JP4996488B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、微細パターン形成方法に係り、特に、モールドに形成されている微細な転写パターンと同様な微細パターンを、基材等に連続して形成するものに関する。
近年、電子線描画法などで石英基板等に超微細な転写パターンを形成してモールド（テンプレート、スタンパ）を作製し、被転写基板表面（基材の表面）に形成されたレジスト膜（たとえば、ＵＶ硬化樹脂や熱可塑性樹脂で構成されたレジスト膜）に前記モールドを所定の圧力で押圧して、当該モールドに形成された転写パターンを転写するナノインプリント技術が研究開発されている（非特許文献１参照）。
図２４（従来の転写の方法を示す図）を参照しつつ、例を掲げて詳しく説明する。
従来の転写では、たとえば石英ガラスで構成されている型（モールド）１０１に形成された微細な転写パターンを、たとえばＵＶ硬化樹脂（レジスト層）１０３の塗布された基板１０５にプレスし、ＵＶ光を照射して樹脂１０３を硬化させている（図２４（ａ）、（ｂ）参照）。このあと離型して残膜１０７を除去し（図２４（ｃ）、（ｄ）参照）、エッチング処理をして（図２４（ｄ）参照）、樹脂１０３にコピーされた型１０１の微細形状を、基板１０５に転写している（図２４（ｅ）参照）。
ところで、電子線描画法等で石英基板等の型に超微細な転写パターンを形成する場合、微細な転写パターンを形成する部位の面積が大きいと、型の製作（型への微細パターンの形成）に長い時間を要することになる。電子線描画法等を実行するために装置は、工数単価（単位時間あたりの使用料金）が高いので、型が高価になってしまう。
また、型の素材として使用される石英ガラス等の材料も材料単価が高いので、微細な転写パターンを形成する部位の面積が大きいと、型自体が大きくなり型が高価になってしまう。
そこで、基板１０５に形成される微細パターンが、たとえば同一のパターンを繰り返した形態である場合には、比較的小さな型の面に微細な転写パターンを形成し、この微細な転写パターンを、基板１０５に設けられているレジスト層１０３につなげて転写し、図２４に示す場合と同様にして、基板１０５の広い面積に、連続した微細パターンを形成する方法が従来から知られている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００６−１９１０８９号公報 Precision Engineering Journal of the International Societies for Precision Engineering and Nanotechnology 25(2001) 192-199
ところで、上述したように、微細な転写パターンをつなげて、連続した微細パターンを基板の広い面積に形成するとなると、たとえば、１回目の転写によってレジスト層の盛り上がってしまい、前記１回目の転写につながる２回目の転写が正確になされなくおそれがある。
図２５（従来の転写の状態を示す図）を用いて詳しく説明すると、型Ｍ２０（１０１）を用いた１回目の転写をすることによって、微細なパターンＰ１１がレジスト層Ｗ２１（１０３）に形成されるが、この微細なパターンＰ１１と共に、微細なパターンＰ１１の周囲にレジスト層Ｗ２１の盛り上がり部Ｗ２２等が形成される。
微細なパターンＰ１１につながるような微細なパターンを、型Ｍ２０を用いた２回目の転写でレジスト層Ｗ２１の部位Ｐ１２に形成しようとすると、盛り上がり部Ｗ２２によって、微細なパターンＰ１１の端部の形態や、部位Ｐ１２に形成される微細なパターンの端部（微細な転写パターンＰ１１側の端部）の形態、すなわち、微細なパターンＰ１１と部位Ｐ１２に形成される微細なパターンとがお互いにつながる部位における微細パターンの形態が崩れてしまい、正確な微細パターンをレジスト層Ｗ２１に形成することができないおそれがある。
たとえば、図２５に示す状態において、レジスト層Ｗ２１の部位Ｐ１２に微細なパターンを形成すべく、型Ｍ２０を下降させると、型Ｍ２０の下方に存在している盛り上がり部Ｗ２２のレジスト層が行き場を失い、微細なパターンＰ１１の端部（部位Ｐ１２側の端部）に存在する微細な凹部に入り込むおそれがある。
正確な微細パターンをレジスト層Ｗ２１に形成することができないと、基板Ｗ２０に形成される微細パターン（図２４（ｅ）の基板１０５に形成されている微細パターンに対応する微細パターン；エッチングによって形成される微細パターン）の形態も不正確になるという問題がある。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、正確な形態の微細パターンを前記基材に形成することができる微細パターン形成方法を提供することを目的とする。
請求項１に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と、前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と、前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第１の微細パターン形成工程と、前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と、前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記基材の表面の部位を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と、前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と、前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第２の微細パターン形成工程と、前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項２に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、表面が下層転写素材の膜で覆われている基材における前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と、前記第１の被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された上層転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と、前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材に形成する第１の微細パターン形成工程と、前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記上層転写素材を除去する第１の除去工程と、前記第１の除去工程で上層転写素材が除去された後に、前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と、前記第２の被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された上層転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と、前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材に形成する第２の微細パターン形成工程と、前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記上層転写素材を除去する第２の除去工程と、前記第２の除去工程で上層転写素材が除去された後にエッチングをすることによって、前記下層転写素材の微細パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第３の微細パターン形成工程と、前記第３の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記下層転写素材を除去する第３の除去工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項３に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、第１の素材と、膜状の第２の素材と、膜状の第３の素材とが積層されて形成された基材における前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と、前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と、前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材に形成する第１の微細パターン形成工程と、前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と、前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と、前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と、前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材に形成する第２の微細パターン形成工程と、前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項４に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と、前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と、前記第１の転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位に被覆部材を設置する第１の設置工程と、前記第１の設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と、前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記基材の表面の部位を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と、前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と、前記第２の転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位を被覆部材で覆う第２の設置工程と、前記第２の設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程と、前記第２の除去工程による転写素材の除去後、エッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の設置工程および前記第２の設置工程で設けられた前記被覆部材を除去する第３の除去工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の微細パターン形成方法において、前記第１の微細パターン形成工程によって微細パターンを形成した後であって、前記第２の転写工程で転写をする前に、前記第１の微細パターン形成工程で形成された微細パターンと、前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する位置関係検出工程と、前記位置関係検出工程で検出した検出結果に基づいて、前記第１の微細パターン形成工程によって形成された微細パターンに前記第２の微細パターン形成工程によって形成される微細転写パターンが正確につながるように、前記基材に対する前記モールドの相対的な位置を補正する補正工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の微細パターン形成方法において、前記補正工程は、前記モールドの形状変化を、アクチュエータを用いて正確な形状に修正して前記補正を行う工程である微細パターン形成方法である。
請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の微細パターン形成方法において、前記第１の転写工程と前記第１の微細パターン形成工程とによって、前記転写素材の第１の部位とこの第１の部位から所定の距離だけ離れた第２の部位とに、微細パターンが形成され、前記第２の転写工程と前記第２の微細パターン形成工程とによって、前記第１の部位と前記第２の部位とをつなぐ第３の部位に、微細パターンが形成され、前記位置関係検出工程は、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量と、前記第２の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量とを検出することによって、前記第１の微細パターン形成工程で形成された微細パターンと、前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する工程である微細パターン形成方法である。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の微細パターン形成方法において、前記モールドの微細な転写パターンが形成されている部位は、矩形な平面状に形成されており、前記第１の部位と前記第３の部位と前記第２の部位とが一直線状に並ぶことによって、長方形状の範囲内に微細パターンが形成されるようになっており、前記位置関係検出工程は、前記長方形状の微細パターンの幅方向の一方の側で、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第１の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量と、前記第２の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第２の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量とを検出すると共に、前記長方形状の微細パターンの幅方向の他方の側で、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第１の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量を検出する工程であり、前記補正工程は、前記幅方向の他方の側における位置ずれ量に基づいて、前記長方形状の微細パターンの幅方向における前記モールドの弾性変形量をアクチュエータを用いて変えることによって、前記幅方向における前記モールドの寸法を修正して前記補正を行う工程である微細パターン形成方法である。
