JP2007103924A - モールド、インプリント装置および構造体の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 112
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0888—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
- B29C35/0894—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds provided with masks or diaphragms
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
- B29C2059/023—Microembossing
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Toxicology (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
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Abstract
【解決手段】光硬化性樹脂の硬化を意図していない領域の硬化を低減、あるいは抑制するために、本発明は、凹凸パターン部と非パターン部とを有するモールドにおいて、
前記非パターン部に遮光部材を設け非パターン部を介した光硬化性樹脂の露光を抑制するか、モールドを介することなく光が光硬化性樹脂に照射されないように遮光部材を設けることにより光硬化性樹脂の露光を抑制する。
【選択図】 図1
Description
この技術は、数ナノメートルオーダーの分解能を持つためナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれている。
ナノインプリントは上記分解能をもつものの、最小加工幅1mm以下、又は最小加工幅1μm以下、或いは最小加工幅100nm以下の加工にも好適に用いられる。
また、ナノインプリントは、例えば、ワークに対して、加工幅100nm以下の領域と、加工幅1μm以上の領域とを同時に加工できる。
即ち、加工幅が一桁以上、より好ましくは3桁以上異なる加工を同時にワークに対して施せる点が、光リソグラフィーによるワークの加工と比べて優位な点である。
この技術は、半導体デバイスの製造だけではなく、立体構造体をウェハレベルで一括加工する際にも用いることができる。
そのため、フォトニッククリスタル等の光学素子、μ−TAS(Micro Total Analysis System)、バイオチップの製造技術等として幅広い分野への応用が期待されている。
まず、基板(例えば半導体ウエハ)上に光硬化性の樹脂層を形成する。
つぎに、樹脂層に、所望の凹凸構造が形成されたモールド(テンプレートと呼ぶこともある)を接触させる。
この状態で、紫外線を樹脂に照射することにより樹脂を硬化させる。
これにより、樹脂層に上記構造の凹凸が反転した凹凸構造が形成できる。これを凹凸構造の転写と云う。
更に、この樹脂層を耐エッチングマスクとして用いて基板表面のエッチング等を行い、基板へ凹凸構造が転写される。
Stephan Y.Chou et.al.,Appl.Phys.Lett,67,3114,1995
このようなインプリント法により加工する際、モールドより外側にはみ出した基板上の光硬化性樹脂は、モールドの側面に付着する。
このモールド側面に付着した光硬化性樹脂は、露光時にモールドより外側を通過する光によって、凹凸構造(凹凸パターン)を形成すべき部分の光硬化性樹脂と同時に硬化してしまう。
このような硬化により、モールドをワークから離型する際に大きな力が作用し、モールドまたはワークに損傷を与えることがある。
また、露光の際にはモールドに形成されている凹凸パターン部より外側を通過する光によって、凹凸パターンを形成すべき部分より外側の感光性樹脂が過剰に露光され好ましくない形状になる場合があった。
特に、基板に樹脂をスピンコートなどによって塗布し、ステップアンドリピートによりワークの加工を繰り返すような場合には、加工前の凹凸パターンを形成すべき部分を露光してしまう。
本発明のモールドは、光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、前記被加工物に加工を施すインプリント装置に用いられるモールドにおいて、
凹凸パターンを有する加工面と、
前記加工面に相対する裏面と、
前記凹凸パターンが設けられていない非パターン部と、
を有し、
前記非パターン部には、該非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるための遮光部材が設けられていることを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記非パターン部は、前記凹凸パターンを有する凹凸パターン部の周囲に設けられ、
前記遮光部材は、前記非パターン部における前記加工面と同じ向きの面、前記非パターン部における前記裏面と同じ向きの面、前記非パターン部の側面のうち、少なくともいずれか一つの面に設けられていることを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記非パターン部は、前記モールドの側面であることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、前記被加工物に加工を施すインプリント装置において、
前記モールドは、凹凸パターンを有する加工面と、前記加工面に相対する裏面と、前記凹凸パターンが設けられていない非パターン部と、を有し、
前記非パターン部には、露光用光源から前記非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるように、遮光部材が設けられていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、被加工物に加工を施すインプリント装置において、
前記光を発生する光源と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
を有し、
前記光源から前記モールドを介することなく、前記被加工物に照射される光を減ずる遮光部材を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、前記遮光部材は、前記光源と前記モールド保持部との間の鏡筒に設けられていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、前記遮光部材は、前記モールド保持部に設けられていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、
ステップアンドリピートにより、前記被加工物への加工を繰り返し行うように、前記光源と、前記モールドを前記被加工物に対して接触させる機構と、
前記被加工物を移動する移動機構と、
を制御するコントローラを有することを特徴とする。
また、本発明の構造体の製造方法は、
基板上に前記被加工物としての光硬化性樹脂を塗布する工程と、
上記非パターン部には、露光用光源から前記非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるように、遮光部材が設けられている構成のインプリント装置を用いて、光硬化性樹脂を硬化させて凹凸パターンを有する樹脂層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
また、本発明の構造体の製造方法は、
基板上に前記被加工物としての光硬化性樹脂を塗布する工程と、
上記非パターン部には、露光用光源から前記非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるように、遮光部材が設けられている構成のインプリント装置を用いて、光硬化性樹脂を硬化させて凹凸パターンを有する樹脂層を形成する工程と、
前記凹凸パターンを有する樹脂層をマスクとして、エッチングを前記基板に施す工程と、
前記エッチング後に前記基板上に残留する前記樹脂層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
また、本発明の構造体の製造方法は、上記非パターン部には、露光用光源から前記非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるように、遮光部材が設けられている構成のインプリント装置を用いて、
光硬化性樹脂を備えた加工領域のうち、加工領域内の特定の光硬化性樹脂を硬化させ、モールドの加工面に形成されたパターンを転写することを特徴とする。また、本発明の構造体の製造方法は、硬化させなかった光硬化性樹脂を前記エッチング工程より前に除去する工程を有することを特徴とする。
図1(A)は本発明の実施形態によるモールドの断面を示している。
図1(A)において、101は透明部材、102は加工面、103は遮光部材、104は凹凸パターン部、105は非パターン部である。
なお、ここで破線は凹凸パターン部と非パターン部の境界を区別して説明するために便宜上、描いたものである。
106は第1の表面、107は第2の表面である。モールドの第1の表面106は、凹凸パターンを有する加工面であり、第2の表面107は非パターン部における該凹凸パターンを有する加工面と同じ向きの面である。
すなわち、非パターン部105における、凹凸パターンを有する加工面106と同じ向きの面107、又は、非パターン部105における裏面と同じ向きの面109、或いは、非パターン部105の側面のうち、少なくともいずれか一つの面に設けられる。
