JP5363856B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
<1> 被パターン形成体に活性種供給源を付与する活性種供給源付与工程と、
前記活性種供給源に励起光を照射し、前記被パターン形成体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法である。
<2> 活性種供給源付与工程が、被パターン形成体、及び表面に凹凸部を有するモールド構造体の少なくともいずれかに活性種供給源を付与する処理と、前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理とを含み、
酸化膜形成工程が、前記モールド構造体、及び前記被パターン形成体のいずれかを通して活性種供給源に励起光を照射し、前記凹凸部に対応する被パターン形成体の表面に酸化膜を形成する前記<1>に記載のパターン形成方法である。
<3> 被パターン形成体が、少なくとも表面に金属、及び半導体のいずれかを含む前記<1>から<2>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<4> 被パターン形成体が、表面に有機薄膜が形成されてなる前記<1>から<3>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<5> モールド構造体が、石英、及び透明樹脂のいずれかからなる前記<1>から<4>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<6> 活性種供給源として、水、及び過酸化水素のいずれかを含む前記<1>から<5>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
<7> 励起光として、紫外線を含む前記<1>から<6>のいずれかに記載のパターン形成方法である。
本発明のパターン形成方法は、活性種供給源付与工程と、酸化膜形成工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記活性種供給源付与工程は、被パターン形成体に活性種供給源を付与する工程である。
前記被パターン形成体に活性種供給源を付与する態様としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成するパターンに応じて直接被パターン形成体に活性種供給源を付与する態様、被パターン形成体、及び表面に凹凸部を有するモールド構造体の少なくともいずれかに活性種供給源を付与する処理(活性種供給源付与処理)と、前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理(接触処理)とにより被パターン形成体に付与する態様などが挙げられる。これらの中でも、被パターン形成体に活性種供給源を付与する処理と、表面に凹凸部を有するモールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理とを含む態様が特に好ましい。
前記被パターン形成体の態様としては、活性種により前記被パターン形成体の表面に酸化膜を形成することができれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記被パターン形成体全体が活性種により酸化膜を形成することができる材質からなる態様(以下、「第1の態様」と称することがある。)、前記被パターン形成体が基板の表面に酸化膜を形成することができる材質を含む態様(以下、「第2の態様」と称することがある。)、前記第1の態様において、前記酸化膜を形成することができる材質の表面に活性種により酸化分解可能な有機物からなる有機薄膜を形成した態様(以下、「第3の態様」と称することがある。)、前記第2の態様において、前記酸化膜を形成することができる材質の表面に活性種により酸化分解可能な有機物からなる有機薄膜を形成した態様(以下、「第4の態様」と称することがある。)などが挙げられる。これらの中でも、前記第3の態様、前記第4の態様が、前記酸化膜を形成することができる材質が大気と触れることにより酸化することを防止することができる点で、好ましい。
前記第3の態様、及び第4の態様では、活性種により前記有機薄膜を酸化分解により除去した後、そのまま露出した前記酸化膜を形成することができる材質を含む基板の表面に酸化膜を形成することができる。
前記酸化膜を形成することができる材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属、半導体、樹脂が好ましく、金属、半導体がより好ましい。
前記金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、亜鉛、チタン、クロム、鉄、ニッケル、鉛、コバルト合金などが挙げられる。これらの中でも、酸化されやすい金属という点で、アルミニウムが好ましい。
前記半導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコン(珪素)、ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素(GaAs)、インジウムリン(InP)などが挙げられる。これらの中でも、酸化されやすい半導体という点で、シリコンが好ましい。
前記樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリシランを含む樹脂などが挙げられる。