請求項９に記載の発明は、型に形成されている微細パターンに対応した微細パターンを被成型物につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記被成型物の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と、前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記被成型物に、前記型を押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と、前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記型の微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記被成型物に形成する第１の微細パターン形成工程と、前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と、前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記被成型物の表面を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と、前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記被成型物に、前記型を押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と、前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記型の微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記被成型物に形成する第２の微細パターン形成工程と、前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程とを有する微細パターン形成方法である。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の微細パターン形成方法において、前記各転写工程は、前記型の微細パターンが形成されている部位を、この部位の長手方向が円柱の周方向になるようにして、前記円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成し、もしくは、前記型の微細パターンが形成されている部位を、この部位の長手方向が楕円柱の周方向になるようにして、前記楕円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成し、前記凸面による前記被成型物への直線状の押圧部位を前記凸面の一端部から他端部に向かって移動しつつ前記転写を行う微細パターン形成方法である。
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の微細パターン形成方法において、前記第１の転写工程と前記第１の微細パターン形成工程とで、市松模様の紺の部位に相当する前記基材の部位に微細パターンを形成し、前記第２の転写工程と前記第２の微細パターン形成工程とで、市松模様の白の部位に相当する前記基材の部位に微細パターンを形成する微細パターン形成方法である。
請求項１２に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆うの被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法である。
請求項１３に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、表面が下層転写素材の膜で覆われている基材における前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された上層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記下層転写素材につなげて形成し、前記下層転写素材への微細パターンの形成後に、エッチングをすることによって、前記下層転写素材の微細パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、前記基材への微細パターン形成後に前記下層転写素材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法である。
請求項１４に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、第１の素材と、膜状の第２の素材と、膜状の第３の素材とが積層されて形成された基材における前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法である。
請求項１５に記載の発明は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位に被覆部材を設ける設置工程と、前記設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記被覆工程で設けられた転写素材を除去する除去工程とを有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記設置工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返した後、エッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、この形成後に前記設置工程で設けられた被覆部材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法である。
本発明によれば、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、正確な形態の微細パターンを前記基材に形成することができるという効果を奏する。
[第１の実施形態]
図３は、本発明の第１の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。
微細パターン形成方法は、モールド（テンプレート；スタンパ）Ｍ１に形成されている微細な転写パターン（微細な多数の凹凸形状）に対応した微細パターン（モールドＭ１と同様な微細パターン）を、分割して転写することによって、基材Ｗ１の平面状の面に連続的につなげて形成する方法である。微細パターンが形成される基材Ｗ１の面積（たとえば、平面状の面の面積）は、モールドＭ１の微細な転写パターンが形成されている面の面積よりも面積が大きくなっている。なお、モールドＭ１は、たとえば石英ガラスで構成されており、微細な転写パターンはモールドＭ１の平面状の面に形成されている。
微細パターン形成方法では、まず、基材（たとえばシリコン、より具体的には単結晶シリコンで構成された基板）Ｗ１の表面（たとえば、基材Ｗ１の厚さ方向の一方の側の平面状の面のほぼ全面）に、転写素材（たとえば、硬化前の紫外線硬化樹脂；より具体的には、東洋合成工業製の「ＰＡＫ−０１」）をスピンコートして、基材Ｗ１の表面を転写素材Ｗ２の薄い膜で覆う。この際、より強固に密着させるために基材Ｗ１に表面処理を行うことが望ましい。
次に、転写素材Ｗ２の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１の一部に、微細な転写パターンが形成されているモールドＭ１の平面状の面を押し付ける。そして、転写素材Ｗ２の薄い膜に、モールドＭ１の微細な転写パターンを転写する（図３（ａ）参照）。この転写のときに転写素材Ｗ２に紫外線を照射することによって転写素材Ｗ２を硬化させる。
なお、図３（ａ）に示す転写は、たとえば、複数回行なわれるが、１回だけ行われる場合もある。図３（ａ）では、モールドＭ１がＰＳ１のところに位置しているときに、矢印ＡＲ１で示すようにモールドＭ１を下降させて１回目の転写を行い、その後、モールドＭ１を矢印ＡＲ２で示すように移動し、モールドＭ１がＰＳ２のところに位置しているときに、矢印ＡＲ３示すようにモールドＭ１を下降させて２回目の転写を行う。
また、図３（ａ）に示す転写においては、前記１回目の転写（ＰＳ１のところの転写）で紫外線の照射を行うことにより、前記１回目の転写で微細パターンが形成される転写素材Ｗ２の部位およびこの近傍の部位のみで、転写素材Ｗ２が硬化するようになっている。すなわち、前記１回目の転写で紫外線の照射を行っても、前記２回目の転写（ＰＳ２のところの転写）を行う転写素材Ｗ２の部位は硬化しないようになっている。
また、前記１回目の転写（ＰＳ１のところの転写）と前記２回目の転写（ＰＳ２のところの転写）とは所定の間隔をあけてなされている。たとえば、図３（ｃ）に示すような後工程の転写を、前記１回目の転写（ＰＳ１のところの転写）と前記２回目の転写（ＰＳ２のところの転写）との間の位置に行うことによって、連続的につながっている微細パターンが基材Ｗ１に形成されるようになっている。
さらに、図３（ａ）に示す転写を行った後、モールドＭ１の微細な転写パターンの微細な凸部で形成された転写素材Ｗ２の微細な凹部Ｗ２ａには、ごく薄い転写素材の膜が形成されている（図示せず）。換言すれば、転写素材Ｗ２の微細な凹部Ｗ２ａの底では、転写素材Ｗ２のごく薄い膜が基材Ｗ１を覆っている。
図３（ａ）に示す転写を行い転写素材Ｗ２の微細パターンを形成した後、モールドＭ１を基材Ｗ１や転写素材Ｗ２から離す。続いて、図２４（ｃ）、（ｄ）で示した場合と同様にして残膜を除去する。すなわち、転写素材Ｗ２の微細な凹部Ｗ２ａで基材Ｗ１を覆っているごく薄い転写素材Ｗ２の膜を、Ｏ２アッシング等で除去することによって、モールドＭ１の微細な転写パターンと同様な微細パターンで、図３（ａ）に示すように基材Ｗ１の表面が露出するようにする。
前記残膜を除去してから、転写素材Ｗ２をマスク材として基材Ｗ１にエッチング（たとえば、ドライエッチング）をすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンを基材Ｗ１に形成する。すなわち、図３（ａ）に示すような転写素材Ｗ２の微細パターンに対応した微細パターンを基材Ｗ１に形成する。
なお、前記エッチングをしても転写素材Ｗ２は、そのまま残っている。また、ドライエッチングとして、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、高アスペクト比ドライエッチング（ボッシュプロセス；ＤｅｅｐＲＩＥ）等を採用することが望ましい。
基材Ｗ１への微細パターンの形成後に、図３（ａ）で表されている転写素材Ｗ２を、基材Ｗ１を溶かすことなく転写素材Ｗ２のみを溶かす溶剤によって除去（クリーニング）する（図３（ｂ）参照）。
転写素材Ｗ２を除去した後に、図３（ｃ）で示すように微細パターンが形成されている基材Ｗ１の表面の部位とこの部位につながっている基材Ｗ１の他の表面の部位（微細パターンが形成されていない部位）とを、転写素材Ｗ２の薄い膜で覆う。たとえば、基材Ｗ１の厚さ方向の一方の側の平面状の面のほぼ全面を、図３（ａ）で示す場合と同様にして、転写素材Ｗ２で覆う。
続いて、図３（ａ）に示す場合とほぼ同様にして、転写素材Ｗ２の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１の一部であって、図３（ｂ）で示すようにして微細パターンが形成されている部位と連続的につながっている他の部位に、モールドＭ１を押し付け紫外線の照射をして、転写素材Ｗ２に微細な転写パターンを転写する（図３（ｃ）参照）。
なお、図３（ｃ）の転写で使用するモールドと、図３（ａ）の転写で使用するモールドとは同じものであるが、図３（ｃ）の転写で使用するモールドと、図３（ａ）の転写で使用するモールドとが異なったものであってもよい。
図３（ｃ）で示す転写素材Ｗ２への微細パターンの転写後に、モールドＭ１を基材Ｗ１や転写素材Ｗ２から離し残膜を除去して、基材Ｗ１に前述したエッチングと同様なエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンであって、図３（ｂ）に示す微細パターンに連続してつながっている微細パターン（モールドＭ１の微細な転写パターンを連続的につなげた微細パターンと同様な微細パターン）を、基材Ｗ１に形成する。
連続してつながっている微細パターンを基材Ｗ１に形成した後、図３（ｃ）で設けられた転写素材Ｗ２を、基材Ｗ１を溶かすことなく転写素材Ｗ２のみを溶かす溶剤によって除去する（図３（ｄ）参照）。
このようにして、微細パターンが形成された基材Ｗ１は、電鋳型の製作やフィルムレプリカの製作等に使用される。すなわち、微細パターンが形成された基材Ｗ１を基にしてニッケル電鋳プロセスでニッケル型を製作し、または、微細パターンが形成された基材Ｗ１を用いて樹脂に微細パターンを転写し、可塑性樹脂や紫外線硬化樹脂等の樹脂レプリカを製作する。そして、この樹脂レプリカからニッケル電鋳プロセスでニッケル型を製作する。このニッケル型は、基材Ｗ１に形成されている微細パターンに応じた微細パターン（基材Ｗ１の微細パターンと同様な微細パターン）を備えている。
ニッケル型を用いて樹脂基材へ微細パターンの転写を単数もしくは複数回つなげて行い、ディスプレイ用光学素子、ワイヤーグリッド偏光板、フォトニック結晶、反射防止構造が生成される。
