JP5479902B2 - 基材の表面濡れ性の改変 - Google Patents
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Description
材料の表面の濡れ性は、材料表面の化学組成または幾何学的構造に依存する。一般に、材料の表面濡れ性は、表面での液滴の接触角を測定することにより決定することができる。水を使用する場合、小さい接触角(すなわち90°未満)は親水性表面を示し、大きな接触角(すなわち90°を超える)は疎水性表面を示す。例えば、ガラスなどの親水性表面は、5°〜25°の範囲の水との接触角を示し、一方ポリ(ジメチルシロキサン)は、109°の接触角を示し、疎水性である。
第1の局面によれば、
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールド(mold)を基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、インプリント形成表面は基材表面の濡れ性を改変するように選択される、工程
を含む、基材表面の濡れ性を改変する方法が提供される。
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールドをポリマー基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程;
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;および
(C)適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、配向ならびに第1および第2のインプリント寸法は、ポリマー基材表面の濡れ性を改変するように選択される、工程
を含む、ポリマー基材の表面の濡れ性を改変する方法が提供される。
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールドを基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、インプリント形成表面は基材表面の濡れ性を改変するように選択される、工程
を含む方法において製造された、選択された濡れ性を備えた表面を有する基材が提供される。
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールドをポリマー基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程;
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;および
(C)適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、配向ならびに第1および第2のインプリント寸法は、ポリマー基材表面の選択された濡れ性が得られるように選択される、工程
を含む方法において製造された、選択された濡れ性を備えた表面を有するポリマー基材が提供される。
本明細書で使用される下記の単語および用語は以下に示された意味を有する。
基材の表面の濡れ性を改変する方法の例示的な、非制限的態様を以下に開示する。方法はインプリント形成表面を有する第1のモールドを基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、インプリント形成表面は基材表面の濡れ性を改変するように選択される工程を含む。
[本発明101]
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールド(mold)を基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、該インプリント形成表面は基材表面の濡れ性(wetting property)を改変するように選択される、工程
を含む、基材表面の濡れ性を改変する方法。
[本発明102]
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;ならびに
(C)上記適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、該配向ならびに第1および第2のインプリントの寸法は、基材表面の濡れ性を改変するように選択される、工程
を含む、本発明101の方法。
[本発明103]
配向工程により、基材表面が、第1および第2のモールドをその上に適用させていない表面に対しより液体忌避性(liquidphobic)とされる、本発明102の方法。
[本発明104]
配向工程により、基材表面が、第1および第2のモールドをその上に適用させていない表面に対しより液体親和性とされる、本発明102の方法。
[本発明105]
配向工程が、基材表面の等方性を調節する、本発明102の方法。
[本発明106]
第1および第2のインプリントが、概して形状が長軸方向であり、インプリントの各々が長軸に沿って延在する、本発明102の方法。
