JP2009122773A - 金属製ケースとその製造方法及び電子機器 - Google Patents

金属製ケースとその製造方法及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2009122773A
JP2009122773A JP2007293612A JP2007293612A JP2009122773A JP 2009122773 A JP2009122773 A JP 2009122773A JP 2007293612 A JP2007293612 A JP 2007293612A JP 2007293612 A JP2007293612 A JP 2007293612A JP 2009122773 A JP2009122773 A JP 2009122773A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating film
metal case
metal
mold
uneven pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007293612A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009122773A5 (ja
Inventor
Eisuke Negishi
英輔 根岸
Masaki Kanno
正喜 管野
Motohiro Furuki
基裕 古木
Shingo Imanishi
慎悟 今西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2007293612A priority Critical patent/JP2009122773A/ja
Publication of JP2009122773A publication Critical patent/JP2009122773A/ja
Publication of JP2009122773A5 publication Critical patent/JP2009122773A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Printing Methods (AREA)

Abstract

【課題】偽造することが困難な金属製ケースとその製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】少なくとも一部が金属基板1により構成される金属製ケースにおいて、金属基板1の一方の面には、コーティング膜2が形成され、コーティング膜2の一部には、ナノインプリントによる凹凸パターン11が形成されてなり、コーティング膜2が形成された面が外側になるように、金属製ケースを構成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、偽造防止の為の印が施された金属製ケースとその製造方法、及び電子機器に関する。
従来、デジタルカメラやパソコンの記憶媒体として用いられるカード状の薄型補助記憶装置等に代表される電子機器(例えばメモリカード等)の正規品に対して、安価な偽造品が出回るという問題が起こっている。偽造品が正規品と同じようなデザインで作成される場合、消費者は偽造品を正規品と誤認して、購入してしまう。このため、正規品の信頼性が保たれず、また、正規品の市場利益も確保されなくなってしまう。
このため、偽造品が市場に出回り、正規品と誤認されてしまうことを防止するために、正規品に偽造防止の為の印を付しておくことが行われている。
このような偽造防止技術は、様々な製品に施されており、消費者が正規品と認識できるように工夫がされている。
偽造防止技術は、一般の使用者が偽造防止に関連する技術として認知でき、それぞれの使用者が真偽の判定をできるようにした、特許文献2に代表されるようなオバート技術と、特定の使用者のみが偽造防止に関連する技術として認識でき、特定の使用者のみが真偽判定を行えるようにした、特許文献1に代表されるようなコバート技術とがある。
オバート技術としては、ホログラムなどの回折構造形成体や、OVI(Optically Variable Ink)などの多層干渉膜などがその具体例として挙げられる。例えば、特許文献1に記載されている偽造防止ラベルは、表面にエンボス型によって形成された凹凸形状を有するもので、ラベルを見ただけで真偽が判断できるような構成とされている。
コバート技術としては、蛍光印刷、万線潜像などが挙げられる。例えば、特許文献2に記載されている偽造防止シートは、表面に凹凸パターンを設けた光透過性ファイバーを紙基材またはプラスチック基材のシートの中に設けられている。このような構成により、基材のある端面方向から光りを照射することにより、その端面と相対する反射側の端面からファイバーを伝わった光が発光すると同時に、基材表面からも光透過性ファイバーの表面に設けられた凹凸パターンに応じて発光が生じる。そして、これらを検証装置により検知することで、簡単に真偽判定ができる。このような構成を、クレジットカードや銀行カードなどに用いることにより、偽造を困難なものとしている。
特開2002−72887号公報 特開2000−309182号公報
ところで、偽造防止技術の中で、オバート技術においては、製品の真偽の判断ができるようにする効果が期待されることはもちろんのこと、偽造防止技術自体の偽造を防止することが要求される。すなわち、偽造防止のラベルを作ったとしても、それ自体が偽造可能であれば、偽造品に対する効力は低くなってしまう。
本発明は、上述の点に鑑み、偽造することが困難な金属製ケースとその製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の金属製ケースは、少なくとも一部が金属基板により構成される金属製ケースにおいて、金属基板の一方の面には、コーティング膜が形成され、コーティング膜の一部には、ナノインプリントによる凹凸パターンが形成されてなり、コーティング膜が形成された面が外側になるように構成されたことを特徴とする。
