KR100956409B1 - 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를이용한 전자소자의 제조방법 - Google Patents

하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를이용한 전자소자의 제조방법 Download PDF

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    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Abstract

하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면 전자빔 리소그래피를 사용하지 않고서도 정밀한 나노패턴을 형성할 수 있으며, 한번의 공정을 통해 나노패턴과 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있어 공정효율이 우수하고, 소프트 리소그래피를 결함함으로써 나노재료로 이루어진 패턴이 통합되어 있는 전자소자를 우수한 공정효율로 제작할 수 있다.

Description

하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법{Method for manufacturing hybrid nano-imprint mask and method for manufacturing electro-device using the same}
본 발명은 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노패턴과 마이크로패턴을 동시에 가지는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.
피전사 기판의 표면에 임의의 패턴을 형성하는 여러가지 리소그래피 기술이 제안된 바 있다. 예를 들어, 포토리소그래피는 집적 회로의 제조에 가장 일반적으로 사용되는 기술로써, 소정 파장의 빛을 발생시키는 노광 장치를 이용하여 기하학적 형상의 패턴을 마스크로부터 피전사 기판 표면의 감광막에 전사하고 현상액으로 상기 감광막을 선택적으로 제거함으로써 패턴을 형성하는 기술이다. 그러나, 이러한 포토리소그래피의 경우 100nm이하의 패터닝 사이즈를 형성하기가 거의 불가능하다는 문제점이 있기 때문에 나노단위의 전자소자의 제조에 적용할 수가 없었다. 따라서, 이러한 패터닝 사이즈의 한계를 극복하기 위하여 도입된 것이 전자빔을 이용한 리소그래피(electron-beam lithography)인데, 이를 이용하면 수나노미터 크기의 패턴을 제작할 수 있지만, 대량생산 공정에 적용할 수 없다는 문제가 있었다.
최근에는 고가의 마스크없이 극미세 2차원 패턴제작을 대량생산할 수 있는 패터닝 공정에 대하여 다양한 연구가 진행되고 있다. 1996년에는 나노 임프린트 리소그래피 (nanoimprintlithography; NIL) 공정이 개발되었는데, 이는 나노크기의 패턴이 새겨진 스탬프 (stamp)로 PMMA 재질의 PR이 코팅되어 있는 기판을 고온 조건에서 누른 후 냉각시켜 분리하여 패턴을 제작하는 방법으로서, 스탬프를 반복적으로 사용하여 패턴을 제작하기 때문에 대량생산성과 경제성이 높다는 장점이 있지만, 고정밀도의 스탬프 제작비용이 고가이고 공정상 발생되는 여러가지 문제점은 향후 계속적으로 개선되어야 한다. 스탬프를 이용한 또 다른 방식으로 소프트 리소그래피를 들 수 있는데, 이는 30∼100nm 급의 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, PDMS(폴리디메틸실록산)과 같은 중합체 물질로 이루어진 스템퍼를 도장과 같이 사용하여, 피전사 기판의 표면에 형성된 중합체막 상에 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 소프트리소그래피의 장점은 고가의 마스크없이 패턴제작이 가능하고 또한 패턴이 가능한 물질이 바이오 물질까지 매우 다양하기 때문에 전자, MEMS, 바이오/생명, 화학 등의 다양한 분야에서 활용이 가능하다는 것이다.
그러나 종래의 이러한 리소그래피 공정은 스탬프의 제작시 전자빔 리소그래피를 사용해야 했기 때문에 여전히 공정효율이 떨어진다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 전자빔 리소그래피를 사용하지 않고 수 나노에서 수 마이크로 크기의 패턴을 동시에 형성할 수 있는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫 번째 기술적 과제를 달성하기 위하여,
(a) 스탬프로 사용할 투명기판 상에 열경화성 고분자층을 적층하고 핫엠보싱 임프린팅을 통해 기판의 일부에 나노패턴을 전사함으로써 고분자로 이루어진 나노패턴층을 형성하는 단계;
(b) 상기 나노패턴 상부에 금속층을 적층하고 상기 고분자로 이루어진 나노패턴층을 제거하여 금속 나노패턴층을 형성하는 단계;
(c) 상기 금속 나노패턴층을 마스크로 한 반응성이온에칭을 통하여 기판을 식각하고 상기 금속 나노패턴층을 제거함으로써 나노패턴이 형성된 기판을 형성하는 단계;
(d) 상기 나노패턴이 형성된 기판 전면 또는 후면 상에 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용하여 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성한 후 반응성이온에칭을 통하여 기판을 식각하는 단계; 및
(e) 상기 포토레지스트 및 마이크로 패턴의 상부에 금속층을 적층한 후 상기 포토레지스트를 제거함으로써 나노단위의 몰드와 마이크로 단위의 마스크를 동시에 갖도록 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 투명기판은 석영으로 이루어진 것일 수 있다.
