。
例えば、本発明によるナノ構造物の形成方法を使用すれば、最適化されている自然系の各種繊毛を摸写できる。具体的に、ナノ水準の繊毛を摸写することによって、各種材料表面の摩擦抵抗や抗力を減少させることができる。このような技術を自動車などの運送手段、特に、航空機、船舶、深海底探査船などの大型移動手段の表面に適用すれば、極めて卓越した燃料低減の効果を期待することができる。
図1〜図4は、本発明による高縦横比のナノ構造物の形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
図1に示すように、まず基板10上に高分子薄膜20を形成する(ステップS10)。
前記基板10としては、シリコン基板、金属基板、高分子基板、ガラス基板などを例示でき、例えば、半導体工程中の一定の下部構造物であっても良い。前記高分子薄膜20としては、例えば、ポリスチレン(polystyrene)、ポリメチルメタクリルレート(poly methyl methacrylate)などの熱を加えて流動させ得る、熱可塑性樹脂などを使用することが好ましい。
本実施形態においては、前記基板10、前記高分子薄膜20、及び前記モールド30の間の表面エネルギーを調節することによって、高縦横比のナノ構造物を形成する。したがって、前記基板10上に高分子薄膜20を形成する(ステップS10)前に、前記基板10を表面処理し、前記基板10の表面エネルギーを調節するステップを先に行うこともできる。このような前記基板10、高分子薄膜20、及びモールド30の相互間の表面エネルギーの関係については、後述する。
前記モールド30には、例えば、ポリウレタン(polyurethane)、ポリジメチルシロキサン(Poly-Dimethylsiloxane:PDMS)のような高分子、又は酸化シリコン(SiO2)のような無機物を単独又は2以上混合して使用することができる。
このように、圧力を加えて高分子薄膜20とモールド30との間の接触均一性を向上させるか、又は加熱し、高分子薄膜20の流動性を確保することによって、後述のように、毛細管現象又は圧出による前記高分子パターンに前記モールドを転写できるようになる。
選択的に、前記高分子薄膜20にモールド30を接触させる前に、前記モールド30を表面処理し、前記モールド30の表面エネルギーを調節するステップをさらに行うことができる。
一般に、高分子は、殆どがガラス転移温度(Tg)を有しているが、この温度になれば、高分子が液体の性質を有するようになり、かつ流動性を有するようになる。この時、高分子が引き上げられる形状のモールド(円状)を高分子に接触させれば、毛細管現象により、高分子がモールドの形状に沿って動くようになる。
具体的に、前記高分子薄膜20をなす物質が常温で流動性のある高分子物質であるとき、モールド30を前記高分子薄膜20に密着接触させることによって、毛細管現象を誘発させ、高分子パターン22を形成することができる。仮りに、前記高分子薄膜20をなす物質が常温で流動性のない高分子物質であれば、上述のように、所定の温度条件で熱処理工程を行って、毛細管現象を誘発させることができる。また、前記高分子薄膜20をなす高分子物質に流動性のない場合、前記高分子薄膜20にソルベントなどを吸収(又は浸透)させて流動性を確保し、毛細管現象を現れるようにすることができる。
このように、毛細管現象によって、前記高分子薄膜20は、前記モールド30の陰刻部を充填していき、結局、モールドの陰刻部のベース面32と接触するようになる。このように、高分子薄膜20に高分子パターン22が形成されて、前記陰刻部のベース面32と接触すれば、高分子パターン22及び前記モールド30の表面エネルギーに応じて、界面に親和力が形成される。このような親和力は、接触する2つの物質の表面張力が類似しているか、互いに類似した官能基(functional group)を含む等の理由で、類似した表面エネルギーを表すほど大きくなる。言い換えれば、一定の表面エネルギーを有する高分子薄膜20やモールド30を選択するか、または表面処理を介して前記高分子薄膜20やモールド30の表面エネルギーを調節すれば、両方間の親和力を調節できる。
上述のように、互いに接触する前記高分子パターン22とモールド30は、親和力を持っているため、前記モールド30を除去するとき、高分子パターン22が前記モールド30に沿って伸張し、結果的に、極めて高縦横比のナノ構造物24を形成する。
本実施形態によれば、従来の写真エッチング工程によっては達成できなかった、極めて高縦横比のナノ構造物を容易に形成できる。このようなナノ構造物を表面に有する素材は、極めて強い疏水性を有するようになることから、防汚機能などのある機能性素材を製作できるようになる。また、高縦横比の構造を表面に有する場合、極めて広い表面積を有するようになり、これによって表面接着力が顕著に向上された素材の開発に応用できる。
すなわち、本実施形態によるナノ構造物は、半導体製造工程などにおいて微細パターンの形成に有用に使用できるのみならず、自然系の繊毛摸写に広く応用できる。
図5及び図6は、本発明による微細パターンの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
詳説すれば、高縦横比のナノ構造物をマスクとして下部基板10に微細パターンを形成するために、上述のステップS10〜ステップS40の方法に従って、基板10上に高縦横比のナノ構造物を形成する。これについては、上記と重複した説明は省略する。
同図に示すように、前記ステップS50において行った基板10をエッチングする過程を行う前に、まず前記高分子薄膜10のうち、高縦横比のナノ構造物24が形成されていない部分のみを選択的に除去する過程(ステップS60)を行うことができる。すなわち、この場合、ナノ構造物24を含む高分子薄膜20全面を対象にエッチングをする場合とは異なり、ナノ構造物24が形成されていない部分のみをまず除去するため、ナノ構造物24が損傷されず残存する。
すなわち、このような損傷されていないナノ構造物24をマスクとし、下部基板10にパターンを形成する場合、より微細で、より高い縦横比の微細パターンが形成できるようになる。
上述の方法によれば、順次多層化される各種電子回路や半導体素子構造を精密かつ経済的に形成できる。
<実施例>
基板上への高分子薄膜の形成(ステップS10)