[本発明107]
配向工程中、形成された第2のインプリントの長軸が、形成された第1のインプリントの長軸に対し、0°〜90°、0°〜45°、および45°〜90°からなる群より選択される範囲の角度で配置されるように、第2のモールドが第1のインプリントに適用される、本発明106の方法。
[本発明108]
第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し概ね平行である、本発明107の方法。
[本発明109]
第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し概ね垂直である、本発明107の方法。
[本発明110]
第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し約45°である、本発明107の方法。
[本発明111]
第1および第2のインプリントの幅が、マイクロスケールまたはナノスケールのいずれかである、本発明102の方法。
[本発明112]
第1および第2のインプリントの幅が、200nm〜3000nm、250nm〜2500nm、および250nm〜2000nmからなる群より選択される範囲内にある、本発明111の方法。
[本発明113]
第1および第2のインプリントが異なる幅寸法を有する、本発明102の方法。
[本発明114]
基材がポリマー基材である、本発明102の方法。
[本発明115]
ポリマー基材が熱可塑性ポリマーである、本発明114の方法。
[本発明116]
熱可塑性ポリマーが、アクリレート、フタルアミド、アクリロニトリル、セルロース誘導体、スチレン、アルキル、アルキルメタクリレート、アルケン、ハロゲン化アルケン、アミド、イミド、アリールエーテルケトン、ブタジエン、ケトン、エステル、アセタール、カーボネート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマーを含む、本発明115の方法。
[本発明117]
熱可塑性ポリマーが、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、およびポリカーボネートのうちの少なくとも1つである、本発明116の方法。
[本発明118]
ポリマー基材がエポキシ系ネガティブレジストを含む、本発明114の方法。
[本発明119]
エポキシ系ネガティブレジストがSU-8(商標)レジストである、本発明118の方法。
[本発明120]
ポリマー基材がポリマー複合物である、本発明114の方法。
[本発明121]
第1および第2のモールドのインプリント形成表面が、第1および第2の適用工程の少なくとも1つの間に、三次元構造を作製する、本発明102の方法。
[本発明122]
三次元構造が、マイクロ構造、ナノ構造、およびその組み合わせの少なくとも1つを含む、本発明121の方法。
[本発明123]
ケイ素、金属、ガラス、石英、セラミック、およびそれらの組み合わせからなる群より、第1のモールドおよび第2のモールドの少なくとも1つを選択する工程を含む、本発明102の方法。
[本発明124]
工程(A)および工程(B)の少なくとも1つの前に、第1および第2のモールドの少なくとも1つを静止摩擦防止剤(anti-stiction agent)で処理する工程を含む、本発明102の方法。
[本発明125]
静止摩擦防止剤がシラン系静止摩擦防止剤である、本発明124の方法。
[本発明126]
第1および第2のインプリントが基材表面上に規定的なパターンを形成し、これによりその上での流体の流れが促進される、本発明102の方法。
[本発明127]
第1および第2のインプリントが基材表面上に規定的なパターンを形成し、これによりその上での流体の流れが阻止される、本発明102の方法。
[本発明128]
工程(A)中、ポリマー基材のガラス転移温度(Tg)を超える温度を選択する工程を含む、本発明114の方法。
[本発明129]
工程(B)中、ポリマー基材のガラス転移温度(Tg)より低い温度を選択する工程を含む、本発明114の方法。
[本発明130]
工程(C)の後に、第2のインプリント上に1つまたは複数の別のインプリントを形成する工程であって、該1つまたは複数の別のインプリントは少なくとも第2のインプリントに対し異なる配向である、工程を含む、本発明102の方法。
[本発明131]
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールドを基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、インプリント形成表面は基材表面の濡れ性を改変するように選択される、工程
を含む方法で製造された、選択された濡れ性を備えた表面を有する基材。
[本発明132]
基材を製造する方法が、
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;ならびに