本発明に用いられる遮光部材としては、ワークの少なくとも一部となる光硬化性樹脂を硬化しうる光を完全に遮断するものは勿論、完全に遮断はしていないものを含む。
後者の場合は、遮光されていない領域と、遮光されている領域とで光硬化性樹脂の硬化度に、必要な差異が生じるものであればよい。
一方、本発明の別の実施形態においては、後述するように、インプリント装置は、露光用光源からモールドを介さずに被加工部材へ照射される光を遮光する遮光部材(遮光手段)を有することも好ましいものである。
また、モールドを、加工時のモールドの側面付近の樹脂が硬化しない、あるいは凹凸パターン部直下の樹脂よりも硬化し難いように、遮光部材を設けた構成にすれば、離型時におけるモールドおよび被加工部材への損傷を抑制することが可能となる。
加えてステップアンドリピートによる加工方法の場合には、ワークの特定の加工領域内の未硬化樹脂のみを硬化させ、その後加工される予定の領域に存在する未硬化樹脂の露光を防止することができる。
まず、光硬化性樹脂を基板の表面全面に予めコーティングしたワークを用意する。
そして、ワークの表面の一部分にモールドを接触させた状態で光を照射し、その部分の光硬化性樹脂のみを硬化させ、続いてワークからモールドを離す工程を、ワークを面内で移動させながら繰り返す方法である。
本明細書においては、光により硬化した樹脂は、もはや光硬化性樹脂とは云えないが、便宜上、このような硬化した樹脂も光硬化性樹脂と呼ぶことがある。
なお、本発明は、意図していない領域における光硬化性樹脂の硬化を抑制あるいは低減することにあり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
ここで、意図していない領域とは、凹凸パターン部の周辺に非パターン部を有するモールドの場合には例えば以下の領域である。
非パターン部直下の光硬化性樹脂の領域、あるいはモールドの外周部付近(側面付近)の光硬化性樹脂の領域、あるいは樹脂への接触時において、モールドの外周側面に位置する光硬化性樹脂の領域である。
図1(A)と同じ部分には同じ符号を付す。
図1(B)は、モールドの側面のうち下方の一部にのみ遮光部材103を配置した構成である。
図1(C)は、モールドの側面より下方に遮光部材103が突き出ている構成である。
以上の構成においては、図1(A)の場合、即ち、モールドの側面が凹凸パターン部の凸部表面と同じレベルまで達していない場合に遮光の効果がより高まる。また、このモールドの側面より遮光部材103が突き出た部分の長さは、凹凸パターン部の凸部表面と、モールドの加工面と同じ向きの非パターン部の表面107と、の間の距離を超えない長さであることが望ましい。
図1(D)は、遮光部材103を補強する補強部108を設けた構成である。
例えば、遮光部材103の膜厚は50nm程度と薄い時もある。このような場合で、十分な強度を持たないような時には、補強することによって遮光部材103の下端の破壊を防ぐことができる。
図1(E)は、遮光部材103が非パターン部の下面107に設けられた構成である。
ここで遮光部材103の厚みは、凹凸パターン部の凸部表面と、モールドの加工面と同じ向きの非パターン部の表面107と、の間の距離を超えない厚さであることが望ましい。
図1(F)は、遮光部材103が非パターン部105の裏面(上面)に配置した構成である。
図1(G)は、遮光部材103がモールドの側面に加えて、非パターン領域の下面にも配置された構成である。
ここで遮光部材103の厚みは、凹凸パターン部の凸部表面と、モールドの加工面と同じ向きの非パターン部の表面107と、の間の距離を超えない厚さであることが望ましい。
図1(H)は、モールドの側面に加えて、非パターン部の裏面にも遮光部材103を配置した構成である。
図7(A)において701は透明部材、702は遮光部材、703は第1の表面、704は第2の表面、705は第3の表面、706は裏面である。
図7(A)は、第1の表面と第3の表面の間にある側面に遮光部材が配置された構造である。
図7(B)は第1の表面と第3の表面の間にある側面および第3の表面に遮光部材が配置された構造である。
図7(C)は第3の表面に遮光部材が配置された構造である。
図7(D)は第1の表面と第3の表面の間にある側面および第3の表面および第3の表面と裏面の間にある側面に遮光部材が配置された構造である。
図2(A)、図2(B)に、本発明に用いられるモールド用の透明部材からなる基板の側面に遮光部材を設ける工程を示す。
図2(A)、図2(B)において、201は基板、202はレジスト、203は遮光部材である。
ここで、モールド用の基板は加工面として加工する面を表面、その相対する面を裏面、表面と裏面をつなぐ面を側面とする。
まず、a−1工程において、基板を用意する。
ここで、基板201は石英ガラス、パイレックス(登録商標)のような耐熱性ガラス、サファイア等の光を透過する物質が使用される。
つぎに、a−2工程において、基板の加工面にネガレジスト202をスピンコーター等で塗布し、光を照射することによって変性させ現像液に溶け難くする。
つぎに、a−3工程において、基板の裏面にスピンコーター等によりネガレジスト202を塗布し、光を照射することによって変性させ現像液に溶け難くする。ここで、側面に付着したレジストは研磨することによって除去することができる。また側面にレジストが付着しないようにフィルム状のマスクをしておいても良い。
つぎに、a−4工程において、基板側面に遮光部材203を設ける。
ここで、遮光部材はCrなどの金属膜をスパッタ、CVD、真空蒸着、イオンプレーティングなどによって蒸着する。この金属膜はUV光を十分遮断できればよく、望ましくは50nm以下である。
また、遮光部材はアクリル系、ウレタン系、ポリカーボネート系などの有機材料でも、カーボン系などの無機材料であってもよい。当然これらの材料は色素など他の材料を含有していても良い。
つぎに、a−5工程において、レジスト202を剥離することによって遮光部材203の設けられた基板を完成させる。
そして、不図示ではあるが、基板の表面を後述する方法により加工し凹凸パターンを形成する。
まず、b−1の工程において、基板201を用意する。
つぎに、b−2の工程において、遮光部材となる材料あるいは該材料の前駆体を含む溶液に浸すこと(ディッピング)や塗装により遮光部材203を設ける。
この際、溶剤を飛ばすことによって定着させる。なお、遮光部材203を基板の側面の一部にのみ設ける場合には、基板を必要な深さまでディッピングすればよい。
つぎに、b−3の工程において、裏面を化学機械研磨(CMP)などによって研磨し、裏面に形成されていた遮光部材を除去する。
つぎに、b−4の工程において、表面を研磨し遮光部材203が側面に設けられた基板を完成させる。
なお、遮光部材203は、上述した液相堆積や気相堆積によるものに限られず、フィルム状の遮光性物質や板状の遮光性物質を基板に接着することにより形成しても良い。
また、遮光部材を設けたくない場所には図2(A)のように、予めマスクをすることも可能である。
さらにまた、b−2、b−3の工程は何回かに分けて繰り返しても良い。
また、図2(A)に示した方法と図2(B)に示した方法とを組み合わせても良い。
こうして完成させた遮光部材203を有する基板には、通常のフォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィー、収束イオンビーム(FIB)加工、X線リソグラフィー等で加工面に凹凸パターンを形成する。こうして、モールドができる。
なお、遮光部材203を設ける工程は、加工面に凹凸パターンが形成された後であっても良い。
図3(A)に、本実施形態におけるインプリント装置の構成例を示す。
図3(A)において、301はモールド、302はモールド保持部、303は鏡筒、304は光硬化性樹脂、305は基板、306はワーク保持部、307はワーク加圧機構、308はXY移動機構である。
また、309は露光用光源、310は遮光部材、311は露光光、312はインプリント制御機構である。
ここで、ワークとは光硬化性樹脂304が塗布された基板305である。
なお、塗布方法としてはスピンコート法やスリットコート法が挙げられる。また、ここでは図示および説明を省略するが、位置合わせを行うための位置検出装置なども備えている。
ワークはXY移動機構により所望の位置に移動することができ、ワーク加圧機構307によりワークの高さの調整および加圧を行うことができる。
露光光源は鏡筒303を通り、モールド301に到達する。光はモールド301より外側には照射されないように、光束がレンズまたは絞りにより制限されている。
ワークの位置移動、加圧、露光の制御はインプリント制御機構312によって行う。
図3(A)に示される本実施形態のモールドは透明部材からなり、モールドの側面(非パターン領域)全面に遮光部材103が設けられている。
そのため、モールドを介してモールド外部へ出射する光は無く、モールド外部の樹脂の硬化ないし樹脂の過露光を防ぐことができる。
特に、ワーク面内の加工前の領域を露光することがないので、加工前の領域における光硬化性樹脂が硬化して転写が行われなくなることを防ぐことができる。
図3(B)において、310は鏡筒及びモールド保持部に設けられた遮光部材である。
こうすれば、鏡筒及びモールド保持部を光透過性の材料で作製することができる。
また、光源からの光をレンズや絞りで照射範囲を制限する必要もない。光源から出た露光光は鏡筒を通りモールド裏面に到達する。
露光光が広がる場合はもちろんのこと平行である場合や逆に絞られている場合であっても、装置構成によっては露光光が様々な部材で反射・散乱をすることがある。また、時には部材の隙間から漏れる場合もある。
すなわち、鏡筒303及びモールド保持部302の必要な部分、ここでは、鏡筒303の側面と、モールド保持部302の側面及び周辺部下面である。
