KR102022745B1 - 임프린트 방법, 임프린트 장치, 몰드 및, 물품 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
기판에 도포된 미경화 수지를 몰드 상에 형성된 패턴부에 의해 성형하고 미경화 수지를 경화하여 기판 상에 경화된 수지 패턴을 형성하는 임프린트 방법이 제공된다. 임프린트 방법은 수지 경화 이후 패턴부가 수지로부터 박리되는 경계부가 직선이라고 상정하는 것에 기초하여 박리를 진행하기 위해 평행 상태를 유지하면서 두 개의 대향된 경계부가 서로 근접하도록 패턴부를 수지로부터 분리하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치, 몰드, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
기판에 도포된 임프린트재를 몰드를 사용하여 성형하는 임프린트 처리에 의해, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 미세가공 기술이 있다. 이 기술은 "임프린트 기술"이라고도 지칭되며, 이에 의해 기판 상에 수 나노미터의 치수를 갖는 미세 패턴(구조체)을 형성할 수 있다. 임프린트 기술의 일 예는 광-경화법을 포함한다. 먼저, 광-경화법을 채용한 임프린트 장치는 기판 상의 샷 영역 중 하나에 임프린트재로서 수지(광경화성 수지)를 공급한다. 이어서, 기판 상의 광경화성 수지는 몰드를 사용하여 성형된다. 경화를 위해 광경화성 수지가 광에 의해 조사된 후, 경화된 수지가 몰드로부터 이형되고, 이에 의해 수지 패턴이 기판 상에 형성된다. 임프린트 기술은 광-경화법 뿐만 아니라 예를 들어 열에 의해 수지를 경화하는 열-경화법을 포함한다.
그러나, 이러한 임프린트 기술에서, 몰드는 수지와 직접 접촉되고, 이는 몰드를 경화된 수지로부터 분리할 때(이형), 전사 불량 등의 패턴 결함으로 이어질 수 있다. 예를 들어, 반도체 디바이스 등의 제조 도중 결함의 발생은 디바이스 성능에 직접적으로 영향을 미치며, 허용 가능한 결함 밀도는 매우 엄격하다.
따라서, 일본 특허 공개 제2011-77529호 공보는 이형 시 기판 또는 몰드의 이면을 볼록 형상이 되도록 가압함으로써 계면에 응력을 부여하고, 이형력을 저감시킴으로써 결함의 발생을 억제하는 임프린트 장치를 개시한다. 일본 특허 공개 제2007-296683호 공보는 라인 방향을 소정의 범위 내에서 박리 방향과 정렬시킴으로써 결함의 발생을 억제하는 패턴 형성 방법을 개시한다. 일본 특허 공개 제2013-207180호 공보는 이형 개시 시 몰드 홀더와 기판 홀더 사이의 이격 속도를 제로로 설정함으로써 결함의 발생을 저감하는 임프린트 방법을 개시한다.
결함 억제 기술의 발전과 관련하여, 최근, 결함 밀도가 성형 영역의 중심부에서 특히 증가하는 경향이 밝혀져 왔다. 이에 대한 원인 중 하나는 결함 밀도가 높아지는 영역이 이형 단계의 후반까지 몰드가 수지와 접촉하는 영역이라는 점이고, 이 영역에서는 박리 진행 속도가 매우 높아서, 수지 패턴 또는 몰드에 인가되도록 요구되는 응력보다 더 큰 응력이 쉽게 발생하게 된다. 특히, 일본 특허 공개 제2011-77529호 공보 및 일본 특허 공개 제2013-207180호 공보에 개시된 기술에서, 이형 시 성형 영역의 주변부로부터 중심부를 향해 등방적으로(대략 원형으로) 박리가 진행하고, 박리 경계부의 길이 감소에 따라 박리 진행 속도가 증가하여, 중심부에 빈번한 결함 발생이 일어나게 된다. 한편, 일본 특허 공개 제2007-296683호 공보에 개시된 기술의 적용 범위는 방향성 패턴으로 한정되고, 이 기술이 성형 영역의 중심부 내의 결함 발생을 억제할 수 있는지 여부는 불분명하다. 또한, 일본 특허 공개 제2013-207180호 공보에 개시된 기술에서, 이형 개시 이후 이형 동작은 몰드 또는 기판의 탄성 변형에 기인한 스프링 힘에 의해 실행되고, 이형력이 큰 경우, 몰드의 구조, 등에 따라서 이형 동작이 완료할 때까지 박리가 진행하지 않을 경우가 있다.
본 발명은 예를 들어 패턴 결함의 발생을 억제하는 점에서 유리한 임프린트 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판에 도포된 임프린트재 상에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 임프린트 방법은, 임프린트의 경화 이후, 몰드가 임프린트재로부터 박리되는 경계부가 직선이라고 상정하는 것에 기초하여, 두 개의 대향된 경계부가 직선 상태를 유지하면서 서로에 근접하게 되도록 몰드를 임프린트재로부터 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부 도면을 참조하여 아래의 실시예의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 임프린트 처리 도중 구성요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 3a는 몰드가 수지와 접촉하게 되기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 3b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 3c는 몰드를 수지와 접촉시켜 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 3d는 이형 단계 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 4c는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 6a는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 평면도.
도 6b는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 단면도.
도 6c는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 단면도.
도 7a는 박리 경계부의 길이를 도시하는 그래프.
도 7b는 박리 진행 속도를 도시하는 그래프.
도 8은 비교예와 본 실시예에서 수지 박리 진행을 동일한 시계열적으로 도시하는 도면.
도 9는 기판 척을 도시하는 도면.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따르는 임프린트 장치에 사용되는 몰드 척을 도시하는 도면.
도 11a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 11b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 11c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 11d는 이형 단계의 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 11e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면.
도 12는 임프린트 처리 도중 각 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 13a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 13b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 13c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 13d는 이형 단계 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 13e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면.
도 14는 임프린트 처리 도중 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 15는 기판 척을 도시하는 도면.
도 16a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 16b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 16c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 16d는 이형 단계 개시시의 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 16e는 이형 단계가 완료되는 상태를 도시하는 도면.
도 17은 임프린트 처리 도중 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 2는 임프린트 처리 도중 구성요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 3a는 몰드가 수지와 접촉하게 되기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 3b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 3c는 몰드를 수지와 접촉시켜 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 3d는 이형 단계 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 4c는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 6a는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 평면도.
도 6b는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 단면도.
도 6c는 비교예의 이형 단계에서 박리가 진행하는 방법을 도시하는 단면도.
도 7a는 박리 경계부의 길이를 도시하는 그래프.
도 7b는 박리 진행 속도를 도시하는 그래프.
도 8은 비교예와 본 실시예에서 수지 박리 진행을 동일한 시계열적으로 도시하는 도면.
도 9는 기판 척을 도시하는 도면.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따르는 임프린트 장치에 사용되는 몰드 척을 도시하는 도면.
도 11a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 11b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 11c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 11d는 이형 단계의 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 11e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면.
도 12는 임프린트 처리 도중 각 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 13a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 13b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 13c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 13d는 이형 단계 개시시 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 13e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면.
도 14는 임프린트 처리 도중 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
도 15는 기판 척을 도시하는 도면.
도 16a는 몰드가 수지와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면.
도 16b는 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 16c는 몰드를 수지와 접촉시킴으로써 몰드가 수지에 의해 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면.
도 16d는 이형 단계 개시시의 몰드가 수지와 접촉하는 상태를 도시하는 도면.
도 16e는 이형 단계가 완료되는 상태를 도시하는 도면.
도 17은 임프린트 처리 도중 구성 요소 등의 상태를 시계열적으로 도시하는 도면.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예가 도면을 참조하여 설명될 것이다.
(제1 실시예)
먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치의 설명이 제공될 것이다. 도 1은 본 실시예에 따르는 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는 물품으로서 반도체 디바이스 등의 제조에 사용된다. 웨이퍼(기판)(105)에 도포된 미경화 수지(임프린트재)(104)와 몰드(103)를 접촉시켜 수지(104)를 성형함으로써 웨이퍼(105) 상에 수지(104)의 패턴이 형성된다. 임프린트 장치(100)는 일 예로서 광-경화법을 채용하는 점에 유의한다. 이하의 도면에서, Z축은 수직 방향(연직 방향)으로 정렬되고 Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 X 및 Y축이 정렬되는 곳에 대해 설명이 제공될 것이다. 임프린트 장치(100)는 조명계(107), 몰드 보유지지 기구(몰드 홀더)(117), 기판 스테이지(기판 홀더)(108), 도포기(118), 및 제어기(119)를 포함한다.
