JP6277663B2 - インプリント用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント用基板の製造方法に関する。

近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型材（モールド）を用い、凹凸構造をインプリント材料に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、インプリント材料として光硬化性樹脂組成物を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物を供給し、凹凸パターンを有するモールドと転写基板の表面のインプリント材料とを接触させ、必要に応じて加圧して凹凸パターン内に光硬化性樹脂組成物を充填し、この状態で光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸構造が反転した凹凸構造を有するパターン構造体を形成する。

インプリント方法では、モールドを樹脂層から引き離す際に、樹脂層に強い力が加わり、パターンやモールド自体が破損する場合がある。

そこで、凹凸パターンが形成された面の反対側の面に外周から中心にかけて窪みが深く形成された凹部を有するモールドを用い、モールドを樹脂層から引き離す際にこのモールドを変形させてインプリントを実施するインプリント装置や、転写の際に外力を加えてモールドを変形させてインプリントを実施するインプリント装置が知られている（特許文献１及び２参照）。

特開２００９−１７０７７３号公報 特開２０１１−２１１１５７号公報

ところで、上述したようにモールドを変形させインプリントを実行する場合、変形したモールドが意図する形状となっていることが製造不良を未然に防止する上で重要であり、インプリントの実行前にモールドの検査を行うことが好ましい。

また、モールドは、例えば、メサ構造のような凸部を有しており、特に、メサ構造のエッジ部分及びその近傍ではその形状を光を用いて計測する場合、光の散乱を生じ、正確に計測できない場合がある。

そこで、本発明は上記問題を課題の一例として為されたもので、インプリント実行前にモールドあるいは転写基板の状態を検査するインプリント用基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明は次のような構成を採用する。

また、請求項１に係るインプリント用基板の製造方法は、インプリントに用いられる凹凸パターンが形成される一方の面と反対側の他方の面に、前記凹凸パターンに対向して窪み部が形成されている基板であって、前記窪み部により規定される可撓領域と、前記可撓領域の周囲に有する固定領域と、を有する前記基板を準備し、 前記可撓領域における前記一方の面への変位量を計測する第１の計測工程と、 前記可撓領域に外力を加え、前記可撓領域における前記一方の面への変位量を計測する第２の計測工程と、前記第１及び第２の計測工程において計測した変位量を比較する比較工程と、前記比較した結果に基づいて、前記基板の状態を判断する判断工程と、前記判断の結果、前記基板の状態が良好であると判断された場合、前記基板の一方の面を加工してメサ構造を作製するメサ作製工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項２に係るインプリント用基板の製造方法は、請求項１に記載のインプリント用基板の製造方法において、前記比較工程では、前記第１及び第２の計測工程において計測した変位量を比較して前記可撓領域が最も変位する最大変位座標を求め、前記基板の前記最大変位座標に基づいて、前記メサ構造の配置を決定することを特徴とする。

本発明によれば、インプリントの実行前にモールドや転写基板の状態を検査可能であるので、モールドや転写基板の不良によるモールドの破損や製造不良の発生を未然に防ぐことができる。

本発明の一実施形態に係るインプリントシステムを示す模式図である。 モールドの外形例を示し、図２（ａ）は外力を加えないときのモールドの外形例を示す模式図、図２（ｂ）は外力を加えたときのモールドの外形例を示す模式図である。 検査ユニットの一例を示す模式図である。 検査ユニットを用いてモールドの表面の変位を計測する手法を説明するための模式図を示し、図４（ａ）は外力が付与されていないモールドの表面の変位を計測する一例を示す模式図、図４（ｂ）はモールドを湾曲させて表面の変位を計測する一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るインプリント用基板の製造方法を示すフローチャート図である。 本発明の一実施形態に係るインプリント方法を示す工程断面図である。

以下、本発明の最良の実施形態について図面に基づいて説明する。

＜インプリントシステム＞
本発明の一実施形態に係るインプリントシステム１００は、図１に示すように、インプリントを実行するインプリント処理ユニット１０と、インプリントの実行前にモールド２５又は転写基板１５（以下、「対象物」と称する。）の形状検査を行う検査ユニットＫＵと、備える。

インプリント処理ユニット１０は、図１に示すように、被転写材料であるインプリント材料２の液滴を転写基板１５に吐出する吐出ユニット２０と、凹凸パターン２５ａが形成された型材（以下、「モールド２５」と称する。）を用いてインプリント材料２を成型し、転写基板１５上に凹凸パターン２５ａを転写させる転写ユニット３０と、を備える。