なお、図３（ａ）、（ｂ）で示すようにして転写素材Ｗ２や基材Ｗ１に形成された微細パターンの一部（図３（ａ）、（ｂ）の左右方向の端部）と、図３（ｃ）、（ｄ）で示すようにして転写素材Ｗ２や基材Ｗ１に形成される微細パターンの一部（図３（ｃ）、（ｄ）の左右方向の端部）とがお互いにオーバーラップ（たとえば１００μｍ〜５００μｍ程度オーバーラップ）して、図３（ｄ）に示すような連続してつながっている微細パターンが基材Ｗ１に形成されているが、前記オーバータップは必ずしも必要ではない。すなわち、図３（ａ）、（ｂ）で示すようにして転写素材Ｗ２や基材Ｗ１に形成された微細パターンの端部と図３（ｃ）、（ｄ）で示すようにして転写素材Ｗ２や基材Ｗ１に形成される微細パターンの端部とがお互いにオーバーラップすることなく、隣接していてもよいし、ごく僅かに離れていてもよい。
図３に示す工程で基材Ｗ１に形成された微細パターンは、図４（ａ）に示すように、基材Ｗ１の長手方向に直交する方向（基材Ｗ１の幅方向）に延びているが、たとえば、モールドＭ１の取り付け姿勢を変更し、図４（ｂ）に示すように、基材Ｗ１ａの長手方向に微細パターンが延びている基材（図５に示す基材Ｗ３と同様な基材）Ｗ１ａを製作してもよい。
図４（ｂ）に示す基材Ｗ１ａにおける微細パターンのつなぎ目（図３（ａ）、（ｂ）で形成された微細パターンと図３（ｃ）、（ｄ）で形成された微細パターンとのつなぎ目）には、図５に示す基材Ｗ３のように、ごく僅かな段差Ｗ３ａが見受けられるが、この段差Ｗ３ａは実用上差し支えないものである。
ここで、図３（ａ）や図３（ｃ）の工程を実行するための転写装置１について説明する。
図１は、転写装置１の概略構成を示す正面図であり、図２は、転写装置１の概略構成を示す側面図であり、図１におけるＩＩ矢視図である。
以下、説明の便宜のために、水平方向の一方向をＸ軸方向とし、水平方向の他の一方向であってＸ軸方向に垂直な方向をＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に垂直な方向（上下方向；鉛直方向）をＺ軸方向という場合がある。
転写装置１は、スタンパ（モールド）Ｍ１の面（たとえば平面状の下面）に形成されている微細な転写パターンを、基材Ｗ１の転写素材Ｗ２の面（たとえば平面状の上面）に、スタンパＭ１の面を転写素材Ｗ２の面に面接触させ、必要に応じて押圧することにより転写する装置である。
転写装置１は、ベースフレーム３を備えており、このベースフレーム３には、基材Ｗ１を保持する基材保持体５が設けられている。基材保持体５は、たとえば、上面が平面状になっており、この上面に、転写素材Ｗ２が薄く設けられている基材Ｗ１を載置し保持することができるようになっている。このようにして載置され保持されている基材Ｗ１は、この厚さ方向がＺ軸方向になっており、上面に転写素材Ｗ２が薄く設けられており、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で所定のところに位置している。
基材保持体５は、ＸＹθステージ７を介してベースフレーム３に支持されている。したがって、制御装置（図示せず）の制御の下、ＸＹθステージ７を構成するサーボモータ等のアクチュエータ（図示せず）を駆動することによって、基材保持体５（基材Ｗ１）は、Ｘ軸やＹ軸方向で移動位置決め自在になっていると共に、Ｚ軸に平行な軸を中心にして回動位置決め自在になっている。
ベースフレーム３には、型保持体（モールド保持体）９が設けられている。型保持体９は、たとえば、下面が平面状になっており、この下面でスタンパＭ１を保持することができるようになっている。このようにして保持されたスタンパＭ１は、微細な転写パターンが形成されている下面が基材保持体５（基材Ｗ１や転写素材Ｗ２）と対向している。
型保持体９は、図示しないリニアガイドベアリングを介してベースフレーム３に支持されており、前記制御装置の制御の下、サーボモータ等のアクチュエータ（図示せず）を駆動することによって、Ｚ軸方向で移動位置決め自在になっている。
また、転写装置１には、基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）に紫外線を照射するためのＵＶ光発生装置（図示せず）が設けられており、転写素材Ｗ２に微細パターンを形成する際に、紫外線硬化樹脂で構成された転写素材Ｗ２を硬化させることができるようになっている。
なお、転写素材Ｗ２として、紫外線硬化樹脂に代えて、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を採用してもよい。この場合、転写装置１には、基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）を加熱する加熱装置（図示せず）が設けられる。また、基材Ｗ１として、シリコン基板に代えてガラス基板を採用してもよく、モールドＭ１の素材として、石英ガラスに代えて、シリコン、ニッケル等の金属またはグラッシーカーボン等を採用してもよい。
また、転写装置１には、位置関係検出装置１１と補正装置１３とが設けられている。
位置関係検出装置１１は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、単数もしくは複数回の第１群の転写（モールドＭ１による転写素材Ｗ２の押圧）やエッチングよって基材Ｗ１に微細パターンを形成した後、図３（ｃ）に示すように、単数もしくは複数回の第２群の転写をする前に、前記第１群の転写で基材Ｗ１に形成された微細パターンと、モールド（Ｘ軸Ｙ軸方向で第２群の転写を行う位置に存在しＺ軸方向で基材Ｗ１や転写素材Ｗ２から離れているモールド；たとえば、図３（ｃ）のＰＳ３またはＰＳ４のところに位置しているモールド）Ｍ１に形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する装置である。
補正装置１３は、位置関係検出装置１１で検出した検出結果に基づいて、前記第１群の転写とエッチングとによって基材Ｗ１に形成された微細パターンに前記第２の群の転写やエッチングによって形成される微細転写パターンが正確につながるように、基材Ｗ１に対するモールドＭ１の相対的な位置を補正する装置である。なお、この補正は、たとえば、図３（ｃ）に示す状態において、モールドＭ１が、ＰＳ３のところに位置しているときと、モールドＭ１が、ＰＳ４のところに位置しているときに行なわれる。
位置関係検出装置１１や補正装置１３等について例を掲げてより詳しく説明する。
図６は、型保持体９へのモールドＭ１の設置形態と、位置関係検出装置１１を構成するカメラ（たとえばＣＣＤカメラ）２５とを示す図である。
型保持体９の中央部には、Ｚ軸方向に貫通している孔２３が設けられており、この孔２３の下端を塞ぐようにして平板状モールドＭ１が設けられている。前記紫外線発生装置で発生した紫外線が、孔２３を通りモールドＭ１を透過して、転写素材Ｗ２まで達するようになっている。モールドＭ１は、この側面がモールド保持部材１７で支持されることにより、また、側面の一端部がシュー１６を介してピエゾ素子等のアクチュエータ２１で押圧されることによって、上方向に付勢され型保持体９に一体的に設けられている。なお、モールドＭ１が紫外線を透過しないものである場合には、たとえば、基材保持体５を介して紫外線の照射がされるようになっている。
図６では、説明の便宜のために、アクチュエータ２１でＸ軸方向にモールドＭ１を押圧（圧縮）しているが、実際には、アクチュエータ２１でＹ軸方向にモールドＭ１を圧縮しているものとする。また、図６や図７では、Ｘ軸方向につなげて転写等を行い、図４（ｂ）や図５で示しように、Ｘ軸方向で連続してつながった微細パターンを基材Ｗ１に形成するものとする。
また、アクチュエータ２１でＹ軸方向に圧縮されているモールドＭ１は、図１０に示すように、常態では、Ｙ軸方向の寸法がＤＹ１になっている。そして、ピエゾ素子（アクチュエータ）２１に印加する電圧を前記常態の場合よりも上昇することによって、寸法ＤＹ１よりも小さい寸法ＤＹ２までモールドＭ１が弾性変形して縮み、ピエゾ素子２１に印加する電圧を前記常態の場合よりも下降することによって、寸法ＤＹ１よりも大きい寸法ＤＹ３までモールドＭ１が弾性変形して伸びるようになっている。したがって、ピエゾ素子２１に印加する電圧の値を、前記制御装置の制御の下適宜変更すれば、モールドＭ１のＹ軸方向の寸法を適宜変更し維持することができるようになっている。
位置関係検出装置１１は、前述したようにカメラ２５を備えて構成されている。カメラ２５は、たとえば、図示しないブラケットを介して、型保持体９の孔２３内で型保持体９に一体的に設けられており、モールドＭ１を介して、基材Ｗ１を覗けるようになっている。より精確には、第１群の転写ＴＲ１のうちの１つの転写と、この第１群の転写ＴＲ１のうちの１つの転写につなげて行なわれる第２群の転写ＴＲ２のうちの１つの転写とのつなぎ目を覗けるようになっている。
具体的には、図７（ａ）に示すように、第１群の第１回目の転写ＴＲ１ａで基材に微細パターンが形成されており、第１群の第２回目の転写ＴＲ１ｂで基材に微細パターンが形成されているとすると、これから行なわれる第２群の転写ＴＲ２と、前記微細パターンＴＲ１ａ、ＴＲ１ｂとのつなぎ目の一部とこの近傍の部位（図７（ａ）に示す部位Ｐ１、部位Ｐ２、部位Ｐ３）を覗けるようになっている。
そして、たとえば、部位Ｐ１を覗いた場合、図７（ｂ）に示すように、Ａ線、Ｂ線（オーバーラップしている部位）、Ｃ線に沿って、光の強度を検出することができるようになっている。図４（ｂ）や図５に示すような微細パターンを備えた基材Ｗ１ａを製作しようとする場合に、Ａ線、Ｂ線、Ｃ線に沿った光の強度を検出すると、図８に示すようになる。
Ａ線、Ｂ線、Ｃ線に沿った光の各強度は、常態では図８（ａ）に示すように矩形波状になるが、微細パターンＴＲ１ａに対して、これから形成される微細パターン（モールドＭ１の転写パターン）の位置が、たとえば、図８（ｂ）に示すようにΔＹだけずれていれば、Ａ線に沿った光の強度とＣ線の強度とがほぼ合成されるので、Ｂ線における光の強度は、一段のきれいな矩形波状にはならず、２段の矩形波状になる。
なお、部位Ｐ２や部位Ｐ３についても、部位Ｐ１の場合とほぼ同様である。
カメラ２５から送られてきた信号によって、部位Ｐ１や部位Ｐ２において光の強度が図８（ｂ）に示すように矩形状にならないことを検出した前記制御装置は、ＸＹθステージ７を適宜制御し、モールドＭ１に対する基材Ｗ１の相対的な位置を補正（修正）し、部位Ｐ１や部位Ｐ２における光の強度が、図８（ａ）に示すように矩形状になるようにする。
また、カメラ２５から送られてきた信号によって、部位Ｐ３において光の強度が図８（ｂ）に示すように矩形状にならないことを検出した前記制御装置は、ピエゾ素子２１に印加する電圧を制御して、モールドＭ１のＹ軸方向の寸法を適宜修正する。
ところで、位置関係検出装置１１を別の構成にしてもよい。
すなわち、図１の示す転写装置１において、位置関係検出装置１１が、薄い板状の検出子１５を備えて構成されていてもよい。検出子１５の厚さ方向がＺ軸方向になっている。また、転写を行う前に検出子１５をモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に挿入して、モールドＭ１に対する基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）の位置ずれ量を検出するように構成してもよい。
位置ずれ量を検出するために検出子１５をモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に挿入した場合においては、モールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）とが極力近づいており、寸法的な余裕がほとんど無い状態で、検出子１５がモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に挿入されるようになっていることが望ましい。
たとえば、位置ずれ量を検出するために検出子１５をモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に挿入した場合においては、図１に示すように、検出子１５とモールドＭ１との間の距離Ｌ３は０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度になっており、検出子１５と転写素材Ｗ２との間の距離Ｌ５も０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度になっていることが望ましい。また、少なくとも、モールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に位置する部位において、検出子１５の厚さ（Ｚ軸方向の寸法）が、極力小さくなるように形成されていることが望ましい。
位置関係検出装置１１について例を掲げてより詳しく説明する。
位置関係検出装置（位置ずれ量検出装置）１１の検出子１５は、モールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）とが所定の距離だけ離れているときにモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）との間に挿入される第１の位置（図１に実線で示す検出子１５を参照）と、モールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）とがお互いに接触することができるようなモールドＭ１と基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）とから離れた第２の位置（図１に二点鎖線で示す検出子１５を参照）との間を移動自在になっている。
ここで、検出子１５は、第１の検出子支持部材２９の先端部側で第１の検出子支持部材２９に一体的に設けられており、第１の検出子支持部材２９は、図示しないリニアガイドベアリング（図示せず）を介してＸ軸方向で第２の検出子支持部材３１に対して移動自在に設けられている。そして、前記制御装置の制御の下、空気圧シリンダ等のアクチュエータ（図示せず）によって、前記挿入される第１の位置（図１に実線で示す位置）と前記離れた第２の位置（図１に二点鎖線で示す位置）と間を移動するようになっている。
