JP6115300B2 - インプリント用モールド、インプリント方法、パターン形成体 - Google Patents
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
これらの問題は、半導体デバイスの製造のみならず、ディスプレイや記録メディア、バイオチップ、光デバイス等、フォトリソグラフィ法を用いる様々なパターン形成においても、同様に当てはまる。
そこで、近年、インプリント法と呼ばれる、簡便でありながら従来の方法よりも微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている(非特許文献1参照)。
また、小さなモールドを用いて連続転写を行う、ステップリピート方式が研究されている(特許文献1参照)。
次に、図1(b)に示すように、被転写樹脂層12にモールド10を押し当て、図1(c)に示すように、UV光(紫外線)を照射して被転写樹脂層12を硬化させる。
次に、図1(d)に示すように、モールド10を基材11から剥離する。以上により、被転写樹脂層12にパターン13が形成される。
このようにして、硬化したパターン13に隣接した領域にインプリントを行う工程を繰り返すことにより、図1(g)〜(i)に示すように、大面積にパターン13を形成することができる。
このため、ステップアンドリピート方式で大面積にインプリントを行うと、図1(i)に示すように、基材11上に未硬化の樹脂14が残ってしまう。
また、このことは、樹脂製のパターン13を備えた基材11を後の工程で処理する際に、未硬化の樹脂14が治具や装置に付着し、汚染の原因となるため、問題となる。
また、はみ出した樹脂を後で洗浄する方法が提案されているが、はみ出した樹脂を確実に未硬化のまま残すためには、モールド作製工程が複雑になる(特許文献4参照)。
また、パターン転写モールド20の作製方法としては、適宜公知のモールド作製方法を用いて良い。
なお、パターン転写モールド20のパターン201が形成された面に、離型性向上のための表面処理を行っても良い。例えば、フッ素ポリマー加工やプラズマ処理等を行っても良い。
残留樹脂硬化モールド30の材質は、適宜選択して良い。残留樹脂硬化モールド30の材質としては、例えば、シリコン、石英、ニッケル等を好適に用いて良い。
また、残留樹脂硬化モールド30の作製方法としては、適宜公知のモールド作製方法を用いて良い。
この場合、残留樹脂硬化モールド30に形成された格子状パターン301において、互いに隣接する凹部303間のピッチA(図3参照)は、パターン転写モールド20の一辺の長さA(図2参照)と等しいことが望ましい。
また、この場合、残留樹脂硬化モールド30に形成するパターン301の深さCは、パターン転写モールド20に形成されたパターン201の高さBより大きいことが望ましい。これは、残留樹脂硬化モールド30の凹部303とパターン201とが干渉しないようにするためである。
なお、格子状パターン301を含む残留樹脂硬化モールド30の被転写樹脂層と接触する面に、離型性向上のための表面処理を行っても良い。例えば、フッ素ポリマー加工やプラズマ処理等を行っても良い。
基材11は、用途に応じて適宜選択して良い。基材11としては、例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、SOI基板等を好適に用いて良い。
ここで、例えば、基材として石英基板を用いた場合、石英は一般的な露光光に対して透過性を有しており、基材の背面側から露光を行う光インプリントに本発明の実施の形態に示すインプリント方法を用いる場合に好適である。
なお、被転写樹脂層12にパターン13を転写した時、パターン転写モールド20の外周囲に未硬化の樹脂14がはみ出して残留する。
以下同様にして、図5(g)〜(i)、図6(g)、(i)に示すように、上述の工程を繰り返すことにより、基材11上の被転写樹脂層12に二次元方向に一定の間隔で配列されたパターン13を形成する。
すなわち、図5(j)に示すように、基材11上の未硬化の樹脂14と残留樹脂硬化モールド30の凸部302が重なるように、かつ残留樹脂硬化モールド30の凹部303にパターン13が収容されるようにアライメントする。その後、図5(k)に示すように、残留樹脂硬化モールド30の凸部302を未硬化の樹脂14に押し当て、未硬化の樹脂14を、互いに隣接するパターン13間に形成された残膜15の上面と一致するように平らにならす。しかる後、残留樹脂硬化モールド30の背面側からUV光を照射することで、平らにならされた未硬化の樹脂を硬化させる。次に、図5(m)、図6(m)に示すように、残留樹脂硬化モールド30を基材11から剥離する。
パターン転写モールド20を構成する基板には石英基板を用いた。
パターン転写モールドの作製に際しては、まず、図7(a)に示すように、石英基板41上にハードマスク層としてCr膜を30nmの厚さに成膜してCr層42を形成し、このCr層42上にポジ型レジストFEP−171(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を200nmの厚さにコートしてレジスト膜43とした。
次に、O2プラズマアッシング(条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RIEパワー1000W)によってレジストパターン44を剥離した。
次に、図7(f)に示すように、残存したCrパターンのウェット洗浄を行った後、フッ素系離型剤を用いて離型処理を行った。
以上より、パターン転写モールド20を得ることができた。
残留樹脂硬化モールド30を構成する基板には石英基板を用いた。
残留樹脂硬化モールドの作製に際しては、まず、図8(a)に示すように、石英基板41上にハードマスク層としてCr膜を30nmの厚さに成膜してCr層42を形成し、このCr層42上にポジ型レジストFEP−171(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を200nmの厚さにコートしてレジスト膜43とした。