本発明の金属製ケースでは、コーティング膜にナノプリントによる凹凸パターンが形成されていることにより、凹凸パターンにおいて反射された光が干渉して、所望の模様や文字、記号が構成される。
本発明でいう金属製ケースとは、一部分のみが金属基板で形成されているものでもよく、また、全部が金属基板で形成されているものでもよい。
また、本発明の金属製ケースの製造方法は少なくとも一部が金属基板により構成される金属製ケースの金属部上部にコーティング膜を形成する工程と、コーティング膜の一部にナノスケールの凹凸パターンを有する金型を押圧する工程と、金型が押圧された状態でコーティング膜を硬化する工程と、金型を硬化したコーティング膜から取り外す工程とを有することを特徴とする
本発明の金属製ケースの製造方法では、ナノスケールの凹凸パターンを有する金型をコーティング膜に押圧して硬化させるので、コーティング膜には金型に形成されている凹凸パターンが転写される。
また、本発明の電子機器は、少なくとも一部が金属基板により構成され、金属基板の一方の面には、コーティング膜が形成され、コーティング膜の一部には、ナノインプリントによる偽造防止の為の凹凸パターンが形成され、コーティング膜が形成された面が外側になるように構成された金属製ケースに記憶素子が組み込まれてなることを特徴とする。
本発明の電子機器では、偽造防止の為の凹凸パターンにより、真偽の判断がなされるような構成となっている。
本発明によれば、ナノスケールの凹凸パターンを用いることにより偽造防止が図られるため、偽造が困難な金属製ケースとその製造方法及び電子機器を提供することができる。
近年、メモリスティックなどに代表されるカード状の補助記憶装置は、大容量化が図られている。そして、これらの大容量の補助記憶装置は、記憶素子が、樹脂製のケースではなく、より信頼性の高い金属製のケースに収納されて構成されている。
本発明の金属製ケースは、例えば、そのような大容量の補助記憶装置等の電子機器に用いられるものである。
まず、本発明の実施の形態の説明に先立ち、本発明に適用されるナノインプリント技術について説明する。
ナノインプリントとは、ナノスケールの微細な凹凸パターンを樹脂層に転写して、樹脂層に凹凸パターンを形成する技術である。以下、ナノスケールの凹凸パターンが形成された金型をモールドという。まず、このモールド(金型)について説明する。ナノインプリントに用いられるモールドは、ナノスケールの凹凸パターンを有する。このような、微細な凹凸パターンが形成されたモールドは、電子ビーム描画によりレジストパターンを形成し、それに金属(ニッケル等)をめっきすることで作製される。また、電子ビーム描画によるレジストパターンを形成後、基板をエッチングし、レジスト剥離することによってもモールドが作製できる。電子ビーム描画は、電子ビームのビーム径を数nmまでしぼることができ、10nm以下の微細パターンも作成可能とされている。
次に、モールドに形成された凹凸パターンを転写する樹脂層について説明する。ナノインプリント技術に用いられる樹脂層としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂は、樹脂をガラス転移点(Tg)以上に熱し、モールド形状を転写するものである。
熱硬化性樹脂は、樹脂にモールドを押し付けながら硬化温度まで加熱保持してモールド形状を転写するものである。
UV硬化性樹脂は、樹脂にモールドを押し付け、UV照射により樹脂を硬化させてモールド形状を転写するものである。
ナノインプリント技術では、このようにして作成された微細な凹凸パターンを有するモールドを用いて樹脂層に凹凸パターンが転写される。
以下に説明する実施形態は、以上に説明したナノインプリント技術を用いるものである。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1に本発明の第1の実施形態に係る金属製ケースの製造方法における概略工程図を示す。本実施形態例における成膜方法は、例えば補助記憶媒体を被覆する金属製ケースの一部に施されるものである。
図1Aに示す金属基板1は、例えばSUS(Steel Use Stainless;ステンレス鋼)基板からなる。この金属基板1は、後述する金属製ケースを構成するものである。この金属基板1上に、コーティング膜2を形成する。本実施形態例では、コーティング膜2の材料として、熱可塑性樹脂を用いる。熱可塑性樹脂を有機溶媒で溶かした溶液をスピンコート法、ディッピング法、ドクターブレード法等によって金属基板に塗布し、熱可塑性樹脂からなるコーティング膜2を形成する。
本実施形態例のコーティング膜2に用いられる熱可塑性樹脂としては、セルロース樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、オレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリメタクリル酸系樹脂、ポリアレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等が挙げられる。
次に、図1Bに示すように、上部に熱可塑性樹脂からなるコーティング膜2を形成した金属基板1を、例えばヒータ等の加熱機構を有するステージ4上に固定する。また、金属基板1より面積の小さい、例えば格子状の凹凸パターンを有するモールド3を準備する。そして、モールド3と金属基板1を加熱する。金属基板1は、ステージ4に備えられた加熱機構により加熱する。このとき金属基板1は、モールド3の温度と同様の温度まで加熱する。このときのモールド3及び金属基板1の加熱温度は、コーティング膜2である熱可塑性樹脂のTg(ガラス転移温度)より10〜30℃高めの温度が好ましい。また、図示を省略するが、モールド3の凹凸パターンを有する面には、離型剤が塗布されている。