前記被パターン形成体が、基板の表面に前記酸化膜を形成することができる材質を含む態様である場合、前記酸化膜を形成することができる材質の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、5nm〜300nmなどが挙げられる。
前記基板の表面に酸化膜を形成することができる材質を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法などが挙げられる。
前記有機薄膜を形成する有機物としては、活性種により酸化分解可能であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、低融点フッ素樹脂、ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、トリアセテートセルロース(TAC)などが挙げられる。
これらの中でも、活性種による酸化分解が起こり易く、マスクとして優れた性質を持つ点から、PMMAが特に好ましい。
前記有機薄膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5nm〜300nmが好ましい。
前記有機薄膜の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法などが挙げられる。
前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記形状としては、例えば、情報記録媒体である場合には、円板状である。
前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、ニッケル、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、透明樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、透明性の点から、石英、ガラス、透明樹脂が好ましく、石英が特に好ましい。
前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、50μm以上が好ましく、100μm以上がより好ましい。前記基板の厚みが50μm未満であると、被パターン形成体とモールド構造体との密着時にモールド構造体側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性がある。
前記モールド構造体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば円板状の基板と、該基板の一方の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
前記透明樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、低融点フッ素樹脂、ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)などが挙げられる。
前記モールド構造体としては、励起光の照射性の点から、励起光に対して30%以上の透過率を有することが好ましく、光透過性に優れた石英が特に好ましい。
なお、モールド構造体の凹凸部には、活性酸素の発生効率を高めるため光触媒層を形成してもよい。該光触媒層としては、例えば酸化チタン、酸化スズなどからなる層が挙げられる。
前記活性種供給源における活性種としては、活性酸素(スーパーオキシドアニオンラジカル、ヒドロキシルラジカル、過酸化水素、一重項酸素)などが挙げられる。
前記活性種供給源としては、例えば水(水分)、過酸化水素などが挙げられ、酸素、オゾン等を含んでいてもよいが、活性種となるヒドロキシラジカルを生成しやすい点から過酸化水素が特に好ましい。
前記活性種供給源は、形成するパターンに応じて直接被パターン形成体に付与されるか、被パターン形成体、及び表面に凹凸部を有するモールド構造体の少なくともいずれかに活性種供給源を付与する処理と、後述する前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理とにより被パターン形成体に付与される。
前記活性種供給源の付与量としては、モールド構造体の凸部、又は凹部に十分な量の活性種供給源を保持できれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
なお、前記モールド構造体の表面を親水化処理、又は疎水化処理することで、得られる酸化膜のパターンを選択することができる。即ち、前記モールド構造体の表面を親水化処理した場合、前記モールド構造体の凹部に活性種供給源が封入され、前記凹部に対応した酸化膜パターンが被パターン形成体の表面上に形成される。一方で、前記モールド構造体の表面を疎水化処理した場合、前記モールド構造体の凸部に活性種供給源が保持され、前記凸部に対応した酸化膜パターンが被パターン形成体の表面上に形成される。
前記親水化処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、界面活性剤の付与、UVオゾン処理による表面改質などが挙げられる。
前記疎水化処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フッ素系材料による表面処理が挙げられる。
前記接触処理は、前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理である。