또한, 상기 (a)단계의 열경화성 고분자는 폴리메틸메타크릴레이트인 것일 수 있다.
또한, 상기 (b)단계의 금속층은 Cr 또는 Ni인 것일 수 있다.
또한, (e)단계의 금속층은 Cr 또는 Ni인 것일 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 기술적 과제를 달성하기 위하여,
(a) 웨이퍼 기판 상에 포토레지스트를 적층하는 단계;
(b) 상기 본 발명에 따라 제조된 하이브리드 나노임프린트 마스크를 상기 기판 상에 정렬하고 핫엠보싱 임프린팅에 의해 나노패턴을 형성하고 마이크로 단위의 마스크를 통해 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 나노패턴 및 마이크로 패턴 상에 금속층을 적층하고 상기 패턴을 제거함으로써 금속패턴을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법은 별도의 나노 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 기판의 소정부위에 나노재료로 이루어진 나노패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있으며, 상기 나노재료는 탄소나노튜브이거나 고분자, 금속 및 무기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 재료로 이루어진 나노튜브 또는 나노선일 수 있다.
또한, 상기 나노 임프린팅 스탬프는 레이저 간섭 리소그래피에 의해 제조된 것이 바람직하며, 이처럼 레이저 간섭 리소그래피에 의해 제조된 마스터 스탬프를 나노임프린팅함으로써 제조된 복제 스탬프인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 레이저 간섭 리소그래피는 단일 파장 모노크롬 레이저를 이용하고 빔 스플리터에 의해 분할된 두 레이저 광이 타켓에 도달할 때에 간섭이 일어나는 것에 의하여 리소그래피를 수행하는 것일 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 전자빔 리소그래피를 사용하지 않고서도 정밀한 나노패턴을 형성할 수 있으며, 한번의 공정을 통해 나노패턴과 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있어 공정효율이 우수하고, 소프트 리소그래피를 결함함으로써 나노재료로 이루어진 패턴이 통합되어 있는 전자소자를 우수한 공정효율로 제작할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법은 (a) 스탬프로 사용할 투명기판 상에 열경화성 고분자층을 적층하고 핫엠보싱 임프린팅을 통해 기판의 일부에 나노패턴을 전사함으로써 고분자로 이루어진 나노패턴층을 형성하는 단계; (b) 상기 나노패턴 상부에 금속층을 적층하고 상기 고분자로 이루어진 나노패턴층을 제거하여 금속 나노패턴층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속 나노패턴층을 마스크로 한 반응성이온에칭을 통하여 기판을 식각하고 금속 나노패턴층을 제거함으로써 나노패턴이 형성된 기판을 형성하는 단계; (d) 상기 나노패턴이 형성된 기판 전면 또는 후면 상에 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용하여 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성하고 이를 마스크로 하여 기판을 식각하는 단계; 및 (e) 상기 포토레지스트 및 마이크로 패턴의 상부에 금속층을 적층한 후 상기 포토레지스트를 제거함으로써 나노단위의 몰드와 마이크로 단위의 마스크를 동시에 갖도록 하는 것을 특징으로 하며, 하나의 투명 기판을 이용하여 나노단위의 몰드와 마이크로 단위의 마스크를 동시에 갖는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 제조할 수 있다.
도 1에는 본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조공정 흐름도를 도시하였다. 본 도 1에는 기판의 전면에 나노 단위의 몰드와 마이크로 단위의 마스크가 함께 형성된 예를 도시하였지만, 기판의 일면에는 나노 단위의 몰드를 형성시키고 타면에는 마이크로 단위의 마스크를 형성시킬 수도 있다.