조명계(107)는 광원(미도시)으로부터 발산되는 자외선을 수지(104)를 경화시키는데 적합한 광으로 조정함으로써 광(예를 들어, 자외선)으로 몰드(103)를 조사하는 수지 경화 유닛이다. 광원은 자외선뿐만 아니라 또한 몰드(103)를 투과하고 수지(104)를 경화하는 파장을 갖는 광을 발산하는 한 임의의 광원일 수 있다. 예를 들어, 열경화법을 채용하는 경우, 수지 경화 유닛으로서 조명계(107) 대신 열경화성 수지를 경화시키는 가열 유닛이 기판 스테이지(108) 부근에 배치된다. 한편, 열가소성 수지가 열경화성 수지 대신 사용되는 경우, 수지 경화 유닛은 예를 들어 기판 스테이지 부근에 배치되는 냉각 유닛이다.
몰드(103)는 웨이퍼(105)에 대향하는 면에, 회로 패턴 등과 같은, 전사될 3차원 요철 패턴이 형성되는 패턴부(103a)를 포함한다. 몰드(103)는 패턴부(103a)가 설치되는 면 반대 측의 면의 중심 영역에 오목부(103b)를 포함한다. 몰드(103)의 재질로서, 광-경화법을 채용하는 경우 석영 유리, 사파이어 유리 등과 같은 임의의 광투과성의 재료가 사용될 수 있으나, 열-경화법이나 열-가소법을 채용하는 경우 금속, 실리콘, 세라믹 등과 같은 광범위한 재료가 선택될 수 있다.
몰드 보유지지 기구(117)는 몰드(103)를 보유지지하는 몰드 척(102), 몰드 척(102)을 지지 및 이동시키는 몰드 구동 기구(미도시), 및 몰드(103)를 변형 할 수 있는 몰드 형상 가변 기구(몰드 형상 가변 유닛)(114)를 갖는다. 몰드 척(102)은 자외선에 의해 조사될 몰드(103)의 표면의 외주연 영역을 진공 흡착력 또는 정전력을 사용하여 흡착 또는 끌어 당김으로써 몰드(103)를 보유지지할 수 있다. 또한, 몰드 척(102) 및 몰드 구동 기구 각각은 조명계(107)로부터 발산된 자외선이 몰드(103)를 통과하여 웨이퍼(105)를 향해 지향되도록 중심부(그 내측)에 개구 영역을 갖는다. 개구 영역은 몰드(103)에 형성되는 오목부(103b)와 연통한다. 몰드 구동 기구는 몰드(103)를 웨이퍼(105) 상의 수지(104)와 접촉시키거나 몰드(103)를 수지(104)로부터 분리하는 것을 선택적으로 행하도록 몰드(103)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 임프린트 처리 도중 실행되는 접촉 및 이형 동작은 몰드(103)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실행될 수 있다. 동일한 동작은 또한 기판 스테이지(108)를 구동시켜 웨이퍼(105)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 또는 몰드(103) 및 웨이퍼(105) 모두를 상대적으로, 동시적으로, 또는 순차적으로 이동시킴으로써 실행될 수 있다. 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드 척(102)에 의해 보유지지되는 몰드(103)에 힘(변형 힘)을 인가함으로서 몰드(103)의 형상을 변화시킨다.
여기서, 본 실시예의 몰드 형상 가변 기구(114)는 기체 또는 액체의 압력인 유체압을 인가하는 방법을 채용하고, 특히 본 실시예에서는 공기압을 인가하여 몰드(103)의 형상을 변화시키는 방법을 채용하는 유체압 인가 유닛이다. 유체압을 인가하는 방법은 예를 들어 광경화성 수지를 사용하는 경우 또는 다양한 광학 센서, 촬상계 등이 미세한 프로세스 관리를 위해 추가되도록 요구되는 경우에서 유리하며 이는 임프린트 장치(100) 내에 자외선의 투과 경로를 용이하게 생성하기 때문이다. 몰드 형상 가변 기구(114)는 추가로, 오목부(103b)와 상기의 개구 영역을 포함하는 공간을 밀봉하는 윈도우 플레이트(101), 몰드 형상 제어기(109), 및 몰드 형상 제어기(109)와 밀폐 공간을 연통시키는 파이프(120)를 갖는다. 윈도우 플레이트(101)의 재료는 몰드(103)에서와 마찬가지로 자외선을 투과시킬 필요성으로 인해, 예를 들어 석영 유리이다. 몰드 형상 제어기(109)는 제어기(119)로부터 제공되는 명령에 기초하여 부분적으로 오목부(103b)에 의해 형성되는 밀봉 공간 내의 압력을 조정하고, 예를 들어, 가압 또는 감압을 실행하는 펌프이다. 몰드 형상 가변 기구(114)는 본 실시예에서 공기압을 사용하지만, 몰드 형상 가변 기구(114)는 질소 또는 헬륨 등의 기체를 사용하는 압력 제어를 제공할 수 있고, 또한 물이나 오일 등의 액체를 사용하는 액체 압 제어를 제공할 수 있다.
웨이퍼(기판)(105)는 예를 들어 단결정 실리콘으로 이루어지는 피처리 기판이다. 반도체 디바이스 이외의 물품의 제조에서의 사용을 위해, 기판의 재질로서, 석영 등의 광학 유리가 광학 소자에 대해 채용될 수 있고, GaN, SiC 등이 발광 소자에 대해 채용될 수 있다.
기판 스테이지(108)는 웨이퍼(105)를 보유지지하고, 몰드(103)가 웨이퍼(105) 상의 수지(104)와 접촉하게 될 때 몰드(103)와 웨이퍼(105) 사이의 위치 정렬을 실행한다. 기판 스테이지(108)는 웨이퍼(105)를 보유지지하는 기판 척(106), 기판 척(106)을 지지하고, 웨이퍼를 X-Y-Z 축 방향으로 이동시키는 스테이지 구동 기구(미도시), 및 웨이퍼(105)를 변형 가능하게 하는 웨이퍼 형상 가변 기구(기판 형상 가변 유닛)(115)을 갖는다. 본 실시예에서, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)에서, 기판 척(106)은 일 예로서 진공 척이다. 기판 척(106)은 흡착 영역을 복수의 흡착 영역으로 분할하고 각각 개별적인 흡착 영역에 인가되는 흡착 압력을 가압/감압하여 웨이퍼(105)의 형상을 변화시키는 방법을 채용한다. 여기서, 이하에서 상세하게 설명되는 이형 단계 도중 웨이퍼(105)의 형상을 종래 기술과는 상이한 형상으로 변형하기 위해, 복수의 흡착 영역은 X축 방향에서 일정한 폭에 의해 구획되지만 Y축 방향에서 흡착 영역 전역에 걸쳐서 연통할 수 있다. 몰드 형상 제어기(109)에서와 마찬가지로, 각각의 흡착 영역 내의 압력 조정 유닛은 공기압을 조정하도록 가압 및 감압을 실행하는 펌프로서 기능하는 웨이퍼 형상 제어기(110) 및 배관(121)을 포함할 수 있다.
도포기(118)는 웨이퍼(105) 상에 미리 설정되는 패턴 형성 영역으로서 기능하는 샷 영역에 수지(104)를 원하는 도포 패턴으로 도포(공급)한다. 임프린트재로서 기능하는 수지(104)는 몰드(103)와 웨이퍼(105) 사이에 충전될 때 유동성을 갖지만 성형 이후 그 형상을 유지하기 위해 고체가 되어야 한다. 특히, 본 실시예에서, 수지(104)는 자외선에 노출될 때 경화하는 성질을 갖는 자외성 경화성 수지(광경화성 수지)이지만, 물품 제조 공정과 같은 다양한 조건에 따라서 광경화성 수지 대신 열경화성 수지, 열가소성 수지 등이 또한 채용될 수 있다.
제어기(119)는 예를 들어 컴퓨터 등에 의해 구성되고, 프로그램 등에 의해 구성 요소의 동작 및 조정을 제어하도록 회선을 통해 임프린트 장치(100)의 각 구성 요소에 접속된다. 특히, 본 실시예에서, 제어기(119)는 구동 제어 회로(111) 및 수지 경화 제어 회로(112)를 포함한다. 구동 제어 회로(111)는 몰드 형상 가변 기구(114)의 동작을 제어한다. 구동 제어 회로(111)는 특히 접촉 동작 또는 이형 동작 도중 몰드 보유지지 기구(117), 기판 스테이지(108), 몰드 형상 제어기(109), 및 웨이퍼 형상 제어기(110)의 동작을 제어한다. 수지 경화 제어 회로(112)는 조명계(107)로부터의 조사를 제어한다. 제어기(119)는 임프린트 장치(100)의 잔여부와 통합될 수 있고(공유된 하우징 내에 구비됨), 임프린트 장치(100)의 잔여부와 별도로 구비될 수 있다(분리된 하우징 내에 구비됨).