これらの場所に遮光部材310を設け、露光の必要な部分以外への露光光の到達を完全に遮断する。
これらと、モールド側面の遮光部材とにより、ワークの被露光領域はモールドの凹凸パターン部の下面(加工面)と同じ範囲に限定される。
図4(A)、図4(B)は、ワークに加工を施す手順を説明するための模式図である。
図4(A)は上面図、図4(B)は図4(A)のAA’位置における断面図である。
図4(A)、図4(B)において、401はワーク、407はモールド、408は基板、409は光硬化性樹脂、410は凹凸パターンが転写された硬化後の樹脂である。モールド407の側面全面には遮光部材103が設けられている。
また、405は加工経路で、その順序は経路が最短になるようになっており、ワーク内の1−21で示される番号は1ショット毎のエリアの加工の順番を示している。
破線で示される402は1−9番まで9箇所の加工後の領域を、太い実線で示される403は10番の加工領域を、点線で示される404は11−21までの11箇所の未加工領域をそれぞれ示す。
406はウエハエッジ近傍の未露光領域で、ワークの加工終了時においても露光されない領域である。
一例として、10番で表される位置を加工する例について説明する。
まず、10番位置に移動されたワークをモールドに接触させるか、モールドをワークに接触させる。その際、モールドとワークの間に収まらなくなった光硬化性樹脂は加工領域より外側に押し出される。
つぎに、露光によって10番の加工領域内部のみの樹脂を硬化させる。その際、上述した遮光部材を用いれば、光源からの光照射に際し、モールドの加工面と、モールドの非パターン部を透過する光を遮断することができる。
このため、加工領域外に押し出された光硬化性樹脂は露光されないので硬化することがなく、離型時におけるモールドやワークへの損傷を抑制することが可能となる。
また、10番の領域より外を照射する光を遮断することができるので、1−9番の領域が過露光になることがなく、さらに11−21番の未加工領域が露光されるのを防ぐことができる。
また、加工領域の加工マージンを小さくすることができる。したがって、モールドを移動させる際の距離を、モールドの一辺と同じ長さにすることも可能である。これにより、基板の面積を有効に使うことが可能になる。
凹凸パターンが形成された硬化した樹脂自体を構造体とする場合には、これで、構造体の作製は終了する。
LSIのような半導体デバイスの製造にインプリント方法を用いる場合には、凹凸パターンが形成された硬化した樹脂自体を耐エッチングマスクとして、下地の基板表面にエッチングを施し、上記凹凸パターンに対応した溝のような凹部を基板に形成する。
図5(A)は上面図であり、図5(B)は図5(A)のAA’位置における断面図である。
図5(A)、図5(B)において、501はワーク、502は加工後の領域、503は未露光領域、504は基板である。
また、505はパターンが転写された硬化後の光硬化樹脂である。
506は未硬化樹脂で、加工中に加工領域より外側に押し出され、加工領域の境界付近にある露光されなかった樹脂である。
加工領域の境界の未硬化樹脂や未露光領域の未硬化樹脂は、後の工程に良くない影響を与えることがある。
例えば、未硬化樹脂がパターン部を覆い、その状態でエッチングをするとエッチングレートが変わり、所望のパターンを得られなくなる場合がある。
このような影響を避けるために、ブローして吹き飛ばしたり、洗浄して除去したり、露光して硬化させたりすることができる。
この場合、基板上にはパターンの転写された樹脂がある加工後の領域と樹脂の塗布されていない基板が剥き出しになった加工前の領域および加工中の領域がある。
この方法であっても、本実施例の遮光部材を用いることによって加工後の領域へ露光光の照射がなくなり、加工後の領域の樹脂が過露光になることを防ぐことができる。
特に、樹脂の硬化を意図しない領域が、モールドの外周側面部付近の領域である場合について説明する。
遮光部材がモールドあるいはインプリント装置等に施されていない場合の構成例を図6(A)〜図6(D)に示す。
図6(A)〜図6(D)において、601はモールド、602は露光光、603は基板、604は樹脂である。
605はモールドから外側へはみ出した樹脂である。606は離型に成功した加工領域で、加工領域はモールド領域607とマージン領域608からなる。
マージン領域はモールドの外側であって、露光によって樹脂が硬化する最小の領域である。
図6(A)は露光過程を示す図である。露光光は光源から放射状に広がり、モールドの内側および内側を通りその外側を照射し、モールド領域だけでなくマージン領域にある樹脂も露光する。
パターンの深さは100nm程度であるのに対し、外側へはみ出した樹脂の厚みは数mmになることもある。
この樹脂が硬化した場合、基板の樹脂層が薄いために基板の樹脂の一部又は全てを剥がす恐れがある。
また、逆に露光量が不足し、完全に硬化していないような場合にはモールドに付着し、それが移動中に落下し、欠陥が生じる恐れがある。
図6(B)は小さな樹脂片609が樹脂から引きちぎれ610、モールドに付着した例である。
このような樹脂片は加工途中にワークに落下する場合がある。仮に、ワークとモールドの間に挟まり、それがモールドの加工面に付着するとそれ以降の加工領域が欠陥となる。
図6(C)は大きな樹脂片611が基板から剥がされ、基板が剥き出し612になった例である。
この場合モールドに付着して硬化した樹脂により、これ以降の加工領域に欠陥が生じる。
図6(D)は樹脂613が基板から浮き上がった例である。この領域がマージン領域内であれば限定的な欠陥となる。
図6(B)〜図6(D)のような場合に対して、本発明の実施形態によれば、モールド周辺の樹脂の硬化を防ぐことが可能となり、欠陥等が生じることを防止することが可能となる。
なお、上述した本発明には、モールドとウエハなどのワークとの間に光硬化性樹脂が設けられ、モールドが有するパターン凹部に当該樹脂が充填されるのであれば、必ずしもモールド側あるいはワーク側から他方に対して、加圧力を加える必要はない。勿論、必要に応じて、加圧力を利用することもできる。
102:加工面
103:遮光部材
104:パターン領域
105:非パターン領域
106:第1の表面
107:第2の表面
108:補強部
201:基板
202:樹脂
203:遮光部材
301:モールド
302:モールド保持部
303:鏡筒
304:光硬化樹脂
305:基板
306:ワーク保持部
307:ワーク加圧機構
308:XY移動機構
309:露光用光源
310:遮光部材
311:露光光
312:インプリント制御機構
401:ワーク
402:加工後の領域
403:加工中の領域
404:加工前の領域
405:加工経路
406:未露光領域
407:モールド
408:基板
409:光硬化樹脂
410:硬化後の光硬化樹脂
501:ワーク
502:加工後の領域
503:未露光領域
504:基板
505:硬化後の光硬化樹脂
506:未硬化樹脂
601:モールド
602:露光光
603:基板
604:光硬化樹脂
605:押し出された樹脂、
606:加工領域
607:モールド領域
608:マージン領域
609:小さな樹脂片
610:引きちぎれた樹脂
611:大きな樹脂片
612:基板が出た領域
613:浮き上がった樹脂
701:透明部材
702:遮光部材
703:第1の表面
704:第2の表面
705:第3の表面
706:裏面
Claims (12)
- 光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、前記被加工物に加工を施すインプリント装置に用いられるモールドにおいて、
凹凸パターンを有する加工面と、
前記加工面に相対する裏面と、
前記凹凸パターンが設けられていない非パターン部と、
を有し、
前記非パターン部には、該非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるための遮光部材が設けられていることを特徴とするモールド。 - 前記非パターン部は、前記凹凸パターンを有する凹凸パターン部の周囲に設けられ、
前記遮光部材は、前記非パターン部における前記加工面と同じ向きの面、前記非パターン部における前記裏面と同じ向きの面、前記非パターン部の側面のうち、少なくともいずれか一つの面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のモールド。 - 前記非パターン部は、前記モールドの側面であることを特徴とする請求項1に記載のモールド。
- 光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、前記被加工物に加工を施すインプリント装置において、
前記モールドは、凹凸パターンを有する加工面と、前記加工面に相対する裏面と、前記凹凸パターンが設けられていない非パターン部と、を有し、
前記非パターン部には、露光用光源から前記非パターン部を介して前記被加工物に照射される光を減ずるように、遮光部材が設けられていることを特徴とするインプリント装置。 - 光硬化性の被加工物に凹凸パターンを有するモールドを接触させた状態で、該モールドを介して前記被加工物に該被加工物を硬化させるための光を照射して、被加工物に加工を施すインプリント装置において、
前記光を発生する光源と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
を有し、
前記光源から前記モールドを介することなく、前記被加工物に照射される光を減ずる遮光部材を有することを特徴とするインプリント装置。 - 前記遮光部材は、前記光源と前記モールド保持部との間の鏡筒に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
