KR20050075580A - 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 나노 임프린트 리쏘그라피를 위한 대면적 스탬프의 제작방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법은, 기판 위에 고분자 박막을 증착하는 단계; 상기 고분자 박막 위에 레지스트 재료를 코팅하는 단계; 상기 레지스트 위에 소형 스탬프를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행하는 단계; 상기 소형 스탬프를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트의 레지듀얼 레이어를 제거하는 단계; 상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용해 고분자 박막을 패터닝하는 단계; 상기 레지스트를 제거하여 대면적 스탬프를 완성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 미세 패턴이 있는 작은 스탬프의 제작만으로도 대면적의 임프린트가 가능하게 함으로써, 나노 패터닝이 필요한 모든 부문에서 광범위하게 응용될 수 있는 효과가 있다.

Description

나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법{fabricating method of larger area stamp with nano imprint lithography}

본 발명은 나노 임프린트 리쏘그라피를 위한 대면적 스탬프의 제작방법에 관한 것이다.

나노 임프린트 리쏘그라피(Nano imprint Lithography) 기술은 1990년 대 중반 미국 Princeton 대학교의 Stephen Y. Chou 교수에 의해 제안된 나노 소자 제작 방법으로, 낮은 생산성을 갖는 전자빔 리쏘그라피나, 고가의 광학 리쏘그라피를 대신할 기술로 주목받고 있다.

이러한, 나노 임프린트의 핵심은 전자빔 리쏘그라피나 다른 방법을 이용하여, 나노 스케일의 구조를 갖는 스탬프를 제작하고, 스탬프를 고분자 박막에 인쇄하여, 나노 스케일의 구조를 전사하고, 이를 반복 사용함으로써, 전자빔 리쏘그라피의 생산성 문제를 극복하자는 것이다.

상기 나노 임프린트 공정은 사용하는 유기 박막의 경화 방식에 따라, 크게 열 경화 방식과 자외선 방식으로 분류된다.

도 1은 종래의 나노 임프린트 공정을 보인 개략 공정도로서, 나노 임프린트 공정의 원리를 보여준다.

상기 도면을 참조하여 우선 열경화 방식에 대해 설명하면, 실리콘과 같은 기판(1)에 고분자 박막(2)을 스핀 코팅한다.

그런 다음, 제작된 스탬프(3)와 기판(1)을 평행하게 놓고, 고분자 박막(2)을 유리 전이 온도까지 가열한다.

그리고 나서, 스탬프(3)를 고분자 박막(2)과 물리적 접촉을 시키고, 압력을 가한 후, 온도를 낮춘다.

그런 다음, 온도가 유리 전이 온도 이하가 되면 스탬프(3)와 고분자 박막(2)을 분리한다.

한편, 자외선 경화방식은 열경화 방식과 유사한 방법이지만, 투명한 스탬프(3)와 자외선 경화형 고분자(2)를 이용해서 자외선 조사를 통해 경화하는 방식에서 그 차이점이 있다.

상기 자외선 경화방식은 높은 온도와 압력을 필요로 하지 않기 때문에 최근에 많은 연구가 진행되고 있는 방식이다.

상기와 같은 나노 임프린트 공정에 의해 스탬프(3) 상의 나노 패턴이 고분자 박막(2)으로 옮겨지게 된다.

최근에는 관련 장비 기술의 발달에 힘입어, 도 2에서 보여지는 바와 같이 작은 면적의 스탬프를 제작하고, 웨이퍼의 일부분에 임프린트 공정을 수행하고, 스탬프의 위치를 이동시켜 반복 작업을 수행하는 스텝 반복(Step-and-repeat) 방식의 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

특히, 자외선 경화 방식과 스텝 반복 방식이 결합된 스탭 앤 플래쉬 임프린트 리쏘그라피(Step and Flash Imprint Lithography) 방식은 기술적으로 가장 앞서 있다고 평가되고 있다.

상기 스탬프의 크기는 한 번에 인쇄할 수 있는 패턴 면적을 결정하며, 이것은 나노 임프린트의 생산성을 결정하는 중요한 요인이 되고 있다. 최근의 연구는 6인치 웨이퍼에 수백nm 간격을 가진 50nm 패턴을 인쇄한 것이 보고되고 있다.

그러나, 이러한 고 밀도의 나노 패턴을 갖는 대 면적 스탬프를 전자빔 리쏘그라피로 제작하는 것은 고비용이 발생되는 문제가 있다.

또한, 스텝 반복 임프린트 방식은 기판 크기의 스탬프를 이용하여 한 번에 전면적을 인쇄하는 방식에 비해 시간당 생산량이 떨어지는 문제를 갖는다.