第２の検出子支持部材３１は、図示しないリニアガイドベアリング（図示せず）を介してベースフレーム３に対してＺ軸方向で移動自在に設けられている。そして、前記制御装置の制御の下、サーボモータ等のアクチュエータ（図示せず）とボールネジ（図示せず）とによって、上下方向で移動位置決め自在になっている。
したがって、モールドＭ１や基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）の形態に応じて、検出子１５のＺ軸方向における位置を調整することができるようになっている。
さらに説明すると、位置関係検出装置１１はカメラ（図示せず）を備えている。このカメラは、検出子１５から離れたところ（たとえば、第１の検出子支持部材２９）に設けられている。また、検出子１５には、プリズム（図示せず）が設けられており、前記プリズムを介し前記カメラで基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）やモールドＭ１の位置ずれを検出するように構成されている。すなわち、基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）やモールドＭ１からＺ軸方向に進んできた光を、たとえばＸ軸方向に向かって進むように前記プリズムで反射し、この反射した光を前記カメラが取り入れるようになっている。なお、前述した検出子１５の厚さは、前記プリズムを含めた厚さになる。また、プリズムの代わりに、反射ミラー等を設けてあってもよい。
このように検出子１５を用いた構成にすることにより、モールドＭ１が金属等で構成され透明でない場合であっても、基材Ｗ１（転写素材Ｗ２）やモールドＭ１の位置ずれを検出することができる。
そして、図３に示す基材Ｗ１への微細パターン形成工程において、位置関係検出装置１１の検出子１５等を用いることによって、前述したカメラ２５等を用いる場合と同様にして、図３（ｂ）に示す第１群の転写等で基材Ｗ１に微細パターンを形成した後であって、第２群の転写をする前に、前記第１群の転写等で基材Ｗ１に形成された微細パターンと、第２群の転写をする前における、モールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出するようになっている。すなわち、図３（ｃ）における状態において、基材Ｗ１に形成されている微細パターンと、モールドＭ１に形成されている微細パターンとの位置関係を検出するようになっている。
また、前記第１群の転写等で基材Ｗ１に形成された微細パターンと、第２の微細パターン形成工程によって形成される微細転写パターンが正確につながるように、基材Ｗ１に対するモールドＭ１の相対的な位置を、前記位置関係の検出結果に基づき補正装置１３で補正するようになっている。すなわち、図３（ｃ）における状態において、基材Ｗ１とモールドＭ１との相対的な位置関係を正確なものにするようになっている。
さらに、転写装置１のアクチュエータ２１を制御することによって、基材Ｗ１に対するモールドＭ１の相対的な位置を補正するときに、たとえば温度変化によるモールドＭ１の形状変化を修正し、モールドＭ１を正確な形状にするようになっている。
ここで、図３に示す基材Ｗ１への微細パターン形成工程における前記補正等について、図７を参照しつつ例を掲げてより詳しく説明する。
まず、第１群の転写工程と微細パターン形成工程とによって、転写素材Ｗ２の第１の部位ＴＲ１ａとこの第１の部位ＴＲ１ａから所定の距離だけ離れた第２の部位ＴＲ１ｂとに微細パターンが形成される。
続いて、第２の群の転写工程と微細パターン形成工程とによって、第１の部位ＴＲ１ａと第２の部位ＴＲ１ｂとの間であって第１の部位ＴＲ１ａと前記第２の部位ＴＲ１ｂとを連続的につなぐ第３の部位ＴＲ２に、微細パターンが形成される。
ここで、位置関係検出装置１１は、前述したように、第１の部位ＴＲ１ａとモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの境界で第１の部位ＴＲ１ａに対するモールドＭ１の微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量と、第２の部位ＴＲ１ｂとモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの境界で第２の部位ＴＲ１ｂに対するモールドＭ１の微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量とを検出することによって、前記第１の群の微細パターン形成工程で形成された微細パターンと、モールド（第２群の転写をするところに位置しているモールド）Ｍ１に形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する。
具体的説明すると、モールドＭ１における微細な転写パターンが形成されている部位は、矩形な平面状に形成されており、第１の部位ＴＲ１ａと第３の部位ＴＲ２と第２の部位ＴＲ１ｂとが一直線状に並ぶことによって、長方形状の範囲内に微細パターンが形成されるようになっている。
位置関係検出装置１１は、前記長方形状の微細パターンの幅方向の一方の側で、第１の部位ＴＲ１ａとモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの境界の部位Ｐ１における相対的な位置ずれ量（第１の部位ＴＲ１ａに対するモールドＭ１の微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量）と、第２の部位ＴＲ１ｂとモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの境界の部位Ｐ２における相対的な位置ずれ量（第２の部位ＴＲ１ｂに対するモールドＭ１の微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量）を検出するようになっている。
また、位置関係検出装置１１は、前記長方形状の微細パターンの幅方向の他方の側で、第２の部位ＴＲ１ｂ（第１の部位ＴＲ１ａでもよい）とモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンとの境界の部位Ｐ３における相対的な位置ずれ量（第２の部位ＴＲ１ｂに対するモールドＭ１の微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量）検出するようになっている。
そして、補正装置１３は、前記幅方向の一方の側（部位Ｐ１、Ｐ２）における各位置ずれ量と、前記幅方向の他方の側（部位Ｐ３）における位置ずれ量とに基づいて、ＸＹθステージ７を用いて、基材Ｗ１の位置や姿勢を修正すると共に、前記長方形状の微細パターンの幅方向におけるモールドＭ１の弾性変形量を、アクチュエータ２１を用いて変えて、前記幅方向におけるモールドＭ１の寸法を修正するようになっている。
なお、図４（ｂ）や図１１（ａ）に示すように、長手方向（Ｘ軸方向；図１１（ａ）の左右方向）に延びて微細パターンを形成する際には、第２群の転写ＴＲ２において、基材Ｗ１に対するモールドＭ１の位置補正を、たとえば、Ｙ軸方向と、Ｚ軸まわりの回動量と、必要に応じてアクチュエータ２１を用いた補正とで行えばよい。
一方、図４（ａ）や図１１（ｂ）に示すように、幅方向（Ｙ軸方向；図１１（ｂ）の上下方向）に延びた微細パターンを基材Ｗ１に形成する際には、第２群の転写ＴＲ２において、基材Ｗ１に対するモールドＭ１の位置補正を、たとえば、Ｘ軸方向と、Ｚ軸まわりの回動量と、必要に応じてアクチュエータ２１を用いた補正とで行えばよい。
また、上記説明では、基材Ｗ１に形成された微細パターンの位置とモールドＭ１の微細パターンの位置とを比較して位置関係を検出しているが、基材Ｗ１やモールドＭ１にアイマークをつけて、このアイマークをカメラ等で撮影して位置関係を検出し補正してもよい。
たとえば、図９（ａ）に示すように、モールドＭ１の４隅にアイマークＭＭ１、ＭＭ２、ＭＭ３、ＭＭ４を付しておく。なお、微細な転写パターンは、各アイマークＭＭ１、ＭＭ２、ＭＭ３、ＭＭ４の内側の領域ＴＲＳ２に設けられているものとする。
第１群の転写ＴＲ１で基材Ｗ４に転写を行って微細パターンを形成すると、モールドＭ１の各アイマークＭＭ１、ＭＭ２、ＭＭ３、ＭＭ４に対応したアイマークＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３、ＭＷ４が、微細パターンと共に基材Ｗ４に付される。この後、第２群の転写ＴＲ２を行う際に、基材Ｗ４のアイマークＭＷ２、ＭＷ４とモールドＭ１のアイマークＭＭ１、ＭＭ３の位置ずれ量を検出し、第１群の転写ＴＲ１の位置に対する第２群の転写ＴＲ２をするときのモールドＭ１（基材Ｗ４）の位置ずれを補正してもよい。
また、図９（ｂ）に示すように、転写な微細パターンが形成される前の基材Ｗ４ａに、各アイマークＭＷ６、ＭＷ７、ＭＷ８、ＭＷ９、ＭＷ１０、ＭＷ１１を予め付しておいてもよい。なお、微細な転写パターンは、各アイマークＭＷ６、ＭＷ７、ＭＷ８、ＭＷ９、ＭＷ１０、ＭＷ１１の内側の領域ＴＲＳ１に形成されるものとする。
第１群の転写ＴＲ１を行う際に、各アイマークＭＷ６、ＭＷ７、ＭＷ８、ＭＷ９にうちの少なくとも２つアイマークの位置を検出し、この検出結果に基づいて基材Ｗ４ａに対するモールドＭ１の位置ずれ量を検出し、モールドＭ１（基材Ｗ４ａ）の位置ずれを補正してもよい。第２群の転写を行う際も、第１群の転写ＴＲ１を行う場合と同様にして、各アイマークＭＷ７、ＭＷ９、ＭＷ１０、ＭＷ１１にうちの少なくとも２つアイマークの位置を検出し、この検出結果に基づいて基材Ｗ４ａに対するモールドＭ１の位置ずれ量を検出し、モールドＭ１（基材Ｗ４ａ）の位置ずれを補正してもよい。
さらに、図９（ｂ）に示す場合において、モールドＭ１にもアイマークを設けておき、基材Ｗ４ａに予め設けられているアイマークとモールドＭ１に設けられているアイマークの位置ずれ量を検出し、モールドＭ１（基材Ｗ４ａ）の位置ずれを補正してもよい。
ところで、すでに理解されるように、転写装置１は、図３（ａ）や図３（ｃ）に示すように、基材Ｗ１にモールドＭ１を押し付けて転写素材Ｗ２にモールドＭ１の微細な転写パターンを転写するときに使用される装置である。したがって、基材Ｗ１の表面を転写素材Ｗ２の膜で覆うときや、図３（ｂ）や図３（ｄ）に示すように、エッチングによって微細パターンを基材Ｗ１に形成するときや、転写素材Ｗ２を除去するときには、別の装置が使用され、基材Ｗ１は転写装置１から取り外される。
図４（ａ）や図４（ｂ）に示すように、長方形状の面に微細な転写パターンが形成された基材Ｗ１（Ｗ１ａ）を型Ｍ３として使用することによって、型Ｍ３の微細パターンを、被成型物（たとえば、シリコン、ガラス等）Ｗ５に設けられている被成型層（たとえば、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂等）Ｗ６に転写するようにしてもよい（図１４参照）。この場合、基材Ｗ１（Ｗ１ａ）をそのまま型として使用してもよいし、基材Ｗ１（Ｗ１ａ）からたとえば前述したように電鋳でニッケル型を製作（生成）し、このニッケル型を用いて転写を行うようにしてもよい。
さらに、型Ｍ３による転写を行う際、図１４に示すように、型Ｍ３の微細パターンが形成されている部位（面）を、この部位の長手方向が円柱の周方向になり、前記面の幅方向が前記円柱の高さ方向になるようにして、前記円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成し、前記凸面による被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への直線状の押圧部位（図１４の紙面に直交する方向に延びている押圧部位）を前記凸面の長手方向の一端部から他端部に向かって移動しつつ（たとえば、図１４の左側の端部から右側の端部に向かって移動しつつ）前記転写を行うことが望ましい。
また、型Ｍ３の微細パターンが形成されている部位（面）を、この部位の長手方向が楕円柱の周方向になり、前記面の幅方向が前記楕円柱の高さ方向になるようにして、前記楕円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成して、同様な転写を行ってもよい。
さらに、図１４に示す第１の転写を行った後、被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）に対し型Ｍ３の微細パターンの幅方向（図１４の紙面に直角な方向）に型Ｍ３を相対的に移動して同様な転写を行い、型Ｍ３の微細パターンがこの幅方向でつながるような転写を、被成型物Ｗ５の被成型層Ｗ６にしてもよい（図１３参照）。
ここで、図１４に示すような円柱側面状の凸面を用いた転写を行うための転写装置１ａについて説明する。
転写装置１ａは、型Ｍ３を保持する型保持体５１の下面が円柱側面状に形成されており、型保持体５１が所定の軸ＣＬ１を中心にして揺動する点が、前述した転写装置１とは異なるが、その他の点は、前述した転写装置１とほぼ同様に構成されている。
図１５は、転写装置１ａの要部を示す図である。
転写装置１ａについて詳しく説明する。基材保持体（基板テーブル）５と移動部材１９（転写装置１の型保持体９の相当）との間には、型保持体５１が設けられている。型保持体５１は、下部に凸面５３を備えている。凸面５３は、基材保持体５に保持されている被成型物（被成型層Ｗ６が設けられている被成型物）Ｗ５の厚さ方向の一方の面である上面にほぼ平行な状態で対向している。
凸面５３は、円柱の側面の一部を用いて形成されている。なお、完全な円柱でなくてもよく、円柱に近似した形状、たとえば楕円柱状であってもよい。さらには、凸面５３が、柱状の立体（円、楕円等、所定の形状の平面を、この平面に垂直な方向に所定の距離だけ移動したときに、前記所定の形状の平面の軌跡によって形成される立体）の側面の一部を用いて形成されていてもよい。
型保持体５１の凸面５３についてより詳しく説明すると、凸面５３は、前記円柱の中心軸（前記円柱の高さ方向に延びている中心軸）を含む第１の平面と、前記円柱の中心軸を含み前記第１の平面と小さな角度で交差している第２の平面とで、前記円柱の側面を切断してできる４つの面（面積が大きい２つの面と面積が小さい２つの面）のうちで、面積が小さい１つの面の形状をしている。
なお、凸面５３は、前記円柱の径が大きく前記交差角度が小さいので平面に近い形状になっている。前記円柱の中心軸の延伸軸方向（図２の紙面に直角な方向）を凸面５３の長さ方向とし、前記円柱側面の周方向（図１５のほぼ左右方向）を凸面５３の幅方向とすると、図１５に示すように、たとえば３００ｍｍの幅Ｂに対して中央部が０．１ｍｍ（Ｔ）程度しか突出しない形状になっている。
したがって、前記円柱の半径は、凸面５３の幅Ｂに対する凸面５３の中央部の突出量Ｔの割合が、たとえば「１／１０００００〜１／３０００」になるような大きな半径になっている。すなわち、前記円柱の半径は、凸面５３の幅Ｂの１２５倍〜２７５０倍という大きな値になっている。
そして、凸面５３に、転写用の型５５（型Ｍ３）を倣わせ、たとえば真空吸着により保持することができるようになっている。型５５は、たとえば、前述したようにＮｉ電鋳モールドによって生成され、矩形な薄い平板状に形成されている。転写用の超微細なパターンは、型５５の一方の面（図１５の下側）の面に形成されている。
なお、前記円柱の半径を、凸面５３の幅Ｂに対する凸面５３の中央部の突出量Ｔの割合が、「１／３０００〜１／３０」になるような半径にしてもよい。すなわち、前記円柱の半径を、凸面５３の幅Ｂの３倍〜１２５倍という値にしてもよい。たとえば、凸面５３の幅Ｂが３００ｍｍである場合、突出量Ｔを１０ｍｍ程度まで大きくしてもよい。
また、型保持体５１は、移動部材５７を介して移動部材１９に支持されており、移動部材１９の移動に伴い、基材保持体５に対し接近・離反する方向（上下方向；Ｚ軸方向）で相対的に移動自在になっている。
なお、前記説明では、型保持体５１と型５５とが別個になっているが、型保持体５１と型５５とを一体化した構成、すなわち、型保持体５１の凸面５３に転写パターンを直接設けた構成であってもよい。
また、転写装置１ａには、押圧手段５９が設けられている。押圧手段５９は、型保持体５１に保持されている型５５を、基材保持体５に保持されている被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）に相対的に接近させ、型５５で被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を押圧し、型５５の転写パターンを被成型物Ｗ５の被成型層Ｗ６に転写するときに使用されるものである。
押圧手段５９は、前記円柱の中心軸に平行な直線状の押圧部位を、凸面５３の一端部から他端部に向かって（図１５の左から右に向かって）移動しつつ、型５５で被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を押圧するようになっている。
なお、前記押圧部位は、凸面５３の長さ方向（図１５の紙面の直角な方向）に延びている。また、前記押圧部位は、型保持体５１の凸面５３に保持されている型５５の転写パターンが形成されている面の一部とこの一部の面に接触する被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）の面とに形成され、実際にはある程度の幅（図２の左右方向の幅）を備えている。
また、転写装置１ａには、押圧手段５９によって押圧されている押圧部位（押圧部位の近傍を含む）、または、押圧手段５９によって押圧されている押圧部位と押圧手段５９によってすでに押圧された部位とに、ＵＶ光（紫外線）を照射するＵＶ（紫外線）照射手段６１が設けられている。なお、押圧される前の硬化を防止するために押圧される前の被成型層Ｗ６の部位には、紫外線が照射されないようになっている。
転写装置１ａについてさらに詳しく説明すると、基材保持体５は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延伸している矩形状の平面（上面）に、平板状で矩形状の被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を保持するようになっている。被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）は、平板状で矩形状の被成型物Ｗ５とこの被成型物Ｗ５の厚さ方向の一方の面に転写パターンが形成される薄膜状の被成型層Ｗ６を備えて構成されており、被成型層Ｗ６が設けられている側の面が現れるようにして（被成型層Ｗ６が設けられている面とは反対側の下面が基材保持体５の上面に接触するようにして、基材保持体５の上面に保持されるようになっている。
移動部材１９の下側には、別の移動部材５７が設けられている。この移動部材５７は、リニアガイドベアリング５８を介して移動部材１９に対してＸ軸方向で移動自在になっている。また、移動部材５７のＸ軸方向の一方の端部（図１５の左側の端部）には、移動部材５７が当接するストッパ６３が設けられており、移動部材５７のＸ軸方向の他方の端部には、移動部材５７を前記ストッパ６３側に（図１５の左方向に）付勢する圧縮バネ６５等の付勢手段が設けられている。
型保持体５１の凸面５３の内側（図１５の上側；凸面５３に対して前記円柱の図示しない中心軸が存在している側）でかつ凸面５３の中間部（たとえば、Ｘ軸方向におけるほぼ中央部）には、揺動中心軸ＣＬ１が設けられている。この揺動中心軸ＣＬ１はＹ軸方向に延伸している直線であり、この揺動中心軸ＣＬ１を中心にして、型保持体５１が、移動部材５７に対し揺動自在に支持されている。
なお、揺動中心軸ＣＬ１は、凸面５３の近傍に位置している。すなわち、揺動中心軸ＣＬ１は、前記円柱の中心軸と凸面５３との間における凸面５３側で、凸面５３の近傍に位置している。より詳しくは、図１５に示すように、凸面５３と揺動中心軸ＣＬとの距離Ｌ１は、凸面５３の幅Ｂよりも小さくなっている。なお、距離Ｌ１を幅Ｂと等しいか僅かに大きくしてもよい。
ところで、凸面５３が、楕円柱状の立体の側面の一部を用いて形成されている場合にあっては、凸面５３は、前記楕円の短軸と平行な平面であって前記楕円柱状の立体の高さ方向に延伸し互いが離れている２つの平面（楕円柱状の立体の高さ方向に延びた中心軸に対して互いが対称な位置に存在している２つの平面）で、前記楕円柱状の立体の側面を切断したときに得られる２種類の凸面のうちで曲率半径が大きいほうの凸面で形成されている。
楕円柱状の立体の側面の一部を用いて形成されている凸面の揺動中心軸も、円柱側面で形成された凸面５３の場合と同様に、凸面の近傍に存在している。なお、楕円柱状の立体における長軸と短軸との差を大きくして、楕円柱状の立体で形成された凸面の揺動中心軸を、前記楕円柱状の立体の中心軸に一致させてもよい。
型保持体５１と移動部材５７との間には、付勢手段とアクチュエータとが設けられている。前記付勢手段は、たとえば、図１５の左側に設けられた皿ばね６７で構成されており、型保持体５１が揺動中心軸ＣＬ１を揺動中心にして一方向（図１５の矢印ＡＲ１１の方向）に揺動するように付勢している。一方、前記アクチュエータは、たとえば、図１５の右側に設けられたピエゾ素子６９で構成され、転写装置１ａの制御装置（図示せず）の制御の下、ピエゾ素子６９に電圧が印加されこの電圧が徐々に上昇すると、皿ばね６７で付勢しているにもかかわらず、ピエゾ素子６９が徐々に伸びて、揺動中心軸ＣＬ１を揺動中心にして型保持体５１が他方向（図１５の矢印ＡＲ１３の方向）に揺動するようになっている。
なお、ピエゾ素子の代わりに、モータ等のアクチュエータを用いてもよい。より詳しくは、たとえば、サーボモータでボールねじのナットを回転させ、前記ボールねじのネジ軸を直線的に移動させ、型保持体５１を揺動せてもよい。
被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への転写を行うべく型５５で被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への押圧を行う場合には、まず、型５５を上昇させ、型５５を被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）から離しておき、ピエゾ素子６９をオフしておく（電圧を印加しない状態にしておく）。なお、図１５では型５５の部位のうち型５５の中央部５５Ｂが最も下側に位置しているが、ピエゾ素子６９をオフした状態では、皿ばね６７による付勢によって、型５５の部位のうち型５５の左端（皿ばね６７が設けられている側の端）５５Ａが最も下側に位置している。
このように、型５５の左端５５Ａが最も下側に位置している状態で、型５５の左端５５Ａが被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）に所定の圧力をもって当接するまで移動部材１９を下降すると、型５５は図１５に二点鎖線で示すところに位置する。ここで、ピエゾ素子６９をオンし（電圧を印加し）、ピエゾ素子６９が徐々に延びると、型５５（型保持体５１）が揺動し、図１５に二点鎖線で示す型５５と被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）との接触位置（型５５による押圧位置）が、図１５の左から右にむかって移動し、やがては、型５５の部位のうち型５５の右端５５Ｃが最も下側に位置して被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）に当接するようになる。
なお、型５５と被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）との当接位置（押圧部位）が図１５の左から右に移動するときには、型５５による被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への押圧力を一定の値に維持すべく、図示しないロードセル（型５５による被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への押圧力を測定可能なロードセル；押圧力検出手段）が検出した押圧力によるフィードバック制御を行い、前記制御装置により図示しないサーボモータ（移動部材１９を駆動するサーボモータ）のトルクが制御されるものとする。
また、型５５と被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）との当接位置（押圧部位）が図１５の左から右に移動するときには、移動部材１９の高さ位置が適宜変化するようになっている。そして、前記円柱の中心軸と凸面５３を備えた型保持体５１の揺動中心軸ＣＬ１とが一致していないにもかかわらず、押圧部位が図１５の左から右にむかってスムーズに移動できるようになっている。
前記サーボモータに代えて空気圧シリンダ等の流体圧シリンダを用い、前記シリンダに供給される流体の圧力を制御すれば、前記フィードバックをする場合と同様に、型５５による被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）への押圧力を一定の値に維持することができる。
なお、図１５では、Ｘ軸方向において揺動中心軸ＣＬ１を中央部に配置し、一方の側に、皿ばね６７を配置し他方の側にピエゾ素子６９を配置してあるが、揺動中心軸ＣＬ１を一方の側に配置し、他方の側に皿ばね６７とピエゾ素子６９とを配置してもよい。
さらに、前述したように、移動部材５７が移動部材１９に対してＸ軸方向で移動するように構成されているので、移動部材１９を下降しピエゾ素子６９で型保持体５１（型５５）を揺動し被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を押圧する場合、圧縮バネ６５で付勢しているにもかかわらず、移動部材５７がストッパ６３から離れ、揺動中心軸ＣＬ１の位置が、前記押圧部位の移動方向（図１５の右方向）に、被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）に対して相対的に僅かに移動する。
この揺動中心軸ＣＬ１の移動によって、型５５における押圧部位の移動の道のりが、平板状の被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）における押圧部位の道のりよりも長いことにより発生する不具合（たとえば、型５５の転写パターンと被成型層Ｗ６との間の押圧部位の移動方向（Ｘ軸方向）における微妙な位置ずれによる被成型層Ｗ６に転写されるパターンの変形）を防止することができる。
次に、ＵＶ（紫外線）照射手段６１について説明する。
基材保持体５の下側には、平板状のシャッタ７１が設けられている。このシャッタ７１には、Ｙ軸方向に延びたスリット７３が設けられている。このスリット７３が設けられていることにより、シャッタ７１は図１５の右側の部位７１Ａと左側の部位７１Ｂとに分かれている。シャッタ７１は、図示しないガイド部材によってガイドされ、図示しないサーボモータ等のアクチュエータにより、Ｘ軸方向で移動するようになっている。したがって、スリット７３もＸ軸方向に移動するようになっている。
また、シャッタ７１の下側には、ＵＶ光の光源（ＵＶライト）７５が設けられている。そして、ＵＶライト７５をオンした状態で、前記制御装置の制御の下、前記押圧部位の移動に同期させてシャッタ７１を移動し、型５５で被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を押圧している部位にのみＵＶ光を照射するようになっている。なお、シャッタ７１の左側の部位７１Ｂを無くせば、押圧している部位とすでに押圧した部位とにＵＶ光が照射されることになる。
前記押圧部位の移動に同期させてシャッタ７１を移動する場合、たとえば、ピエゾ素子６９に印加する電圧の値に応じて、シャッタ７１を移動するようになっている。
この転写装置１ａと型Ｍ３とを用いて、被成型層Ｗ６への転写と被成型物Ｗ５への微細パターンの形成を、図３に示す場合と同様にして行ってもよい。この場合、図１３に示すように、第１群の転写等によって被成型物Ｗ５の部位ＴＲ１１に微細パターンが形成され、第２群の転写等によって被成型物Ｗ５の部位ＴＲ１２に微細パターンが形成される。したがって、もともとはモールドＭ１に形成されている微細な転写パターンを二次元的に広げた微細パターンが、型Ｍ３を介して被成型物Ｗ５に連続してつながって形成されることになる。
ところで、図３に示す工程を用いて、図１２に示すように、第１群の転写と微細パターンの形成とによって、市松模様の紺の部位に相当する基材Ｗ１の部位（図１２に斜線で示したＴＲ１の部位）に微細パターンを形成し、第２群の転写と微細パターンの形成とによって、市松模様の白の部位に相当する前記基材の部位（図１２に示したＴＲ２の部位）に微細パターンを形成するようにしてもよい。
このようにして微細パターンを形成した場合、市松模様の紺の各部位に相当する基材Ｗ１の一部の部位がお互いに隣接している。しかし、前記部位が角部でお互いに隣接しているので、換言すれば、線接触ではなく点接触しているような状態であるので、転写によって転写素材Ｗ２が盛り上がったとしても、この盛り上がりによる影響を受けることはほとんどなく、転写素材Ｗ２への正確な転写を行うことができる。
さらに、図１６に示すように、第１群の転写や微細パターンＴＲ１の形成、第２群の転写や微細パターンＴＲ２の形成に加えて、第３群の転写や微細パターンＴＲ３の形成等、複数群の工程によって、微細パターンを基材に連続して形成してもよい。
また、図１７（ａ）に示すように、モールドＭ１の微細な転写パターンが、斜めに延びていてもよいし、図１７（ｂ）に示すように、モールドＭ４の微細な転写パターンが、微細な円柱状（四角柱状等でもよい）の複数の突起で構成されていてもよいし、図１７（ｃ）に示すように、モールドＭ５の微細な転写パターンが、微細な円柱状（四角柱状等でもよい）の複数の孔で構成されていてもよい。各突起や孔の大きさは、それぞれが同じ大きさでもよいし、異なっていてもよい。
また、図１８に示すように、第１群の転写および微細パターンＴＲ１の形成と、第２群の転写および微細パターンＴＲ２の形成とで、円板状の基材に連続した微細パターンを形成してもよい。
なお、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆うの被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材の一部に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記転写工程、前記微細パターン形成工程での微細パターンを形成する位置を適宜変えながら、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法の例である。
第１の実施形態に係る微細パターンの形成方法によれば、第１（第１群）の被覆工程、第１（第１群）の転写工程、第１（第１群）の微細パターン形成工程で、基材Ｗ１に微細パターン（１回目の微細パターン）を形成した後、第１の被覆工程で形成した転写素材Ｗ２を除去し、この除去後に第２（第２群）の被覆工程、第２（第２群）の転写工程、第２（第２群）の微細パターン形成工程で、基材Ｗ１に微細パターン（２回目の微細パターン）を形成しているので、第２の転写工程を実行する際には、第１の転写工程を行なったことによって盛り上がった転写素材Ｗ２は除去されている。
したがって、１回目の微細パターンと２回目の微細パターンとがつながっていても、第２の転写工程での転写を正確に行うことができ、第１の微細パターン形成工程で基材Ｗ１に形成された微細パターンと第２の微細パターン形成工程で基材Ｗ１に形成された微細パターンとのつなぎ目を正確なものにすることができ、正確な形態の微細パターンを基材Ｗ１に連続して形成することができる。
また、補正工程によって基板Ｗ１に対するモールドＭ１の相対的な位置を補正するので、第１の転写工程等で基材Ｗ１に形成された微細パターンと、第２の転写工程等で基材Ｗ１に形成される微細パターンとが正確につながり、より正確な微細パターンを基材Ｗ１に形成することができる。
また、補正工程で、アクチュエータ２１を用いて形状変化したモールドＭ１を正確な形状に修正するので、温度変化等によってモールドＭ１の形状が変化した場合であっても、正確な転写を行うことができる。
さらに、図１４や図１５に示すように、型Ｍ３の凸部の一端部から他端部に向かって押圧部位を移動しつつ転写を行うので、被成型物Ｗ５の被成型層Ｗ６に気泡が発生しにくくなっている。すなわち、平板状の被成型物Ｗ５の被成型層Ｗ６に平面状の型Ｍ３の全面を押し付けて転写をすると、型Ｍ３の中央部に存在している空気が、型Ｍ３の周辺から外部（押圧面の外部）に逃げにくく、被成型層Ｗ６に気泡が発生するおそれがあるが、型５５の一端部から他端部に向かって押圧部位を移動して被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）を押圧すれば、空気が逃げにくいという事態は発生しない。
また、型Ｍ３の一端部から他端部に向かって押圧部位を移動しつつ転写を行うので、すなわち、型Ｍ３の全面で被成型物Ｗ５を同時に押圧するわけではないので、転写のための押圧力を従来に比べ小さくすることができ、転写に使用する装置の剛性を上げなくても正確な転写を行うことができる。
さらに、押圧し終えたときに、従来のように型の全面が被成型品にくっついているわけではなく、移動してきた押圧部位のみが被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）にくっついているので、被成型物Ｗ５（被成型層Ｗ６）と型Ｍ３とを離すための力を小さくすることができ離型が容易になっている。
[第２の実施形態]
図１９、図２０は、本発明の第２の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。
第２の実施形態に係る微細パターン形成方法は、基材（たとえばシリコン）Ｗ１に下層転写素材（たとえば酸化シリコン）Ｗ７と上層転写素材（たとえば、紫外線硬化樹脂）Ｗ２とを設け、下層転写素材Ｗ７をマスク材としエッチングによって基材Ｗ１に微細パターンを形成する点が、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とは異なり、その他の点は、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とほぼ同様になされる。
より詳しく説明すると、第２の実施形態に係る微細パターン形成方法では、まず、表面が下層転写素材Ｗ７の薄い膜で覆われている基材Ｗ１における下層転写素材Ｗ７の表面を（たとえば、下層転写素材Ｗ７の平面状の面のほぼ全面を）、上層転写素材（たとえば、硬化前のＵＶ樹脂）Ｗ２の薄い膜で覆う。この被覆によって、基材Ｗ１と下層転写素材Ｗ７と上層転写素材Ｗ２が積層された形態になる。
続いて、上層転写素材Ｗ２の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１（下層転写素材Ｗ７）の一部に、モールドＭ１を押し付けて、上層転写素材Ｗ２に微細な転写パターンを転写する（図１９（ａ）参照）。
上層転写素材Ｗ２への微細パターンの転写後に、下層転写素材Ｗ７にエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンを下層転写素材Ｗ７にのみ形成し、上層転写素材Ｗ２を除去する（図１９（ｂ）参照）。
上層転写素材Ｗ２の除去後に、微細パターンが形成されている下層転写素材Ｗ７の表面の部位とこの部位につながっている下層転写素材Ｗ７の他の表面の部位とを（たとえば、下層転写素材Ｗ７の平面状の面のほぼ全面を）、上層転写素材Ｗ２の薄い膜で覆う。
上層転写素材Ｗ２の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１（下層転写素材Ｗ７）の一部であって図１９（ｂ）に示す微細パターンが形成されている部位と連続的につながっている他の部位に、モールドＭ１を押し付けて、上層転写素材Ｗ２に微細な転写パターンを転写する（図１９（ｃ）参照）。
上層転写素材Ｗ２への微細パターンの転写後に、下層転写素材Ｗ７にエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンであって、図１９（ｂ）に示す微細パターンに連続してつながっている微細パターンを下層転写素材Ｗ７にのみ形成する。このエッチングをしても基材Ｗ１は、エッチングされない。下層転写素材Ｗ７への微細パターン形成後に、上層転写素材を除去する（図２０（ｄ）参照）。
上層転写素材Ｗ２が除去された後に、基材Ｗ１にエッチングをすることによって、下層転写素材Ｗ７の微細パターン（モールドＭ１の連続した微細な転写パターン）に対応した微細パターンを基材Ｗ１に形成し（図２０（ｅ）参照）、下層転写素材Ｗ７を除去する（図２０（ｆ）参照）。
第２の実施形態に係る微細パターンの形成方法によれば、第１の実施形態に係る微細パターンの形成方法が奏する効果に加えて、次の効果を奏する。
第２の実施形態に係る微細パターンの形成方法によれば、第１（第１群）の微細パターン形成工程と第２（第２群）の微細パターン形成工程とで、微細パターンを時刻をずらして下層転写素材Ｗ７に形成しているが、この後、微細パターンを備えた下層転写素材Ｗ７が設けられている基材Ｗ１をエッチングすることによって、基材Ｗ１に微細パターンを形成している。すなわち、エッチングによる基材Ｗ１への微細パターンの形成を、複数回に分けるのではなく１回で行っているので、基材Ｗ１に形成される微細パターンの凹部の深さが均一になる等、一層正確な形態の微細パターンを基材に形成することができる。
基材Ｗ１として、ガラス基板を採用し、下層転写素材として、窒化シリコン、クロムやアルミなどの金属の薄膜、アクリル系樹脂等の樹脂を採用し、上層転写素材として、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を採用してもよい。
なお、第２の実施形態に係る微細パターン形成方法は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、表面が下層転写素材の薄い膜で覆われている基材における前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって上層転写素材の薄い膜が表面に設けられている前記基材の一部に、（たとえばモールドの幅よりも僅かに狭い間隔）前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された上層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記転写工程、前記微細パターン形成工程での微細パターンを形成する位置を適宜変えながら、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記下層転写素材につなげて形成し、前記下層転写素材への微細パターンの形成後に、エッチングをすることによって、前記下層転写素材の微細パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、前記基材への微細パターン形成後に前記下層転写素材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法の例である。
[第３の実施形態]
図２１は、本発明の第３の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。
第３の実施形態に係る微細パターン形成方法は、基材Ｗ１が、たとえばシリコンで構成された第１の素材Ｗ１１と、たとえば二酸化珪素で構成された第２の素材Ｗ８と、たとえばシリコンで構成された第３の素材Ｗ９とが積層されて構成されている点が、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とは異なり、その他の点は、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とほぼ同様である。
より詳しく説明すると、第３の実施形態に係る微細パターン形成方法では、まず、板状の第１の素材（たとえば、Ｓｉ；シリコン）Ｗ１１と、薄い膜状の第２の素材（たとえば、ＳｉＯ２；酸化珪素）Ｗ８と、薄い膜状の第３の素材（たとえば、Ｓｉ；第１の素材Ｗ１１と同じ材質でもよいし異なった材質であってもよい。）とが積層されて形成された基材（ＳＯＩ；シリコン オン インシュレータ）Ｗ１における第３の素材Ｗ９の表面を、転写素材（たとえば、紫外線硬化樹脂）Ｗ１０の薄い膜で覆う。
続いて、転写素材Ｗ１０の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１の一部に、モールドＭ１を押し付けて、転写素材Ｗ１０に微細な転写パターンを転写する（図２１（ａ）参照）。
転写素材Ｗ１０への微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンを第３の素材Ｗ９にのみ形成し、転写素材Ｗ１０を除去する（図２１（ｂ）参照）。
転写素材Ｗ１０が除去された後に、微細パターンが形成されている第３の素材Ｗ９の表面の部位とこの部位につながっている第３の素材Ｗ９の他の表面の部位とを（たとえば、第３の素材Ｗ９のほぼ全面を）、転写素材Ｗ１０の薄い膜で覆う。
転写素材Ｗ１０の薄い膜が表面に設けられている基材Ｗ１の一部であって図２１（ｂ）に示す微細パターンが形成されている部位と連続的につながっている他の部位に、モールドＭ１を押し付けて、転写素材Ｗ１０に微細な転写パターンを転写する（図２１（ｃ）参照）。
転写素材Ｗ１０への微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンであって、図２１（ｂ）に示す微細パターンに連続してつながっている微細パターンを第３の素材Ｗ９にのみ形成し、転写素材Ｗ１０を除去する（図２１（ｄ）参照）。
第３の実施形態に係る微細パターン形成方法によれば、各微細パターン形成工程で、エッチングによって第３の素材Ｗ９に微細パターンを形成する際、基材Ｗ１の第２の素材Ｗ８はエッチングされない。したがって、基材Ｗ１（第３の素材Ｗ９）に形成される微細パターンの凹部の深さが均一になり、一層正確な形態の微細パターンを基材Ｗ１に形成することができる。
