JP6019685B2 - ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
図1及びそれに続く図2は、本発明のナノインプリント方法の第1の実施形態を示す工程断面模式図である。
図1(b)に示すように、被加工基板17を準備し、その加工すべき表面に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化性樹脂層18を形成する。一方、転写すべき凹凸パターンを設けた上記のテンプレート10を用意する。
図3及びそれに続く図4は、本発明のナノインプリント方法の第2の実施形態を示す工程断面模式図である。本実施形態は、マスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造するのに好適なナノインプリント方法である。以下、レプリカテンプレートを例にしての第2の実施形態を説明するが、第1の実施形態と共通する内容については説明を省略する。
一方、転写すべき凹凸パターン39を設けたテンプレート(マスターテンプレートとも言う)38を用意する。
本発明のナノインプリント装置は、上記のナノインプリント方法を用いた装置であり、テンプレートもしくは被加工基板の段差構造の領域外の少なくとも2箇所以上で、テンプレートもしくは被加工基板の傾きまたはテンプレートと被加工基板との間隔を計測する測定器を備えることにより、テンプレートを被加工基板に押し付ける力を調節することができ、転写パターンのパターン歪みを低減させることが可能なナノインプリント用装置である。上記の傾きまたは間隔を計測する測定器としては、レーザ顕微鏡またはオートコリメータを用いるのが好ましい。
次に、実施例により本発明を説明する。
ナノインプリント用のテンプレートとして、外形が6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板の第1の主面に、周囲よりも30μm高い面積25mm×30mmの段差構造(メサ構造)を有し、この段差構造に凹凸パターンが形成され、第2の主面に、第1の主面のパターン領域と重なり、かつ、第1の主面のパターン領域よりも広い面積を有する直径60mmの円形状のくぼみを有する基板を準備した。くぼみを形成している箇所の石英ガラス基板の厚さは1mmとした。
本実施例は、レプリカテンプレートを作製する例である。ナノインプリント用のマスターテンプレートとして、大きさ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板の一主面上に電子線レジストを厚さ200nmで塗布し、電子線描画し、現像してレジストパターンを形成した後、石英ガラスをCF4ガスでドライエッチングした後、レジストパターンを剥離して、石英ガラスに凹凸パターンを形成したマスターテンプレートを作製した。
11 第1の主面
12 第2の主面
13 パターン領域
14 段差構造
15 くぼみ
16 底面
17 被加工基板
18 光硬化性樹脂層
19 押し付ける力
20 転写パターンを形成した被加工基板
21 測定器
22 背圧力(バックプレッシャー)
23 光(紫外光)
24 硬化した光硬化性樹脂層
25 硬化した光硬化性樹脂パターン
26 凹凸の転写パターン
30 被加工基板
31 第1の主面
32 第2の主面
33 パターン領域
34 段差構造
35 くぼみ
36 底面
37 光硬化性樹脂層
38 テンプレート(マスターテンプレート)
39 凹凸パターン
40 転写パターンを形成した被加工基板(レプリカテンプレート)
41 測定器
42 押し付ける力
43 光(紫外光)
44 硬化した光硬化性樹脂層
45 硬化した光硬化性樹脂パターン
46 凹凸の転写パターン
51 テンプレート
52 被加工基板
53 ナノインプリント領域(段差構造領域)の境界付近
54 段差構造
55 インプリント領域
56 段差構造の境界
57 間隔(ギャップ)
61 パターン形成装置
62 被転写基板
63 ステージ
64 テンプレート
65 テンプレートチャック
66 高分子材料
67 アクチュエータ・システム
Claims (7)
- 被加工基板上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを設けた光透過性のテンプレートを押し付け、前記テンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記テンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型し、前記被加工基板上に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被加工基板をエッチングして、前記被加工基板に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント方法であって、
前記テンプレートが、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面が、周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記段差構造に前記凹凸パターンを設けたパターン領域が形成されており、前記第1の主面に相対する前記第2の主面が、前記第1の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第1の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、
前記光硬化性樹脂層に前記テンプレートを押し付けるに際し、
前記テンプレートの前記くぼみを備えた領域の前記段差構造の領域外の少なくとも2箇所以上で、前記テンプレートの局所的な傾きまたは前記テンプレートと前記被加工基板との局所的な間隔を計測し、計測した前記傾きまたは前記間隔の大きさに基づいて前記押し付ける力を調節して、前記転写パターンの設計値からの位置ずれ量を低減させることを特徴とするナノインプリント方法。 - 被加工基板上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを設けた光透過性のテンプレートを押し付け、前記テンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記テンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型し、前記被加工基板上に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被加工基板をエッチングして、前記被加工基板に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント方法であって、
前記テンプレートが、平行平面の光透過性基板上に前記凹凸パターンを設けたパターン領域が形成され、段差構造及びくぼみを有していないテンプレートであり、
前記被加工基板が、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面が、前記転写パターンを形成するパターン領域として周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記第1の主面に相対する前記第2の主面が、前記第1の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第1の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、
前記光硬化性樹脂層に前記テンプレートを押し付けるに際し、
前記被加工基板の前記くぼみを備えた領域の前記段差構造の領域外の少なくとも2箇所以上で、前記被加工基板の局所的な傾きまたは前記テンプレートと前記被加工基板との局所的な間隔を計測し、計測した前記傾きまたは前記間隔の大きさに基づいて前記押し付ける力を調節して、前記転写パターンの設計値からの位置ずれ量を低減させることを特徴とするナノインプリント方法。 - 前記テンプレートもしくは前記被加工基板の傾き、または前記テンプレートと前記被加工基板との間隔を計測するのに、レーザ顕微鏡またはオートコリメータを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のナノインプリント方法。
- 前記段差構造の境界領域の前記テンプレートの押し付ける力を局所的に制御して、前記押し付ける力を調節することを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント方法。
- 前記テンプレートもしくは前記被加工基板の前記くぼみ内の圧力を制御して、前記押し付ける力を調節することを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント方法。
- 前記テンプレートが、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント方法。
- 請求項1から請求項6までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント方法を用いたことを特徴とするナノインプリント装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089291A JP6019685B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089291A JP6019685B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013219230A JP2013219230A (ja) | 2013-10-24 |
JP6019685B2 true JP6019685B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=49590996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089291A Active JP6019685B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6019685B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11820068B2 (en) | 2020-06-02 | 2023-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6569189B2 (ja) * | 2014-04-01 | 2019-09-04 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びその製造方法、インプリント方法、インプリントモールド及びその再生方法 |
JP6361317B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 位置精度推定方法及び位置精度保証方法 |
JP6611450B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-11-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
JP6570914B2 (ja) | 2015-08-03 | 2019-09-04 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント方法 |
JP2017157639A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP7053587B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-04-12 | イラミーナ インコーポレーテッド | インプリント基板 |
JP6846172B2 (ja) | 2016-11-21 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | モールド、製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6821408B2 (ja) * | 2016-11-28 | 2021-01-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
US10969680B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for adjusting a position of a template |
JP2019176167A (ja) * | 2019-05-17 | 2019-10-10 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用構造体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080160129A1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template |
JP2006255942A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク基板成形用金型装置 |
JP4736821B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2011-07-27 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP5412713B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2014-02-12 | 大日本印刷株式会社 | 測定システム、測定方法及びプログラム |
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JP5597444B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-10-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
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2012
- 2012-04-10 JP JP2012089291A patent/JP6019685B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
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JP2013219230A (ja) | 2013-10-24 |
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Legal Events
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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