JP2009218554A - インプリント法およびインプリントモールド、インプリント装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のインプリント法は、赤外線光硬化性樹脂を用いて露光光に赤外線を用いることを特徴とする。本発明の構成によれば、赤外線にて露光することにより、転写基材とインプリントモールドに加熱・冷却のサイクルを行うことがなく、パターンを転写することが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写基材とインプリントモールドと熱膨張を抑制できパターン転写の位置精度を向上させることが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写工程に要する時間を削減することが出来、スループットの向上を行うことが出来る。
【選択図】 図3
Description
まず、転写パターンを形成しようとする転写基材上に、熱可塑性を示す樹脂を塗布し、加熱し、樹脂を軟化させる(図1(a))。
次に、転写基材の樹脂の塗布面側にインプリントモールドの凹凸パターン面側が対向するように転写基材とインプリントモールドとを重ね合わせ圧着する(図1(b))。
次に、圧着した状態で樹脂が硬化するまで冷却し、インプリントモールドを脱着する。これにより、転写基材上の樹脂には、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する転写パターンが形成される(図1(c))。
次に、インプリントモールドの凸部に相当する部分が転写基板上に薄い残膜として残るため、残膜を除去する(図1(d))。
本発明の構成によれば、赤外線にて露光することにより、転写基材とインプリントモールドに加熱・冷却のサイクルを行うことがなく、パターンを転写することが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写基材とインプリントモールドと熱膨張を抑制できパターン転写の位置精度を向上させることが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写工程に要する時間を削減することができスループットの向上を行うことが出来る。
まず、転写基材に赤外線光硬化性樹脂を積層する。赤外線光硬化性樹脂は、赤外線(波長=0.7μmから1000μm)が照射されたとき、硬化する樹脂である。転写基材に積層する方法としては、適宜公知の薄膜形成方法を用いて良い。例えば、スピンコート法などを用いても良い。
次に、赤外線光硬化性樹脂が積層された転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する。このとき、転写基材とインプリントモールドと位置合わせ(アライメント)を行うことが好ましく、位置合わせ(アライメント)用のアライメントマークを設けた転写基材およびインプリントモールドを用いても良い。
次に、転写基材とインプリントモールドとを接近し、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する。このとき用いるインプリントモールドは赤外線を透過することの出来るインプリントモールドであることが求められる。赤外線を透過するインプリントモールドを用いるとき、赤外線はインプリントモールドの凹凸パターン形成側とは反対側から露光光を照射する。
本発明のインプリント法を好適に行うためには、インプリントモールドに用いる基板は赤外線を透過する基板を加工して製造することが好ましい。
凹凸パターンは、所望する転写パターンに応じて、適宜設計し、適宜公知の微細加工方法により形成して良い。このとき、微細加工方法としては、例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法(レーザ加工、マシニング加工、研削加工など)などを用いても良い。
赤外線遮断膜は、凹凸パターンの転写させない部位に形成され、赤外線(波長=0.7μmから1000μm)を遮断/反射させるために設けられる。赤外線遮断膜は、赤外線(波長=0.7μmから1000μm)を遮断/反射させる特性を示す材料であればそれで足るものであり、該特性を満たす合金、樹脂、セラミックスなどを適宜選択し用いて良い。また、赤外線吸収によりインプリントモールドの温度が上昇してしまうため、赤外線を反射する膜の方がより望ましい。
赤外線遮断膜を設けることにより、赤外線を露光する工程において、凹凸パターンの部位に照射される赤外線を一部、遮断/反射することになり、該当部分の樹脂の硬化を行わないことが出来る。このとき、硬化されなかった樹脂は、続く現像工程などにおいて除去を行うことが容易である。よって、残膜の発生をなくし、良好な転写パターンを得ることが出来る。
<インプリントモールドの製造>
まず、インプリントモールドに用いる基板としてp型の8インチシリコン基板を準備し、この基板にスパッタ法にて、赤外線遮断膜としてアルミニウム100nmを均一に成膜した(図2(a))。
このとき、スパッタの条件は、ガス圧を0.4Pa、放電電力を500Wとした。
このとき、電子線露光の条件は、描画時のドーズを100μC/cm2、現像時間を1分とした。
このとき、最表面であるアルミニウムのエッチング条件は、Cl2流量30sccm、CHCl3流量10sccm、Ar流量50sccm、圧力2Pa、ICPパワー500W、RIEパワー500Wとし、シリコンエッチングの条件は、CF4流量30sccm、O2流量30sccm、Ar流量50sccm、圧力2Pa、ICPパワー500W、RIEパワー500Wとした。
以上より、本発明のインプリントモールドを製造することが出来た。
<インプリント法>
まず、インプリント法を行う前処理として、実施例1にて製造されたインプリントモールドの凹凸パターン面に、離型剤としてフッ素系表面処理剤(住友3M製、商品名:EGC−1720)を浸漬処理した(図3(a))。
このとき。インプリント条件は、露光量1000μC/cm2、保持時間1分とした。
2…転写基材
3…熱インプリントモールド
4…残膜
5…転写パターン
6…赤外線遮断膜
7…基板
8…電子線用レジスト
8A…レジストパターン
9…電子線露光
10…凹凸パターン
11…インプリントモールド
12…剥離剤
13…赤外線露光
Claims (9)
- 転写基材に赤外線光硬化性樹脂を積層する工程と、
前記転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する工程と、
前記転写基材とインプリントモールドとを接近し、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程と、
を備えたことを特徴とするインプリント法。 - 請求項1に記載のインプリント法であって、
赤外線を露光する工程にあって、転写基材とインプリントモールドとを冷却すること
を特徴とするインプリント法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のインプリント法であって、
インプリントモールドと転写基材とは、熱膨張率が同じ材料からなること
を特徴とするインプリント法。 - 凹凸パターンを転写するために用いるインプリントモールドにおいて、
基板と、
前記基板に形成された凹凸パターンと、
前記凹凸パターンの転写させない部位に形成され、赤外線を遮光または反射する赤外線遮断膜と、
を備えたことを特徴とするインプリントモールド。 - 請求項4に記載のインプリントモールドであって、
基板は、シリコン基板であること
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項4または5のいずれかに記載のインプリントモールドであって、
赤外線遮断膜は、
アルミニウム(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)からなる群から選ばれた一つ以上の材料を含むこと
を特徴とするインプリントモールド。 - 凹凸パターンを転写するために用いるインプリント装置において、
露光光として、赤外線を用いること
を特徴とするインプリント装置。 - 請求項1に記載のインプリント法であって、
赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程にあたり、
インプリントモールド側から赤外線を照射すること
を特徴とするインプリント法。 - 請求項1に記載のインプリント法であって、
赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程にあたり、
転写基材側から赤外線を照射すること
を特徴とするインプリント法。
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