JP4262267B2 - モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
具体的には、半導体ウェハーのような基板上に光硬化樹脂層が形成されたワークに対して、加工面上に所望のインプリントパターンが形成されたモールドを押し当て、さらに加圧し、紫外光を照射することで樹脂を硬化させる。
これにより、樹脂層にパターンがプリントされるので、この樹脂層をマスク層としてエッチング等を行い、基板へのパターン形成を行う。
また、この石英基板によるモールドの加工面への凹凸パターンのエッチングに際しては、ハードマスクとして一般的にCrが用いられる。
一方、ハードマスクに用いるCr以外の材料として、特許文献1にはポリシリコンとシリサイドが記載されている。
Stephan Y.Chou et.al., Appl.Phys.Lett,Vol.67,Issue 21,pp.3114−3116(1995)
一方、パターンが形成される樹脂層のマスク層としての性能は、厚い樹脂層を用い得ることから、モールド凹部の深さが深い方が望ましい。
このような背景を踏まえると、最適なインプリントを行う場合には、インプリントパターンの深さを最適化する必要がある。
なぜなら、モールドパターンの描画には一般的にEB露光機が用いられ、この装置を用いて高精細の描画を行うには多くのコストと時間を要するからである。
また、モールドを作り直すたびに、この描画にかかるコストと時間が上積みされていくためである。
もっとも、モールドを加工する際に使用されたCrからなるハードマスクを除去することなく残しておき、これをインプリントパターンの深さ調整用のマスクとして使用することも考えられる。
しかし、Crは紫外光に対して極めて透過率が低いため、紫外光を透過させて基板上に形成された光硬化樹脂を硬化させることが難しい。
また、特許文献1のようにポリシリコンやシリサイドをハードマスクとして用いたものも紫外光に対して極めて透過率が低い。そのため、基板上に形成された光硬化樹脂を硬化させることが難しい。
つまり、上記いずれの材料も、紫外光に対して極めて透過率が低いため、これらの材料を通して光硬化樹脂を硬化させることが難しい。そのため、この未硬化樹脂がモールドに付着し、次の加工を妨げる異物となってしまうという問題が生じる。
以上のように、従来ハードマスクとして用いられてきたCr、ポリシリコン、シリサイドは、インプリントを行う前に除去しなければならず、モールドを一旦加工した後に行う追加エッチング用のマスクとして使用するのに適していない。
本発明のモールドは、光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、紫外光の少なくとも一部の波長域に対し、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第1の材料の前記第2の材料に対するエッチング速度比が、10以上であることを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第2の材料は、365nmの波長に対して30%以上の透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記表面層は前記モールドの凸部の一部を構成することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記表面層は前記モールドの凸部の全部を構成することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第1の材料が酸化シリコンであり、前記第2の材料が窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ITOのいずれかの材料であることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、モールドを通じた紫外光の照射により光硬化樹脂を硬化させてインプリントするインプリント装置であって、前記モールドとして、上記したモールドを備えていることを特徴とする。
また、本発明のデバイスの製造方法は、
上記したモールドを用意する工程、
前記モールドを光硬化樹脂に接触させる工程、
前記モールドを通じて紫外光を照射する工程、
を含むことを特徴とする。
また、本発明のモールドは、樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、光学的計測が可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
図1に本実施の形態におけるモールドの構成例を説明するための図を示す。
図1において、101は第1の材料によって構成されたモールド基板であり、102は101とは異なる第2の材料によって構成される表面層である。また、103はこれらによって構成されるモールドである。
つまり、この表面層102は、インプリントを行う際に除去されずに残存する層であって、光硬化樹脂のパターン形成に使用される層である。また、表面層102はインプリント後において、モールド103のパターンの深さ調整の際に、マスクとして機能する層である。
なお、光硬化樹脂へのパターン形成に使用する際に、表面層102は光硬化樹脂に直接的に接触してもよい。また、離型剤を塗布した結果、光硬化樹脂に間接的に接触してもよい。さらに、表面層102は、単層であってもよいし、多層で構成してもよい。
モールドの基板101の第1の材料としては、酸化シリコン等が用いられ、表面層102の材料としては、窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ITO(Indium Tin Oxide)、酸化亜鉛等の材料が用いられる。
