JP2013140917A - ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法は、無機材料からなる第1の層が片面に形成された第1基材を準備する第1基材準備工程と、第1の層をエッチングし、底壁及び側壁を含む凹凸構造を作製する凹凸構造作製工程と、凹凸構造に電子線を照射し凹凸構造から発生する電子を検出して、凹凸構造の外観を検査する検査工程と、凹凸構造上に第1の膜を成膜する第1の膜成膜工程と、第1の膜に異方性エッチングを行い、凹凸構造の側壁に配設された複数の構造体を作製する構造体作製工程と、凹凸構造をエッチングし、第1基材に配設された構造体を側壁とする凹部を形成する凹部形成工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
まず図1〜2を参照して、本発明に係るナノインプリント用テンプレートについて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概略平面図である。テンプレート1000は、凹凸構造を包摂するパターン領域Xと、このパターン領域Xの周囲に存在する非パターン領域Yとを有する。パターン領域Xには、主に転写すべきパターンが形成されている。図では、テンプレート1000の外形は矩形であるが、これに限定されるものではなく、円形などの任意形状であってもよい。また、パターン領域Xは、非パターン領域Yに対して凸構造となる、いわゆるメサ構造であってもよく、メサ構造の段数は1以上で適宜設定できる。テンプレート1000は、以下説明する、テンプレート100〜400を包含する。
す図であり、テンプレート100は、第1基材10の片面に複数の構造体20が配設されてなる。複数の構造体20の間に凹部12が存在する。なお、本明細書では、「凹部」という表現をパターン領域の表面に対して凹状である部位を説明するために用いている。構造体20は、第1基材10とは異なる材質により構成されている。
図3〜7を参照して、本発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。図3及び図6は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法を説明するフローチャートである。図4〜図5及び図7は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法を説明する工程断面図である。
図3及び図4を参照して、本発明の一実施形態に係るテンプレート100の製造方法を説明する。
図3及び図5を参照して、本発明の一実施形態に係るテンプレート200の製造方法を説明する。製造工程の多くの部分はテンプレート100の製造工程と共通し、重複説明は省略する。テンプレート200の製造方法は、第1基材の一部を芯材となる凹凸構造に利用することに特徴がある。
図3及び図5を参照して、本発明の一実施形態に係るテンプレート300の製造方法を説明する。製造工程の凹部形成工程(S16)以前は、テンプレート200の製造工程と共通し、重複説明は省略する。
図5〜図7を参照して、本発明の一実施形態に係るテンプレート400の製造方法を説明する。図6は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法を説明するフローチャートであり、S21〜S26と図3に示すフローチャートのS11〜S16はそれぞれ対応し略同様であるため、S27について詳細に説明を行う。製造工程の凹部形成工程であるS26以前は、テンプレート300の製造工程と共通する。
次に、図8を参照して、上述のテンプレート100〜400を用いてレプリカテンプレートを作製する方法について説明する。なお、説明の便宜上、テンプレートとしてテンプレート200を用いた例を示すが、テンプレート100、300、400を用いてもよい。また、以下では、光インプリント法によりレプリカテンプレートを作製する態様を示すが、熱インプリント法を用いてもよい。
次に、図9及び図10を参照して、上述のテンプレート100〜400、及びレプリカテンプレート500のいずれかを用いて半導体装置を作製する方法について説明する。なお、以下では半導体装置の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。
本態様は、ナノインプリントリソグラフィによりゲート電極をパターニングする工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。図9は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、ゲート電極のパターニングに上記テンプレート又は上記レプリカモールドによるナノインプリントリソグラフィを行う態様を示す。不純物を注入してソース電極712、ドレイン電極714が形成された半導体基板710を準備する。半導体基板710上にSiO2などの絶縁層720を介して、多結晶シリコンなどの導電層730を形成する(図9(A)参照)。導電層730上にレジスト(図示せず)を塗布し、レジストをテンプレート又はレプリカテンプレートによりパターニングしてレジストパターン(図示せず)を作成する。このレジストパターンをもとに導電層730をエッチングし、ゲート電極732を形成する(図9(B)参照)。上記の工程を経て半導体装置が作製される。
本態様は、ナノインプリントリソグラフィにより絶縁層をパターニングする工程と、該絶縁層にダマシン法により導電材料を配設する工程と、を含む、半導体装置の製造方法に関する。図10は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、層間接続用の導通ビアの形成に上記テンプレート又は上記レプリカモールドによるインプリントを行う態様を示す。配線層830及び絶縁層822、824が積層して形成された半導体基板810を準備する。最上層の絶縁層824をテンプレート又はレプリカテンプレートによりパターニングして貫通孔824a、824bを形成する(図10(B)参照)。貫通孔824a、824bにダマシン法により、導電材を充填して導通ビア832a、832bを形成する(図10(C)参照)。上記工程を経て半導体装置が作製される。