이어서, 임프린트 장치(100)에 의해 실행되는 임프린트 처리(임프린트 방법)에 대한 설명이 제공될 것이다. 먼저, 제어기(119)는 웨이퍼(105)를 기판 척(106)에 배치 및 고정한다. 이어서, 제어기(119)는 기판 스테이지(108)를 구동시켜서 웨이퍼(105)의 위치를 적절히 변경시키고 정렬 계측계(미도시)가 웨이퍼(105) 상의 정렬 마크를 계측하게 하여, 웨이퍼(105)의 위치를 고정밀도로 검출한다. 그리고, 제어기(119)는 검출 결과에 기초하여 기판 상에 형성된 샷 영역의 어레이를 결정한다. 여기서, 하나의 샷 영역에 패턴을 형성하는 흐름으로서, 제어기(119)는 먼저 기판 스테이지(108)가, 도포기(118)의 수지 토출구 아래에 웨이퍼(105) 상의 도포 위치의 위치 설정을 실행하도록 한다. 이 후, 도포기(118)는 샷 영역에 수지(104)를 도포한다(도포 단계). 이어서, 제어기(119)는 위치설정을 달성하기 위해 패턴부(103a) 바로 아래의 접촉 위치에 샷 영역이 배치되도록 기판 스테이지(108)가 웨이퍼(105)를 이동시키도록 한다. 이어서, 제어기(119)는 패턴부(103a)와 기판 상의 샷 영역 사이의 위치 정렬, 패턴부(103a)의 형상 보정 등을 실행한 후, 패턴부(103a)를 샷 영역에 도포된 수지(104)와 접촉시켜 수지(104)를 패턴부(103a)에 충전하도록 몰드 보유지지 기구(117)를 구동한다(충전 단계). 이 상태에서, 제어기(119)는 조명계(107)가, 미리 정해진 시간 동안 몰드(103)의 이면(상부면)으로부터 자외선이 발산되게 하고, 몰드(103)를 투과한 자외선에 의해 수지(104)를 경화한다. 그리고, 수지(104)가 경화된 이후, 제어기(119)는 몰드(103)와 웨이퍼(105) 사이의 간격을 확대함으로써 패턴부(103a)를 경화된 수지(104)로부터 분리하도록 몰드 보유지지 기구(117)를 구동한다(이형 단계). 상술한 단계에 의해, 패턴부(103a)에 따르는 3차원 형상의 수지 패턴이 샷 영역 상에 형성된다. 이러한 일련의 임프린트 동작은 기판 스테이지(108)의 구동 하에 샷 영역을 변경하면서 2회 이상 실행되어, 임프린트 장치(100)는 하나의 웨이퍼(105) 상에 복수의 수지 패턴을 형성할 수 있다.
도 2는 상기 임프린트 처리의 일련 단계에서, 몰드(103), 웨이퍼(105), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)의 상태(형상)를 시계열적으로 도시하는 개략적인 단면도이다. 도 2에서, 몰드(103)의 무게 중심의 위치를 통과하는, X축 방향을 따르는 단면도(X 단면도) 및 Y축 방향을 따르는 단면도(Y 단면도)가 시계열적으로 병렬로 배열된다. 추가로, 도 2에서, 화살표는 압력이 인가되는 배향을 나타낸다. 도 3a 내지 도 3d는 몰드(103)와, 웨이퍼(105) 상의 수지(104) 사이의 접촉으로 인해 시간 간격에서의 수지(104) 상태의 변화를 도시하는 개략적 평면도이다. 먼저, 임프린트 처리 개시시, 몰드(103) 및 그 표면에 도포된 수지(104)를 갖는 웨이퍼(105)가 서로 대향하여 배열된다.
이어서, 도 2의 (i)에 도시된 바와 같이, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)의 형상을, 몰드(103)의 패턴부(103a)의 중심부가 수지(104) 측에 근접하도록 대략 구형의 볼록 형상으로 변형시킨다. 이때, 몰드(103) 및 수지(104)는 접촉 이전 상태이기 때문에, 도 3a에 도시된 바와 같이 수지(104)의 상태에 변화는 없다.
이어서, 도 2의 (ii)에 도시된 바와 같이, 충전 단계로서 몰드(103) 및 웨이퍼(105)는 서로에 대해 점차 근접하고, 이후 몰드(103)(패턴부(103a))는 수지(104)와의 접촉을 개시한다. 이 때, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)의 형상을 볼록한 형상으로 유지한다. 이 방식에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 접촉 영역(201)은 원형이 되고, 수지(104)의 충전은 내부의 공기를 압출하면서 중심부로부터 패턴부(103a)의 외주연 영역을 향해 진행되고, 이는 기포의 얽힘(entanglement)을 억제하는 관점에서 바람직하다. 도 3b 내지 도 3d에서, 몰드(103)가 수지(104)와 접촉하는 영역(접촉 영역(201))은 음영 영역으로 표시된다.
이어서, 도 2의 (iii)에 도시된 바와 같이, 전체 패턴부(103a)에 걸쳐 수지(104)가 완전히 충전된 후(도 3c 참조), 조명계(107)는 경화 단계에서 예를 들어 100 mJ/cm2의 자외선을 조사하여 수지(104)를 경화시킨다. 여기서, 몰드 형상 가변 기구(114)는 수지(104) 충전이 진행될 때(충전 동작의 진행) 몰드(103)의 변형이 점차 해제되도록 제어되어, 수지(104)의 충전 완료시 몰드(103)의 형상은 그 원래 형상으로 복귀된다. 또한, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)의 변형으로 인한 수지 패턴의 변형을 억제하는 관점에서 몰드(103)의 변형을 해제하는 것이 바람직하지만, 변형의 정도가 허용 가능한 경우 변형 힘이 몰드(103)에 인가되는 상태가 유지될 수 있다.
이어서, 도 2의 (iv)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(105)가 평면 내에서 일 방향(이후 "변형 기준 방향"으로 지칭됨)에 평행하게 몰드(103)측에 근접하도록 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 웨이퍼(105)의 형상을 원통 형상을 따라서 볼록한 형상으로 변형시킨다(기판 변형 단계). 본 실시예에서 용어 "원통 형상"은 엄격한 원통 형상뿐만 아니라 소위 "대략 원통 형상"을 지칭한다. 한편, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)의 형상을, 몰드(103)의 중심부가 수지(104)로부터 등방적으로 멀어지도록 오목한 형상으로 변형시킨다. 이 경우, 몰드(103)의 형상은 웨이퍼(105)의 형상에 부합하도록 원통 형상이 된다(몰드 변형 단계). 여기서, Y축 방향은 변형 기준 방향(원통 형상의 축이 연장하는 방향)으로서 규정되기 때문에, 웨이퍼(105)의 중심부는 X 단면도의 기판 척(106)으로부터 부상하고, 전체 웨이퍼(105)는 Y 단면도의 기판 척(106)으로부터 부상한다.
이어서, 도 2의 (v)에 도시된 바와 같이, 이형 단계에서 몰드(103), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)는 서로로부터 점차 분리된다. 이 때, 몰드(103)와 웨이퍼(105) 모두는 원통 형상으로 변형된다. 따라서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 몰드(103)를 경화된 수지(104)로부터 박리시의 경계부(계면)는 변형 기준 방향을 따르는 두 개의 직선이다. 직선 상태를 유지하면서 두 개의 대향된 박리 경계부가 서로에 대해 근접하도록(변형 기준 방향과 직교하는 방향으로) 박리가 진행한다. 이 상태는 이형의 개시로부터 이형의 종료까지 유지되는 점에 유의한다.
도 2의 (vi)에 도시된 바와 같이, 이형 단계 완료 이후, 몰드 형상 가변 기구(114) 및 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 변형 힘의 인가를 정지하고, 이후 몰드(103) 및 웨이퍼(105)의 형상은 각각 원래 형상으로 복귀되어 임프린트 처리가 완료된다.
