JP2011023660A - パターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、前記レジスト材料を吸引後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。
【選択図】 図3
Description
2 被転写膜
3 有機材料
4、6、25 テンプレート
5 光(UV)
7、26 転写パターン領域
8、27 非パターン領域
9、28 吸引溝
11、31 被加工基板
12、32 絶縁膜
13、30 インプリント剤
14 吸引ヘッド
15 ステージ定盤
16 試料ステージ
17 ウェハチャック
18 基準マーク
19 チャック
20 原版ステージ
21 ベース
22 合わせズレ検査機構
23 アライメントセンサ
24 UV光源
29 遮光膜
Claims (6)
- テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、
前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、
前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、
前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、
前記レジスト材料を吸引後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、
前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。 - テンプレートの凹凸パターンにレジスト材料を充填するパターン転写方法であって、
前記テンプレートは所定の領域に貫通溝を有し、
前記テンプレートを基板上に塗布された前記レジスト材料に接触させる工程と、
前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で前記レジスト材料を硬化させる工程と、
前記レジスト材料を硬化後、前記レジスト材料に前記テンプレートを接触させた状態で余剰な前記レジスト材料を前記貫通溝から吸引する工程と、
前記レジスト材料から前記テンプレートを離す工程とを有することを特徴とするパターン転写方法。 - 余剰な前記レジスト材料に光が照射されないように前記レジスト材料を硬化させることを特徴とする請求項2記載のパターン転写方法。
- 前記貫通溝は、転写パターンが形成された転写パターン領域の周囲に、少なくとも前記転写パターン領域の各辺と同じ長さの吸引溝9が前記転写パターン領域に対向して形成されていることを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれか1項記載のパターン転写方法。
- 転写パターン及び非パターン領域を有するテンプレートを、ショット毎に被加工基板上のレジスト材料に接触させ、前記パターンを順次転写していくパターン転写方法であって、
前記ショットのうち、隣接する二つのショットにおいて前記非パターン領域の少なくとも一部が重複するように配置されることを特徴とするパターン転写方法。 - 前記重複した非パターン領域に形成される前記レジスト材料の膜厚は、前記重複した非パターン領域外の非パターン領域に形成される前記レジスト材料の膜厚と等しいことを特徴とする請求項5記載のパターン転写方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009169242A JP2011023660A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | パターン転写方法 |
US12/718,778 US20110012297A1 (en) | 2009-07-17 | 2010-03-05 | Pattern transfer method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009169242A JP2011023660A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | パターン転写方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023660A true JP2011023660A (ja) | 2011-02-03 |
Family
ID=43464707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009169242A Pending JP2011023660A (ja) | 2009-07-17 | 2009-07-17 | パターン転写方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110012297A1 (ja) |
JP (1) | JP2011023660A (ja) |
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2009
- 2009-07-17 JP JP2009169242A patent/JP2011023660A/ja active Pending
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Publication number | Publication date |
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US20110012297A1 (en) | 2011-01-20 |
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