- 前記遮光部材は、前記モールド保持部に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
- ステップアンドリピートにより、前記被加工物への加工を繰り返し行うように、
前記光源と、前記モールドを前記被加工物に対して接触させる機構と、
前記被加工物を移動する移動機構と、
を制御するコントローラを有することを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。 - 構造体の製造方法において、
基板上に前記被加工物としての光硬化性樹脂を塗布する工程と、
請求項4に記載のインプリント装置を用いて、光硬化性樹脂を硬化させて凹凸パターンを有する樹脂層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の製造方法。 - 構造体の製造方法において、
基板上に前記被加工物としての光硬化性樹脂を塗布する工程と、
請求項4に記載のインプリント装置を用いて、光硬化性樹脂を硬化させて凹凸パターンを有する樹脂層を形成する工程と、
前記凹凸パターンを有する樹脂層をマスクとして、エッチングを前記基板に施す工程と、
前記エッチング後に前記基板上に残留する前記樹脂層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の製造方法。 - 構造体の製造方法において、
請求項4記載のインプリント装置を用いて、
光硬化性樹脂を備えた加工領域のうち、加工領域内の特定の光硬化性樹脂を硬化させ、モールドの加工面に形成されたパターンを転写することを特徴とする構造体の製造方法。 - 構造体の製造方法において、
硬化させなかった光硬化性樹脂を前記エッチング工程より前に除去する工程を有することを特徴とする請求項10に記載の構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006240346A JP4262271B2 (ja) | 2005-09-06 | 2006-09-05 | インプリント方法、インプリント装置および構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005257431 | 2005-09-06 | ||
JP2006240346A JP4262271B2 (ja) | 2005-09-06 | 2006-09-05 | インプリント方法、インプリント装置および構造体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008023331A Division JP4869263B2 (ja) | 2005-09-06 | 2008-02-01 | モールド |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007103924A true JP2007103924A (ja) | 2007-04-19 |
JP2007103924A5 JP2007103924A5 (ja) | 2008-02-21 |
JP4262271B2 JP4262271B2 (ja) | 2009-05-13 |
Family
ID=37654877
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006240346A Expired - Fee Related JP4262271B2 (ja) | 2005-09-06 | 2006-09-05 | インプリント方法、インプリント装置および構造体の製造方法 |
JP2008023331A Expired - Fee Related JP4869263B2 (ja) | 2005-09-06 | 2008-02-01 | モールド |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008023331A Expired - Fee Related JP4869263B2 (ja) | 2005-09-06 | 2008-02-01 | モールド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8011916B2 (ja) |
EP (2) | EP1942374B1 (ja) |
JP (2) | JP4262271B2 (ja) |
KR (2) | KR100907573B1 (ja) |
CN (2) | CN101666974B (ja) |
AT (1) | ATE551631T1 (ja) |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008044283A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Osaka Prefecture Univ | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
JP2008044289A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写用の型および転写方法 |
JP2008221674A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Canon Inc | モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法 |
JP2008296579A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Samsung Electronics Co Ltd | マスクモールド及びその製作方法と、製作されたマスクモールドを用いた大面積・微細パターン成形方法 |
WO2009011215A1 (ja) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | インプリントモールド |
JP2009060085A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Canon Inc | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による構造体 |
JP2009060084A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Canon Inc | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による構造体 |
JP2009065135A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ蛇行順番 |
JP2009182075A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Canon Inc | インプリントによる構造体の製造方法 |
JP2009532909A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
JP2009212449A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | インプリント方法およびインプリント用のテンプレート |
JP2009226634A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Konica Minolta Opto Inc | サブマスター成形型の製造方法 |
JP2009260293A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Canon Inc | ナノインプリント方法及びナノインプリントに用いられるモールド |
WO2010087021A1 (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | パイオニア株式会社 | 転写装置 |
JP2010258259A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント転写用基板およびナノインプリント転写方法 |
JP2010258326A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2011005695A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011005696A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011029248A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP2011114046A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法、パターン形成装置、ナノインプリントモールド及びナノインプリントモールドの製造方法 |
JP2011146496A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 光インプリント用のモールドおよびこれを用いた光インプリント方法 |
JP2012006233A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 型の製造方法 |
JP2012039012A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法、ナノインプリント法による樹脂パターンの製造方法、及び、ナノインプリント用モールド |