(C)適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、該配向ならびに第1および第2のインプリントの寸法は、基材表面の選択された濡れ性が得られるように選択される、工程
をさらに含む、本発明131の基材。
[本発明133]
基材がポリマー基材である、本発明131の基材。
[本発明134]
ポリマー基材のポリマーが非ポリマー基材上にスピンコートされている、本発明133の基材。
[本発明135]
本発明101の方法で製造された三次元ポリマー構造。
非制限的な態様について、下記でさらに説明した下記実施例を参照することにより、より詳細にさらに記載するが、下記実施例は、決して本発明の範囲を制限するものと考えるべきではない。
図1について説明すると、ポリマー2はポリマー溶液をシリコン基材上にスピンコートすることにより作製した。その後、得られたポリマー2をある温度で焼成させ、全ての残留溶媒を除去した。シリコン基材上の得られたポリマー2のサイズは、第1のモールド4のサイズよりも大きかった。
使用前に、図1に示されているパターニングしたケイ素モールド(4および6)をイソプロパノール中で超音波処理し、アセトンですすぎ、80W、250mTorrで2分間酸素プラズマで処理する。モールドをその後、5mMパーフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)のヘプタン溶液で20分間処理した。表面処理は、相対湿度が低く維持された(すなわち、約15%〜約18%)窒素/不活性ガスグローブボックス中で実施した。その後、モールドをヘプタン溶液中、5分間音波処理し、物理吸着したFDTSを除去し、アセトンですすぎ、乾燥(blown dry)させた。
図1で示した方法100に従うが、異なる配向角で、一連のモールド面を調製した。その結果を図3および図4に示す。
図5はポリマー表面での脱イオン水滴のXおよびY方向の接触角を測定するための概略図を示す。米国ニュージャージー州マウンテンレイクのrame-hart由来のrame-hartデジタルゴニオメーターを使用して、インプリントポリマーフィルムの表面濡れ性を研究した。小さな脱イオン水滴を最初に、自動ピペットにより試料表面に静かに置き、その後、ポリマー表面上に位置する水滴の写真を撮り、分析した。各試料に対し、3〜6点を調べた。時々、試料の画像上の偶発的な欠陥によりゴニオメーターが不当な結果を提供した場合、プリントアウト水滴写真上で接線を引くことにより手作業で接触角を測定する必要がある場合がある。
下記実施例全てにおいて、シリコンウエハは市販されており、下記特性を有する。ウエハの直径は150+/-0.5mm;ドーパントの種類はp-ホウ素であり;配向100;抵抗率は1〜50ohm.cmの範囲であり、厚さは約675+/-25μmである。ウエハは片側が磨かれ、半標準ノッチを有する。
図1の方法100を、ポリマー基材(2)としてポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いるこの実験で使用した。
図1の方法100を、ポリマー基材(2)としてポリスチレン(PS)を使用する実験で用いた。
表面の濡れ性が改変された基材は、線構造ポリマーフィルム、液滴に基づく装置、マイクロ-エレクトロ-メカニカルシステム(MEMS)、ナノ-エレクトロ-メカニカルシステム(NEMS)、センサ、ウインドウ、ガラス、塗料などのコーティングおよび塗装を含む様々な用途で使用することができる。
Claims (32)
- 以下の(A)、(B)、及び(C)を含む、ポリマー基材の表面の濡れ性を改変する方法:
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールド(mold)を、ポリマー基材のガラス転移温度(Tg)を超える温度で該ポリマー基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、該インプリント形成表面はポリマー基材の表面の濡れ性(wetting property)を改変するように選択される、工程;
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;ならびに
(C)上記適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、該配向ならびに第1および第2のインプリントの寸法は、ポリマー基材の表面の濡れ性を改変するように選択される、工程。 - 配向工程により、ポリマー基材の表面が、第1および第2のモールドをその上に適用させていない表面に対しより液体忌避性(liquidphobic)とされる、請求項1記載の方法。
- 配向工程により、ポリマー基材の表面が、第1および第2のモールドをその上に適用させていない表面に対しより液体親和性とされる、請求項1記載の方法。
- 配向工程が、ポリマー基材の表面の等方性を調節する、請求項1記載の方法。
- 第1および第2のインプリントが、概して形状が長軸方向であり、インプリントの各々が長軸に沿って延在する、請求項1記載の方法。
- 配向工程中、形成された第2のインプリントの長軸が、形成された第1のインプリントの長軸に対し、0°〜90°、0°〜45°、および45°〜90°からなる群より選択される範囲の角度で配置されるように、第2のモールドが第1のインプリントに適用される、請求項5記載の方法。
- 第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し概ね平行である、請求項6記載の方法。
- 第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し概ね垂直である、請求項6記載の方法。
- 第2のモールドの長軸が第1のインプリントの長軸に対し約45°である、請求項6記載の方法。
- 第1および第2のインプリントの幅が、マイクロスケールまたはナノスケールのいずれかである、請求項1記載の方法。
- 第1および第2のインプリントの幅が、200nm〜3000nm、250nm〜2500nm、および250nm〜2000nmからなる群より選択される範囲内にある、請求項10記載の方法。
- 第1および第2のインプリントが異なる幅寸法を有する、請求項1記載の方法。
- ポリマー基材が熱可塑性ポリマーである、請求項1記載の方法。
- 熱可塑性ポリマーが、アクリレート、フタルアミド、アクリロニトリル、セルロース誘導体、スチレン、アルカン、アルキルメタクリレート、アルケン、ハロゲン化アルケン、アミド、イミド、アリールエーテルケトン、ブタジエン、ケトン、エステル、アセタール、カーボネート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマーを含む、請求項13記載の方法。
- 熱可塑性ポリマーが、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、およびポリカーボネートのうちの少なくとも1つである、請求項14記載の方法。
- ポリマー基材がエポキシ系ネガティブレジストを含む、請求項1記載の方法。
- エポキシ系ネガティブレジストがSU-8(登録商標名)レジストである、請求項16記載の方法。
- ポリマー基材がポリマー複合物である、請求項1記載の方法。
- 第1および第2のモールドのインプリント形成表面が、第1および第2の適用工程の少なくとも1つの間に、三次元構造を作製する、請求項1記載の方法。
- 三次元構造が、マイクロ構造、ナノ構造、およびその組み合わせの少なくとも1つを含む、請求項19記載の方法。
- ケイ素、金属、ガラス、石英、セラミック、およびそれらの組み合わせからなる群より、第1のモールドおよび第2のモールドの少なくとも1つを選択する工程を含む、請求項1記載の方法。
- 工程(A)および工程(B)の少なくとも1つの前に、第1および第2のモールドの少なくとも1つを静止摩擦防止剤(anti-stiction agent)で処理する工程を含む、請求項1記載の方法。
- 静止摩擦防止剤がシラン系静止摩擦防止剤である、請求項22記載の方法。
- 第1および第2のインプリントがポリマー基材の表面上に規定的なパターンを形成し、これによりその上での流体の流れが促進される、請求項1記載の方法。
- 第1および第2のインプリントがポリマー基材の表面上に規定的なパターンを形成し、これによりその上での流体の流れが阻止される、請求項1記載の方法。
- 工程(B)中、ポリマー基材のガラス転移温度(Tg)より低い温度を選択する工程を含む、請求項1記載の方法。
- 工程(C)の後に、第2のインプリント上に1つまたは複数の別のインプリントを形成する工程であって、該1つまたは複数の別のインプリントは少なくとも第2のインプリントに対し異なる配向である、工程を含む、請求項1記載の方法。
- ポリマー基材の表面の濡れ性が異方性に改変される、請求項1記載の方法。
- 以下の(A)、(B)、及び(C)を含む方法で製造された、選択された濡れ性を備えた表面を有するポリマー基材:
(A)インプリント形成表面を有する第1のモールドを、ポリマー基材のガラス転移温度(Tg)を超える温度で該ポリマー基材に適用し、その上に第1のインプリントを形成させる工程であって、インプリント形成表面はポリマー基材の表面の濡れ性を改変するように選択される、工程;
(B)インプリント形成表面を有する第2のモールドを第1のインプリントに適用し、第1のインプリント上に第2のインプリントを形成させる工程;ならびに
(C)適用工程(B)中に、第1のインプリントに対し第2のモールドを配向させる工程であって、該配向ならびに第1および第2のインプリントの寸法は、ポリマー基材の表面の選択された濡れ性が得られるように選択される、工程。 - ポリマー基材のポリマーが非ポリマー基材上にスピンコートされている、請求項29記載の基材。
- 選択された濡れ性が、異方性の濡れ性である、請求項29記載のポリマー基材。
- 請求項1記載の方法で製造された三次元ポリマー構造。
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