JP2014029997A - ナノインプリント用テンプレートの製造方法 - Google Patents
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】光透過性基板上に2層以上の金属薄膜とレジストパターンを形成し、スリミングしたレジストパターンと金属薄膜を覆って被覆膜を形成し、エッチバックしてレジストパターンと金属薄膜を露出させるとともに、被覆膜をレジストパターン側面に残して側壁マスクとし、レジストパターンを除去し、側壁マスクを用いて上記2層以上の金属薄膜を順次エッチングして金属薄膜パターンを形成し、金属薄膜パターンをマスクに光透過性基板をエッチングして凹凸パターンを形成し、金属薄膜パターンを除去することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1及びそれに続く図2は、本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法の一実施形態を示す工程断面図であり、光透過性基板上の金属薄膜が2層以上の多層膜で形成されている。以下の説明では、金属薄膜が2層膜の場合について例示するが、本発明の製造方法は2層に限定されず、金属薄膜を3層以上とすることも可能である。
後述する側壁マスクを用いた本発明のテンプレートの製造プロセスでは、被覆膜15の成膜厚みのばらつきがそのままパターンCD(Critical Dimension:重要な寸法)ばらつきに直結するため、被覆膜15の成膜厚みの均一性、特にレジストパターン14aの側面の被覆膜の均一性が重要となる。ALD法は飽和表面反応を利用した原子層成膜方法なので、原子層を1層ごとに成膜することが可能である。ALD法による成膜量は、およそ0.1nm〜0.2nm/cycle程度である。
上記のように、微細パターンを有するテンプレートの製造においては芯材にレジストを用いるのが望ましく、レジストの芯材で側壁プロセスを実施するためには、ALD法による被覆膜の低温成膜がより好ましい。以下、図面に基づいて説明を続ける。
上記の工程において、側壁マスク16及び第2層目の金属薄膜パターン13aの除去は、光透過性基板11をエッチングする前であってもよい。図3に光透過性基板11のエッチング前に、側壁マスク16及び第2層目の金属薄膜パターン13aを除去する工程の実施形態の一例を示す。図3は、図1と同じ符号を用いており、製造工程の前半は図1の図1(a)〜図1(d)と同じであるので省略する。
次に、実施例により本発明を説明する。
図1(a)に示すように、テンプレート用の光透過性基板11として、外形が6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、基板の一方の主面上に、スパッタリング法でクロム(Cr)を膜厚5nm成膜して第1層目の金属薄膜12としてCr膜を形成し、次に窒化タンタル(TaN)膜を膜厚5nm成膜して第2層目の金属薄膜13を形成した基板を準備した。次いで、この第2層目のTaN膜上にポジ型電子線レジストZEP−520(日本ゼオン社製)を塗布し、電子線描画によりパターン幅30nm、ハーフピッチ30nmのラインアンドスペースよりなるレジスト厚60nmのレジストパターン14を形成した。TaN膜上のレジストパターンは、パターンの下部のすそ引きが従来よりも抑制された、断面形状がほぼ矩形形状のレジストパターンであった。
図1(a)に示すように、テンプレート用の光透過性基板11として、実施例1と同様に、外形が6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、基板の一方の主面上に、スパッタリング法で窒化クロム(CrN)を膜厚5nm成膜して第1層目の金属薄膜12としてCrN膜を形成し、次に酸化シリコン(SiO2)を膜厚5nm成膜して第2層目の金属薄膜13を形成した基板を準備した。次いで、この第2層目のSiO2膜上にポジ型電子線レジストZEP−520(日本ゼオン社製)を塗布し、電子線描画によりパターン幅30nm、ハーフピッチ30nmのラインアンドスペースよりなるレジスト厚60nmのレジストパターン14を形成した。SiO2膜上のレジストパターンは、パターンの下部のすそ引きが従来よりも抑制された、断面形状がほぼ矩形形状のレジストパターンであった。
図1(a)に示すように、テンプレート用の光透過性基板11として、実施例1と同様に、外形が6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、基板の一方の主面上に、スパッタリング法でクロム(Cr)を膜厚5nm成膜して第1層目の金属薄膜12としてCr膜を形成し、次にシリコン(Si)を膜厚5nm成膜して第2層目の金属薄膜(シリコン含有膜)13を形成した基板を準備した。次いで、この第2層目のSi膜上にポジ型電子線レジストZEP−520(日本ゼオン社製)を塗布し、電子線描画によりパターン幅30nm、ハーフピッチ30nmのラインアンドスペースよりなるレジスト厚60nmのレジストパターン14を形成した。Si膜上のレジストパターンは、パターンの下部のすそ引きが従来よりも抑制された、断面形状がほぼ矩形形状のレジストパターンであった。
11 光透過性基板
12 第1層目の金属薄膜
12a 第1層目の金属薄膜パターン
13 第2層目の金属薄膜
13a 第2層目の金属薄膜パターン
14、14a レジストパターン
15 被覆膜
16 側壁マスク
17 凹部
18 凹凸パターン
60 テンプレート
61 光透過性基板
62 金属薄膜
62a 金属薄膜パターン
63、63a レジストパターン
64 被覆膜
65 側壁マスク
66 凹部
67 凹凸パターン
80 テンプレート
81 光透過性基板
82 金属薄膜
82a 金属薄膜パターン
83、83a レジストパターン
86 凹部
87 凹凸パターン
Claims (14)
- 光透過性基板に凹凸のパターンを形成したナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