吐出ユニット２０は、例えば、インクジェットヘッド１７のノズル１７ａから転写基板１５の表面にインプリント材料２の液滴が吐出される。なお、吐出ユニット２０は、本実施形態のようにインクジェット方式に限定されるものではなく、例えば、スピンコート等を用いて転写基板１５上にインプリント材料２を濡れ拡げる態様としても構わない。

また、インプリント材料２には、例えば、熱可塑性樹脂組成物や熱硬化性樹脂組成物、あるいは光硬化性樹脂組成物が用いられ、例えば、光硬化性樹脂組成物を用いた場合には前記インプリント材料２は所定の光Ｌを照射することで硬化する。

転写ユニット３０は、転写基板１５を支持して水平方向に駆動可能なステージ３２と、モールド２５を転写基板１５と対峙させて支持する支持体３４と、図１中の矢印に示すように、モールド２５を下方に移動してこのモールド２５を転写基板１５に供給されたインプリント材料２に接触させるとともに、前記モールド２５を上方に移動してインプリント材料２から引き離す移動ユニット（図示せず）と、転写基板１５の表面に供給されたインプリント材料２の液滴にモールド２５を接触させた際にインプリント材料２を硬化させるための光Ｌを照射する照射ユニット３５と、を備えている。

モールド２５は、転写基板１５に近接又は離反する際に、例えば、図１及び図２（ｂ）に示すように、空圧供給部７０により圧力が加えられることにより、変位する（撓む）ようになっている。このとき変位するのは、モールド２５の全体であっても良いし、全体は変化しなくとも部分的に変位する構造を有していても良い。

例えば、本実施形態に用いられるモールド２５は、図２に示すように、表面にインプリントに用いられる凹凸パターン２５ａが形成され、その表面と反対側の裏面には、中央部に外圧により変形し撓む窪み部５１ａを有する基体を備える。基体や窪み部５１ａの形状は略矩形状であっても良いし、円形、楕円等の曲線状であっても良い。窪み部５１ａは、段付き加工され、周辺部分の厚みよりも薄肉に形成されている。段付き加工部の平面視の大きさは、窪み部５１ａと同等か、それ以下の大きさである。このようにモールド２５は、窪み部５１ａにより規定され外力によって変位する（撓む）可撓領域Ｘと、前記可撓領域Ｘの周囲に有し、前記可撓領域Ｘに比べて外力によって撓むことのない固定領域Ｙと、を有している。

そして、この転写ユニット３０では、ステージ３２が吐出ユニット２０の下方を移動し、吐出ユニット２０から適宜にインプリント材料２が吐出されることでインプリント材料２が転写基板１５の表面上に得られる。例えば、インクジェットを用いた場合にはインプリント材料２の液滴が配列され、スピンコートの場合には一様な膜として設けられる。この転写基板１５に対して、モールド２５を近接させる。このとき、モールド２５を転写基板１５上に供給されたインプリント材料２と接触させることで、インプリント材料２がモールド２５と転写基板１５との間に充填される。なお、モールド２５がインプリント材料２と接触する際には、図２（ｂ）に示すように、外力として流体等を利用して圧力を加えてモールド２５を撓ませるため、インプリント材料２がモールド２５に形成された凹凸パターン２５ａに充填される際に、気泡が内部に留まることなく外部へと逃げやすくなっている。このとき、外力をモールド２５に加えて撓ませた際に可撓領域Ｘが最も変位する位置（最大変位座標）が特定され、この最大変位座標の位置に前記インプリント材料２を最初に接触させることが好ましい。

さらに、この状態でモールド２５側から照射ユニット３５によってインプリント材料２に光Ｌを照射することでインプリント材料２が硬化して成型され、凹凸パターン２５ａを転写基板１５に転写させる。なお、転写基板１５はインプリント材料２が成型された後にモールド２５が離間することで外部に取り出される。

また、モールド２５が転写基板１５から離反する際には、図２（ｂ）に示すように、外圧によりモールド２５を撓ませることで、特にエッジ部分において応力が集中することが避けられ、成型されたインプリント材料２には欠けや割れが生じにくくなっている。このときの外力は、転写基板１５から離反する際の力であっても良いし、例えば窪み部５１ａに外力を離反とは逆方向の応力を加えても良く、それら応力の合力であってよい。