次に、O2プラズマアッシング(条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RIEパワー1000W)によってレジストパターン44を剥離した。
以上より、残留樹脂硬化モールド30を得ることができた(図8(e)、図9)。
まず、基材11にはシリコンウエハを用いた。シリコンウエハ11上に光硬化性樹脂PAK−01(東洋合成工業社製)を250nmの厚さにコートし、被転写樹脂層12とした(図5(a))。
次に、パターン転写モールド20の裏側から、高圧水銀灯を光源として、20mJ/cm2の露光を行って被転写樹脂層12を硬化させた(図5(c))。
次に、被転写樹脂層が硬化した領域に隣接する領域の被転写樹脂層12に、パターン転写モールド20のパターン201が形成された面が対向するようにしてパターン転写モールド20を押し当て(図5(e)、図10(e))、UV光を照射して被転写樹脂層12を硬化させた後(図5(f))、パターン転写モールド20をシリコンウエハ11から剥離することにより、硬化された樹脂からなるパターン13を得た(図10(f))。
上記の転写工程を計12回行い、図5(i)、図10(i)に示すようにシリコンウエハ11上に硬化された樹脂からなるパターン13を得た。
まず、パターン13が形成されたシリコンウエハ11上の未硬化の樹脂14に、残留樹脂硬化モールド30に形成された格子状パターン301の凸部302が対向するようにアライメントし、その凸部302を未硬化の樹脂14に押し当て、未硬化の樹脂14を平らにならした(図5(k))。
次に、図11(b)に示すように、樹脂パターン13をエッチングマスクとして、シリコンウエハ11のエッチングを行った。このとき、シリコンウエハ11のエッチング条件は、CF4流量30sccm、C4F8流量20sccm、圧力30Pa、ICPパワー500W、RIEパワー50Wであった。
以上より、大面積にパターン16が形成されたシリコンウエハ17を得ることができた。
また、本発明において使用される被転写樹脂層12は、光硬化性樹脂に限定されず、熱硬化性の樹脂を用いることもできる。
11…基材(シリコンウエハ)
12…被転写樹脂層
13…硬化樹脂パターン
14…未硬化の樹脂
15…残膜
16…パターン
17…パターンが形成されたシリコンウエハ
20…パターン転写モールド
201…凹凸パターン
30…残留樹脂硬化モールド
301…格子状パターン
302…格子状パターンの凸部
303…格子状パターンの凹部
41…石英基板
42…Cr層
43…レジスト膜
44…レジストパターン
45…Crパターン
46…パターンが形成された石英基板
Claims (8)
- 基材の表面上に塗布された被転写樹脂層に、凹凸からなるパターンを転写させるパターン転写モールドと、
前記パターン転写モールドによる複数回のパターン転写後に前記パターン転写モールドの外周囲にはみ出して残留する複数の前記被転写樹脂層の部分を一括して平らにならし硬化させる残留樹脂硬化モールドと、
を備えることを特徴とするインプリント用モールド。 - 前記残留樹脂硬化モールドは、前記被転写樹脂層に転写された各パターンをパターン毎に収容する二次元方向に配列された複数の凹部と、前記複数の凹部を取り囲み前記残留する複数の被転写樹脂層の部分に対向する凸部とからなるパターンを有し、
前記凹部の平面視形状は、前記パターン転写モールド外形の平面視形状と一致する、
ことを特徴とする請求項1記載のインプリント用モールド。 - 前記パターン転写モールドは平面視形状が正方形を呈し、
前記残留樹脂硬化モールドは、前記被転写樹脂層に転写された各パターンをパターン毎に収容する二次元方向に配列された複数の凹部と、前記複数の凹部を取り囲み前記残留する複数の被転写樹脂層の部分に対向する凸部とからなる格子状パターンを有し、
隣り合う前記凹部のピッチは、前記パターン転写モールドの1辺の長さに等しい、
ことを特徴とする請求項1または2記載のインプリント用モールド。 - 前記パターン転写モールドは平面視形状が長方形を呈し、
前記残留樹脂硬化モールドは、前記被転写樹脂層に転写された各パターンをパターン毎に収容する二次元方向に配列された複数の凹部と、前記複数の凹部を取り囲み前記残留する複数の被転写樹脂層の部分に対向する凸部とからなる格子状パターンを有し、
隣り合う前記凹部の縦方向及び横方向のピッチは、前記パターン転写モールドの縦及び横の1辺の長さにそれぞれ等しい、
ことを特徴とする請求項1または2記載のインプリント用モールド。 - 前記残留樹脂硬化モールドを構成する前記凹部の深さは、前記パターンと干渉しないように前記パターンの高さよりも大きいことを特徴とする請求項2乃至4の何れか1項記載のインプリント用モールド。
- 基材の上面に被転写樹脂層を塗布する樹脂塗布工程と、
前記被転写樹脂層にパターン転写モールドにより凹凸からなるパターンを複数回転写し前記パターンを二次元方向に一定の間隔で形成するパターン転写工程と、
前記パターン転写工程後、前記パターン転写モールドの外周囲にはみ出して残留する複数の前記被転写樹脂層の部分を残留樹脂硬化モールドにより一括して平らにならし硬化させる残留樹脂硬化工程と、
を備えることを特徴とするインプリント方法。 - 前記被転写樹脂層は、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項6記載のインプリント方法。
- 前記被転写樹脂層は光硬化性樹脂からなり、前記パターン転写モールド及び前記残留樹脂硬化モールドは光透過性材料から形成されることを特徴とする請求項6または7記載のインプリント方法。
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