JP2010239009A - 半導体装置の製造方法およびテンプレート、並びにパターン検査データの作成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工対象上にマスク層を形成するし、隣接する一対のライン部を形成するパターンの端部間が接続された閉ループ構造のデバイス形成用パターンを有するテンプレートを、インプリント材を介してマスク層上に押し付けて、インプリント材を固化させ、インプリント材をマスクとしてマスク層をエッチングしマスクを形成し、閉ループ構造のパターンのライン部の端部を除去するレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いて閉ループ構造のパターンのライン部の端部を除去し、閉ループ構造のライン部の端部が除去されたパターンを含むマスクを用いて加工対象をエッチングする。
【選択図】図1
Description
この第1の実施の形態では、閉ループ除去処理を行っていないテンプレートを用いて、被処理膜上に、最小寸法のパターンとそれ以外の寸法のパターン(以下、大パターンという)を形成するためのハードマスクを形成した後に、このハードマスクの閉ループ除去処理を行い、このハードマスクを用いて被処理膜をエッチングするものである。
図1は、第1の実施の形態で使用されるテンプレートの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートであり、図2は、テンプレートの製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。
図4は、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図5は、半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、処理対象である被処理膜としてシリコン基板(以下、単に基板ともいう)を例に上げ、シリコン基板に加工を行う場合について説明する。
第1の実施の形態では、最小寸法パターンとそれ以外の大パターンとを有し、閉ループ除去処理を行っていないテンプレートを用いて、基板上にパターンを形成し、基板上で閉ループ除去を行う場合について説明した。この第2の実施の形態では、最小寸法パターンを有し、閉ループ除去処理を行っていないテンプレートを用いて基板上にパターンを形成した後、最小寸法パターン以外のパターンをリソグラフィで基板上に形成し、閉ループ除去処理を行う場合について説明する。
図8は、第2の実施の形態で使用されるテンプレートの製造方法の処理手順の一例を示すフローチャートであり、図9は、テンプレートの製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。
図11は、本発明の第2の実施の形態による半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図12は、半導体装置の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。
この第3の実施の形態では、第1と第2の実施の形態とは異なる方法でテンプレートを製造する場合について説明する。
この第4の実施の形態では、第1の実施の形態のテンプレートの製造方法において、ハードマスク層にパターンを転写する前の段階で、最小寸法パターンとそれ以外のパターン(大パターン)とを分けて作成する場合について説明する。
従来では、製造したテンプレートのパターン形状と、そのテンプレートによって形成された被処理膜に形成されるパターン形状については、検査するためのデータは存在しないので、これらのパターン形状がテンプレートの描画データに基づいて正しく製造されているか否かを調べることができなかった。そこで、この第5の実施の形態では、第1〜第4の実施の形態で作製した親テンプレートと子テンプレート、および第1〜第4の実施の形態で説明したようにインプリントリソグラフィを用いて子テンプレートを被処理膜上に転写したパターンを検査するために使用するパターン検査データの作成方法について説明する。
Claims (5)
- 加工対象上に第1のマスク層を形成する第1のマスク層形成工程と、
隣接する一対のライン部を形成するパターンの端部間が接続された閉ループ構造のデバイスパターン形成用パターンを有するテンプレートを、インプリント材を介して前記第1のマスク層上に押し付けて、前記インプリント材を固化させるインプリント工程と、
前記インプリント材をマスクとして、前記第1のマスク層をエッチングして、閉ループ構造を有するパターンを含む第1のマスクを形成する第1のマスク形成工程と、
閉ループ構造のパターンの前記ライン部の端部を除去するための第1のレジストパターンを形成する第1のレジストパターン形成工程と、
前記第1のレジストパターンを用いて、前記閉ループ構造のパターンの前記ライン部の端部を除去する閉ループ除去工程と、
閉ループ構造の前記ライン部の端部が除去されたパターンを含む前記第1のマスクを用いて、前記加工対象をエッチングするエッチング工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記インプリント工程では、前記ライン部を形成するパターンが閉ループ構造となっている前記パターンのみがデバイスパターン形成用パターンとして形成された前記テンプレートを使用し、
前記第1のマスク形成工程よりも後で前記エッチング工程の前に、前記第1のマスクが形成された前記加工対象上にレジストを塗布し、前記パターン以外の他のパターンを形成するための第2のレジストパターンを形成する第2のレジストパターン形成工程をさらに含み、
前記エッチング工程では、前記第1のマスクと前記他のパターンとを用いて、前記加工対象をエッチングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記インプリント工程で使用される前記テンプレートは、
第1のテンプレート基板上に第2のマスク層を形成する工程と、
前記第2のマスク層上の芯材となる位置に第3のレジストパターンを形成する工程と、
前記第3のレジストパターンをマスクとして、前記第2のマスク層をエッチングして芯材を形成する工程と、
前記芯材に側壁パターンを形成する工程と、
少なくとも前記閉ループ構造のパターンを形成する領域の前記芯材を除去する工程と、
前記閉ループ構造のパターンを用いて前記第1のテンプレート基板をエッチングしてテンプレートを形成する工程と、
を含む処理工程によって形成されたテンプレートであるか、または、前記形成されたテンプレートを親テンプレートとして用いたインプリントリソグラフィにより作製されたテンプレートであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - インプリントリソグラフィで使用されるテンプレートにおいて、
隣接する一対のライン部を形成するパターンの端部間が接続された閉ループ構造のデバイスパターン形成用パターンを有することを特徴とするテンプレート。 - インプリントリソグラフィで使用されるテンプレートに形成されるパターン、または前記テンプレートを用いて形成されるパターンの検査時に使用するパターン検査データの作成方法において、
隣接する一対のライン部を形成するパターンの端部間が接続された閉ループ構造のデバイスパターン形成用パターンを有するテンプレートを形成するための描画データのパターンの外周を、外向きおよび/または内向きに所定の量だけ移動させたバイアスデータを作成する第1の工程と、
前記パターンの外周を外向きと内向きの両方に所定の量だけ移動させて2つのバイアスデータを作成した場合には、前記2つのバイアスデータの差分を取り、前記パターンの外周を外向きまたは内向きの一方に所定量だけ移動させて1つのバイアスデータを作成した場合には、前記バイアスデータと前記パターンの描画データとの差分を取ってパターン検査データを作成する第2の工程と、
を含むことを特徴とするパターン検査データの作成方法。
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