なお、インプリント処理ユニット１０の吐出ユニット２０及び転写ユニット３０は、一般的な機構を採用することができ、各構成の詳細な説明は省略するものとする。また、本実施形態のインプリントシステム１００は、モールド２５及び転写基板１５に透明部材を用い、モールド側に照射ユニット３５を設けて光Ｌをインプリント材料２に照射するように構成されているが、転写基板側に照射ユニット３５を設けて光Ｌをインプリント材料２に照射するようにしてもかまわない。

また、インプリントシステム１００は、上記のように転写基板１５とステージ３２が移動するのではなく、吐出ユニット２０や、支持体３４を含むモールド側が移動しても構わない。

モールド２５が意図しない変形をする場合、凹凸パターン２５ａやモールド自体の破損、又は位置ずれによるパターン不良が生じ、結果として製造不良等が生じる。そこで、本実施形態のインプリントシステム１００は、検査ユニットＫＵによってインプリントの実行前に対象物としてのモールド２５の状態（形状不良等）を検査する。

検査ユニットＫＵは、例えば、光の干渉や表面反射を利用して対象物の表面の変位を計測し、対象物の状態を検査するものであって、図３に示すように、対象物の表面の変位を検出する検出装置６０と、検出装置６０による検出結果に基づいて対象物の表面の変位量を計測（算出）するとともに、対象物の状態を判断する制御装置６５と、を備えている。

検出装置６０は、例えば、予め規定された照射情報に基づいて対象物の表面にレーザ光を照射する照射装置６１と、レーザ光を受光し受光情報を取得する受光装置６２と、を備え、レーザ光の照射情報及び受光情報が制御装置６５に出力される。

例えば図３のように、既知の平坦度を有する転写基板１５と、計測対象であるモールド２５の、それぞれから反射される光は互いに干渉するため、検出装置６０では光の干渉が計測される。このときに生じた干渉縞からモールド２５の撓みを計測することが出来る。また転写基板１５のみから反射される光のみを計測する場合、撓みの程度によって入射角と反射角が異なるため、角度が撓みを示す指標となる。また垂直入射の場合には、例えば転写基板１５の表面に対して常に焦点が調整されるよう検出装置６０の高さを調整することで、調整した高さを撓みによる変位として計測することも可能であるし、平行光を照射して、既知の平坦度を有する転写基板１５と、計測対象であるモールド２５の、それぞれから反射される光の干渉により、干渉縞から撓みを計測することも出来る。

図１及び図３に示すように、照射装置６１及び受光装置６２は、モールド２５の背面側に設けられており、例えば、図中矢印に示すように、照射装置６１により対象物の表面全体に平行光が照射され、受光装置６２によりその反射光が受光される。また、本実施形態では、レーザ光は斜めから入射させるが、鉛直方向に入射させても構わない。

なお、本発明の説明では、検査ユニットＫＵは支持体３４側に配置しているが、ステージ３２側にあっても構わない。例えばモールド２５が平坦であり、転写基板１５が外力により変形する窪み部５１ａを有している場合には、図１及び図３に示した構成とは上下逆向きの構成であってよい。また、図１および図３に示すようにモールド２５が窪み部５１ａを持つ場合であっても、検出装置６０としての照射装置６１と受光装置６２は転写基板１５側にあってよい。転写基板１５が窪み部５１ａを持つ場合に、図１及び図３のように照射装置６１と受光装置６２をモールド側に設けても良い。

具体的に、本実施形態の検査ユニットＫＵでは、図４（ａ）に示すように、モールド２５に外力を加えずに、検出装置６０を用いてモールド２５の表面にレーザ光を照射して表面全体の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測後、図４（ｂ）に示すように、モールド２５の変位量Ｚが計測可能なように、好ましくは最大となるように外力を加えた上で、検出装置６０を用いてモールド２５の表面にレーザ光を照射して表面全体の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測する。すなわち、この計測処理により、モールド２５に対して外力を加えなかった際に、対象物の表面全体の変位量が変わらなければ平坦であると判断可能であるとともに、この外力が加わっていないときと外力が加わったときの変位量を比較することによってモールド２５が変形する際の変形状態を推定可能となり、外力を加えたときのモールド２５が適切に撓むか否かを判断可能である。このときの最大の変位量とは、実際にインプリント工程において使用される際に想定される最大変位量を指す。ただし用途が特定できずインプリント工程が想定できない場合には、破損しえない範囲の応力で最大となる値にて試験することが、計測誤差が少なくなるために好ましい。