JP2013038117A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 微細パターンを転写するための転写ヘッド及びそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP2013165278A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-22 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2013191628A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Canon Inc | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP2013229475A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 異物除去方法 |
JP2014013902A (ja) * | 2013-07-30 | 2014-01-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光インプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2014146696A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
JP2014195088A (ja) * | 2014-04-25 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントによるパターン形成装置 |
JP2014226877A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | パナソニック株式会社 | 微細パターン形成方法、及び微細パターン形成装置 |
JP2015012280A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP2015012034A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | モールド |
CN104937698A (zh) * | 2013-01-24 | 2015-09-23 | 综研化学株式会社 | 透光型压印用模具、大面积模具的制造方法 |
JP2015204399A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
US9442370B2 (en) | 2013-05-27 | 2016-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method |
JPWO2015076147A1 (ja) * | 2013-11-22 | 2017-03-16 | 綜研化学株式会社 | ステップアンドリピート方式のインプリント技術を用いた構造体の製造方法 |
JPWO2016006592A1 (ja) * | 2014-07-08 | 2017-04-27 | 綜研化学株式会社 | ステップアンドリピート用インプリント用モールド及びその製造方法 |
US9952504B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method, imprint apparatus, and method for manufacturing device |
JP2018092996A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
US10001702B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting apparatus, device fabrication method, and imprinting method |
JP2018198278A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | キヤノン株式会社 | 型、インプリント装置、および物品の製造方法 |
KR20190013764A (ko) | 2016-05-25 | 2019-02-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 템플릿 및 템플릿 블랭크, 그리고 임프린트용 템플릿 기판의 제조 방법, 임프린트용 템플릿의 제조 방법 및 템플릿 |
WO2020050207A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターンの製造方法、半導体素子の製造方法および硬化物 |
JP2020179508A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | Scivax株式会社 | インプリント用モールドおよび当該インプリント用モールドの製造方法並びに撮像素子製造方法 |
JP2021166224A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4262267B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
US7690910B2 (en) * | 2006-02-01 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold |
JP4922774B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及びパターン形成用モールド |
KR100884811B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2009-02-20 | 한국기계연구원 | 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법 |
JP2009298041A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | テンプレート及びパターン形成方法 |
WO2010011835A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Henkel Corporation | Mold assembly and attenuated light process for fabricating molded parts |
JP2010076219A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | ナノインプリントによる基板の加工方法 |
JP4892025B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-03-07 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
MX340857B (es) | 2008-12-05 | 2016-07-28 | Liquidia Tech Inc | Metodo para producir materiales modelados. |
GB2468635B (en) * | 2009-02-05 | 2014-05-14 | Api Group Plc | Production of a surface relief on a substrate |
TWI432806B (zh) | 2009-03-26 | 2014-04-01 | Panasonic Corp | 具有鏡面之光波導的製造方法 |
NL2004265A (en) | 2009-04-01 | 2010-10-04 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
JP5377053B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法 |
JP5443070B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JP5397054B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-01-22 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法およびナノインプリント装置 |
US20110031650A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Molecular Imprints, Inc. | Adjacent Field Alignment |
EP2287666B1 (de) * | 2009-08-22 | 2012-06-27 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung zum Prägen von Substraten |
JP5458975B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP5355614B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2013-11-27 | パナソニック株式会社 | シート状デバイスの製造装置、シート状デバイスの製造方法 |