前記接触の際の加圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記モールド構造体の表面を親水化処理した場合、前記接触の際の加圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、加圧力が大きいほど前記モールド構造体の凸部と被パターン形成体との間の活性種供給源が排除され、前記凸部の位置での活性種の酸化反応を軽減できる点で、0.1MPa〜10MPaが好ましい。
前記モールド構造体の表面を疎水化処理した場合、前記接触の際の加圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、加圧力が大きすぎると前記モールド構造体の凸部と被パターン形成体との間の活性種供給源が排除され、前記凸部の位置での適正な酸化反応を阻害する可能性があるため、10Pa〜0.1MPaが好ましい。
前記酸化膜形成工程は、前記モールド構造体及び前記被パターン形成体のいずれかを通して前記活性種供給源に励起光を照射し、前記凹凸部に対応する被パターン形成体の表面に酸化膜を形成する工程である。
前記励起光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、波長184.9nm及び253.7nmのいずれかを含む光源が好ましく、該光源としては、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、高圧水銀ランプなどが挙げられる。
前記励起光の照射量としては、特に制限はなく、酸化反応の対象物、所望の酸化膜の厚みによって異なり適宜選択することができるが、例えば、低圧水銀ランプを用いた場合には照射強度30mW/cm2で1分間〜30分間程度が好ましい。
励起光を照射すると、活性種供給源から活性種が発生し、該活性種がモールド構造体の凹凸部に対応する位置の被パターン形成体の表面を酸化する。そして、被パターン形成体とモールド構造体とを剥離すると、被パターン形成体表面に酸化膜パターンが形成される。
励起光は透明モールド構造体を通過させて照射するが、被パターン形成体に透明材料を用いた場合は被パターン形成体を通過させて照射してもよい。
前記酸化膜のパターンが形成されたことを確認する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、原子間力顕微鏡(AFM)の摩擦像により確認する方法が挙げられる。
前記原子間力顕微鏡の摩擦像では、酸化領域と、非酸化領域との表面状態の差からコントラストを観察することができる。即ち、酸化領域では非酸化領域と比較して摩擦力が上昇している。これは、酸化による局所的な表面エネルギー増加に起因し、大気中のAFM測定においてAFM探針表面との相互作用の上昇を引き起こし、酸化領域の摩擦力が増加したものと解釈できる。
本発明のパターン形成方法の用途としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、モールド構造体の複製方法、半導体素子の微細パターン形成方法、磁気記録媒体の微細パターン形成方法などが挙げられる。
前記モールド構造体の複製方法としては、本発明の前記パターン形成方法により、被パターン形成体表面に形成された酸化膜のパターンをマスクにして、被パターン形成体をエッチングする方法が挙げられる。
前記エッチングとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれであっても構わない。
前記ウェットエッチングとしては、例えば、Siに対してKOH等の塩基性水溶液、SiO2に対してHF等のフッ素系水溶液、金属に対して塩酸等の酸水溶液などが挙げられる。
前記ドライエッチングとしては、例えば、RIE、イオンミリングなどが挙げられる。ドライエッチングに用いるガスは前記被パターン形成体の材質により適宜選択することができる。
前記エッチングにより、前記モールド構造体の凹凸パターンに対応する凹凸パターンを前記被パターン形成体に形成することができる。
前記半導体素子の微細パターン形成方法の一例としては、被パターン形成体として、Si基板を用い、本発明の前記パターン形成方法により、前記Si基板表面に形成された酸化膜のパターンをマスクにして、前記Si基板をウェットエッチングする方法が挙げられる。
前記ウェットエッチングとしては、例えば、KOH水溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール(EDP)、4メチル水酸化アンモニウム(TMAH)などが挙げられる。
前記エッチングにより、前記モールド構造体の凹凸パターンに対応する凹凸パターンを前記Si基板に形成することができる。
この方法をSi基板上や石英基板上に形成した金属薄膜上で行なうと、基板エッチング用のメタルマスクを形成することができる。
前記磁気記録媒体の微細パターン形成方法の例としては、被パターン形成体として、磁気記録媒体を用い、本発明の前記パターン形成方法により、前記磁気記録媒体の磁性体表面に酸化膜パターンを形成し、前記酸化膜を形成した部位の磁性を劣化させることで磁気パターンを形成することが可能であると考えられる。
また、上記の半導体素子の微細パターン形成方法のように、磁性体表面上に不動態マスクを形成してウェットエッチングによりメタルマスクを作製し、メタルマスクを用いて磁性体をエッチングすることで、DTM(ディスクリートトラックメディア)を作製することが可能である。