따라서, 나노 스케일의 미세 패턴을 기판 크기에 해당하는 수 인치 이상의 대 면적에 갖고 있는 스탬프의 제작 기술이 시급히 요구되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 미세 패턴이 있는 작은 스탬프의 제작만으로도 대면적의 임프린트가 가능하게 함으로써, 나노 패터닝이 필요한 모든 부문에서 광범위하게 응용될 수 있도록 하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법은, 기판 위에 고분자 박막을 증착하는 단계; 상기 고분자 박막 위에 레지스트 재료를 코팅하는 단계; 상기 레지스트 위에 소형 스탬프를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행하는 단계; 상기 소형 스탬프를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트의 레지듀얼 레이어를 제거하는 단계; 상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용해 고분자 박막을 패터닝하는 단계; 상기 레지스트를 제거하여 대면적 스탬프를 완성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 소형 스템프의 재질로는 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2)과 같은 반도체 재료나 니켈(Ni)과 같은 금속 재료, 쿼츠(Quartz)와 같은 투명한 재료 및 고분자 물질 등이 사용되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 레지스트의 레지듀얼 레이어를 제거하기 위해 산소 플라즈마 식각법이 사용되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 고분자 박막을 건식 식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 고분자 박막을 습식 식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 임프린트 공정은 열 경화 방식으로 진행되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 임프린트 공정은 자외선 경화 방식으로 진행되는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 대면적 스탬프 제작 방법은 스텝 반복 임프린트 방식을 사용하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 소형 스탬프는 리쏘그라피 방법으로 제작되는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법을 나타낸 흐름도로서, 산화 실리콘 박막을 재료로 하는 스탬프 제작의 경우를 예로 들어 설명한다.

우선, 기판(10) 위에 고분자 박막(20)을 증착한다.(도 3b) 이때, 상기 기판은 실리콘, 글라스, 쿼르츠, 사파이어, 알루미나 등이 사용될 수 있고, 고분자 박막으로는 다이아몬드 박막, 3-5족 화합물 박막 등이 사용될 수 있다.

그런 다음, 상기 고분자 박막(20) 위에 레지스트(30) 재료를 스핀 코팅한다.(도 3c)

그리고, 상기 레지스트(30) 위에 소형 스탬프(40)를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행한다.(도 3d, 도 3e)

이때, 열 경화 방식의 경우는 임프린트되는 면적만 국부적으로 가열되고, 자외선 경화 방식의 경우는 국부적으로 자외선이 조사되어야 한다.

그런 다음, 소형 스탬프(40)를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성한다.(도 3f)

그리고, 상기 기판(10) 전체에 걸친 레지스트 패턴(30) 형성이 완료되면, 산소 플라즈마 식각을 통해 레지듀얼 레이어(임프린트 과정에서 패턴되지 않고 남게되는 부분)를 제거하고, 고분자 박막(20)을 건식 또는 습식 식각의 방법으로 패터닝한다.(도 3g)

마직막으로, 레지스트(30)를 제거하여, 대면적 스탬프 제작이 완성되도록 한다.(도 3h)

상기와 같은 본 발명의 대면적 스탬프를 제작하기 위해서는 소형 스탬프(40)의 제작이 필요하다. 이러한, 소형 스탬프(40)의 재료로는 실리콘 (Si), 산화실리콘(SiO2)과 같은 반도체 재료, 니켈(Ni)과 같은 금속 재료, 쿼츠(Quartz)와 같은 투명한 재료 및 고분자 물질 등이 사용될 수 있다.

임프린트 방법으로는 열을 가해 고분자를 성형하는 열 경화 방식의 임프린트 기법과 스탬프로 누르면서 자외선을 이용하여 고분자를 경화하여 성형하는 자외선 경화 방식의 임프린트 기법이 있는데, 앞서 나열한 물질은 모두 열 경화 방식에 사용될 수 있으며, 특히 쿼츠, 투명 고분자 재료는 자외선 경화 방식에도 사용될 수 있다.

본 발명에서 사용되는 200nm 이하의 선 폭을 갖는 소형 스탬프(40)는 전자빔 리쏘그라피, 레이저 간섭 리쏘그라피, 광학 리쏘그라피 등으로 제작된다.

상기와 같은 소형 스탬프(40)는 원하는 형태의 패턴을 갖도록 증착, 노광 및 현상, 식각 등의 반도체 공정을 통하여 제작되는데, 이러한 과정을 거쳐 제작된 소형 스템프를 사용하여 스텝반복 임프린트 방식으로 본 발명과 같은 대면적 스탬프를 제작할 수 있게 된다.