이어서, 특히 상술된 바와 같은 이형 단계 실행의 효과를 명확히 하기 위해 수치를 사용하여 비교예에 의해 상세한 설명이 제공될 것이다. 비교예의 이형 단계에 대해, 본 실시예에 따르는 임프린트 장치(100)와 동일한 구성을 갖는 요소에 대해 동일한 참조 번호가 부여되어 설명이 제공될 것이다. 먼저, 본 실시예와 비교예 사이의 공통 조건으로서, 몰드(103)는 두께 5mm(Z축 방향 치수)를 갖는 합성 석영으로 구성되고, 패턴부(103a)가 설치되는 면 반대측의 면에 외형 치수(평면 치수)가 직경(φ) 65mm 및 깊이 4mm인 오목부를 포함한다. 패턴부(103a)는 외형 치수가 X축 방향에서 길이 33mm, Y축 방향에서 길이 26mm, 높이0.1mm(Z축 방향의 치수)를 갖는 볼록부이고, 면 중심부에 설치된다. 패턴부(103a)는 그 전체면에 형성된 요철 패턴으로 구성된 미세 구조를 갖고, 평균으로 폭 50nm 및 깊이 100nm(Z 축 방향의 치수)를 갖는다. 웨이퍼 형상 가변 기구(115)로서 기능하는 기판 척(106) 상에 형성된 복수의 흡착 영역은 도 9의 음영부에 도시된 바와 같이 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 중심으로 X축 방향으로 폭 70mm 만큼 구획되지만 Y축 방향으로 전체 흡착 영역에 걸쳐 연통한다.
도 6a 내지 도 6c는 비교예의 이형 단계에서 수지(104)의 박리가 진행하는 방법을 도시하는 개략도이다. 이들 중 도 6a는 평면도이다. 또한, 도 6b는 X 단면도이며, 이때의 상태는 도 2에 도시된 본 실시예에서 임프린트 처리 도중의 상태 중에서, 특히 (v)의 X 단면도에 대응한다. 한편, 도 6c는 Y 단면도이며, 이때의 상태는 도 2에 도시된 본 실시예에서 임프린트 처리 도중 상태 중에서, 특히 (v)의 Y 단면도에 대응한다. 경화 단계 이후 이형 단계 이전에 실행되는 변형 단계으로서, 몰드 형상 가변 기구(114) 및 웨이퍼 형상 가변 기구(115) 모두는 +10kPa의 공기압을 인가하여 몰드(103) 및 웨이퍼(105)를, 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 중심으로 변형시킨다. 비교예의 경우, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)의 형상을, 몰드(103)의 중심부가 웨이퍼(105) 측에 등방적으로 가깝게 되도록 볼록한 형상으로 변형시킨다. 이 상태에서, 몰드(103), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)는 이형 단계에서 서로로부터 100μm/s의 속도로 분리된다. 이러한 방식으로, 몰드(103)는 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이 등방적으로 변형되어 웨이퍼(105)의 원통 형상을 따르지 않는다. 따라서, 접촉 영역(201)은 이형 단계 도중 도 6a에 도시된 바와 같이 원 형상(대략 원 형상)이 되어, 박리는 외주연부로부터 패턴부(103a)의 중심을 향해 등방적으로 진행한다.
이에 비해, 본 실시예에서는 변형 단계에서, 예를 들어 몰드 형상 가변 기구(114)은 -10kPa의 공기압을 인가하여 몰드(103)를 변형시킨다. 한편, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 +10kPa의 공기압을 인가하여 웨이퍼(105)를 변형시킨다. 여기서, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 웨이퍼(105)를 상술된 바와 같이 원통 형상으로 변형시킨다. 이 때, 도 2의 (iv)의 X단면도에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 X축 방향에서 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 포함한 흡착 영역은 가압하지만, 다른 흡착 영역은 흡착(감압)한다. 한편, 도 2의 (iv)의 Y 단면도에 도시된 바와 같이, Y축 방향에서 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 포함하는 Y축 방향의 전체 영역은 가압된 상태이다. 이에 비해, 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 포함하지 않는 X축 방방향의 양단부에서 Y축 방향의 전체 영역(미도시)은 흡착된 상태이다. 이 상태로부터, 이형 단계에서, 몰드(103), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)는 비교예와 마찬가지로 서로로부터 100μm/s의 속도로 분리된다. 이러한 방식으로, 웨이퍼(105)로부터 몰드(103)의 박리는 도 2의 (v) 및 도 3d를 참조하여 상술된 바와 같이 진행한다.
도 7a 및 도 7b는 비교예와 본 실시예 각각에서 수지(104) 박리의 진행에 대해, 상술된 조건 하에서 박리 상황을 고속 카메라로 촬영하여 화상 해석을 실행함으로써 획득된, 이형 시간에 대한 박리 경계부의 길이와 박리 진행 속도를 각각 도시하는 도면이다. 이 중, 도 7a는 박리 경계부의 길이를 도시하고, 도 7b는 박리 진행 속도를 도시한다. 도 7a 및 도 7b에서, 실선은 본 실시예의 값을 나타내고, 파선은 비교예의 값을 나타낸다.
먼저, 이형 단계가 본 실시예에 따르는 임프린트 방법에 의해 실행되는 경우, 두 개의 직선형 경계부가 형성되고, 따라서, 도 7a에 도시된 경계부의 길이는 패턴부(103a)의 짧은 변 길이(26mm)보다 두 배 긴 약 52mm의 실질적으로 일정한 수준에서 유지된다. 한편, 도 7b에 도시된 박리 진행 속도는 이형 단계의 초기 및 후기에서 약간의 상승을 나타내지만, 30mm/s 이하의 실질적으로 일정한 수준에서 유지된다. 이러한 임프린트 방법을 사용하는 웨이퍼(105) 상에 형성된 수지 패턴 중에서, 패턴부(103a)의 중심부 상에 형성된 부분에서의 결함 밀도는 다른 부분과 비교할 대 특정한 변화는 없다.
이어서, 비교예의 임프린트 방법에 의해 이형 단계가 실행될 때, 도 7a에 도시된 경계부의 길이는 접촉 영역(201)의 반경 감소에 따라 급속하게 감소된다. 한편, 도 7b에 도시된 박리 진행 속도는 이형 단계의 초기에서는 약간의 감소를 나타내지만, 중기부터 증가, 후기에서 급격한 상승을 나타내고, 최종적으로는 약 120mm/s이상의 높은 값을 나타낸다. 비교예의 임프린트 방법을 사용하여 웨이퍼(105) 상에 형성된 수지 패턴 중, 패턴부(103a)의 중심부에 형성된 부분에서의 결함 밀도는 주연부의 결함 밀도보다 3배 크다. 또한, 다른 부분에서, 패턴부(103a)의 중심부 상에 형성된 부분에서의 결함 밀도는 본 실시예의 경우와 비교할 때 1.2배 크다. 비교예에서와 동일한 결과는 이형 단계 도중 웨이퍼 형상 가변 기구(115) 만이 대기압에 배치되는 경우 그리고 몰드 형상 가변 기구(114)만이 대기압에 배치되는 경우에 획득된다.
도 8은 비교예 및 본 실시예에서 수지(104)의 박리 진행(접촉 영역(201)의 변화)을 동일한 시계열적으로 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 8의 (i)는 비교예의 경우에 대응하고, 도 8의 (ii)는 본 실시예의 경우에 대응한다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 이형 시간과의 관계를 참조하면, 먼저, 비교예의 이형 단계의 후기에서 접촉 영역(201)의 급격한 감소가 존재한다. 이에 비해, 본 실시예의 경우, 도 7a 및 도 7b의 그래프에 도시된 바와 같이, 이형 단계 도중 박리 경계부의 길이를 대략 유지하면서 박리 진행 속도의 적은 변화가 존재한다.
