JP2013033878A - 半導体インプリント用テンプレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹凸パターンを形成したテンプレートを、光硬化性材料に押し付けると共に、前記光硬化性材料を光硬化させて前記凹凸パターンを転写するインプリント用テンプレートであって、インプリントに際して、前記光硬化性材料が毛細管力によって前記テンプレートのフィールドエッジに沿って均一に濡れ広がるのを補助し、かつ余分な前記光硬化性材料を吸収するための補助パターンが設けられており、前記補助パターンが、前記フィールドエッジの周辺に、前記フィールドエッジに平行に設けられているセグメント化された複数の凹部からなるラインパターンであることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
石英ガラス上にスパッタリング法により石英エッチングマスク膜としてクロム膜を10nmの厚さに成膜した。次に、クロム膜上に電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、主パターンと補助パターンのレジストパターンを形成した。
実施例1と同様にして、石英ガラスに主パターンとなる凹凸パターンと補助パターンとなるセグメント化された複数の凹部からなるラインパターンを形成したテンプレートを作製した。
11 光透過性基材
12 主パターン
13 補助パターン
14 フィールドエッジ
15 レジスト
31 フィールド
32 パターンA
33 パターンB
41、43 レジストパターン
42、44 残膜
54 フィールドエッジ
55 展開したレジスト
55a 滴下レジスト
56 展開したレジスト
56a 滴下レジスト
Claims (4)
- 光透過性基材の一主面に凹凸パターンを形成したテンプレートを、被加工基板上の光硬化性材料に押し付けると共に、前記テンプレートを介して前記光硬化性材料を感光させる光を照射することによって、前記光硬化性材料を光硬化させて前記凹凸パターンを転写するインプリント用テンプレートであって、
インプリントに際して、前記光硬化性材料が毛細管力によって前記テンプレートのフィールドエッジに沿って均一に濡れ広がるのを補助し、かつ余分な前記光硬化性材料を吸収するための補助パターンが設けられており、
前記補助パターンが、前記フィールドエッジの周辺に、前記フィールドエッジに平行に設けられているセグメント化された複数の凹部からなるラインパターンであることを特徴とするインプリント用テンプレート。 - 前記光硬化性材料が、インクジェット方式で塗布形成されたことを特徴とする請求項1に記載のインプリント用テンプレート。
- 前記ラインパターンが、パターン幅500nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のインプリント用テンプレート。
- 前記補助パターンが、前記フィールドのスクライブ領域でない前記フィールドエッジの周辺に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のインプリント用テンプレート。
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