また、制御装置６５では、モールド２５において、検出された表面全体の変位の中からもっとも変位する位置（最大変位座標）を特定する。すなわち、本実施形態では、モールド２５に対して外力を加えたときに、当該モールド２５のもっとも変位する最大変位座標を特定することによって、この最大変位座標に基づいてメサ構造が形成される領域が決定される。このようにすれば、モールド２５に形成されるメサ構造は意図した撓みを持ち、且つ平坦度を容易に推定することが可能である。

制御装置６５は、検出結果に基づいて、外力を加えないときの対象物の変位量、外力を加えて対象物が変位する際の変位量を計測して比較し、対象物の平坦度や変形状態を推定した上で、対象物の状態がインプリントを実施する上で良好か否かを判断する。そして、判断の結果、対象物が良好であれば、インプリントを実施し、対象物の状態が不良であれば、インプリントを実施せずに中断する。なお、対象物の良好な状態とは、表面が平坦に形成され、所定の外力が加えられたときの変位量Ｚが、規定された変位量とほぼ一致する状態をいう。

ところで、上述した計測手法により計測不良となる場合が考えられる。特に、インプリントに用いられるモールド２５のようにメサ構造を有する場合、メサ構造のエッジ近傍は光の散乱が生じ、対象物の表面の変位を正確に計測できないという問題が生じる。

このような場合、レーザ光の入射、反射状態を変化させることで対象物の表面の変位が計測可能となることから、本実施形態では、外力を加減してモールド２５の変位量Ｚを変えて変形させ、レーザ光を対象物の表面に照射し、対象物の表面の変位を検出する。そして、制御装置６５では、その検出結果に基づいて変位量を計測し、外力を加えないときの対象物の状態、及びモールド２５の変位量Ｚが生じるよう外力を加えたときの対象物の状態を推測し、対象物の状態がインプリントを実施する上で良好か否かを判断する。

なお、上述した計測を行う場合、対象物には基準面が必要である。この基準面は、例えば、外力を加えたときい変位しない箇所であって平坦面であればよい。例えば、上述したモールド２５では、固定領域を用いれば良い。

以上に説明したように、本実施形態のインプリントシステム１００は、インプリントを実行する前に、検査ユニットＫＵを用いて対象物の表面の変位量を計測し、その計測結果に基づいてモールド２５又は転写基板１５の状態を推定し、インプリントを実施する上で良好か否かを判断し、判断の結果、対象物が良好であればインプリントを実施する。なお、なお、この判断の結果、不良と判断された場合には、インプリントの実行を中止する。

具体的には、外力を加えないときと、外力を加え変位が生じたときのモールド２５の表面の変位量を比較し、モールド２５が変形する際の変形状態等が推定されるとともに、転写基板１５とモールド２５の平坦度を推定し、この推定結果からモールド２５や転写基板１５の状態を判断する。そして、この判断の結果、モールド２５及び転写基板１５の状態が良好であれば、必要に応じて、インプリントを実施する。

また、メサ構造を有するモールド２５の計測においては、計測不良が発生する場合があるため、メサ構造を作製する前のモールド２５を検査した上で、メサ構造を作製することで、検査を行う際の計測不良を防止できるとともに、メサ構造体の平坦度を推定することが可能となる。

このようなインプリントシステム１００によれば、インプリントの実行（又はメサ構造の形成）前に検査ユニットＫＵによって対象物の状態が推定されて、インプリントの実行（又はメサの作製）、又はインプリントが中止されるので、対象物の不良によるインプリントの実行によってモールドが破損したり、製造不良等が発生することを未然に防止することができる。

なお上記ではモールド２５が変位を起こすことを前提として説明を実施しているが、転写基板１５に変位を発生させても構わない。

＜インプリント用基板の製造方法＞
本発明の一実施形態に係るインプリント用基板の製造方法について図５を参照して説明する。

本実施形態のインプリント用基板の製造方法は、メサ構造を有するモールド２５は、その表面の、とくにメサ構造のエッジ部分とその近傍の平坦度を計測することが困難であり、計測不良が発生する場合が多いため、メサ構造を作製する前のモールド２５を検査した上で、メサ構造を作製するものである。

なお、本実施形態のインプリント用基板の製造方法において実施される基板（モールド２５）の検査は、上述した検査ユニットＫＵを用いて実行されるものである。

まず、検査対象となるモールドを設置した上で、外力を加えずに、検出装置６０を用いてモールド２５の表面全体にレーザ光を照射し、モールド２５の表面の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測する（ステップＳ１０１）。

次に、モールド２５の変位量Ｚが最大となるように外力を加えた状態で、検出装置６０を用いてモールド２５の表面全体にレーザ光を照射し、モールド２５の表面の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測する（ステップＳ１０２）。

次に、制御装置６５により外力を加えないときと外力を加えたときの計測結果（変位量）が比較される（ステップＳ１０３）。この結果、モールド２５の表面全体の変位量が変わらなければ平坦であると判断可能であるとともに、この外力が加わっていないときと外力が加わったときの変位量を比較することによってモールド２５が変形する際の変形状態を推定可能となる。

また、制御装置６５により外力を加えた際のモールド２５の表面全体の変位量が比較されることによりモールド２５の表面（可撓領域Ｘ）が最も変位する最大変位座標が特定され、この最大変位座標に基づいてメサ構造が形成される領域が決定される。

次に、制御装置６５により比較した結果に基づいてモールド２５の状態が判断され（ステップＳ１０４）、この判断の結果、モールド２５の状態が良好であれば、モールド２５をインプリントシステム１００から取り外して、所定の製造装置により、ステップＳ１０３において決定したモールド２５の領域にメサ構造を作製する（ステップＳ１０５）。なお、モールドの状態が不良であれば、メサ構造の作製を中止し、モールドを破棄する（ステップＳ１０６）。

このような本発明の一実施形態に係る本実施形態のインプリント用基板の製造方法によれば、モールド２５にメサ構造を作製した後、検査した結果、そのモールド２５が意図したメサ構造の撓みを持たない状態、つまり不良である場合、メサ構造の作製が無駄となってしまうことを防止することができる。また、メサ構造を有するモールド２５は、表面の変位を計測することが困難であり計測不良が発生する場合が多いため、メサ構造を作製する前にモールド２５の状態を検査し、検査の結果、モールド２５が良好な状態である場合にのみメサ構造を、意図する撓みを持つ箇所へ作製することで、意図した撓みを持ち、かつメサ構造が形成されたモールド２５の表面の状態、特に平坦度を容易に推定することができる。

＜インプリント方法＞
本発明の一実施形態に係るインプリント方法について図６を参照して説明する。

本実施形態のインプリント方法は、上述したインプリントシステム１００を用いて実行されるものである。なお、本実施形態では、便宜的にモールド２５のみを検査対象とする形態について説明を行うが、転写基板１５もモールド２５と同様に検査対象としても構わない。

まず、検査対象となるモールド２５を設置した上で、外力を加えずに、検出装置６０を用いてモールド２５の表面全体にレーザ光を照射し、モールド２５の表面の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測する（図６（ａ））。

次に、モールド２５の変位量Ｚが生じるよう、また好ましくは最大となるように外力を加えた状態で、検出装置６０を用いてモールド２５の表面全体にレーザ光を照射し、モールド２５の表面の変位を検出し、制御装置６５により変位量を計測する（図６（ｂ））。

次に、制御装置６５により、外力を加えないときと外力を加えたときの計測結果（変位量）を比較する。この結果、対象物の表面全体の変位量が変わらなければ平坦であると判断可能であるとともに、この外力が加わっていないときと外力が加わったときの変位量を比較することによってモールド２５が変形する際の変形状態を推定可能となる。

また、制御装置６５により外力を加えた際のモールド２５の表面全体の変位量が比較されることによりモールド２５の表面（可撓領域Ｘ）が最も変位する最大変位座標が特定される。

次に、制御装置６５により、比較した結果に基づいてモールド２５の状態が判断され、この判断の結果、モールド２５の状態が良好であれば、インプリント処理ユニット１０により、インプリントを実施し、モールド２５の状態が不良であれば、インプリントを中止する。

インプリントを実施する場合には、インプリント処理ユニット１０に転写基板１５を設置した上で、まず、転写基板１５にインプリント材料２をインクジェットヘッド１７のノズル１７ａから滴下して供給する（図６（ｃ））。