US9523919B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making differentially pattern cured microstructured articles |
JP5644906B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2014-12-24 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法 |
US9177790B2 (en) * | 2013-10-30 | 2015-11-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Inkjet printing in a peripheral region of a substrate |
KR102241025B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2021-04-16 | 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피 주형 및 제로-갭 임프린팅 방법 |
CA3171807A1 (en) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Illumina, Inc. | Substrates comprising nano-patterning surfaces and methods of preparing thereof |
TW201616553A (zh) | 2014-07-17 | 2016-05-01 | Soken Kagaku Kk | 分步重複式壓印裝置以及方法 |
JP2016126240A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 住友ゴム工業株式会社 | 印刷用樹脂原版の製造方法およびフレキソ印刷版 |
JP6537277B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品製造方法 |
JP2016159616A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 造形装置 |
JP6602033B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-11-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、供給量分布の作成方法、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
JP6441181B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2018-12-19 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 |
KR102288981B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2021-08-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 임프린트 템플레이트 및 임프린트 패턴 형성 방법 |
CN107538945A (zh) * | 2017-08-04 | 2018-01-05 | 南京工业大学 | 一种均质光子晶体涂层的构筑工艺 |
KR102463923B1 (ko) | 2017-09-18 | 2022-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 임프린트 패턴 형성 방법 및 임프린트 장치 |
US10935883B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication |
JP7027823B2 (ja) * | 2017-11-08 | 2022-03-02 | 大日本印刷株式会社 | 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド |
FR3075800B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2020-10-09 | Arkema France | Couches anti adhesives pour les procedes d'impression par transfert |
US10948818B2 (en) * | 2018-03-19 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam |
KR102068574B1 (ko) * | 2018-05-29 | 2020-01-21 | 한국기계연구원 | 나노 임프린팅용 대면적 스탬프 제조방법 |
US11281095B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Frame curing template and system and method of using the frame curing template |
JP2021044299A (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | インプリント方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置 |
JP7465146B2 (ja) * | 2020-05-12 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、判定方法及び物品の製造方法 |
US11747731B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-09-05 | Canon Kabishiki Kaisha | Curing a shaped film using multiple images of a spatial light modulator |
US20230167017A1 (en) * | 2021-12-01 | 2023-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Superstrate and a method of using the same |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02289311A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-11-29 | Hoya Corp | スタンパーおよびこのスタンパーを用いる情報記録媒体用基板の製造方法 |
EP0614124A3 (en) | 1993-02-01 | 1994-12-14 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device. |
US5885514A (en) * | 1996-12-09 | 1999-03-23 | Dana Corporation | Ambient UVL-curable elastomer mold apparatus |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
TW473823B (en) | 1999-11-18 | 2002-01-21 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method as well as exposure apparatus, and method for manufacturing device |
US6696220B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-02-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography |
US7635262B2 (en) * | 2000-07-18 | 2009-12-22 | Princeton University | Lithographic apparatus for fluid pressure imprint lithography |
JP2002184669A (ja) | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6653030B2 (en) | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
JP3907504B2 (ja) | 2002-03-14 | 2007-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US7070405B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
KR100488049B1 (ko) * | 2003-01-16 | 2005-05-06 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 제조 방법 |
TWI220267B (en) | 2003-07-31 | 2004-08-11 | Univ Nat Cheng Kung | Manufacturing method of transferring pattern with high aspect ratio |