光透過性基板上に金属薄膜およびシリコン含有膜がこの順に積層形成された基板の当該シリコン含有膜上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの側面及び上面、並びに前記シリコン含有膜の上面を覆うように被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜をエッチバックして、前記レジストパターン及び前記シリコン含有膜を露出させるとともに、前記被覆膜を前記レジストパターンの側面に残して側壁マスクとする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記側壁マスクを用いて前記シリコン含有膜および前記金属薄膜をこの順にエッチングしてシリコン含有膜パターンおよび金属薄膜パターンを形成する工程と、
前記金属薄膜パターンをマスクとして、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程と、
前記側壁マスク、前記シリコン含有膜パターンおよび前記金属薄膜パターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記被覆膜が、ALD法で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記金属薄膜がクロムまたはクロムを含む化合物で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記レジストパターンを除去する工程が、酸素系のガスによるドライ処理により選択的に行われることを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記光透過性基板をエッチングする前に、少なくとも前記側壁マスクを除去し、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程の後に、前記第1層目の金属薄膜パターンを除去することを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記光透過性基板が、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記光透過性基板が石英ガラス基板であり、前記側壁マスクがシリコンを含む化合物より構成され、前記側壁マスクを除去する工程において前記側壁マスクが残存した場合には、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程で、前記残存した側壁マスクを除去することを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 光透過性基板に凹凸のパターンを形成したナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記光透過性基板上に、2層以上の金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを酸素プラズマで処理してスリミングする工程と、
前記スリミングしたレジストパターンの側面及び上面、並びに前記金属薄膜の上面を覆うように被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜をエッチバックして、前記レジストパターン及び前記金属薄膜を露出させるとともに、前記被覆膜を前記レジストパターンの側面に残して側壁マスクとする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記側壁マスクを用いて前記2層以上の金属薄膜を順にエッチングして金属薄膜パターンを形成する工程と、
前記金属薄膜パターンをマスクとして、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程と、
前記側壁マスクおよび前記2層以上の金属薄膜パターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記被覆膜が、ALD法で形成されていることを特徴とする請求項8に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記2層以上の金属薄膜が、少なくとも前記光透過性基板に接する側の第1層目の金属薄膜と、前記第1層目の金属薄膜上に設けた第2層目の金属薄膜とで構成され、前記第1層目の金属薄膜がクロムまたはクロムを含む化合物で形成されていることを特徴とする請求項8または請求項9に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記レジストパターンを除去する工程が、酸素系のガスによるドライ処理により選択的に行われることを特徴とする請求項8から請求項10までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 請求項8から請求項11までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記側壁マスクおよび前記第2層目の金属薄膜パターンを除去する工程が、前記光透過性基板をエッチングする前であり、前記第1層目の金属薄膜パターンを除去する工程が、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程の後であることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記光透過性基板が、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項8から請求項12までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記光透過性基板が石英ガラス基板であり、前記側壁マスクがシリコンを含む化合物より構成され、前記側壁マスクを除去する工程において前記側壁マスクが残存した場合には、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程で、前記残存した側壁マスクを除去することを特徴とする請求項8から請求項11までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
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