JP2007073712A - ナノインプリント方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に、型を用いてパターンを形成するナノインプリント方法は、樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に型を対向させ、且つ、樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層と型との間に電圧を印加することを含む。
【選択図】 図1
Description
Journal of Vacuum Science and Technology B Vol.14,No.6,pp.4129−4133(1996) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.43,No.6B,pp.4045−4049(2004) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.42,Part 2,No.2A,pp.L92−L94(2003) Journal of Vacuum Science and Technology B Vol.21,No.6,pp.2966−2969(2003) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.44,No.2,pp.1119−1122(2005)
2H2O − 4e− → O2(又は2O・) + 4H+
に従って、電気分解される。その結果、水の電気分解によって生じた酸素又は酸素ラジカルが、陽極である樹脂を含む基体等の表面を酸化し、樹脂を含む基体等の表面には、陽極酸化膜が形成されることになる。なお、樹脂を含む基体等と型との間に電圧を印加する際に、樹脂を含む基体等と型との間に電流が流れてもよい。
ギャップ制御例1は、図4に示す方法による。
ギャップ制御例2は図5に示す方法による。
ギャップ制御例3は図6に示す方法による。
ギャップ制御例4は図8に示す方法による。
ギャップ制御例5は図10に示す方法による。
12 電圧制御系
13 温度調節機構
14 基板
15 樹脂層
16 陽極酸化膜
21 基板
22 樹脂層
23 レジスト層
101,102,104,106 導電性基板
103,105,107 絶縁物
201,301,401,501,601 パターン電極
202,402,502,602 スペーサー
203,302,403,503,603 加工対象基板
204,404,504,605 荷重
205,306,406,506,607 電源
206 電流計
207,307,407 反応部
208,308,408 未反応部
209,409 パターン形成基板1
303 パターン電極支持装置
304 加工対象支持ステージ
305,405 反応最適領域
309,510,612 パターン形成基板
505,606 反応最適領域A
507,608 パターンA
508,610 反応最適領域B
509,611 パターンB
604 加圧位置A
609 加圧位置B
1001 モールド
1002 レジスト膜
Claims (6)
- 樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に、型を用いてパターンを形成するナノインプリント方法において、
該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に該型を対向させ、且つ、該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層と該型との間に電圧を印加することを含むことを特徴とするナノインプリント方法。 - 前記基体に設けられた樹脂を含む層に、前記型を用いてパターンを形成する場合であって、
前記基体及び前記樹脂を含む層の間にレジストを含む層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント方法。 - 前記樹脂は、ポリシランを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のナノインプリント方法。
- 前記型と前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層との間に間隙を設ける ことを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のナノインプリント方法。
- 前記型及び前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層の少なくとも一方に水分を付着させることをさらに含むことを特徴とする請求項3又は4に記載のナノインプリント方法。
- 前記型及び前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層の少なくとも一方の温度を、露点温度以下の温度に制御することをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のナノインプリント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258484A JP4766964B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ナノインプリント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258484A JP4766964B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ナノインプリント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073712A true JP2007073712A (ja) | 2007-03-22 |
JP4766964B2 JP4766964B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=37934910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005258484A Expired - Fee Related JP4766964B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | ナノインプリント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4766964B2 (ja) |
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JP4766964B2 (ja) | 2011-09-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100531 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110223 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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