US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
KR20050075580A (ko) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작방법 |
KR100585951B1 (ko) * | 2004-02-18 | 2006-06-01 | 한국기계연구원 | 조합/분리형 독립구동이 가능한 복수 개의 모듈을 갖는 임프린팅 장치 |
US7686970B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
TWI261308B (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-01 | Ind Tech Res Inst | Micro-nanometer transfer printer |
US20060266916A1 (en) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy |
US7377764B2 (en) * | 2005-06-13 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4262267B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
US7854877B2 (en) * | 2007-08-14 | 2010-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithography meandering order |
EP2473329B1 (en) * | 2009-09-03 | 2017-01-11 | LG Electronics Inc. | Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold |
JP5909046B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-04-26 | 株式会社東芝 | 近接場露光方法 |
-
2006
- 2006-08-31 US US11/468,870 patent/US8011916B2/en active Active
- 2006-09-05 EP EP08153570A patent/EP1942374B1/en not_active Not-in-force
- 2006-09-05 JP JP2006240346A patent/JP4262271B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-05 AT AT08153570T patent/ATE551631T1/de active
- 2006-09-05 EP EP06120143A patent/EP1762893B1/en not_active Not-in-force
- 2006-09-06 CN CN2009101738996A patent/CN101666974B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-06 CN CN200610128192XA patent/CN1928712B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-06 KR KR1020060085408A patent/KR100907573B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-02-01 JP JP2008023331A patent/JP4869263B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-05 KR KR1020080053161A patent/KR100886038B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-08-01 US US13/195,410 patent/US20110284499A1/en not_active Abandoned
Cited By (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
JP2009532909A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
JP2008044283A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Osaka Prefecture Univ | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
JP2008044289A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 転写用の型および転写方法 |
JP2008221674A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Canon Inc | モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法 |
JP2008296579A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Samsung Electronics Co Ltd | マスクモールド及びその製作方法と、製作されたマスクモールドを用いた大面積・微細パターン成形方法 |
WO2009011215A1 (ja) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | インプリントモールド |
JP2009023113A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールド |
US8038431B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-10-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint mold |
JP2009060085A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Canon Inc | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による構造体 |
JP2009060084A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Canon Inc | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による構造体 |
JP2009065135A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ蛇行順番 |
JP2009182075A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Canon Inc | インプリントによる構造体の製造方法 |
JP2009212449A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | インプリント方法およびインプリント用のテンプレート |
US8480946B2 (en) | 2008-03-06 | 2013-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Imprint method and template for imprinting |
JP2009260293A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Canon Inc | ナノインプリント方法及びナノインプリントに用いられるモールド |
JP2009226634A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Konica Minolta Opto Inc | サブマスター成形型の製造方法 |
WO2010087021A1 (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | パイオニア株式会社 | 転写装置 |
JP2010258259A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント転写用基板およびナノインプリント転写方法 |
JP2010258326A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2011005696A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011005695A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011029248A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP2011114046A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法、パターン形成装置、ナノインプリントモールド及びナノインプリントモールドの製造方法 |
