JP2014103323A - ナノインプリント用テンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 側壁プロセスに用いる芯材にレジストパターンを用い、芯材を覆う薄膜に原子層堆積膜を用いること、および、先に任意の大サイズの転写パターンとなる厚膜パターン部をハードマスク層に形成し、その後、側壁プロセスを用いて小サイズの転写パターンとなる側壁パターンを形成することにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、テンプレート(モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる)を用いるナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nanoimprint Lithography)が提案されている。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。
次に、レジストパターン121Pから露出する芯材層141をエッチング加工して芯材パターン141Pを形成し、その後、レジストパターン121Pを除去する(図5(b)、(c))。
それゆえ、この側壁パターン131Pから露出するハードマスク層112をエッチング加工して形成されるハードマスクパターン112Pのサイズ(幅寸法)WHも全て同じサイズになり(図6(h))、同様に、ハードマスクパターン112Pから露出するテンプレート基板111をエッチング加工して形成される転写パターン110Pの凸部のサイズ(幅寸法)WTも全て同じサイズになる(図6(j))。
しかしながら、上記のような方法では、テンプレートの製造工程は、より複雑になり、また、側壁パターンを形成した後にレジストパターンを形成する方法では、現像やリンスなどのウェットプロセスで、側壁パターンが倒壊したり、剥離したりするおそれがあるため、歩留まりが低下するという問題がある。
まず、図1および図2を用いて、本発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法の第1の実施形態について説明する。
また、本実施形態によれば、側壁パターン31Pを形成した後には(図2(h)〜(k))、従来のような、異なるサイズの転写パターンを形成するためのレジストパターンを形成する工程は含まれていないため、現像やリンスなどのウェットプロセスによる側壁パターンの倒壊や剥離のおそれはなく、従来の製造方法に比べて歩留まりを向上させることができる。
それゆえ、本実施形態によれば、側壁プロセスで形成される同じサイズの微細な転写パターンに加えて、異なるサイズの転写パターンを有するナノインプリント用テンプレート10を、より簡易な工程で歩留まり良く製造することができる。
したがって、本実施形態によれば、レジストパターンやハードマスクパターン以外に、別の材料を用いて芯材パターンを形成する必要は無く、より工程を短縮することができる。
さらに、側壁パターン131Pを構成する材料をエッチングするガスは、例えば図5(d)〜(e)に示すように、金属系の材料から構成されるハードマスク層112やシリコン系の材料から構成される芯材パターン141Pをエッチングしないものであることが要求される。
このような条件を満たすことは、困難性を伴っていた。
この関係を満たせば、第1のハードマスクパターン部13aPが消失する前に、転写パターン10Pの形成を完了できるからである。
本実施形態において、上記の関係を満たすには、例えば、図1(a)に示すように、テンプレート基板11の上に形成される第1のハードマスク層形成用材料膜12の膜厚を、上記のHとすればよい。
厚膜パターン部13aにアライメントマークを構成するパターン部を含めることで、別途アライメントマークを形成する工程を省くことができ、かつ、厚膜パターン部13aの位置に形成される転写パターンと、側壁パターンの位置に形成される転写パターンとの、相対位置精度を向上させることができるからである。
また、電子線描画等で形成したレジストパターンを、酸素プラズマ等を用いてスリミングして、第2のレジストパターン22Pを形成してもよい。
ハードマスク層13が導電性を有するようにするには、ハードマスク層13が、導電性を有する材料を含む構成にすればよい。導電性を有する材料としては、例えば、クロム(Cr)等の金属を挙げることができる。
また、本実施形態においては、厚膜パターン部13aにアライメントマークを構成するパターン部を含めることで、アライメントマークもハードマスク層の一部として帯電を防止することができ、電子線描画におけるアライメントマークの検出精度も向上させることができる。
このような材料であれば、テンプレート基板11をエッチング加工する際のフッ素系のガスに耐性を有するからである。
それゆえ、原子層堆積膜31はシリコンを含む材料から構成されていることが好ましい。このような材料であれば、上記のような金属等から構成されるハードマスク層13をエッチング加工する際の塩素系のガスに耐性を有するからである。
それゆえ、本実施形態においては、テンプレート基板11をエッチングして転写パターン10Pを形成する工程において、フッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより、転写パターン10Pを形成するとともに、側壁パターン31Pを除去することが好ましい。転写パターン10Pを形成する工程と、側壁パターン31Pを除去する工程を、別々に行う場合に比べて、工程を短縮できるからである。
次に、図3および図4を用いて、本発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法の第2の実施形態について説明する。
この関係を満たせば、第1のハードマスクパターン部13aPが消失する前に、転写パターン10Pの形成を完了できるからである。
本実施形態において、上記の関係を満たすには、例えば、図3(b)に示すように、ハードマスク層形成用材料膜13Aをハーフエッチングする深さを、上記のHとすればよい。
それゆえ、本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、側壁プロセスで形成される同一サイズの微細な転写パターンに加えて異なるサイズの転写パターンを有するナノインプリント用テンプレート10を、より簡易な工程で歩留まり良く製造することができる。
転写パターン10Pを形成する工程と、側壁パターン31Pを除去する工程を、別々に行う場合に比べて、工程を短縮できるからである。
テンプレート基板11に光透過性基板である合成石英ガラス基板を用い、その上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Crターゲットを用いて、窒素ガス雰囲気下で、CrN膜を10nmの厚さに成膜して第1のハードマスク層形成用材料膜12を形成した。
テンプレート基板11に光透過性基板である合成石英ガラス基板を用い、その上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Crターゲットを用いて、窒素ガス雰囲気下で、CrN膜を15nmの厚さに成膜してハードマスク層形成用材料膜13Aを形成した。
10P・・・転写パターン