먼저, 스탬프로 사용할 기판 (Quartz, Pyrex 등)위에 스핀코팅 방법으로 열경화성 고분자를 코팅하는데, 상기 기판의 재질로는 투명하고 열 안정성이 우수한 재질인 한 특별히 제한되지 않으며, 상기 열경화성 고분자는 당업계에서 통상적으 로 사용되는 것인 한 역시 별 다른 제한 없이 사용할 수 있는데, 입수의 용이성면에서 폴리메틸메타크릴레이트인 것이 바람직하다.(도1 ①) 다음으로 나노 패턴이 형성되어 있는 형판과 기판 위치를 조정하고, 상기 형판을 몰드로 사용하여 핫엠보싱(hot embossing) 임프린팅으로 나노패턴 구조물을 형성하는 공정을 수행한다. 본 공정에서는 170 ℃의 온도와 50 kg/cm2의 압력으로 상기 형판을 가압하며 상기 열경화성 고분자를 경화시킴과 동시에 상기 기판 상부에, 상기 형판에 형성되어 있는 나노패턴 구조물을 임프린팅시켜 나노패턴 구조물을 형성한다. (도1 ②-③) 다음으로, 상기에서 형성된 나노패턴 구조물위에 증착장비를 사용하여 금속층을 증착(도1 ④)한 다음, 상기 나노패턴 구조물을 포함하는 고분자 층을 리프트오프(lift off)로 제거(도1 ⑤)하여 금속 나노패턴층을 형성한다. 상기 금속 나노패턴층의 제조에 사용되는 금속 재질은 후속공정인 반응성이온에칭 공정시 에칭 차단막으로서의 역할을 할 수 있는 것으로서 당업계에서 통상적으로 사용되는 재질인 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, Ni 또는 Cr일 수 있다.
그 다음, 상기 금속 나노패턴층을 마스크로 하는 반응성이온에칭(reactive ion etching;RIE) 공정을 통하여 기판을 식각하고 (도1 ⑥) 이후 상기 금속 나노패턴층을 제거하여 나노패턴 몰드를 완성하게 된다(도1 ⑦). 이후 마이크로 스케일의 패턴을 형성하기 위하여 상기 기판의 전면에 포토레지스트를 도포한다.(도1 ⑧) 여기서, 포토레지스트는 네거티브형이든, 포지티브형이든 무방하지만, 도 1에는 포지티브형 포토레지스트를 이용한 예를 도시하였다. 이후 마이크로 스케일 포토마스크 를 이용한 포토리소그래피를 사용하여 자외선을 조사하고 현상함으로써 소정의 마이크로 단위의 패턴을 형성한다. (도1⑨-⑩) 연이어서 (도1 ⑥)과 같이 동일하게 RIE 공정으로 기판을 식각함으로써 마이크로 패턴 구조를 형성(도1 ⑪)할 수 있는데, 상기 식각공정은 RIE 뿐만 아니라 당업계에 알려져 있는 통상적인 공정인 한 제한되지 않음은 물론이다. 그 다음, 상기 형성된 패턴 위에 증착장비를 사용하여 금속 (Cr 혹은 Ni 등)을 증착한다. (도 1 ⑫) 마지막으로 불필요한 포토레지스트를 제거함으로써 나노단위의 몰드 및 마이크로 단위의 마스크를 가지는 하이브리드 스탬프를 완성할 수 있다. (도1 ⑬)
도 2에는 상기 본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용하여 전자소자를 제조하는 공정 흐름도를 도시하였다.
본 도면을 참조하면, 웨이퍼 기판 상에 포토레지스트를 스핀코팅 등에 의하여 적층하는데(15) 상기 포토레지스트는 열경화성/광경화성 수지인 한 특별히 한정되지는 않는다. 그 다음, 본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크를 상기 기판 상에 정렬하고 핫엠보싱 임프린팅에 의해 나노패턴을 형성하고, 상기 마이크로 단위의 마스크를 이용하여 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성한다(16∼19). 그 다음에, 상기 나노패턴 및 마이크로 패턴 상에 스퍼터링 등을 통하여 금속층을 적층하고(20) 상기 고분자로 이루어진 패턴을 제거함으로써 금속패턴만을 남도록 하여(21) 전자소자를 제조할 수 있다.