JP2011146496A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 光インプリント用のモールドおよびこれを用いた光インプリント方法 |
JP2012006233A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 型の製造方法 |
JP2012039012A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ナノインプリント用モールドの製造方法、ナノインプリント法による樹脂パターンの製造方法、及び、ナノインプリント用モールド |
JP2013038117A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 微細パターンを転写するための転写ヘッド及びそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP2013191628A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Canon Inc | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP2013229475A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 異物除去方法 |
CN104937698A (zh) * | 2013-01-24 | 2015-09-23 | 综研化学株式会社 | 透光型压印用模具、大面积模具的制造方法 |
TWI615258B (zh) * | 2013-01-24 | 2018-02-21 | Soken Chemical & Engineering Co Ltd | 透光型壓印用模具及壓印方法 |
JP2014146696A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP2013165278A (ja) * | 2013-03-25 | 2013-08-22 | Canon Inc | 加工装置 |
US10001702B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting apparatus, device fabrication method, and imprinting method |
JP2014226877A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | パナソニック株式会社 | 微細パターン形成方法、及び微細パターン形成装置 |
US9442370B2 (en) | 2013-05-27 | 2016-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method |
JP2015012034A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | モールド |
US9952504B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method, imprint apparatus, and method for manufacturing device |
JP2015012280A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP2014013902A (ja) * | 2013-07-30 | 2014-01-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光インプリント用モールドおよびその製造方法 |
JPWO2015076147A1 (ja) * | 2013-11-22 | 2017-03-16 | 綜研化学株式会社 | ステップアンドリピート方式のインプリント技術を用いた構造体の製造方法 |
JP2015204399A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP2014195088A (ja) * | 2014-04-25 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントによるパターン形成装置 |
JPWO2016006592A1 (ja) * | 2014-07-08 | 2017-04-27 | 綜研化学株式会社 | ステップアンドリピート用インプリント用モールド及びその製造方法 |
US11340526B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-05-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Production method of template, template blank, and template substrate for imprinting, production method of template for imprinting, and template |
KR20190013764A (ko) | 2016-05-25 | 2019-02-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 템플릿 및 템플릿 블랭크, 그리고 임프린트용 템플릿 기판의 제조 방법, 임프린트용 템플릿의 제조 방법 및 템플릿 |
JP2018092996A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
JP2018198278A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | キヤノン株式会社 | 型、インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP7058951B2 (ja) | 2017-05-24 | 2022-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JPWO2020050207A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2021-09-16 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターンの製造方法、半導体素子の製造方法および硬化物 |
JP7047109B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-04-04 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターンの製造方法、半導体素子の製造方法および硬化物 |
WO2020050207A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターンの製造方法、半導体素子の製造方法および硬化物 |
JP2020179508A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | Scivax株式会社 | インプリント用モールドおよび当該インプリント用モールドの製造方法並びに撮像素子製造方法 |
JP7267589B2 (ja) | 2019-04-23 | 2023-05-02 | Scivax株式会社 | インプリント用モールドおよび当該インプリント用モールドの製造方法並びに撮像素子製造方法 |
JP2021166224A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP7558674B2 (ja) | 2020-04-06 | 2024-10-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110284499A1 (en) | 2011-11-24 |
EP1942374A1 (en) | 2008-07-09 |
JP4869263B2 (ja) | 2012-02-08 |
CN101666974A (zh) | 2010-03-10 |
US20070054097A1 (en) | 2007-03-08 |
CN101666974B (zh) | 2012-09-26 |
EP1942374B1 (en) | 2012-03-28 |
KR20070027467A (ko) | 2007-03-09 |
JP2008168641A (ja) | 2008-07-24 |
ATE551631T1 (de) | 2012-04-15 |
CN1928712A (zh) | 2007-03-14 |
JP4262271B2 (ja) | 2009-05-13 |
KR100886038B1 (ko) | 2009-02-26 |
KR100907573B1 (ko) | 2009-07-14 |
EP1762893A1 (en) | 2007-03-14 |
EP1762893B1 (en) | 2012-11-14 |
US8011916B2 (en) | 2011-09-06 |
KR20080059538A (ko) | 2008-06-30 |
CN1928712B (zh) | 2011-02-16 |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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