JP4766964B2 - ナノインプリント方法 - Google Patents
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Journal of Vacuum Science and Technology B Vol.14,No.6,pp.4129−4133(1996) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.43,No.6B,pp.4045−4049(2004) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.42,Part 2,No.2A,pp.L92−L94(2003) Journal of Vacuum Science and Technology B Vol.21,No.6,pp.2966−2969(2003) Japanese Journal of Applied Physics,Vol.44,No.2,pp.1119−1122(2005)
2H2O − 4e− → O2(又は2O・) + 4H+
に従って、電気分解される。その結果、水の電気分解によって生じた酸素又は酸素ラジカルが、陽極である樹脂を含む基体等の表面を酸化し、樹脂を含む基体等の表面には、陽極酸化膜が形成されることになる。なお、樹脂を含む基体等と型との間に電圧を印加する際に、樹脂を含む基体等と型との間に電流が流れてもよい。
ギャップ制御例1は、図4に示す方法による。
ギャップ制御例2は図5に示す方法による。
ギャップ制御例3は図6に示す方法による。
ギャップ制御例4は図8に示す方法による。
ギャップ制御例5は図10に示す方法による。
本発明の実施形態の一つの目的は、形成されるパターンの再現性が改善されるナノインプリント方法を提供することである。
12 電圧制御系
13 温度調節機構
14 基板
15 樹脂層
16 陽極酸化膜
21 基板
22 樹脂層
23 レジスト層
101,102,104,106 導電性基板
103,105,107 絶縁物
201,301,401,501,601 パターン電極
202,402,502,602 スペーサー
203,302,403,503,603 加工対象基板
204,404,504,605 荷重
205,306,406,506,607 電源
206 電流計
207,307,407 反応部
208,308,408 未反応部
209,409 パターン形成基板1
303 パターン電極支持装置
304 加工対象支持ステージ
305,405 反応最適領域
309,510,612 パターン形成基板
505,606 反応最適領域A
507,608 パターンA
508,610 反応最適領域B
509,611 パターンB
604 加圧位置A
609 加圧位置B
1001 モールド
1002 レジスト膜
Claims (7)
- 樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に、凸部を有する型を用いてパターンを形成するナノインプリント方法において、
該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に該型を対向させ、且つ、該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層と該型との間に電圧を印加すること、及び、
前記型の前記凸部と前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層との間に間隙を設けること
を含むと共に、
前記電圧を印加しながら前記間隙の大きさを変動させることをさらに含み、
前記間隙の大きさを変動させることは、前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層及び前記型の少なくとも一方に力を加えると共に前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層と前記型との間に設けられた伸縮性のスペーサを伸縮させることを含む
ことを特徴とする、ナノインプリント方法。
- 樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に、凸部を有する型を用いてパターンを形成するナノインプリント方法において、
該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層に該型を対向させ、且つ、該樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層と該型との間に電圧を印加すること、及び、
前記型の前記凸部と前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層との間に間隙を設けること
を含むと共に、
前記電圧を印加しながら前記間隙の大きさを変動させることをさらに含み、
前記間隙の大きさを変動させることは、前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層及び前記型の少なくとも一方に力を加えると共に前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層及び前記型の少なくとも一方を変形させることを含む
ことを特徴とする、ナノインプリント方法。
- 請求項2に記載のナノインプリント方法において、
前記間隙の大きさを変動させることは、前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層及び前記型の少なくとも一方に加える前記力の大きさを変化させることを含むことを特徴とする、ナノインプリント方法。
- 請求項2に記載のナノインプリント方法において、
前記間隙の大きさを変動させることは、前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層及び前記型の少なくとも一方における前記力を加える位置を変化させることを含むことを特徴とする、ナノインプリント方法。
- 請求項1から4までのいずれか一項に記載のナノインプリント方法において、
前記基体に設けられた樹脂を含む層に、前記型を用いてパターンを形成する場合であって、
前記基体及び前記樹脂を含む層の間にレジストを含む層をさらに含むことを特徴とする、ナノインプリント方法。
- 請求項1から5までのいずれか一項に記載のナノインプリント方法において、
前記樹脂は、ポリシランを含むことを特徴とする、ナノインプリント方法。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載のナノインプリント方法において、
前記型及び前記樹脂を含む基体又は基体に設けられた樹脂を含む層の少なくとも一方の温度を、露点温度以下の温度に制御することをさらに含むことを特徴とする、ナノインプリント方法。
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