한편, 본 발명에 따라 제조된 전자소자는 나노선 또는 나노튜브 등의 나노재료가 통합된 전자소자일 수 있으며, 이 경우에는 나노패턴과 마이크로 패턴이 형성 된 전자소자의 소정영역에 나노선 또는 나노튜브 등의 나노재료를 소프트 리소그래피를 이용하여 형성시킬 수 있다. 상기 나노재료는 당업계에서 통상적으로 사용되는 나노재료인 한 특별히 제한되지 않으며 탄소나노튜브이거나 고분자, 금속 및 무기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 재료로 이루어진 나노튜브 또는 나노선일 수 있다.
도 3에는 본 발명에 따른 소프트 리소그래피에 사용되는 복제스탬프의 제조공정 및 이를 이용한 소프트 리소그래피의 개략도를 도시하였으며, 도 4에는 상기 소프트 리소그래피 스탬프의 제조시 사용될 수 있는 레이저 간섭 리소그래피(Laser Interference Lithography: LIL)에 필요한 장비의 사진을 도시하였다. 상기 소프트 리소그래피 스탬프의 제조시에 사용되는 방법으로는 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법인 한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들어, 전자빔 리소그래피 또는 레이저 간섭 리소그래피를 들 수 있다.
상기 도 3에는 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 마스터 스탬프를 제조한 후에 상기 마스터 스탬프를 이용하여 복제 스탬프를 제조하는 공정이 도시되어 있으나, 상기 마스터 스탬프는 전자빔 리소그래피를 이용하여 제조될 수도 있다. 도 3을 참조하면, 우선 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 (+) 패턴의 마스터 스탬프를 제조한 후((1)), 상기 마스터 스탬프 상에 열경화 또는 광경화성 수지를 코팅하고 경화시켜 (-) 패턴의 몰드를 형성한 후((2)∼(3)), 이를 몰드로 하여 다시 열경화 또는 광경화성 수지를 코팅하고((4)) 경화시켜 복제 스탬프를 제조한 다음((5)), 이를 소프트리소그래피의 스탬프로 사용하여 기판 상에 나노소재를 소정 패턴으로 형성시킬 수 있다((6)). 이와 같이 복제 스탬프를 사용하게 되면 최초의 마스터 스탬프에 손상을 주지 않으면서 여러 차례 사용할 수 있어서 매우 경제적이다. 한편, 복제 스탬프의 제조시에 사용되는 고분자는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것인 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리이미드, 폴리우레탄 등이 사용될 수 있다. 상기 고분자는 소프트 리소그래피를 통하여 패턴을 형성할 나노재료와 적절한 상호작용(부착성 등)을 갖는 재료를 선택함으로써 소프트 리소그래피의 결과를 향상시킬 수 있다.
도 4에는 상기 소프트 리소그래피용 마스터 스탬프의 제조에 사용될 수 있는 방법 중 하나인 레이저 간섭 리소그래피에 사용되는 장비를 도시하였다. 이러한 레이저 간섭 리소그래피는 기존의 전자빔 리소그래피를 사용하지 않으므로 공정효율이 우수하고 상대적으로 저렴하다는 장점이 있다. 상기 레이저 간섭 리소그래피는 빔 스플리터에 의해서 분할된 두 레이저 광이 타겟 위에 도달할 때의 상호 간섭현상을 이용하여 리소그래피를 수행하는 기술로서 매우 간단한 공정이지만, 나노단위의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다. 원리는 도 4에 도시된 바와 같이, 빔 스플리터에 의해 분할된 두 레이저 광을 미러를 이용하여 방향을 제어한 뒤에 필터와 콜리메이팅 렌즈를 이용하여 타겟에 집속시키고 리소그래피를 수행한다.