そして、図1Cに示すように、モールド3を、金属基板1を加熱しながら熱可塑性樹脂からなるコーティング膜2に、矢印aで示すように押し付ける。モールド3の押し付けは、10MPa程度で圧力印加するのが好ましい。モールド3をコーティング膜2に押圧した状態で一定時間維持した後、加熱を停止する。
次に図1Dに示すように、モールド3を圧力印加した状態で、所望の温度まで冷却されたら、圧力印加を停止する。圧力印加を開放する温度は、熱可塑性樹脂のTgより10〜30℃低い温度が好ましい。
最後に、図1Eに示すように、モールド3を硬化したコーティング膜2から、矢印bに示す方向に引き剥がす。
以上のような製造方法を用いて、金属基板1上のコーティング膜2表面に微細な凹凸パター11が形成される。本実施形態例では、基板が金属製であるために、凹凸パターン11を形成する際に、熱処理が施されても金属基板1が熱で変形してしまうことがない。
次に、図2に本発明の第2の実施形態に係る金属製ケースの製造方法における概略工程図を示す。本実施形態例は、コーティング膜22として、熱硬化性樹脂を用いるものである。
図2Aに示す金属基板1には、第1の実施形態と同様に、例えばSUS基板を用いる。この金属基板1は、後述する金属製ケースを構成するものである。この金属基板1上に、コーティング膜22を形成する。本実施形態例では、コーティング膜22の材料として、熱硬化性樹脂を用いる。従って、金属基板1上に熱硬化性樹脂を塗布し、熱硬化性樹脂からなるコーティング膜22を形成する。
本実施形態例で用いられる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリイミドが挙げられる。
次に、図2Bに示すように、上部に熱硬化性樹脂からなるコーティング膜22を形成した金属基板1を、ヒータ等の加熱機構を有するステージ4に固定する。また、図2Bに示すように、金属基板1より面積の小さい、例えば格子状の凹凸パターンを有するモールド3を準備する。また、図示を省略するが、モールド3の凹凸パターンを有する面には、離型剤が塗布されている。
そして、図2Cに示すように、モールド3を、金属基板1上の熱硬化樹脂からなるコーティング膜2に、矢印aで示すように押し付ける。モールド3の押し付けは、10MPa程度で圧力印加するのが好ましい。モールド3を熱硬化性樹脂からなるコーティング膜22に押圧しながら、ステージ4内の加熱機構により、金属基板1及びモールド3を熱硬化樹脂の硬化温度まで加熱保持する。
次に、モールド3を圧力印加した状態で硬化温度に達したら、図2Dに示すように、圧力印加を停止する。
最後に、図2Eに示すように、モールド3を硬化したコーティング膜22から、矢印bに示す方向に引き剥がす。
以上の工程においても、第1の実施形態と同様に、図2Eに示すような微細な凹凸パターン11が熱硬化樹脂層からなるコーティング膜22に形成される。本実施形態例においても、基板が金属製であるために、凹凸パターン11を形成する際に、熱処理が施されても金属基板が熱で変形してしまうことがない。
次に、図に本発明の第3の実施形態に係る金属製ケースの製造方法における概略工程図を示す。本実施形態例は、コーティング膜として、UV硬化樹脂を用いるものである。
図3Aに示す金属基板1には、第1及び第2の実施形態と同様に、例えばSUS基板を用いる。この金属基板1は、後述する金属製ケースを構成するものである。この金属基板1上に、コーティング膜32を形成する。本実施形態例では、コーティング膜32の材料として、UV硬化性樹脂を用いる。従って、金属基板1上にUV硬化性樹脂を塗布し、コーティング膜32を形成する。
本実施形態例で用いられるUV硬化性樹脂としては、ラジカル重合反応タイプのウレタンアクリレート系樹脂、カチオン重合反応タイプのエポキシ系樹脂が挙げられる。
次に、図3Bに示すように、上部にUV硬化性樹脂からなるコーティング膜32を形成した金属基板1を、ステージ4に固定する。本実施形態例に用いられるステージ4は、第1及び第2の実施形態のように加熱機構が構成されていなくてもよい。そして、金属基板1より面積の小さい、例えば格子状の凹凸パターンを有するモールド33を準備する。本実施形態例では、後の工程において、UV照射が成されるため、モールド33がUV光を透過する必要がある。本実施形態例においては、モールド33として、石英を用いる。
続いて、図3Cに示すように、透明なモールド33を、金属基板1上のUV硬化性樹脂層に矢印aで示すように押し付ける。モールド33の押し付けは、0.1MPaから1MPa程度で圧力印加するのが好ましい。
そして、図3Dに示すように、モールド33をUV硬化性樹脂からなるコーティング膜32に押圧しながらUV光16をモールド33の上部から照射する。
モールド33を圧力印加した状態で、UV硬化性樹脂からなるコーティング膜32が硬化したらUV照射を停止し、圧力印加を停止する。
最後に、図3Eに示すように、モールド33を硬化したコーティング膜32から、矢印bに示す方向に引き剥がす。
以上のようにして、本実施形態例においてもUV硬化樹脂からなるコーティング膜32にモールド33の微細な凹凸パターン11が転写される。
次に、図4A,Bに、上述した第1〜第3の実施形態を用いて形成された金属製ケース10を示す。図4Bは、図3AにおけるA−A断面構成である。図4Aに示す金属製ケース10は、全体が金属基板1で形成され、金属基板1の外側全体が、コーティング膜2,21,32により被覆されている。金属製ケース10の内部には空間9が保持されており、この空間9に例えば電子記憶媒体等が収納される。
図4Bに示すように、第1〜第3の実施形態の製造方法を用いて形成された金属製ケース10では、金属基板1上に形成されたコーティング膜2,22,32の一部に微細な凹凸パターン11が形成されている。この微細な凹凸パターン11により偽造防止が図られる。以下に詳述する。