상술된 바와 같이, 본 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치(100)는 다음과 같은 이점을 갖는다. 먼저, 이형 단계 도중 박리력을 지지하는 박리 경계부의 길이의 감소가 억제되어, 박리 진행 속도의 증가가 억제될 수 있다. 특히, 상기 예에서, 평면 형상이 직사각형인 성형 영역에 대한 경계부가 두 개의 대향 변을 서로에 대해 평행하게 유지하면서 형성되어, 경계부의 길이는 일정한 길이에서 유지된다. 이러한 방식으로, 성형 영역에서 결함 밀도가 증가하는 영역(박리 진행 속도가 높은 영역)이 감소하고, 이에 의해 패턴 결함의 발생을 최대한 억제할 수 있다. 성형 영역이 원형, 다각형 등의 기타 형상이거나 다른 경계 각도를 갖더라도, 경계부 길이에 변화가 발생하지만, 비교예에서 설명된 바와 같이 경계부의 길이는 극단적으로 감소하지 않고, 이에 의해 상기 설명에서와 동일한 효과가 제공된다. 이는 복잡하고 고속 속도 제어의 제거로 이어져, 장치의 간략한 제어로 인한 비용 감소에 기여한다. 도 2의 (iv)에 도시된 바와 같이, 경계부 부근에서 서로에 대해 가까운 크기의 곡률 반경을 갖는 몰드(103) 및 웨이퍼(105)가 동일 방향으로 구부러진 상태에서 박리가 진행하여, 비교예와 비교할 때 굴곡의 불일치로 인한 패턴 형상의 간섭이 발생하기 어려워진다. 따라서, 상기 원인으로 인해 성형면의 수지 패턴에 인가되는 응력이 억제된다. 본 실시예에서, 박리는 2개의 경계부를 따라서 대칭으로 진행하고, 성형면 방향에서 양쪽 경계부에 인가되는 힘이 상쇄되어, 성형면 방향으로 수지 패턴에 인가되는 응력은, 비교예에서 일측으로부터 박리가 진행하는 경우에 비해 억제된다. 이는 장치 강성의 간략화로 인해 비용 저감에의 기여로 이어질 수 있다. 추가로, 본 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치(100)는 종래 구조의 임프린트 장치로부터 용이하게 변경되고, 따라서 광범위한 응용예를 갖는다.
상술된 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 패턴 결함 발생을 억제하는데 유리한 임프린트 방법이 제공될 수 있다.
(제2 실시예)
이어서, 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치의 설명이 제공될 것이다. 제1 실시예에서, 몰드(103) 또는 웨이퍼(105)가 공기압(유체압)을 사용하여 몰드 형상 가변 기구(114) 및 웨이퍼 형상 가변 기구(115)에 의해 변형되는 경우에 대해 설명되었다. 이에 비해, 본 실시예의 특징은 구동 기구가 이동되는 물체와 접촉하도록 하여 기계적 외력을 인가하는 방법을 몰드 형상 가변 기구 및 웨이퍼 형상 가변 기구가 채용하는 점이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 실시예에 따르는 임프린트 장치의 몰드 형상 가변 기구(214) 및 웨이퍼 형상 가변 기구(215)의 구성을 도시하는 개략도이다. 이중, 도 4a는 X 단면도이고, 도 4b는 사시도이고, 도 4c는 또 다른 예를 도시하는 X 단면도이다. 본 실시예에서, 제1 실시예의 구성요소에 대응하거나 이에 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호에 의해 지시되고, 따라서 그 설명은 생략될 것이다.
몰드 형상 가변 기구(214)는 예를 들어 석영 유리로 제조된 직경 5mm의 원기둥이며, 원기둥의 중심축이 Z축과 평행한 상태로, 몰드(103)의 패턴부(103a)의 중심부의 반대측(이면측)에 접착에 의해 고정된다. 이 경우, 몰드 형상 제어기(209)는 원기둥을 Z축 방향을 따라서 이동(선형 이동)시킬 수 있는 구동 유닛이다. 구동 기구로서, 선형 모터, 공기압 액추에이터 등이 채용될 수 있다.
웨이퍼 형상 가변 기구(215)는 기판 척(106) 상에 보유지지되는 웨이퍼(105)를, 웨이퍼(105)의 이면으로부터의 접촉에 의해 밀어올릴 수 있는 밀어올림(upthrust) 부재이다. Y축 방향이 변형 기준 방향으로 규정되는 경우, 밀어올림 부재는 X축 방향에서 폭 5mm 및 Y축 방향에서 웨이퍼(105)보다 큰 길이를 갖는 대략 직육면체 형상의 부재이다. 접촉(밀어올림)시 웨이퍼(105)가 손상되는 것을 방지하기 위해, 밀어올림 부재의, 웨이퍼(105)의 이면과 접촉하게 되는 부분의 단면은 원호 형상으로 둥글게 된다. 이 경우, 웨이퍼 형상 제어기(210)는 Z축 방향을 따라 밀어올림 부재를 이동시킬 수 있는 구동 유닛이다. 구동 기구로서, 선형 모터, 공기압 액추에이터 등이 채용될 수 있다. 웨이퍼 형상 가변 기구(215)가 이러한 밀어올림 작동을 실행하는 것을 가능하게 하기 위해, 기판 척(106)은 패턴부(103a)와 대면하는 부분을 중심으로 X축 방향에서는 폭 70mm을 구비하고 Y축 방향을 가로질러 연장하는 개구(106a)를 갖는다. 웨이퍼 형상 가변 기구(215)는 비접촉 방식으로 개구(106a)를 관통하여 이동할 수 있다.
상술한 구성에 의하면, 본 실시예의 이형 단계에서, 몰드 형상 가변 기구(214)는 웨이퍼(105) 상의 수지(104)로부터 멀어지는 방향으로 몰드(103)를 20μm만큼 이동시킴으로써 몰드(103)를 변형시킨다. 한편, 웨이퍼 형상 가변 기구(215)는 몰드(103)를 향해서 웨이퍼(105)를 20μm이동시킴으로써 웨이퍼(105)를 변형시킨다. 이러한 방식으로, 본 실시예에서, 수지(104)의 박리가 제1 실시예에서와 같이 진행하고, 따라서 제1 실시예와 동일한 효과가 획득될 수 있다. 특히, 본 실시예에 따르면, 이형 단계에서 몰드(103) 및 웨이퍼(105)의 변형량은 기계적 구속으로 인해 고유하게 정해지고, 이는 이형 거동의 변화량이 수지(104)의 재료, 전사 패턴의 상태 등으로 인해 큰 경우 특히 유효하다. 추가로, 형상 가변 기구(214 및 215)는 모두 고체 부재이고, 이는 임프린트 처리가 진공에서 실행될 때 특히 유효하다.
본 발명에서, 이형 단계에서의 접촉에 의해 기계적 외력을 인가하는 방법은 상기의 방법으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 형상 가변 기구(215)는 도 4c의 X단면도에 도시된 바와 같이 기판 척(106) 자체가 대략 원통 형상이 되게 굴곡되도록 구성될 수 있다. 즉, 이 경우, 기판 척(106)은 또한 웨이퍼 형상 가변 기구(215)로서 기능한다.
(제3 실시예)
이어서, 본 발명의 제3 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치에 대한 설명이 제공될 것이다. 제1 실시예에서, 몰드 형상 가변 기구(114)가 공기압(유체압)을 사용하여 몰드(103)를 변형시키는 것에 대한 설명이 제공되었다. 이에 비해, 본 실시예의 특징은 몰드 형상 가변 기구 또는 웨이퍼 형상 가변 기구가, 전기장 또는 자기장을 발생시킴으로써 원격 힘을 인가하는 방법을 채용하는 점이다. 이후, 일 예로서, 몰드 형상 가변 기구가 전기장을 발생시켜서 원격 힘을 인가하는 방법을 채용하는 원격 힘 인가 유닛인 경우에 대한 설명이 제공될 것이다.
도 5는 본 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성 중, 몰드 형상 가변 기구(314) 및 웨이퍼 형상 가변 기구(115)의 구성을 도시하는 개략도(X 단면도)이다. 본 실시예에서, 제1 실시예의 구성요소에 대응하거나 이에 유사한 구성요소가 동일한 참조 번호에 의해 표시되고, 따라서 그 설명이 생략될 것이다. 몰드 형상 가변 기구(314)는 예를 들어 직경 50mm의 원형의 금속판이며, 몰드(103)의 광-발산측 상에서 패턴부(103a)와 대면하도록 배치된다. 한편, 금속판과 대면하는 몰드(103)의 이면에는 투명 전극인 ITO 층이 성막된다. 이 경우, 몰드 형상 제어기(309)는 몰드 형상 가변 기구(314)로서 기능하는 금속 판 및 몰드(103)의 이면 상의 ITO층에 전기 배선을 통해 접속되는 전압원(전압 인가 유닛)이다. 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 제1 실시예와 동일한 점에 유의한다.