<親水化処理したモールド構造体を用いた酸化膜パターンの形成>
−モールド構造体−
モールド構造体として、ハーフピッチ600nm、深さ350nmのLSパターンを表面に有する石英モールド構造体を用いた。前記石英モールド構造体は、UVオゾン処理により、モールド構造体の表面を親水化した。
−被パターン形成体−
被パターン形成体として、水素終端化したSiウエハを用いた。具体的には、まず、市販のSiウエハ(信越化学工業社製)に対し、UVオゾン処理によって有機汚染層を酸化分解して除去した。次に、全有機炭素量(TOC)が50ppb以下の超純水で希釈した1%のフッ酸で処理して、表面の酸化膜を除去することにより、表面を水素終端化したSiウエハを作製した。
図2A〜図2Dに示す工程により、パターンを形成した。
図2A〜図2D中、符号21はモールド構造体を示し、符号22は活性種供給源を示し、符号23は被パターン形成体を示し、符号24aは酸化膜パターンを示す。
−−−活性種供給源付与処理−−−
前記表面を水素終端化したSiウエハ上に、活性種供給源として水を滴下した(図2A参照)。
−−−接触処理−−−
前記モールド構造体の凹凸部を、前記Siウエハに押し付け、0.5MPaで加圧した(図2B参照)。
前記モールド構造体の表面は親水化処理されているので、前記モールド構造体の凹部に前記水が封入された。
次に、前記モールド構造体を通して、低圧水銀ランプで照射強度30mW/cm2で3分間紫外線を照射した(図2C参照)。
前記紫外線を照射した後、前記Siウエハと前記モールド構造体を剥離した(図2D参照)。
<疎水化処理したモールド構造体を用いた酸化膜パターンの形成>
−モールド構造体−
モールド構造体として、ハーフピッチ600nm、深さ350nmのLSパターンを表面に有するPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)からなるモールド構造体を用いた。
−被パターン形成体−
被パターン形成体として、実施例1と同じ表面を水素終端化したSiウエハを用いた。
図3A〜図3Dに示す工程により、パターンを形成した。
図3A〜図3D中、符号21はモールド構造体を示し、符号22は活性種供給源を示し、符号23は被パターン形成体を示し、符号24は酸化膜を示し、符号24aは酸化膜パターンを示す。
−−−活性種供給源付与処理−−−
前記表面を水素終端化したSiウエハ上に、活性種供給源として水を滴下した(図3A参照)。
−−−接触処理−−−
前記モールド構造体の凹凸部を、前記Siウエハに押し付け、10Paで加圧した(図3B参照)。
前記モールド構造体の表面は疎水化処理されているので、前記モールド構造体の凸部に前記水が保持された。
次に、前記モールド構造体を通して、低圧水銀ランプで照射強度30mW/cm2で3分間紫外線を照射した(図3C参照)。
前記紫外線を照射した後、前記Siウエハと前記モールド構造体を剥離した(図3D参照)。
<表面に有機薄膜が形成された被パターン形成体に対する酸化膜パターンの形成−1>
−モールド構造体−
モールド構造体として、実施例1と同じ表面を親水化した石英モールド構造体を用いた。
−被パターン形成体−
被パターン形成体として、HMDS(ヘキサメチルジンラザン)による表面処理を行ったSi基板を用いた。具体的には、HMDSを含む溶液をSi基板上にスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分ベークすることにより、ヘキサメチルジンラザンからなる有機薄膜が表面に形成されたSi基板を作製した。
図4A〜図4Dに示す工程により、パターンを形成した。
図4A〜図4D中、符号21はモールド構造体を示し、符号22は活性種供給源を示し、符号23は被パターン形成体を示し、符号24aは酸化膜パターンを示し、符号25は有機薄膜を示す。
−−−活性種供給源付与処理−−−
前記Si基板上に、活性種供給源として水を滴下した(図4A参照)。
−−−接触処理−−−
前記モールド構造体の凹凸部を、前記Si基板に押し付け、0.5MPaで加圧した(図4B参照)。
前記モールド構造体の表面は親水化処理されているので、前記モールド構造体の凹部に前記水が封入された。
次に、前記モールド構造体を通して、低圧水銀ランプで照射強度30mW/cm2で3分間紫外線を照射した(図4C参照)。
前記紫外線を照射した後、前記Si基板と前記モールド構造体を剥離した(図4D参照)。
<表面に有機薄膜が形成された被パターン形成体に対する酸化膜パターンの形成−2>
−モールド構造体−
モールド構造体として、実施例2と同じ表面を疎水化したPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)からなるモールド構造体を用いた。
−被パターン形成体−
被パターン形成体として、実施例3と同じヘキサメチルジンラザンからなる有機薄膜が表面に形成されたSi基板を用いた。
図5A〜図5Dに示す工程により、パターンを形成した。
図5A〜図5D中、符号21はモールド構造体を示し、符号22は活性種供給源を示し、符号23は被パターン形成体を示し、符号24は酸化膜を示し、符号24aは酸化膜パターンを示し、符号25は有機薄膜を示す。
−−−活性種供給源付与処理−−−
前記Si基板上に、活性種供給源として水を滴下した(図5A参照)。
−−−接触処理−−−
前記モールド構造体の凹凸部を、前記Si基板に押し付け、10Paで加圧した(図5B参照)。
前記モールド構造体の表面は疎水化処理されているので、前記モールド構造体の凸部に前記水が保持された。
次に、前記モールド構造体を通して、低圧水銀ランプで照射強度30mW/cm2で3分間紫外線を照射した(図5C参照)。
前記紫外線を照射した後、前記Si基板と前記モールド構造体を剥離した(図5D参照)。
実施例1〜実施例4の活性種供給源付与処理において、水に代えて過酸化水素を滴下した以外は、実施例1〜実施例4と同様にして、酸化膜パターンの形成を行った。
実施例5〜実施例8で酸化膜パターンの形成を行った被パターン形成体について、AFM(SII社製、SPI4000/SPA−300HV)により摩擦像を観察したところ、実施例5では、前記Siウエハには前記モールド構造体の凹部に対応した箇所に酸化膜が形成されていることを確認でき、実施例6では、前記Siウエハには前記モールド構造体の凸部に対応した箇所に酸化膜が形成されていることを確認でき、実施例7では、前記Si基板のモールド構造体の凹部に対応した箇所ではHDMS層が酸化反応によって分解除去され、露出したSi基板表面上に酸化膜が形成されていることを確認でき、実施例8では、前記Si基板のモールド構造体の凸部に対応した箇所ではHDMS層が酸化反応によって分解除去され、露出したSi基板表面上に酸化膜が形成されていることを確認できた。
<磁気記録媒体への酸化膜パターンの形成>
−モールド構造体−
モールド構造体として、凹部4μm幅、凸部16μm幅のラインパターンを表面に有する石英モールド構造体を用いた。前記石英モールド構造体は、UVオゾン処理により、モールド構造体の表面を親水化した。
−被パターン形成体−
被パターン形成体として市販のハードディスク(昭和電工社製)を用いた。市販のハードディスクには潤滑層とカーボン保護層を表面に有するため、プラズマアッシングにより前記潤滑層とカーボン保護層を除去して磁性層を表面に露出させた。
図2A〜図2Dに示す工程により、パターンを形成した。
−−−活性種供給源付与処理−−−
前記ハードディスクの磁性体上に、活性種供給源として水を滴下した(図2A参照)。
−−−接触処理−−−
前記モールド構造体の凹凸部を、前記ハードディスクに押し付け、0.5MPaで加圧した(図2B参照)。
前記モールド構造体の表面は親水化処理されているので、前記モールド構造体の凹部に前記水が封入された。
次に、前記モールド構造体を通して、低圧水銀ランプで照射強度30mW/cm2で3分間紫外線を照射した(図2C参照)。
前記紫外線を照射した後、前記ハードディスクと前記モールド構造体を剥離した(図2D参照)。
実施例9では、前記モールド構造体の表面は親水化処理されているので、前記モールド構造体の凹部に対応する部位が酸化され、非酸化領域62との表面状態の差から摩擦像上でコントラストが観察された。酸化領域61に対応する部位では非酸化領域62と比較して摩擦力が上昇していた。これは、酸化による局所的な表面エネルギー増加に起因し、大気中のAFM測定においてAFM探針表面との相互作用の上昇を引き起こし、酸化領域の摩擦力が増加したものと解釈できる。
以上から、前記ハードディスクの磁性体上には前記モールド構造体の凹部に対応した箇所に酸化膜が形成されていることを確認できた。
実施例1〜9で形成した酸化膜のパターンの欠陥を以下のように測定し、下記の評価基準により評価した。結果を表1に示す。
−欠陥の測定−
AFM摩擦像を酸化膜パターン上における任意の100μm角領域(1024×1024ピクセル)で測定し、ラインパターンの欠損ピクセル数を全体のピクセル数で除することにより、欠陥発生率を評価した。
2 樹脂層
3 モールド構造体
10 構造物
21 モールド構造体
22 活性種供給源
23 被パターン形成体
24 酸化膜
24a 酸化膜パターン
25 有機薄膜
61 酸化領域
62 非酸化領域
Claims (7)
- 被パターン形成体に活性種供給源を付与する活性種供給源付与工程と、
前記活性種供給源に励起光を照射し、前記被パターン形成体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 活性種供給源付与工程が、被パターン形成体、及び表面に凹凸部を有するモールド構造体の少なくともいずれかに活性種供給源を付与する処理と、前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体に接触させる処理とを含み、
酸化膜形成工程が、前記モールド構造体、及び前記被パターン形成体のいずれかを通して活性種供給源に励起光を照射し、前記凹凸部に対応する被パターン形成体の表面に酸化膜を形成する請求項1に記載のパターン形成方法。 - 被パターン形成体が、少なくとも表面に金属、及び半導体のいずれかを含む請求項1から2のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 被パターン形成体が、表面に有機薄膜が形成されてなる請求項1から3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- モールド構造体が、石英、及び透明樹脂のいずれかからなる請求項2に記載のパターン形成方法。
- 活性種供給源として、水、及び過酸化水素のいずれかを含む請求項1から5のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 励起光として、紫外線を含む請求項1から6のいずれかに記載のパターン形成方法。
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