図5に、金属製ケース10において、コーティング膜2,22,32上に凹凸パターン11が形成された部分の断面構成図を示す。図5に示すように、コーティング膜2,22,32上に形成された凹凸パターン11はナノスケールの微細構造である。入射光の波長よりも凹凸パターン11が微細である場合、構造色が発色される。そして、この構造色は、見る角度により異なる色や模様を構成する。
従って、この微細な凹凸パターン11を所望の構造色が発色するように設計して、正規品であることがわかるようにすることにより、偽造品と差別化を図ることができる。
また、ナノインプリントによって形成されたナノオーダーの凹凸パターン11においては、その微細構造のアスペクト比を大きく形成することができる。微細構造のアスペクト比を大きく形成することにより、摩耗によるパターン消失に対して、優れた耐久性を有する構成となる。また、格子状に形成された凹凸パターンにおいて、格子状の間隔を変化させることにより、微細構造によって反射される色を変化させることができる。
第1〜第3の実施形態例を用いて形成される金属製ケース10は、ケースを構成する金属基板1上にコーティング膜2,22,32を設け、コーティング膜2,22,32上に偽造防止の為の凹凸パターンを直接加工することができる。このため、このような金属製ケースを偽造するのが困難であり、また、ナノスケールの凹凸パターン11を偽造することも困難である。
図4に示した金属製ケース10は、ケース全体がコーティング膜2,22,32により被覆された例を示した。
次に、図7に、第1〜第3の実施形態の金属製ケースの製造方法を用いて形成された金属製ケースの他の例を示す。この例においては、図6Aに示すように、金属製ケース20の一部にコーティング膜2,22,32を形成し、そのコーティング膜2,22,32が形成された部分に偽造防止のための凹凸パターン11が形成されている。この場合、コーティング膜2,22,32は、図6Bに示すように偽造防止の為の凹凸パターン11を設けたい部分にのみ塗布される。そして、偽造防止の凹凸パターン11が形成された部分以外は、金属基板1が露出したケースとなる。
また、図4及び図6で示した例では、ケース(筐体)全体が金属基板1で構成される例としたが、ケースの一部分が金属基板で構成されるようなケースにも適用可能である。この場合は、金属で構成された部分に、凹凸パターンを有するコーティング膜を形成するようにすればよい。
耐熱性、耐食性に優れた金属基板を用いれば、コーティング膜状に凹凸パターンを形成する際に発生する熱や、押し付ける圧力等の影響によらず加工を施すことができる。従って、ケースの一部分が金属から構成されるような場合は、この金属部の上部にコーティング膜を形成して凹凸パターンを転写するように加工すればよい。
上述した金属製ケース10,20はカード状の補助記憶装置等の電子機器に用いることができる。図7に、第1〜第3の実施形態における金属製ケースの製造方法を用いて作成された金属製ケースを用いた電子機器を示す。この電子機器は、中に記憶素子が組み込まれており、記憶素子が金属製ケース13に被覆されている。そして、金属製ケース13の表面には、凹凸パターン11が形成されたコーティング膜が形成されている。
このとき、記憶素子は、金属製ケース13に被覆されているので、信頼性の高い電子機器とすることができる。
上述の電子機器12では、金属製ケース13の表面にナノオーダーの凹凸パターン11が形成されたコーティング膜が形成されているので、凹凸パターン11部分で構造色が発色される。この凹凸パターン11を、構造色によって所望の模様や文字が発色されるように設計することにより、需要者が正規の電子機器12であると判断できるようにすることができる。また、この凹凸パターン11は、ナノオーダーの微細構造であるため、偽造が困難である。さらに、金属製ケースに直接凹凸パターンを加工することで、偽造をさらに困難にする効果を奏する。
本発明の第1の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を示す概略工程図である。 本発明の第2の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を示す概略工程図である。 本発明の第3の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を示す概略工程図である。 A,B本発明の第1〜第3の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を用い手形成された金属製ケースの概略構成図とその断面構成を示す。 微細な凹凸パターンでの光の反射説明するための概略断面構成である。 A,B本発明の第1〜第3の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を用い手形成された金属製ケースの概略構成図とその断面構成を示す。 本発明の第1〜第3の実施形態に係る金属製ケースの製造方法を用いて形成された電子機器である。
符号の説明
1・・金属基板、2,22,32・・コーティング膜、3,33・・モールド、4・・ステージ、10,20・・金属製ケース、11・・凹凸パターン

Claims (10)

  1. 少なくとも一部が金属基板により構成される金属製ケースにおいて、
    前記金属基板の一方の面には、コーティング膜が形成され、
    前記コーティング膜の一部には、ナノインプリントによる凹凸パターンが形成されてなり、
    前記コーティング膜が形成された面が外側になるように構成された
    ことを特徴とする金属製ケース。
  2. 前記コーティング膜は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又はUV硬化樹脂からなる