상술된 구성에 의하면, 본 실시예의 이형 단계에서, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 제1 실시예와 마찬가지로, +10kPa의 공기압을 인가함으로써, 웨이퍼(105)를 변형시킨다. 그 후, 몰드 형상 제어기(309)는 몰드 형상 가변 기구(314) 및 ITO층에 반대 극성의 전압을 인가하여 제1 실시예에서와 같은 웨이퍼(105)의 형상에 부합하도록 몰드(103)를 20μm의 최대 변위로 변형시킨다. 이 방식으로, 본 실시예에서, 수지(104)의 박리가 제1 실시예에서와 같이 진행하고, 따라서, 제1 실시예와 동일한 효과가 획득될 수 있다. 특히, 본 실시예에 따르면, 몰드(103)의 변형이 전기 신호 및 물리적 장에 의해 실행되고, 이는 임프린트 처리의 사이클이 빠른 경우 고속 응답이 요구될 때 유효하다. 몰드 형상 가변 기구(314)는 변형되는 대상인 몰드(103)와는 비접촉이고, 이는 임프린트 처리의 방법에 따라서, 특히 임프린트가 진공에서 실행되는 경우 특히 유효하다.
상기 각 실시예에서, 이형 단계에서, 웨이퍼 형상 가변 기구는 웨이퍼(105)의 형상을 원통 형상을 따르는 볼록한 형상으로 변형시키고, 몰드 형상 가변 기구는 몰드(103)를 웨이퍼(105)의 형상에 부합하도록 변형시킨다. 그러나, 본 발명은 박리 경계부가 직선이라는 상정에 기초하여 두 개의 대향된 박리 경계부가 평행한 상태에서 직선 상태를 유지하면서 서로에 대해 가깝게 되도록 박리가 진행할 수 있는 경우, 이 방법 또는 구조적 구성에 한정되지 않는다. 즉, 상기와 반대로, 본 발명은 또한 이형 단계에서, 몰드 형상 가변 기구가 몰드(103)의 형상을 원통 형상에 따르는 볼록한 형상으로 변형시키고 웨이퍼 형상 가변 기구가 몰드(103)의 형상에 부합하도록 웨이퍼(105)를 변형시킬 수 있는 방법 또는 구조적 구성에 적용될 수 있다. 웨이퍼(105)는 또한 몰드 보유지지 기구(117)의 제어 하에 변형될 수 있다.
(제4 실시예)
이어서, 본 발명의 제4 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치에 대한 설명이 제공될 것이다. 제1 내지 제3 실시예에서, 몰드(103)의 형상 및 웨이퍼(105)의 형상은 공기압(제1 실시예), 기계적 외력(제2 실시예), 또는 원격 힘(제3 실시예)을 사용하여 변형된다. 이에 비해, 본 실시예의 특징은 몰드(103)의 형상의 변화가 몰드(103)의 외주연부의 X방향과 Y 방향 사이의 강성 차이에 의해 실행되는 점이다. 이하의 실시예에서, 상기 실시예의 구성요소에 대응하거나 이에 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호에 의해 표시되고, 따라서 그 설명은 생략될 것이다.
도 10은 본 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치로 사용하는 몰드 척(102)의 구성을 도시하는 도면이다. 몰드 척(102)은 개구 영역을 둘러싸는 위치에서 제1 몰드 보유지지 유닛(1021) 및 제2 몰드 보유지지 유닛(1022)이 몰드(103)와의 접촉면 상에 구비되는 점에서 상기 실시예와 상이하다. 제1 몰드 보유지지 유닛(1021)은 도 10에서 Y 방향을 따르는 세장형 형상을 갖고, 제2 몰드 보유지지 유닛(1022)은 도 10에서 X 방향을 따르는 세장형 형상을 갖는다. 제1 몰드 보유지지 유닛(1021) 및 제2 몰드 보유지지 유닛(1022)은 진공 척이며, 이들은 각각 독립적으로 몰드(103)에 대한 흡착 및 분리의 전환이 가능하다. 본 실시예에서 사용하는 몰드(103)는 두께 1mm를 갖는 합성 석영으로 이루어지고, 위에서 보았을 때 길이방향 및 횡방향에서 100mm의 정사각형을 갖는 점에 유의한다.
도 11은 몰드(103)와, 웨이퍼(105) 상의 수지(104) 사이의 접촉으로 인해 시간 간격에서의 수지(104) 상태의 변화를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 12는 상기 임프린트 처리의 일련의 단계에서 몰드(103), 웨이퍼(105), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)의 상태(형상)를 시계열적으로 도시하는 개략적인 단면도이다. 좌표 축 및 화살표의 방향이 의미하는 것은 제1 실시예와 마찬가지이다. 도 11a는 몰드(103)가 수지(104)와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면이다. 이 때, 도 12a에 도시된 바와 같이, 몰드(103)의 이면은 제1 몰드 보유지지 유닛(1021) 및 제2 몰드 보유지지 유닛(1022)에 의해 몰드 척(102)에 흡착된다. 패턴부(103a)의 중심부는 수지(104)측에 더 가깝게 되도록 몰드 형상 가변 기구(114)에 의해 대략 구형의 볼록한 형상으로 변형된다.
도 11b 및 도 12b는 패턴부(103a)가 수지(104)와 접촉하기 시작하는 상태를 도시하는 도면이다. 상기 실시예와 마찬가지로, 접촉 영역(201)은 대략 원 형상이 되고, 수지 충전은 패턴부(103a)의 중심 영역으로부터 외주연 영역을 향해 등방적으로 진행한다. 도 11c 및 도 12c는 전체 패턴부(103a)에 걸쳐 수지(104)가 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면이다. 제1 실시예와 마찬가지로, 수지(104)는 몰드 형상 가변 기구(114)의 제어 하에 경화된다. 이어서, 몰드(103)의 이면은 오직 제1 몰드 보유지지 유닛(1021)에 의해 몰드 척(102)에 흡착된다. 이에 의해, Y방향에서의 몰드(103)의 외주연부의 강성은 X 방향에서 보다 높게 된다.
도 11d 및 도 12d는 이형 단계가 진행하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 상기 실시예와 달리, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)와 몰드 형상 가변 기구(114) 모두 사용되지 않는다. 도 12d에 도시한 바와 같이, 패턴부(103a)가 도 11d에서 Y 방향으로 연장되는 대략 원통 형상으로 변형되면서 이형 단계가 진행한다. 이 때, 도 11d에 도시된 바와 같이 Y축에서 서로 평행하고 두 개의 직선으로 형성되는 박리 계면이 패턴부(103a)와 수지(104) 사이에 발생하고, 이후, 박리 계면이 서로 근접하도록 박리가 진행한다. 도 11e 및 도 12e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면이다. 몰드(103)의 변형을 위해 인가된 이형력이 상실되고, 몰드(103)의 형상은 원래 상태로 복귀된다. 상기 구성을 갖는 임프린트 장치는 또한 상기 실시예와 동일한 효과를 제공한다.
본 실시예에서, 평면 형상을 갖는 전형적인 물체가 몰드(103)로서 사용될 수 있다. 따라서, 본 실시예는 특히 몰드(103)에 대한 제조 비용을 저감하는 것이 바람직한 경우, 사파이어와 같이 기계 가공이 어려운 재료를 몰드로서 사용하는 경우 등에 특히 적합하다.
(제5 실시예)
이어서, 본 발명의 제5 실시예에 따르는 임프린트 장치의 임프린트 방법에 대한 설명이 제공될 것이다. 제4 실시예에서, 몰드 척(102)의 구성으로 인해 몰드(103)의 외주연부의 X 방향과 Y 방향 사이의 강성 차이가 존재한다. 이에 비해, 본 실시예의 특징은 몰드(103) 자체의 구성으로 인해 강성 차이가 존재하는 점이다.
도 13은 몰드(103)와, 웨이퍼(105) 상의 수지(104) 사이의 접촉으로 인해 시간 간격에서의 수지(104) 상태의 변화를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 14는 상기 임프린트 처리의 일련 단계에서, 몰드(103), 웨이퍼(105), 및 웨이퍼(105) 상의 수지(104)의 상태(형상)를 시계열적으로 도시하는 개략적인 단면도이다. 좌표 축 및 화살표의 방향이 의미하는 것은 제1 실시예와 마찬가지이다. 도 13a는 몰드(103)가 수지(104)와 접촉하기 전의 상태를 도시하는 도면이다. 이때, 도 14a에 도시된 바와 같이, 패턴부(103a)의 중심부는 수지(104)측에 가깝게 되도록 몰드 형상 가변 기구(114)에 의해 대략 구형의 볼록한 형상으로 변형된다. 웨이퍼(105)는 수지(104)에 가깝게 되도록 웨이퍼 형상 가변 기구(115)에 의해 도 14a의 X방향으로 연장하는 원통형의 볼록한 형상으로 변형된다.