次に、図11を参照して、上述のテンプレート100〜400、及びレプリカテンプレート500のいずれかを用いて磁気記録媒体を作製する方法について説明する。なお、以下では磁気記録媒体の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。
Claims (16)
- 無機材料からなる第1の層が片面に形成された第1基材を準備する第1基材準備工程と、
前記第1の層をエッチングし、底壁及び側壁を含む凹凸構造を作製する凹凸構造作製工程と、
前記凹凸構造に電子線を照射し前記凹凸構造から発生する電子を検出して、前記凹凸構造の外観を検査する検査工程と、
前記凹凸構造上に第1の膜を成膜する第1の膜成膜工程と、
前記第1の膜に異方性エッチングを行い、前記凹凸構造の側壁に配設された複数の構造体を作製する構造体作製工程と、
前記凹凸構造をエッチングし、前記第1基材に配設された前記構造体を側壁とする凹部を形成する凹部形成工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 底壁及び側壁を含む凹凸構造が片面に形成され、かつ無機材料からなる第1基材を準備する第1基材準備工程と、
前記凹凸構造に電子線を照射し前記凹凸構造から発生する電子を検出して、前記凹凸構造の外観を検査する検査工程と、
前記第1基材の片面に第1の膜を成膜する第1の膜成膜工程と、
前記第1の膜に異方性エッチングを行い、前記凹凸構造の側壁に配設された複数の構造体を作製する構造体作製工程と、
前記構造体をマスクとして前記第1基材をエッチングし、前記構造体を側壁の一部に含み第1の深さを有する第1の凹部、及び前記構造体を側壁の少なくとも一部に含み前記第1の深さよりも浅い第2の深さを有する第2の凹部を形成する凹部形成工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記検査工程後、
前記凹凸構造を修正する修正工程をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記構造体は、前記第1基材に対して光透過性が低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
- 前記第1基材の材質は石英であり、
前記構造体の材質は、Cr、Ta、Ti、Moのいずれか1種以上を含む化合物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 底壁及び側壁を含む凹凸構造が片面に形成され、かつ無機材料からなる第1基材を準備する第1基材準備工程と、
前記凹凸構造に電子線を照射し前記凹凸構造から発生する電子を検出して、前記凹凸構造の外観を検査する検査工程と、
前記第1基材の片面に第1の膜を成膜する第1の膜成膜工程と、
前記第1の膜に異方性エッチングを行い、前記凹凸構造の側壁に配設された複数の構造体を作製する構造体作製工程と、
前記構造体をマスクとして前記第1基材をエッチングし、その後、前記構造体を除去して、第1の深さを有する第1の凹部、及び第1の深さよりも浅い第2の深さを有する第2の凹部を形成する凹部形成工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 前記検査工程後、
前記凹凸構造を修正する修正工程をさらに含むことを特徴とする請求項6記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の方法により製造されたテンプレートを用いてレプリカテンプレートを製造する方法であって、
前記テンプレートと第2基材との間に被転写材料を介在させた状態で、前記被転写材料を硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程後、前記テンプレートと前記被転写材料とを引離し、前記第2基材上に前記テンプレートの凹部に対応して高さの異なる部位を含む転写層を形成する離型工程と、
前記転写層をエッチングして前記第2基材の一部を露出させ、露出した前記第2基材に対してエッチングを行い、複製パターンを形成する複製パターン形成工程と、を含むことを特徴とするレプリカテンプレートの製造方法。 - 前記硬化工程に先立ち、
前記被転写材料を前記第2基材上に供給し、前記被転写材料と前記テンプレートとを接触させるインプリント工程をさらに含むことを特徴とする請求項8記載のレプリカテンプレートの製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の方法により製造されたテンプレートを用いて、ナノインプリントリソグラフィを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の方法により製造されたテンプレートを用いて、ナノインプリントリソグラフィを行う工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項8又は9記載の方法により製造されたレプリカテンプレートを用いて、ナノインプリントリソグラフィを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8又は9記載の方法により製造されたレプリカテンプレートを用いて、ナノインプリントリソグラフィを行う工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 片面に、第1の深さを有する第1の凹部と、前記第1の深さよりも浅い第2の深さを有する第2の凹部とを有する第1基材と、
前記第1基材の片面に配設され、前記第1の凹部の側壁の一部、又は前記第2の凹部の側壁の少なくとも一部を構成する複数の構造体と、を有し、
前記構造体の材質は、前記第1基材の材質とは異なるものであることを特徴とするナノインプリント用テンプレート。 - 前記構造体は、前記第1基材に対して光透過性が低いことを特徴とする請求項14記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記第1基材の材質は石英であり、
前記構造体の材質は、Cr、Ta、Ti、Moのいずれか1種以上を含む化合物であることを特徴とする請求項14又は15記載のナノインプリント用テンプレート。
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