    ことを特徴とする請求項1記載の金属製ケース。
  3. 前記凹凸パターンは偽造防止の為の文字、記号、または模様を発色するように設計されている
    ことを特徴とする請求項1記載の金属製ケース。
  4. 前記凹凸パターンは、格子状の凹凸パターンである
    ことを特徴とする請求項1記載の金属製ケース。
  5. 少なくとも一部が金属基板により構成される金属製ケースの金属部上部にコーティング膜を形成する工程と、
    前記コーティング膜の一部にナノスケールの凹凸パターンを有する金型を押圧する工程と、
    前記金型が押圧された状態で前記コーティング膜を硬化する工程と、
    前記金型を硬化した前記コーティング膜から取り外す工程とを有する
    ことを特徴とする金属製ケースの製造方法。
  6. 前記コーティング膜は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる
    ことを特徴とする請求項5記載の金属製ケースの製造方法。
  7. 前記コーティング膜は、UV硬化樹脂からなり、前記金型は透明材料で構成される
    ことを特徴とする請求項5記載の金属製ケースの製造方法。
  8. 前記凹凸パターンは偽造防止の為の文字または模様を発色するように設計されてなる
    ことを特徴とする請求項5記載の金属製ケースの製造方法。
  9. 前記凹凸パターンは、格子状の凹凸パターンである
    ことを特徴とする請求項5記載の金属製ケースの製造方法。
  10. 少なくとも一部が金属基板により構成され、
    前記金属基板の一方の面には、コーティング膜が形成され、
    前記コーティング膜の一部には、ナノインプリントによる偽造防止の為の凹凸パターンが形成され、前記コーティング膜が形成された面が外側になるように構成された金属製ケースに、
    記憶素子が組み込まれてなる
    ことを特徴とする電子機器。
JP2007293612A 2007-11-12 2007-11-12 金属製ケースとその製造方法及び電子機器 Pending JP2009122773A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007293612A JP2009122773A (ja) 2007-11-12 2007-11-12 金属製ケースとその製造方法及び電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007293612A JP2009122773A (ja) 2007-11-12 2007-11-12 金属製ケースとその製造方法及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009122773A true JP2009122773A (ja) 2009-06-04
JP2009122773A5 JP2009122773A5 (ja) 2011-01-06

Family

ID=40814888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007293612A Pending JP2009122773A (ja) 2007-11-12 2007-11-12 金属製ケースとその製造方法及び電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009122773A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101846963B1 (ko) * 2011-05-25 2018-04-09 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이동 단말기의 케이스 제조 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04367383A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Fujitsu Ltd バーコード書込み方法
JP2002072887A (ja) * 2000-08-29 2002-03-12 Toppan Label Co Ltd 偽造防止ラベル
JP2003272998A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド
JP2004281585A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 電子装置とその製造方法
JP2007027644A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Snk Playmore Corp プリント基板、及びこのプリント基板の処理方法
WO2007018287A1 (ja) * 2005-08-11 2007-02-15 Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. 樹脂組成物
JP2007062372A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Seoul National Univ Industry Foundation 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法
JP2007073712A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ナノインプリント方法
JP2007219033A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Hitachi Ltd 部位選択的に修飾された微細構造体およびその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04367383A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Fujitsu Ltd バーコード書込み方法
JP2002072887A (ja) * 2000-08-29 2002-03-12 Toppan Label Co Ltd 偽造防止ラベル
JP2003272998A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド
JP2004281585A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 電子装置とその製造方法
JP2007027644A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Snk Playmore Corp プリント基板、及びこのプリント基板の処理方法
WO2007018287A1 (ja) * 2005-08-11 2007-02-15 Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. 樹脂組成物
JP2007062372A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Seoul National Univ Industry Foundation 高縦横比のナノ構造物の形成方法及び微細パターンの形成方法
JP2007073712A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ナノインプリント方法
JP2007219033A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Hitachi Ltd 部位選択的に修飾された微細構造体およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101846963B1 (ko) * 2011-05-25 2018-04-09 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이동 단말기의 케이스 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI682859B (zh) 轉印薄膜、將該轉印薄膜配置到薄膜上的方法、薄膜、防偽文件及該轉印薄膜的製造方法
JP5169083B2 (ja) 偽造防止積層体、偽造防止転写箔、偽造防止シール、偽造防止媒体、およびこれらの製造方法
US11893432B2 (en) Authentication medium, authentication medium manufacturing method, authentication medium reading method, and authentication medium verification method
JP6256018B2 (ja) 回折構造体、及びそれを用いた偽造防止媒体
JP2009134094A (ja) 回折構造転写箔及びそれを用いた偽造防止媒体
JP2017529568A (ja) セキュリティーフィルム
JP5504732B2 (ja) 表示体及びラベル付き物品
US20230021631A1 (en) Laminate, card, method of manufacturing card, method of producing card, card information recording sheet and card including the same
JP5103937B2 (ja) 中間転写記録媒体ならびにそれを用いる情報記録方法および情報記録体の製造方法
JP5103936B2 (ja) 中間転写記録媒体ならびにそれを用いる情報記録方法および情報記録体の製造方法
JP2009122773A (ja) 金属製ケースとその製造方法及び電子機器
JP5256718B2 (ja) 転写箔及び表示体付き物品
JP7059575B2 (ja) 赤外線潜像デバイス
JP5076827B2 (ja) 偽造防止用転写箔及び偽造防止媒体
JP5760444B2 (ja) 改竄防止媒体及び改竄防止媒体の製造方法
JP5364992B2 (ja) 転写箔及び情報表示体
JP2014215362A (ja) 光学物品
JP2012192585A (ja) 転写箔、転写媒体および転写箔の製造方法
JP6932975B2 (ja) 個人認証媒体
JP2011098519A (ja) 画像形成体の製造方法及び画像形成体、並びに個人認証媒体の製造方法及び個人認証媒体
JP4857715B2 (ja) Icカード
JP5040609B2 (ja) セキュリティー光学デバイスの製造方法およびそのセキュリティー光学デバイス
JP2018077335A (ja) ホログラム転写箔及び偽造防止物品
JP5458519B2 (ja) 偽造防止構造体及びそれを用いた偽造防止媒体
JP5930091B2 (ja) 金属粒子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101111

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101111

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120807

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121204