몰드(103)의 네 변 중에서, 도13a의 Y방향에서 서로 평행한 두 개의 대향하는 변은 두께를 증가시킴으로써 증가된 강성을 갖는 두 개의 고강성부(501)이다. 고강성부(501) 각각은 두께 10mm 및 폭 20mm의 치수를 갖는다. 이 구조에 의해, 몰드(103)의 Y방향에서의 외주연부의 강성은 X 방향에서보다 높아진다. 몰드 척(102)은 고강성부(501)를 기계적으로 구속하는 기계식 척이다. 추가로, 고무 벨로즈(미도시)는 몰드(103)의 박육부 단부면으로부터 도 13a의 Y 방향을 향해 기체가 진입하는 것을 방지한다. 기판 척(106)은 진공 척이다. 도 15에 도시된 바와 같이, 기판 척(106)은 도 9의 X축 및 Y축이 역전된 구성을 갖는다.
도 13b 및 도 14b는 패턴부(103a)가 수지(104)와 접촉을 개시하는 상태를 도시하는 도면이다. 상기 실시예와 마찬가지로, 접촉 영역(201)은 대략 원 형상이 되고, 수지 충전은 패턴부(103a)의 중심 영역으로부터 외주연부 영역을 향해 등방적으로 진행한다. 도 13c 및 도 14c는 수지(104)가 패턴부(103a) 전체에 걸쳐 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면이다. 상기 실시예와 마찬가지로, 수지(104)는 충전 완료 이후 UV 광 조사에 의해 경화된다. 후속하여, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)에 인가되는 힘을 멈추고, 이후 웨이퍼(105)의 전체 이면이 웨이퍼 척(106)에 흡착된다.
도 13d 및 도 14d는 이형 단계가 진행하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 도 14d에 도시된 바와 같이, 이형 단계는 패턴부(103a)가 도 14d의 Y 방향으로 연장되는 대략 원통 형상으로 변형되면서 진행한다. 이때, 패턴부(103a)와 수지(104) 사이에는 도 13d에 도시된 바와 같이 Y축에서 서로 평행한 두 개의 직선의 박리 계면이 발생하고, 이후 박리 계면들이 서로에 대해 근접하도록 박리가 진행한다. 도 11e 및 도 12e는 이형 단계가 완료한 상태를 도시하는 도면이다. 몰드(103)의 변형을 위해 인가된 이형력은 상실되고, 몰드(103)의 형상은 원래 상태로 복귀된다. 상기 구성을 갖는 임프린트 장치는 또한 상기 실시예와 동일한 효과를 제공한다.
본 실시예에서, 몰드(103)의 고강성부(501)는 소위 "클램핑 마진(clamping margin)"으로서 사용될 수 있다. 따라서, 본 실시예는 특히 큰 이형력으로 인해 진공 척 또는 정전 척이 결합 해제되는 경우, 성형이 진공에서 실행되는 경우, 또는 견고한 기계적 구속이 실행되는 것이 바람직한 경우에 특히 적합하다.
(제6 실시예)
이어서, 본 발명의 제6 실시예에 따르는 임프린트 방법 및 임프린트 장치에 대한 설명이 제공될 것이다. 제5 실시예에서, 몰드(103)의 네 변 중, Y 방향에서 서로에 대해 평행한 두 개의 대향하는 변의 두께를 증가시킴으로써, Y 방향에서 몰드(103)의 외주연부의 강성은 X 방향에서의 강성보다 높게 설정된다. 이에 비해, 본 발명의 특징은 몰드(103)의 외주연부의 강성 차이는 X 방향과 Y 방향 사이에서 작지만 몰드(103)의 외주연부에서 소정의 강성이 X 방향으로 확보되는 점이다.
도 16은 몰드(103)와, 웨이퍼(105) 상의 수지(104) 사이의 접촉으로 인해 시간 간격에서 수지(104) 상태의 변화를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 17은 상기의 임프린트 처리의 일련 단계에서, 몰드(103), 웨이퍼(105), 웨이퍼(105) 상의 수지(104)의 상태(형상)를 시계열적으로 도시하는 개략적인 단면도이다. 좌표 축 및 화살표의 방향이 의미하는 것은 제1 실시예와 마찬가지이다. 도 16a는 몰드(103)가 수지(104)와 접촉하기 전 상태를 도시하는 도면이다. 이 때, 도 17a에 도시된 바와 같이, 몰드(103)는 몰드 형상 가변 기구(114)에 의해 그 주축이 도 16a의 Y 방향을 따라 연장하고 수지(104)를 향해 볼록한 대략 타원 형상으로 변형된다. 상기 실시예와 달리, 몰드(103)는 몰드의 강성 차이로 인해 원통 형상이 되지 않는다.
본 실시예의 몰드(103)의 4변 중에서, 도 16a의 Y 방향에서 서로 평행한 두 개의 대향하는 변에 설치되는 고강성부(501) 각각은 두께 10mm 및 폭 30mm의 치수를 갖고, 도 16a의 X 방향에서 서로 평행한 대향하는 두 개의 변에 설치되는 고강성부(501)는 두께 10mm 및 폭 10mm의 치수를 갖는다. X 방향 및 Y 방향에서의 고강성부(501) 사이의 폭의 차이로 인해 몰드(103)의 외주연부의 Y 방향의 강성은 X 방향에서의 강성보다 높다. 제5 실시예에서와 같은 강성 차이가 존재하지 않는 점에 유의한다. 몰드 척(102)은 흡착에 의해 고강성부(501)를 보유지지하는 진공척이다. 기판 척(106)은 도 9에 도시된 구성을 갖는 진공 척이다.
도 16b 및 도 17b는 패턴부(103a)가 수지(104)와 접촉을 개시하는 상태를 도시하는 도면이다. 접촉 영역(201)은 도 16b에서 장축이 Y 방향을 따라서 연장하는 대략 타원 형상이 되고, 수지 충전은 패턴부(103a)의 중심 영역으로부터 외주연부 영역을 향해 등방적으로 진행한다. 도 16c 및 도 17c는 전체 패턴부(103a)에 걸쳐 수지(104)가 완전히 충전되는 상태를 도시하는 도면이다. 상기 실시예와 마찬가지로, 수지(104)는 충전 완료 후 UV 광 조사에 의해 경화된다. 후속하여, 몰드 형상 가변 기구(114)는 몰드(103)에 의해 작용되는 힘을 멈춘다. 지금까지 설명된 단계에서, 웨이퍼(105)의 전체 이면은 웨이퍼 척(106)에 흡착된다.
도 16d 및 도 17d는 이형 단계가 진행하는 상태를 도시하는 도면이다. 도 17d에 도시된 바와 같이, 몰드(103)는 수지(104)로부터 보았을 때 볼록한 대략 타원 형상으로 변형되고, 이형 단계는 웨이퍼(105)가 도 16d의 Y 방향으로 연장되는 대략 원통 형상으로 변형되면서 진행한다. 이 때, 웨이퍼 형상 가변 기구(115)는 웨이퍼(105)에 힘을 Z축 방향으로 인가한다. 몰드의 강성 차이로 인해 몰드(103)의 변형량의 차이는 웨이퍼(105)의 변형량에 의해 보완되고, 도 16d에 도시된 바와 같이 Y 축에서 서로 평행한 두 개의 직선의 박리 계면이 패턴부(103a)와 수지(104) 사이에 발생하고, 이후 박리는 박리 계면이 서로 근접하도록 진행한다. 도 16e 및 도 17e는 이형 단계가 완료된 상태를 도시하는 도면이다. 몰드(103)의 변형을 위해 인가된 이형력은 상실되고, 몰드(103)의 형상은 원래 상태로 복귀된다. 상기 구성을 갖는 임프린트 장치는 상기 실시예와 마찬가지의 효과를 제공한다.
본 실시예에서 몰드(103)의 전체 주연부가 고강성부(501)에 의해 구성되기 때문에, 몰드(103)는 전체로서 매우 높은 강성을 나타낸다. 따라서, 높은 위치 정밀도가 특히 전체 패턴에 대해 요구될 때, 본 실시예는 몰드 척(102)의 강한 보유지지력으로 인해 몰드(103) 내에 변형이 문제를 일으킬 수 있는 경우에 특히 적합하다.
웨이퍼(105)는 강성 차이를 갖는 부재로서 몰드(103) 대신 선택될 수 있고 또는 몰드(103) 및 웨이퍼(105) 모두 강성 차이를 가질 수 있는 점에 유의한다. 박리 계면이 충분히 직선이 아닌 경우, 몰드(103) 및 웨이퍼(105)가 보조적으로 변형될 수도 있다. 강성 차이가 생기게 하는 방법으로서, 몰드(103)의 두께를 조정하는 방법(몰드(103)의 두께에 분포를 제공하는 방법)이 몰드 척(102)에 의해 생성되는 흡착력을 조정하는 방법과 조합하여 사용될 수 있다.