なお、第３の実施形態に係る微細パターン形成方法は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、第１の素材と、薄い膜状の第２の素材と、薄い膜状の第３の素材とが積層されて形成された基材における前記第３の素材の表面を、転写素材の薄い膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の薄い膜が表面に設けられている前記基材の一部に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材の複数箇所にのみ所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と、前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程とを有し、前記転写工程、前記微細パターン形成工程で微細パターンを形成する位置を適宜変えながら、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材に連続的につなげて形成する微細パターン形成方法の例である。
[第４の実施形態]
図２２、図２３は、本発明の第４の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。
第４の実施形態に係る微細パターン形成方法は、基材Ｗ１に転写素材Ｗ２を設け、転写素材Ｗ２にモールドＭ１の微細な転写パターンを転写し、この転写により生じた微細なパターンの凹部の底部に被覆部材Ｗ２１を設け、この後、転写素材Ｗ２を除去する各工程を複数回繰り返し、基材Ｗ１に被覆部材Ｗ２１が残っている状態でエッティングをして基材Ｗ１に微細な転写パターンを形成する点が、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とは異なり、その他の点は、第１の実施形態に係る微細パターン形成方法とほぼ同様になされる。
より詳しく説明すると、第４の実施形態に係る微細パターン形成方法では、まず、基材Ｗ１の表面を転写素材Ｗ２の膜で覆う。この後、モールドＭ１を押し付けて、転写素材Ｗ２に微細な転写パターンを転写する（図２２（ａ）参照）。この状態では、転写素材Ｗ２の凹部の底部に薄い転写素材Ｗ２の膜が残る場合があるが、この残った膜を、たとえばＯ２アッシングで除去し、凹部の底部で基材Ｗ１の表面を露出させる。
続いて、微細な転写パターンが転写されることによって基材Ｗ１が露出した部位（微細な転写パターンの凹部の底部）に被覆部材Ｗ２１を設置する。被覆部材Ｗ２１は、転写素材Ｗ２とは異なる種類の部材（たとえば、金属部材）で構成されている。また、転写素材Ｗ２１は、たとえば、メッキや蒸着（真空蒸着等の物理蒸着でもよいし、化学蒸着であってもよい。）によって設けられる。そして、被覆部材Ｗ２１が、基材Ｗ１が露出した部位である微細な転写パターンの凹部の底部を覆うのである。
ところで、被覆部材Ｗ２１の設置においては、微細な転写パターンが転写されることによって基材Ｗ１が露出した部位（微細転写パターンの凹部の底面）のみを覆えばよい。しかし、実際には、微細な転写パターンの凹部を総て埋めるように被覆部材Ｗ２１が設けられることに加えて、微細な転写パターンの凹部でない表面Ｗ２ｂも被覆部材Ｗ２１で覆われてしまうことがある。そこで、微細な転写パターンの凹部にのみ被覆部材Ｗ２１を残すべく、表面Ｗ２ｂを覆っている被覆部材Ｗ２１をたとえば切削加工等の機械加工で削り取る。これにより、図２２（ｂ）で示すように、転写素材Ｗ２の表面Ｗ２ｂが露出し微細な転写パターンの凹部が金属部材Ｗ２１で埋まっている状態になる。
図２２（ｂ）に示すように基材Ｗ１が露出した部位を被覆部材Ｗ２１で覆った後、転写素材Ｗ２を除去する。この除去は、たとえば、基材Ｗ１や被覆部材Ｗ２１を溶かすことなく転写素材Ｗ２を溶かす溶剤を用いてなされる。
続いて、基材Ｗ１の表面の部位（転写素材Ｗ２を除去することによって基材Ｗ１の平らな表面に被覆部材Ｗ２１だけが残り被覆部材Ｗ２１が微細パターンを形成していることによって、被覆部材Ｗ２１が存在しておらず基材Ｗ１が露出している基材Ｗ１の表面の部位）を、転写素材Ｗ２の膜で覆う。この状態での転写素材Ｗ２の厚さは、１回目に設けた（図２２（ａ）参照）転写素材Ｗ２の厚さや、図２２（ｂ）における被覆部材Ｗ２１の厚さとほぼ等しくなっている。
続いて、転写素材Ｗ２の膜が表面に設けられている基材Ｗ１に、モールドＭ１を押し付けて、転写素材Ｗ２に微細な転写パターンを転写する（図２２（ｃ）参照）。この状態でも、前述したように、転写素材Ｗ２の凹部の底部に薄い転写素材Ｗ２の膜が残る場合があるが、この残った膜を、たとえばＯ２アッシングで除去し、凹部の底部で基材Ｗ１の表面を露出させる。
続いて、前述した場合と同様にして、微細な転写パターンが転写されることによって基材Ｗ１が露出した部位を被覆部材Ｗ２１で覆い（図２３（ｄ）参照）、転写素材Ｗ２を除去する。なお、転写素材Ｗ２を除去した状態では、基材Ｗ１の平坦な表面に、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した被覆部材（各被覆工程で設けられた被覆部材）Ｗ２１の微細な転写パターンが形成されている。
転写素材Ｗ２の除去後、被覆部材Ｗ２１をレジスト膜（保護膜）としてエッチングをすることによって、モールドＭ１の微細な転写パターンに対応した微細パターンを基材Ｗ１の表面に形成し（図２３（ｅ）参照）、微細パターンの形成後に、被覆部材Ｗ２１を除去する（図２３（ｆ）参照）。
このようにすることによって、モールドＭ１に形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンが、基材Ｗ１につなげて形成される。
なお、第４の実施形態に係る微細パターン形成方法は、モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、前記基材の表面を転写素材の膜で覆う被覆工程と、前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位に被覆部材を設ける設置工程と、前記設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記被覆工程で設けられた転写素材を除去する除去工程とを有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記設置工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返した後、前記被覆部材Ｗをレジスト膜としてエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、この形成後に前記設置工程で設けられた被覆部材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成する微細パターン形成方法の例である。
転写装置の概略構成を示す正面図である。 転写装置の概略構成を示す側面図であり、図１におけるＩＩ矢視図である。 本発明の第１の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 微細パターンが形成された基材を示す図である。 微細パターンが形成された基材を示す図である。 型保持体へのモールドの設置形態と、位置関係検出装置を構成するカメラとを示す図である。 つながった微細パターンを基材に形成する状態を示す図である。 位置関係検出装置における検出結果の例を示す図である。 位置関係検出装置における位置ずれ検出の変更例を示す図である。 アクチュエータを用いたモールドの変形状態を示す図である。 つながった微細パターンを基材に形成する状態を示す図である。 つながった微細パターンを基材に形成する状態を示す図である。 つながった微細パターンを基材に形成する状態を示す図である。 つながった微細パターンを被成型物に形成する状態を示す図である。 図１４に示す転写を行うための転写装置の要部を示す図である。 つながった微細パターンを被成型物に形成する場合の変形例を示す図である。 モールドの変形例を示す図である。 つながった微細パターンを被成型物に形成する場合の変形例を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 本発明の第４の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 本発明の第４の実施形態に係る微細パターン形成方法の概略工程を示す図である。 従来の転写の方法を示す図である。 従来の転写の方法を示す図である。
符号の説明
１、１ａ 転写装置
５ 基材保持体
７ ＸＹθステージ
９ 型保持体
１１ 位置関係検出装置
１３ 補正装置
２１ ピエゾ素子
Ｍ１、Ｍ４、Ｍ５ モールド
Ｍ３ 型
Ｗ１、Ｗ３、Ｗ４ 基材
Ｗ２、Ｗ１０ 転写素材、上層転写素材
Ｗ５ 被成型物
Ｗ６ 被成型層
Ｗ７ 下層転写素材
Ｗ８ 第２の素材
Ｗ９ 第３の素材
Ｗ１１ 第１の素材
Ｗ２１ 被覆部材

Claims (15)

  1. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    前記基材の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と；
    前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と；
    前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第１の微細パターン形成工程と；
    前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と；
    前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記基材の表面の部位を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と；
    前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と；
    前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第２の微細パターン形成工程と；
    前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  2. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    表面が下層転写素材の膜で覆われている基材における前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と；
    前記第１の被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された上層転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と；
    前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材に形成する第１の微細パターン形成工程と；
    前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記上層転写素材を除去する第１の除去工程と；
    前記第１の除去工程で上層転写素材が除去された後に、前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と；
    前記第２の被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された上層転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と；
    前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材に形成する第２の微細パターン形成工程と；
    前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記上層転写素材を除去する第２の除去工程と；
    前記第２の除去工程で上層転写素材が除去された後にエッチングをすることによって、前記下層転写素材の微細パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第３の微細パターン形成工程と；
    前記第３の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記下層転写素材を除去する第３の除去工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  3. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    第１の素材と、膜状の第２の素材と、膜状の第３の素材とが積層されて形成された基材における前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と；
    前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と；
    前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材に形成する第１の微細パターン形成工程と；
    前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と；
    前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と；
    前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と；
    前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材に形成する第２の微細パターン形成工程と；
    前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  4. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    前記基材の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と；
    前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と；