11・・・テンプレート基板
12・・・第1のハードマスク層形成用材料膜
12P・・・第1のハードマスク層形成用材料膜パターン
13・・・ハードマスク層
13A・・・ハードマスク層形成用材料膜
13P・・・ハードマスクパターン
13a・・・厚膜パターン部
13b・・・薄膜部
13aP・・・第1のハードマスクパターン部
13bP・・・第2のハードマスクパターン部
21P・・・第1のレジストパターン
22P・・・第2のレジストパターン
31・・・原子層堆積膜
31P・・・側壁パターン
110・・・テンプレート
110P・・・転写パターン
111・・・テンプレート基板
112・・・ハードマスク層
112P・・・ハードマスクパターン
121P・・・レジストパターン
131・・・側壁材薄膜
131P・・・側壁パターン
141・・・芯材層
141P・・・芯材パターン
Claims (6)
- 光透過性基板に転写パターンを有するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記光透過性基板の上に形成された第1のハードマスク層形成用材料膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンから露出する前記第1のハードマスク層形成用材料膜をエッチングにより除去して、第1のハードマスク層形成用材料膜パターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記光透過性基板の上、および、前記第1のハードマスク層形成用材料膜パターンの上に、前記第1のハードマスク層形成用材料膜と同じ材料から構成される第2のハードマスク層形成用材料膜を形成して、厚膜パターン部と、前記厚膜パターン部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンの上面および側面、並びに、前記第2のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層の表面を覆う原子層堆積膜を形成する工程と、
前記原子層堆積膜をエッチバックして、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜を残しつつ、前記第2のレジストパターンの上面および前記ハードマスク層の表面を露出させる工程と、
前記第2のレジストパターンを除去して、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜から構成される側壁パターンを形成する工程と、
前記側壁パターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングすることにより、前記厚膜パターン部のハードマスク層を薄膜化しつつ、前記側壁パターンから露出する前記薄膜部のハードマスク層を除去して、前記厚膜パターン部が薄膜化された第1のハードマスクパターン部と、前記側壁パターンの下に形成される第2のハードマスクパターン部と、を有するハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記光透過性基板をエッチングして、前記転写パターンを形成する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 光透過性基板に転写パターンを有するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記光透過性基板の上に形成されたハードマスク層形成用材料膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層形成用材料膜をハーフエッチングにより薄膜化して、厚膜パターン部と、前記厚膜パターン部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するハードマスク層を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記ハードマスク層の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンの上面および側面、並びに、前記第2のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層の表面を覆う原子層堆積膜を形成する工程と、
前記原子層堆積膜をエッチバックして、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜を残しつつ、前記第2のレジストパターンの上面および前記ハードマスク層の表面を露出させる工程と、
前記第2のレジストパターンを除去して、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜から構成される側壁パターンを形成する工程と、
前記側壁パターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングすることにより、前記厚膜パターン部のハードマスク層を薄膜化しつつ、前記側壁パターンから露出する前記薄膜部のハードマスク層を除去して、前記厚膜パターン部が薄膜化された第1のハードマスクパターン部と、前記側壁パターンの下に形成される第2のハードマスクパターン部と、を有するハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記光透過性基板をエッチングして、前記転写パターンを形成する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記転写パターンを形成する工程における、前記光透過性基板のエッチング速度がE1、前記ハードマスク層のエッチング速度がE2、形成する前記転写パターンの深さがD、である場合に、
前記ハードマスク層が有する前記厚膜パターン部と薄膜部との膜厚差Hが、
H>D×E2/E1
の関係を満たすように前記ハードマスク層を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記厚膜パターン部がアライメントマークを構成するパターン部を含んでおり、前記第2のレジストパターンを形成する工程において、前記アライメントマークを用いて前記厚膜パターン部に対して位置合わせされた前記第2のレジストパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記ハードマスク層が、導電性を有する材料を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記光透過性基板が酸化シリコンを含む材料から構成されており、
前記原子層堆積膜がシリコンを含む材料から構成されており、
前記光透過性基板をエッチングして前記転写パターンを形成する工程において、
フッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより、前記転写パターンを形成するとともに、前記側壁パターンを除去することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
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