도 5에는 본 발명에 따라 제조된 하이브리드 나노임프린트 마스크의 개략도를 도시하였다. 본 마스크는 4인치 표준 공정을 기반으로 하고 있고 Cr으로 이루어진 마이크로 단위의 마스크에 임프린트용 나노패턴이 돌출된 구조를 가지고 있다. 이와 같은 임프린트 패턴은 칩 한 개당 한 세트로 놓이게 되므로 마스크 전체를 기 준으로 할 때, 균일한 임프린트 패턴의 높이를 형성하기 위하여 일반적인 포토 마스크 공정보다 더 정밀한 반응성 이온에칭 공정을 통하여 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 도 6에는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브를 이용한 나노기체센서의 제조용 하이브리드 나노임프린트 마스크의 개략도를 도시하였으며, 도 7에는 상기 하이브리드 나노임프린트 마스크의 나노단위의 임프린트 스탬프 부분의 확대도를 도시하였다. 도 6을 참조하면, 외부의 회로를 연결하기 위한 5각형 모양의 패드(마이크로 단위의 마스크)와 두 패드 사이의 마이크로 선으로 구성되어 있으며, 상기 마이크로 선의 중앙부에는 상호 단락된 나노 임프린트 스탬프 패턴이 형성되어 있다. 도 6에는 상기 나노 임프린트 패턴이 상기 마이크로 단위의 마스크와 동일 평면에 형성되어 있는 예를 도시하였지만 그 반대면에 형성되어도 무방하다. 또한, 도 8에는 본 발명의 일 실시예에 사용되는 마이크로 포토마스크의 확대사진을 도시하였다.
도 1은 본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조공정 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 소프트 리소그래피에 사용되는 복제스탬프의 제조공정 및 이를 이용한 소프트 리소그래피의 개략도이다.
도 4는 상기 소프트 리소그래피 스탬프의 제조시 사용되는 레이저 간섭 리소그래피에 필요한 장비의 사진이다.
도 5는 본 발명에 따라 제조된 하이브리드 나노임프린트 마스크의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브를 이용한 나노기체센서의 제조용 하이브리드 나노임프린트 마스크의 개략도이다.
도 7은 상기 도 6에 도시된 하이브리드 나노임프린트 마스크의 나노단위의 임프린트 스탬프 부분의 확대도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 사용되는 마이크로 포토마스크의 확대사진이다.

Claims (11)

  1. (a) 스탬프로 사용할 투명기판 상에 열경화성 고분자층을 적층하고 핫엠보싱 임프린팅을 통해 기판의 일부에 나노패턴을 전사함으로써 고분자로 이루어진 나노패턴층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 나노패턴 상부에 금속층을 적층하고 상기 고분자로 이루어진 나노패턴층을 제거하여 금속 나노패턴층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 금속 나노패턴층을 마스크로 한 반응성이온에칭을 통하여 기판을 식각하고 상기 금속 나노패턴층을 제거함으로써 나노패턴이 형성된 기판을 형성하는 단계;
    (d) 상기 나노패턴이 형성된 기판 전면 또는 후면 상에 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용하여 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성하고 이를 마스크로 하여 기판을 식각하는 단계; 및
    (e) 상기 포토레지스트 및 마이크로 패턴의 상부에 금속층을 적층한 후 상기 포토레지스트를 제거함으로써 나노단위의 몰드와 마이크로 단위의 마스크를 동시에 갖도록 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 투명기판은 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 (a)단계의 열경화성 고분자는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 (b)단계의 금속층은 Cr 또는 Ni인 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 (e)단계의 금속층은 Cr 또는 Ni인 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법.
  6. (a) 웨이퍼 기판 상에 포토레지스트를 적층하는 단계;
    (b) 제1항에 따라 제조된 하이브리드 나노임프린트 마스크를 상기 기판 상에 정렬하고 핫엠보싱 임프린팅에 의해 나노패턴을 형성하고 마이크로 단위의 마스크를 통해 노광 및 현상함으로써 마이크로 패턴을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 나노패턴 및 마이크로 패턴 상에 금속층을 적층하고 상기 패턴을 제거함으로써 금속패턴을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    별도의 나노 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 기판의 소정부위에 나노재료로 이루어진 나노패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 나노재료는 탄소나노튜브이거나 고분자, 금속 및 무기물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 재료로 이루어진 나노튜브 또는 나노선인 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 나노 임프린팅 스탬프는 레이저 간섭 리소그래피에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 나노 임프린팅 스탬프는 레이저 간섭 리소그래피에 의해 제조된 마스터 스탬프를 나노임프린팅함으로써 제조된 복제 스탬프인 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 레이저 간섭 리소그래피는 단일 파장 모노크롬 레이저를 이용하고 빔 스플리터에 의해 분할된 두 레이저 광이 타켓에 도달할 때에 간섭이 일어나는 것에 의하여 리소그래피를 수행하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 나노임프린트 마스크를 이용한 전자소자의 제조방법.
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