    前記第１の転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位に被覆部材を設置する第１の設置工程と；
    前記第１の設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と；
    前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記基材の表面の部位を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と；
    前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と；
    前記第２の転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位を被覆部材で覆う第２の設置工程と；
    前記第２の設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程と；
    前記第２の除去工程による転写素材の除去後、エッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する微細パターン形成工程と；
    前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の設置工程および前記第２の設置工程で設けられた前記被覆部材を除去する第３の除去工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  5. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の微細パターン形成方法において、
    前記第１の微細パターン形成工程によって微細パターンを形成した後であって、前記第２の転写工程で転写をする前に、前記第１の微細パターン形成工程で形成された微細パターンと、前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する位置関係検出工程と；
    前記位置関係検出工程で検出した検出結果に基づいて、前記第１の微細パターン形成工程によって形成された微細パターンに前記第２の微細パターン形成工程によって形成される微細転写パターンが正確につながるように、前記基材に対する前記モールドの相対的な位置を補正する補正工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  6. 請求項５に記載の微細パターン形成方法において、
    前記補正工程は、前記モールドの形状変化を、アクチュエータを用いて正確な形状に修正して前記補正を行う工程であることを特徴とする微細パターン形成方法。
  7. 請求項５に記載の微細パターン形成方法において、
    前記第１の転写工程と前記第１の微細パターン形成工程とによって、前記転写素材の第１の部位とこの第１の部位から所定の距離だけ離れた第２の部位とに、微細パターンが形成され、
    前記第２の転写工程と前記第２の微細パターン形成工程とによって、前記第１の部位と前記第２の部位とをつなぐ第３の部位に、微細パターンが形成され、
    前記位置関係検出工程は、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量と、前記第２の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量とを検出することによって、前記第１の微細パターン形成工程で形成された微細パターンと、前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの位置関係を検出する工程であることを特徴とする微細パターン形成方法。
  8. 請求項７に記載の微細パターン形成方法において、
    前記モールドの微細な転写パターンが形成されている部位は、矩形な平面状に形成されており、
    前記第１の部位と前記第３の部位と前記第２の部位とが一直線状に並ぶことによって、長方形状の範囲内に微細パターンが形成されるようになっており、
    前記位置関係検出工程は、前記長方形状の微細パターンの幅方向の一方の側で、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第１の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量と、前記第２の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第２の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量とを検出すると共に、前記長方形状の微細パターンの幅方向の他方の側で、前記第１の部位と前記モールドに形成されている微細な転写パターンとの境界での前記第１の部位に対する前記モールドの微細な転写パターンの相対的な位置ずれ量を検出する工程であり、
    前記補正工程は、前記幅方向の他方の側における位置ずれ量に基づいて、前記長方形状の微細パターンの幅方向における前記モールドの弾性変形量をアクチュエータを用いて変えることによって、前記幅方向における前記モールドの寸法を修正して前記補正を行う工程であることを特徴とする微細パターン形成方法。
  9. 型に形成されている微細パターンに対応した微細パターンを被成型物につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    前記被成型物の表面を転写素材の膜で覆う第１の被覆工程と；
    前記第１の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記被成型物に、前記型を押し付けて、前記第１の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第１の転写工程と；
    前記第１の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記型の微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記被成型物に形成する第１の微細パターン形成工程と；
    前記第１の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第１の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第１の除去工程と；
    前記第１の除去工程で転写素材が除去された後に、前記被成型物の表面を、転写素材の膜で覆う第２の被覆工程と；
    前記第２の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記被成型物に、前記型を押し付けて、前記第２の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第２の転写工程と；
    前記第２の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記型の微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記被成型物に形成する第２の微細パターン形成工程と；
    前記第２の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第２の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第２の除去工程と；
    を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
  10. 請求項９に記載の微細パターン形成方法において、
    前記各転写工程は、前記型の微細パターンが形成されている部位を、この部位の長手方向が円柱の周方向になるようにして、前記円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成し、
    もしくは、前記型の微細パターンが形成されている部位を、この部位の長手方向が楕円柱の周方向になるようにして、前記楕円柱の側面の一部を用いて形成される凸面状に形成し、
    前記凸面による前記被成型物への直線状の押圧部位を前記凸面の一端部から他端部に向かって移動しつつ前記転写を行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
  11. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の微細パターン形成方法において、
    前記第１の転写工程と前記第１の微細パターン形成工程とで、市松模様の紺の部位に相当する前記基材の部位に微細パターンを形成し、前記第２の転写工程と前記第２の微細パターン形成工程とで、市松模様の白の部位に相当する前記基材の部位に微細パターンを形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
  12. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    前記基材の表面を転写素材の膜で覆うの被覆工程と；
    前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と；
    前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と；
    前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程と；
    を有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
  13. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    表面が下層転写素材の膜で覆われている基材における前記下層転写素材の表面を、上層転写素材の膜で覆う被覆工程と；
    前記被覆工程によって上層転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された上層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と；
    前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記下層転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と；
    前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程と；
    を有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記下層転写素材につなげて形成し、前記下層転写素材への微細パターンの形成後に、エッチングをすることによって、前記下層転写素材の微細パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、前記基材への微細パターン形成後に前記下層転写素材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
  14. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    第１の素材と、膜状の第２の素材と、膜状の第３の素材とが積層されて形成された基材における前記第３の素材の表面を、転写素材の膜で覆う被覆工程と；
    前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と；
    前記転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記第３の素材の複数箇所に所定の間隔をあけて形成する微細パターン形成工程と；
    前記微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する除去工程と；
    を有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記微細パターン形成工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返すことによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
  15. モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
    前記基材の表面を転写素材の膜で覆う被覆工程と；
    前記被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを複数回押し付けて、前記被覆工程で形成された転写素材の複数箇所に所定の間隔をあけて前記微細な転写パターンを転写する転写工程と；
    前記転写工程で前記微細な転写パターンが転写されることによって前記基材が露出した部位に被覆部材を設ける設置工程と；
    前記設置工程で前記基材が露出した部位を被覆部材で覆った後、前記被覆工程で設けられた転写素材を除去する除去工程と；
    を有し、前記各工程を、前記被覆工程、前記転写工程、前記設置工程、前記除去工程の順に複数サイクル繰り返した後、エッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成し、この形成後に前記設置工程で設けられた被覆部材を除去することによって、前記モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、前記基材につなげて形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
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