JP2014209509A - インプリントモールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[インプリントモールド]
まずは、本実施形態により製造されるインプリントモールドの構成について説明する。図1は、本実施形態により製造されるインプリントモールドの概略構成を示す断面図である。
続いて、上述した構成を有するインプリントモールド1を製造する方法について説明する。
図2及び図3は、本発明の第1の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
図2に示すように、第1の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法においては、まず、ハードマスク層11が主面10aに設けられてなるインプリントモールド用基板10を準備する(図2(a))。
次に、後述するハードマスクパターン形成工程(図2(c))にてハードマスクパターン13を形成するためのマスクとして用いられるレジストパターン12を当該ハードマスク層11上に形成する(図2(b))。
続いて、レジストパターン12をマスクとして用いて、ドライエッチング法によりハードマスク層11をエッチングし、ハードマスクパターン13を形成する(図2(c))。
そして、ハードマスクパターン13をマスクとして用いて、インプリントモールド用基板10をドライエッチング法によりエッチングする(図2(d))。これにより、基板部21と、基板部21の主面21aから突出するように一体的に形成されてなる凸構造部22とを有するモールド基材20を作製することができる。
次に、図3に示すように、第1エッチング工程(図2(d))にて凸構造部22が形成されたモールド基材20の基板部21の主面21a上に、主面21a及び凸構造部22を覆うようにして、側壁パターン32を構成する側壁材料膜31を形成する(図3(a))。なお、第1の実施形態においては、凸構造部22上にハードマスクパターン13が残存していないが、ハードマスクパターン13が残存したまま側壁材料膜形成工程(図3(a))を行ってもよい。ハードマスクパターン13が残存したままの状態で側壁材料膜31及び側壁パターン32を形成し、そのまま第2エッチング工程(図3(c))を行えば、凸構造部22の高さT22を維持したまま第1段部3a及び第2段部3bを有する凸パターン3を形成することができる。すなわち、凸構造部22の高さT22が第1段部3aの高さT3aとなり、第1段部3aの高さT3aが第1エッチング工程(図2(d))におけるエッチング量に依存することになるため、インプリントモールド1における第1段部3aの高さT3aの精度を向上させることができる。また、ハードマスクパターン13が残存したままの状態で第2エッチング工程(図3(c))を行えば、第1段部3aと第2段部3bとの高さの比率を第2エッチング工程(図3(c))のエッチング量により調整することが可能となる。
ic layer deposition)、CVD法、スパッタリング法等の従来公知の成膜法により堆積させることで形成され得る。好ましくは、原子層レベルで膜厚コントロールが可能なALD法により側壁材料膜31を形成する。
続いて、モールド基材20の基板部21の主面21a上に形成された側壁材料膜31に対し、RIE(Reactive Ion Etching)等の異方性エッチングによりエッチバック処理を施し、凸構造部22の側壁に側壁パターン32を形成する(図3(b))。
側壁パターン32をマスクとして用いてモールド基材20をエッチングする(図3(c))。これにより、基部2と、基部2の主面2aから突出する凸パターン3とを備え、凸パターン3が、基部2の主面2aから突出する第2段部3b及び第2段部3b上に立設する第1段部3aを有するインプリントモールド1を製造することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法について説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。
まず、インプリントモールド用基板10の主面10a上に、当該主面10aから突出する凸構造部41を形成する(図4(a))。
(側壁材料膜形成工程)
続いて、インプリントモールド用基板10の主面10a上に形成された側壁材料膜31に対し、RIE(Reactive Ion Etching)等の異方性エッチングによりエッチバック処理を施し、凸構造部41の側壁に側壁パターン32を形成する(図4(c))。
そして、凸構造部41及び側壁パターン32をマスクとして用いてインプリントモールド用基板10をエッチングする(図4(d))。これにより、基板部21と、インプリントモールド1における第2段部3bに相当する段部23とを有するモールド基材20を作製することができる。
最後に、凸構造部41をマスクとして用いてモールド基材20をエッチングし、凸構造部41を除去する(図4(e))。これにより、基部2と、基部2の主面2aから突出する凸パターン3とを備え、凸パターン3が、基部2の主面2aから突出する第2段部3b及び第2段部3b上に立設する第1段部3aを有するインプリントモールド1を製造することができる。
厚さ7nmのCrからなるハードマスク層11が主面10aに設けられているインプリントモールド用基板10としての石英基板を用意し、ハードマスク層11上に電子線感応型レジスト(ZEP520A,日本ゼオン社製)を塗布し、電子線描画装置を用いてレジストパターン12(寸法W12:30nm、高さT12:60nm)を形成した(レジストパターン形成工程,図2(b))。
20…モールド基材(基材)
21…基板部
21a…主面
22…凸構造部
22’…凹構造部
31…側壁材料膜
32…側壁パターン
Claims (9)
- 基板部と、前記基板部の主面から突出するように一体的に形成されてなる凸構造部又は前記基板部の主面側に形成されてなる凹構造部とを有する基材の前記主面側に、前記基板部の主面と、前記凸構造部又は前記凹構造部とを覆う側壁材料膜を形成する側壁材料膜形成工程と、
前記側壁材料膜をエッチングして、前記凸構造部又は前記凹構造部の側壁に側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と、
前記側壁パターンをマスクとして前記基材をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 前記側壁材料膜形成工程から前記エッチング工程までの一連の工程を、n回(nは2以上の整数である)繰り返して行うことを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 第m回目(mは2以上n以下の整数である)の前記一連の工程における前記側壁材料膜形成工程において、第m−1回目の前記一連の工程における前記側壁材料膜形成工程により形成される前記側壁材料膜の膜厚よりも薄い膜厚で前記側壁材料膜を形成することを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記凸構造部は、その頂部にハードマスク層が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
- 基板部と、前記基板部の主面側に形成されてなる凸構造部とを有する基材の前記主面側に、前記基板部の主面及び前記凸構造部を覆う側壁材料膜を形成する側壁材料膜形成工程と、
前記側壁材料膜をエッチングして、前記凸構造部の側壁に側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と、
前記側壁パターン及び前記凸構造部をマスクとして前記基材をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 前記凸構造部は、ハードマスクパターンを含むことを特徴とする請求項5に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記側壁材料膜形成工程から前記エッチング工程までの一連の工程を、n回(nは2以上の整数である)繰り返して行うことを特徴とする請求項5又は6に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 第m回目(mは2以上n以下の整数である)の前記一連の工程における前記側壁材料膜形成工程において、第m−1回目の前記一連の工程における前記側壁材料膜形成工程により形成される前記側壁材料膜の膜厚よりも薄い膜厚で前記側壁材料膜を形成することを特徴とする請求項7に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 基板部と、前記基板部の主面から突出するように一体的に形成されてなる凸構造部又は前記基板部の主面側に形成されてなる凹構造部とを有する基材の前記主面側に、前記基板部の主面と、前記凸構造部又は前記凹構造部とを覆う側壁材料膜を形成する側壁材料膜形成工程と、
前記側壁材料膜をエッチングして、前記凸構造部又は前記凹構造部の側壁に側壁パターンを形成する側壁パターン形成工程と
を含み、
前記側壁パターン形成工程により形成される側壁パターンの高さは、前記凸構造部の側壁高さ又は前記凹構造部の側壁深さよりも低く、
前記凸構造部又は前記凹構造部の側壁に前記側壁パターンが形成された前記基材をエッチングしないことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
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