まず、シリコン基板をトリクロロエチレン(Tri-Chloro Ethylene:TCE)溶液が入られている超音波容器(ultrasonic bath)に入れて、約5分間超音波洗浄する。次に、前記シリコン基板をメタノール溶液が入られた超音波容器に入れて、5分間超音波洗浄を行った。次に、前記シリコン基板を超音波容器から取り出して蒸溜水で再び洗浄した。その後、トルエンに溶かしたポリスチレン(30重量%)を使用し、前記基板上に高分子薄膜をコートした。この時、コーティングは、3000rpmのスピンコート法を利用した。
続けて、所望のパターンが刻まれたポリウレタンモールドを前記高分子薄膜と接触させた。このとき、接触面が浮かないように、すなわち均一に接触して、毛細管効果が円滑に得られるように、弱い圧力でよく接触させ、130℃で5時間熱処理を行った。この間に、前記ポリスチレン高分子薄膜は、次第に前記ポリウレタンモールドの空いた部分に充填され、結果的にポリウレタンモールドの陰刻部のベース面と接触するようになった。
最後に、前記ポリウレタンモールドを垂直方向に除去し、高縦横比のナノ構造物を形成した。このとき、ポリウレタンモールドを除去する速度や方向などによって、多様な形状のナノ構造物が形成できた。
図8〜図12は、前記実施の形態により形成された多様な形状のナノ構造物を、走査電子顕微鏡(モデル名:XL30FEG、オランダフィリップス電子の製品)を使用して観察した走査電子顕微鏡(SEM)写真である。図13は、本実施例によって形成された高縦横比ナノ構造物に水滴を滴下した写真であって、ナノ構造物が形成された表面の疏水性を示す走査電子顕微鏡写真である。
前記実施の形態と同じ方法でステップS10〜ステップS20を行い、ステップS30において、ポリスチレン高分子薄膜が前記ポリウレタンモールドの空いた部分を充填するとき、ポリウレタンモールドの陰刻部のベース面と接触する前に、ポリウレタンモールドを除去した。
このような実験結果によれば、高縦横比のナノ構造物を極めて簡単かつ経済的な工程で形成でき、このような構造を応用すれば、疏水性や接着力が顕著に良い素材などの開発に使用できる。
Claims (13)
- 基板上に高分子薄膜を形成するステップと、
前記高分子薄膜にモールドを接触させるステップと、
前記高分子薄膜が流動し、前記モールドの陰刻部のベース面と接触する高分子パターンを形成させるステップと、
前記高分子パターンが形成された高分子薄膜から前記モールドを除去し、前記高分子パターンが伸張されたナノ構造物を形成するステップと
を含むことを特徴とする高縦横比のナノ構造物の形成方法。 - 前記高分子薄膜は、熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記モールドが、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、及び酸化シリコンからなる群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記高分子薄膜の流動が、前記高分子薄膜を加熱して行われることを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記陰刻部のベース面と接触する高分子パターンの形成が、前記モールドに0.1気圧〜10気圧の圧力を加え、前記高分子薄膜を圧出成形することによって行われることを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記陰刻部のベース面と接触する高分子パターンの形成が、前記高分子薄膜が形成された基板を上部に位置させ、前記モールドを下部に位置させることによって、前記陰刻部のベース面に接触する高分子パターンの形成を重力によって促進することを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記基板及び前記高分子薄膜の表面エネルギー差が、前記高分子薄膜及び前記モールドの表面エネルギー差以下であることを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記高分子薄膜及び前記モールドの表面エネルギー差を調節することによって、前記高分子パターンの伸張の程度を調節することを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。
- 前記基板上に高分子薄膜を形成させるステップの前に、
前記基板を表面処理し、前記基板の表面エネルギーを調節するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。 - 前記高分子薄膜にモールドを接触させる前に、
前記モールドを表面処理し、前記モールドの表面エネルギーを調節するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。 - 前記高分子薄膜にモールドのパターンを接触させた後に、
前記モールドに圧力を加え、前記高分子薄膜と前記モールドのパターンとの接触均一性を向上させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の高縦横比のナノ構造物の形成方法。 - 基板上に高分子薄膜を形成するステップと、
前記高分子薄膜にモールドのパターンを接触させるステップと、
前記高分子薄膜が流動し、前記モールドの陰刻部のベース面と接触する高分子パターンを形成するステップと、
前記高分子パターンが形成された高分子薄膜から前記モールドを除去し、前記高分子パターンが伸張されたナノ構造物を形成するステップと、
前記伸張されたナノ構造物をマスクとして前記基板をエッチングし、前記基板上に微細パターンを形成するステップと、
前記微細パターンが形成された基板上から前記ナノ構造物を除去するステップと
を含むことを特徴とする微細パターンの形成方法。 - 前記ナノ構造物を形成した後に、
前記ナノ構造物が形成されていない高分子薄膜部分をエッチングすることによって、前記基板を露出させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の微細パターンの形成方法。
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