次に、転写基板１５に対して、外力を加えて湾曲させたモールド２５を近接させ、除々に外力を取り除いてこのインプリント材料２に凹凸パターン２５ａが表面に形成されたモールド２５を接触させ、転写基板１５とモールド２５との間にインプリント材料２を充填する（図６（ｄ））。なお、必要に応じて、インプリント材料２にモールド２５を接触させた後に、更にモールド２５に力を加えてインプリント材料２に対して圧力を加えても構わない。

なお、前記モールド２５は、インプリント材料２がモールド２５の前記最大変位座標の位置に最初に接触するように転写基板１５に対して近接させる。

次に、転写基板１５に対するモールド２５の位置を保持しつつ、照射ユニット３５を用いてインプリント材料２を硬化させる光Ｌをインプリント材料２に照射することで、インプリント材料２を硬化させる（図６（ｅ））。

次に、除々に外力を加えてモールド２５を湾曲させつつ、転写基板１５からモールド２５を離間させ、転写基板１５上に樹脂パターン２Ａを形成する（図６（ｆ））。

そして、必要に応じてエッチング等によって、樹脂パターン２Ａの残膜２ａを除去する（図６（ｇ））。なお、必要に応じて更に樹脂パターン２Ａをもとに転写基板１５を加工し、レプリカモールド、磁気記録媒体、半導体装置等を作製してもよい。また単に硬化したインプリント材料２によって凹凸構造を得たいだけの場合には、残膜２ａの除去は必ずしも要しない。例えば反射防止膜やホログラム等の光学部材の製造や、ランダム構造の形成等を目的とした偽造防止加工などに適用することが出来る。

また、転写基板１５に近接させる際、及びインプリント材料２から離間させる際のモールド２５は、可撓領域Ｘを最も変位させて行うことが好ましい。

このような本発明の一実施形態に係る本実施形態のインプリント方法によれば、インプリントの実行前にモールド２５の状態が検査され、検査の結果、モールド２５が良好な状態である場合にのみインプリントが実行されるので、モールド２５の不良による製造不良の発生を未然に防ぐことができる。

なお、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々変更可能である。例えば、本実施形態では、転写基板１５側にインプリント材料２を供給する態様であるが、モールド２５側にインプリント材料２を供給する態様であっても構わない。この態様は公知であるため説明は省略するが、モールド２５と転写基板１５との間にインプリント材料２が供給される形態であれば良い。

また、本実施形態では、外力を加えないときのモールドの変位量と外力を加えたときのモールドの変位量で比較を行っているが、この外力は異なる値の外力であれば良く、例えば、第１の計測工程において外力を加えてモールドの変位量を計測した場合、第２の計測工程において第１の計測工程において加えた外力よりも大きな外力を加えてモールドの変位量を計測し、両者を比較するようにしても構わない。

また、本実施形態では、モールド２５の表面に予め凹凸パターンが形成された後に、メサ構造を作製する一例が記載されているものの、メサ構造を作製後に凹凸パターンを形成しても構わない。

ＫＵ 検査ユニット
２ インプリント材料
１５ 転写基板
２５ モールド
２５ａ 凹凸パターン
３０ 転写ユニット
６０ 検出装置
６５ 制御装置
１００ インプリントシステム

Claims (2)

1. インプリントに用いられる凹凸パターンが形成される一方の面と反対側の他方の面に、前記凹凸パターンに対向して窪み部が形成されている基板であって、前記窪み部により規定される可撓領域と、前記可撓領域の周囲に有する固定領域と、を有する前記基板を準備し、
   前記可撓領域における前記一方の面への変位量を計測する第１の計測工程と、
   前記可撓領域に外力を加え、前記可撓領域における前記一方の面への変位量を計測する第２の計測工程と、
   前記第１及び第２の計測工程において計測した変位量を比較する比較工程と、
   前記比較した結果に基づいて、前記基板の状態を判断する判断工程と、
   前記判断の結果、前記基板の状態が良好であると判断された場合、前記基板の一方の面を加工してメサ構造を作製するメサ作製工程と、
   を備えることを特徴とするインプリント用基板の製造方法。
2. 前記比較工程では、前記第１及び第２の計測工程において計測した変位量を比較して前記可撓領域が最も変位する最大変位座標を求め、
   前記基板の前記最大変位座標に基づいて、前記メサ構造の配置を決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント用基板の製造方法。

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