(물품 제조 방법)
물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액체 디스플레이 소자 등)를 제조하는 방법은, 상술한 임프린트 장치를 사용하여 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 형상 기판 등)에 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴 형성된 매체(저장 매체), 광학 소자 등과 같은 다른 물품이 제조될 때, 상기 제조 방법은 에칭 단계 대신에 패턴이 형성된 기판을 처리하는 다른 단계를 포함할 수 있다. 본 실시형태의 디바이스 제조 방법은, 종래의 방법에 비해, 성능, 품질, 생산성 및 물품의 생산 비용 중 적어도 하나에서 이점을 갖는다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범주는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.
본 출원은 2014년 11월 11일 출원된 일본 특허 출원 제2014-229177호 및 2015년 9월 1일 출원된 일본 특허 출원 제2015-172018호의 이익을 주장하며, 상기 일본 특허 출원들은 그 전체가 본 명세서에서 참조로 인용된다.
Claims (24)
- 기판 상의 미경화 재료가 부재와 접촉해 있는 동안 상기 미경화 재료를 경화하는 방법으로서,
상기 재료의 경화 이후, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리하는 분리 단계를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재의 면에 평행하게 연장되는 축을 갖는 원통 형상을 따라서 그리고 상기 축의 방향으로부터 보았을 때 상기 기판을 향해, 상기 부재가 상기 경계부에서 볼록한 형상으로 변형되도록, 상기 부재가 변형되는, 방법. - 제2항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재의 볼록한 변형된 부분에 대응하도록 상기 부재로부터 상기 기판을 보았을 때 상기 기판이 오목한 형상으로 변형되도록, 상기 기판이 변형되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 기판의 면에 평행하게 연장되는 축을 갖는 원통 형상을 따라서 그리고 상기 축의 방향으로부터 보았을 때 상기 부재를 향해, 상기 기판이 상기 경계부에서 볼록한 형상으로 변형되도록, 상기 기판이 변형되는, 방법. - 제4항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재의 볼록한 변형된 부분에 대응하도록 상기 기판으로부터 상기 부재를 보았을 때 상기 부재가 오목한 형상으로 변형되도록, 상기 부재가 변형되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재는 상기 부재의 강성을 조정함으로써 상기 재료로부터 분리되도록 변형되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재 또는 상기 기판 중 하나 이상은 유체압을 이용하여 상기 부재를 상기 재료로부터 분리하도록 변형되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재 또는 상기 기판 중 하나 이상은 접촉에 의해 발생되는 외력을 이용하여 상기 부재를 상기 재료로부터 분리하도록 변형되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분리 단계에 있어서, 상기 부재 또는 상기 기판 중 하나 이상은 전기장 또는 자기장에 의해 발생되는 원격 힘을 이용하여 상기 부재를 상기 재료로부터 분리하도록 변형되는, 방법. - 제6항에 있어서,
상기 부재의 강성의 조정은 상기 부재를 보유지지하는 부재 홀더의 흡착력의 조정에 의해 실행되는, 방법. - 제6항에 있어서,
상기 부재의 강성의 조정은 상기 부재의 두께의 조정에 의해 실행되는, 방법. - 부재와, 기판 상의 미경화 재료가 서로 접촉해 있도록 한 상태에서 상기 미경화 재료를 경화하는 장치로서,
상기 부재를 보유지지하도록 구성된 부재 홀더와,
상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더와,
상기 부재 홀더에 의해 보유지지되어 있는 상기 부재를 변형시키도록 구성된 부재 형상 가변 유닛과,
상기 기판 홀더에 의해 보유지지되어 있는 상기 기판을 변형시키도록 구성된 기판 형상 가변 유닛, 및
제어기로서, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록, 상기 부재 홀더, 상기 부재 형상 가변 유닛, 또는 상기 기판 형상 가변 유닛 중 하나 이상을 미리 제어하도록 구성된, 제어기를 포함하는, 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 부재의 면에 평행하게 연장되는 축을 갖는 원통 형상을 따라서 그리고 상기 축의 방향으로부터 보았을 때 상기 기판을 향해, 상기 부재가 상기 경계부에서 볼록한 형상으로 변형되도록, 상기 부재 홀더 또는 상기 부재 형상 가변 유닛 중 하나 이상을 제어하는, 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 부재의 볼록한 변형된 부분에 대응하도록 상기 부재로부터 상기 기판을 보았을 때 상기 기판이 오목한 형상으로 변형되도록, 상기 기판 형상 가변 유닛을 제어하는, 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 기판의 면에 평행하게 연장되는 축을 갖는 원통 형상을 따라서 그리고 상기 축의 방향으로부터 보았을 때 상기 부재를 향해, 상기 기판이 상기 경계부에서 볼록한 형상으로 변형되도록, 상기 부재 홀더 또는 상기 기판 형상 가변 유닛 중 하나 이상을 제어하는, 장치. - 제15항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 부재의 볼록한 변형된 부분에 대응하도록 상기 기판으로부터 상기 부재를 보았을 때 상기 부재가 오목한 형상으로 변형되도록, 상기 부재 홀더 또는 상기 부재 형상 가변 유닛 중 하나 이상을 제어하는, 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제어기는 상기 부재를 보유지지하는 상기 부재 홀더의 흡착력을 조정하여 상기 부재를 변형시키는, 장치. - 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재 형상 가변 유닛 또는 상기 기판 형상 가변 유닛은 유체압을 이용하여 상기 부재 또는 상기 기판을 변형시키도록 구성된 유체압 인가 유닛인, 장치. - 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재 형상 가변 유닛 또는 상기 기판 형상 가변 유닛은 접촉에 의해 발생되는 외력을 이용하여 상기 부재 또는 상기 기판을 변형시키도록 구성된 구동 유닛인, 장치. - 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부재 형상 가변 유닛 또는 상기 기판 형상 가변 유닛은 전기장 또는 자기장에 의해 발생되는 원격 힘을 이용하여 상기 부재 또는 상기 기판을 변형시키도록 구성된 원격 힘 인가 유닛인, 장치. - 미경화 재료가 부재와 접촉해 있는 동안 상기 미경화 재료를 경화하는 장치에 사용되는 부재로서,
상기 부재는, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록 하는 두께 분포를 갖는, 부재. - 물품 제조 방법으로서,
미경화 재료가 부재와 접촉해 있는 동안 상기 미경화 재료를 경화하는 방법을 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계; 및
상기 패턴 형성 단계에서 패턴 형성이 행해진 상기 기판을 가공하는 가공 단계를 포함하고,
상기 방법은, 상기 재료의 경화 이후, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리하는 분리 단계를 포함하는, 물품 제조 방법. - 물품 제조 방법으로서,
부재와, 기판 상의 미경화 재료가 서로 접촉해 있도록 한 상태에서 상기 미경화 재료를 경화하는 장치를 이용하여 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계; 및
상기 패턴 형성 단계에서 패턴 형성이 행해진 상기 기판을 가공하는 가공 단계를 포함하고,
상기 장치는,
상기 부재를 보유지지하도록 구성된 부재 홀더와,
상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더와,
상기 부재 홀더에 의해 보유지지되어 있는 상기 부재를 변형시키도록 구성된 부재 형상 가변 유닛과,
상기 기판 홀더에 의해 보유지지되어 있는 상기 기판을 변형시키도록 구성된 기판 형상 가변 유닛, 및
제어기로서, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록, 상기 부재 홀더, 상기 부재 형상 가변 유닛, 또는 상기 기판 형상 가변 유닛 중 하나 이상을 미리 제어하도록 구성된, 제어기를 포함하는, 물품 제조 방법. - 물품 제조 방법으로서,
미경화 재료가 부재와 접촉해 있는 동안 상기 미경화 재료를 경화하여, 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계; 및
상기 패턴 형성 단계에서 패턴 형성이 행해진 상기 기판을 가공하는 가공 단계를 포함하고,
상기 부재는, 상기 부재를 상기 재료로부터 분리할 때, 상기 부재가 경화된 상기 재료로부터 박리되는 두 개의 대향된 경계부가, 상기 부재를 통해 본 평면도에서 상기 두 개의 대향된 경계부 각각의 길이를 일정하게 유지하고 상기 두 개의 대향된 경계부의 직선 상태를 유지하면서 서로 근접하도록 하는 두께 분포를 갖는, 물품 제조 방법.
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |