JP5587672B2 - マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 - Google Patents
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ここで、第1の発明の特徴において、エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが好ましい。あるいは、エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うか、若しくは、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが望ましい。
また、凹部は、第2の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されていることが望ましい。これにより、モールドパターンの総ての部分を変形させることができる。また、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部と第1の主表面との境界部分がモールドパターン形成領域に掛からないため、第2の主表面のモールドパターン形成領域の全体に光が入射して、光硬化樹脂の全体を硬化させることができる。
さらに、第1の発明の特徴において、基板を準備する工程は、第1の主表面および第2の主表面がともに、基板の中心を基準とした132mm角内の領域での平坦度が0.3μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下である基板を準備することが好ましい。この場合、基板は、石英ガラスまたはSiO2−TiO2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
図1(a)及び図1(b)を参照して、本発明の第1の実施の形態に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板5の構成を説明する。図1(a)は断面図であり、図1(b)は第1の主表面SF1側から見た上面図である。
研削工程において形成される凹部SCVの深さdp1は、図1の凹部CVの深さDP(所定深さ)よりも浅い。底面BFと底面bf1との差である深さdp2は、この研削工程の後工程であるエッチング工程で除去される。研削工程で凹部SCVを形成する際、底面bf1には大きな加工圧力が加わっており、底面bf1の表面から第2の主表面SF2に向かう方向の所定厚さの範囲の基板内部には、第2の主表面SF2の平坦度を悪化させてしまう大きさの残留応力が残存する。エッチング工程で除去される基板の深さdp2(所定量)は、その残留応力が残存する所定厚さと少なくとも同じである必要があり、それよりも大きくすることが好ましい。よって、研削工程で形成される凹部SCVの深さdp1は、最大でも、凹部形成前の基板の厚さから、マスクブランク用基板5の凹部CVの底面BFと第2の主表面SF2との距離(厚さ)THとエッチング工程で除去される基板の深さdp2を差し引いた深さとなる。
第2の実施の形態では、上記したマスクブランク用基板5を用いたインプリントモールド用マスクブランクの製造方法について説明する。
第3の実施の形態では、上記したインプリントモールド用マスクブランク3を用いたインプリントモールドの製造方法について説明する。
図1(a)及び図1(b)の基板11に相当する152mm角の基板を用意し、この基板の第1の主表面SF1に直径70mmφ、深さ5mmの円形の凹部を形成した。凹部の形成は、総て座繰り加工(研削加工)を用いて行った。
3 インプリントモールド用マスクブランク
4 薄膜
5 マスクブランク用基板
9 モールドパターン
11 基板
BF、bf1 底面
CV、SCV 凹部
MR モールドパターン形成領域
SD、sd1 側壁
SF1 第1の主表面
SF2 第2の主表面
Claims (13)
- インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
対向する第1の主表面及び第2の主表面を備える基板を準備する工程と、
前記基板の第1の主表面における前記第2の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域を前記第2の主表面の方向に研削して、凹部を形成する研削工程と、
前記凹部の底面に対し、前記第2の主表面の方向に1μm以上1mm以下の深さでエッチングをさらに行い、所定深さの凹部を形成するエッチング工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程は、ウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程は、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定深さは、前記凹部の底面と前記第2の主表面との間の距離が0.5mm以上2.0mm以下となる深さであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程の後に、前記凹部の底面の表面粗さを算術平均粗さRaで0.3nm以下にまで平坦化する平坦化工程を更に備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板と前記凹部の各中心の位置が一致している、または前記各中心の位置のずれが100μm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板を準備する工程は、第1の主表面および第2の主表面がともに、基板の中心を基準とした132mm角内の領域での平坦度が0.3μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下である基板を準備することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板は、石英ガラスまたはSiO 2 −TiO 2 系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第2の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項10記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項10記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 請求項10から12のいずれか一項に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法によって製造されたインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜及びマスクブランク用基板をエッチング加工するエッチング工程を備えることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010123771A JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010123771A JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011245816A JP2011245816A (ja) | 2011-12-08 |
JP2011245816A5 JP2011245816A5 (ja) | 2013-05-30 |
JP5587672B2 true JP5587672B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=45411673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010123771A Active JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5587672B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5935385B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート |
JP5942551B2 (ja) * | 2012-04-03 | 2016-06-29 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 |
JP6019685B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
JP6028413B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
JP5823937B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2015-11-25 | 株式会社東芝 | モールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法 |
JP5983218B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-08-31 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP6206632B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2017-10-04 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用ブランクスおよびナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP6252098B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 角形金型用基板 |
JP6209903B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-10-11 | 大日本印刷株式会社 | 検査方法、ナノインプリント用モールド製造方法、ナノインプリント方法、および、検査装置 |
JP6277663B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-02-14 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用基板の製造方法 |
JP6569189B2 (ja) * | 2014-04-01 | 2019-09-04 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びその製造方法、インプリント方法、インプリントモールド及びその再生方法 |
JP6361970B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2018-07-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法 |
JP6377480B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-08-22 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6420137B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-11-07 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6281592B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2018-02-21 | 大日本印刷株式会社 | レプリカテンプレートの製造方法 |
JP2016149578A (ja) * | 2016-05-11 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法 |
JP6226031B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2017-11-08 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP6183519B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2017-08-23 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP6384537B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-09-05 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレート |
JP6528994B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2019-06-12 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法 |
JP7192409B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-12-20 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 |
JP2019201224A (ja) * | 2019-08-19 | 2019-11-21 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3627907B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2005-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP5092262B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-12-05 | ぺんてる株式会社 | 金型キャビティーの形成方法 |
JP2009170773A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびインプリント装置 |
JP5515516B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法、パターン形成体、及びナノインプリント装置 |
JP2011224925A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Corp | 凹凸構造を形成するための治具 |
-
2010
- 2010-05-31 JP JP2010123771A patent/JP5587672B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011245816A (ja) | 2011-12-08 |
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