그리고, 본 발명의 임프린트 공정에 있어, 자외선 경화 방식의 경우는 점도가 낮은 액체 레지스트를 국부적으로 떨어뜨리고, 임프린트 공정을 수행하는 방법을 사용할 수도 있다.

또, 식각하고자 하는 박막의 종류나 패턴의 구조에 따라, 식각을 위한 하드 마스크를 중간에 쓸 수도 있다.

그리고, 니켈 스탬프를 제작하기 위해서는 형성된 레지스트 패턴 위에 니켈 도금 공정을 수행할 수도 있다.

따라서, 상기와 같은 본 발명은 다양한 재료에 대해 반도체 공정 기술이 다양한 형태로 사용될 수 있는 특징이 있다.

또한, 대면적 스탬프를 제작하기 위하여 소형 스탬프(40)를 이용한 스텝 반복 방식의 임프린트 공정을 수행하여 레지스트 패턴을 형성하는 것이다.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 소형 스탬프, 대면적 스탬프, 최종 소자에서의 패턴의 음각/양각 변환 관계를 나타낸 사시로서, (a)는 소형 스탬프의 패턴을 나타내고, (b)는 대면적 스탬프의 패턴을 나타내며, (c)는 최종 소자에서의 패턴을 나타내고 있다.

동 도면을 통해 알 수 있듯이 본 발명의 임프린트 공정은 1회의 임프린트 시마다, 패턴의 음각/양각의 성질이 바뀌게 된다.

대면적 스탬프는 실제 소자를 제작하기 위한 임프린트 공정에 사용되는 것으로서, 대면적 스탬프 상의 패턴의 음/양각은 실제 소자상의 패턴과 반대로 되어야 한다. 또한 대면적 스탬프는 소형 스탬프를 사용한 임프린트 공정으로 제작되므로, 소형 스탬프 상의 패턴의 음/양각은 대면적 스탬프와 반대가 되어야 한다.

따라서, 실제 최종 소자에서 패턴의 음/양각은 소형 스탬프의 음/양각과 동일하다. 이러한 이유로 실제 소형 스탬프는 패턴 크기에 따른 임프린트 레지스트 패턴 및 식각된 패턴의 크기 변화를 고려하여 정교하게 제작되어야만 한다.

본 발명은 미세 패턴이 있는 작은 스탬프의 제작만으로도 대면적의 임프린트가 가능하게 함으로써, 나노 패터닝이 필요한 모든 부문에서 광범위하게 응용될 수 있는 효과가 있다.

이러한, 본 발명의 대면적 스탬프 제작 방법은 대량 생산에 유리한 효과가 있다.

도 1은 종래의 나노 임프린트 공정을 보인 개략 공정도.

도 2는 종래의 스텝 반복 방식의 나노 임프린트 기술을 보인 개략 공정도.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명에 따른 나노 임프린트 리쏘그라피 용 대면적 스탬프의 제작 방법을 나타낸 공정도.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 소형 스탬프, 대면적 스탬프, 최종 소자에서의 패턴의 음각/양각 변환 관계를 나타낸 사시도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10: 기판 20: 고분자 박막

30: 레지스트 40: 소형 스탬프

Claims (9)

1. 기판 위에 고분자 박막을 증착하는 단계;

   상기 고분자 박막 위에 레지스트 재료를 코팅하는 단계;

   상기 레지스트 위에 소형 스탬프를 이용하여 국부적으로 임프린트 공정을 수행하는 단계;

   상기 소형 스탬프를 이동해가며 임프린트 공정을 반복 수행하여, 전체 기판에 대해 패턴을 형성하는 단계;

   상기 레지스트의 레지듀얼 레이어를 제거하는 단계;

   상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용해 고분자 박막을 패터닝하는 단계;

   상기 레지스트를 제거하여 대면적 스탬프를 완성하는 단계;

   를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 소형 스템프의 재질로는 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2)과 같은 반도체 재료나 니켈(Ni)과 같은 금속 재료, 쿼츠(Quartz)와 같은 투명한 재료 및 고분자 물질 등이 사용되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 레지스트의 레지듀얼 레이어를 제거하기 위해 산소 플라즈마 식각법이 사용되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 고분자 박막을 건식 식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 고분자 박막을 습식 식각하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 임프린트 공정은 열 경화 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 임프린트 공정은 자외선 경화 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 대면적 스탬프 제작 방법은 스텝 반복 임프린트 방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 소형 스탬프는 리쏘그라피 방법으로 제작되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작 방법.