光硬化プロセスに用いる光源として、例えば365nmの波長の光を用いた場合、この波長に対して、上記モールド基板101の第1の材料として用いられる酸化シリコンの透過率は90%程度である。
したがって、モールド基板101の第1の材料である酸化シリコンと比較してスループットを著しく低下させないためには、表面層102の材料は少なくとも30%以上の透過率が望ましい。
さらに、モールド基板101と表面層102との透過率に大きな差があると、樹脂の硬化にムラが生じてしまう可能性があるため、両材料の透過率は可能な限り近い値であったほうが良い。したがって、さらに望ましくは、表面層102の材料は80%以上の透過率を有する材料がよい。
第1の材料を選択的に除去するためには、モールド基板101の第1の材料のエッチング速度を表面層102の第2の材料のエッチング速度よりも大きくすることが必要である。もちろん、エッチングでは実質的に第1の材料を選択的に除去できればよく、ある程度第2の材料が除去される場合も本発明は包含する。なお、エッチング速度とは、[エッチングされた厚さ]/[エッチングした時間]という単位で表すことのできるものであり、例として、nm/minが挙げられる。
前記処理条件を用いることにより、101の材料に酸化シリコン、102の材料に窒化シリコンを用いた場合、エッチング速度比は、10〜30程度の値が得られる。
また、同様の処理条件による酸化シリコンとレジストとのエッチング速度比は3〜8程度である。なお、表面層102はレジストマスク層よりも薄膜で用いる場合には、エッチング速度比が20以上の値を達成していることが望ましい。
また、ウェットエッチングを用いる場合には、例えばフッ酸を用いることが出来る。ウェットエッチングは幅が数10μmを超えるようなパターンの形成には有効である。
また、モールドの深さにおける表面層102の厚さの比率は、例えばエッチング選択比が10以上、深さ調整の回数を3回以上と仮定すると、20%以上であることが好ましい。モールド基板101の厚さは、機械的強度を考慮すると数μm以上であることが望ましい。
モールド作製において最もコストと時間と加工精度を要する工程はパターンの描画であるところ、本発明によればインプリント工程実施後に深さが可変であるため、モールドを一から作り直す必要がない。したがって、描画工程に必要なコストと時間を削減できる。
[実施例1]
実施例1において、本発明を適用したモールドの製造方法について説明する。
図2は本実施例におけるモールド103の作成工程を説明するための断面図である。
本実施例におけるモールドの作製は、以下の手順による。
(1)モールド基板101に、表面層102を成膜する(図2(a))。
モールド基板101の材料としては、酸化シリコン等を用い、表面層102の材料として、窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ITO(Indium Tin Oxide)、酸化亜鉛等から用いられる。
なお、表面層は単層ではなく、多層構成としてもよい。
(2)表面層102上に、レジスト201によるパターニングを行う(図2(b))。
パターニング方法として、例えば、ステッパ、スキャナ等による光露光、電子ビームによる描画を用いることができる。
(3)表面層102をエッチングする(図2(c))。
(4)レジスト201を剥離後、表面層102をマスク層としてモールド基板101をエッチングする(図2(d))。
このエッチングは、本発明の実施の形態で説明したC3F8系、C4F8系、C5F8系、C4F6系のような、C/F比の高いガスを原料ガスとして用いた反応性イオンエッチングによる。なお、レジスト201を残して、表面層102とレジスト201とをマスク層とすることにより、モールド基板101をエッチングしても良い。
なお、上記ではレジスト201を剥離した形態であり、モールド基板101をエッチングしないモールドであっても、本発明を適用したモールドとなる(図2(e))。
この場合、表面層102がモールド103の凸部の全部を構成する。
また、上記では基板101の上に表面層102を形成し、その上にレジスト201を形成したが、いわゆるリフトオフ工程により、表面層102を設けてもよい。すなわち、基板101の上にレジスト201を形成し、そのレジスト201の一部をエッチングにより除去する。そして、表面層102を成膜した後にレジスト201を剥離して、モールド基板101をエッチングする。このようにしても、本発明を適用したモールドを作製することができる。
このモールド103を構成するモールド基板101の第1の材料と、表面層102の第2の材料は、紫外光の少なくとも一部の波長域の光に対し、光硬化樹脂層を硬化させることが可能な光学的透過率を有している。
したがって、表面層102を除去することなく残していても、このモールド103のインプリントパターンを光硬化樹脂層に転写させることが可能となる。
なお、上記従来例のようにモールド加工面へのインプリントパターンのエッチングのハードマスクとしてCrを用い、これを除去することなく残して再加工のエッチングをした場合には、メタル汚染の発生が懸念される。しかし、本実施例に係る発明の場合は、このような懸念が無い。
実施例2において、本発明を適用したモールドの凹凸パターンの深さを事後的に調整する方法について説明する。
図3に、凹部の深さをより深くする場合の例を説明するための図を示す。
この場合には、実施例1で説明したエッチング手法を用いて、表面層102をマスク層としてモールド基板101を追加エッチングするのみである。モールド基板101中の301に示す部分がエッチングされ、この間に表面層102中の302に示す部分がエッチングされる。
本実施例におけるモールドの作製は、以下の手順による。
(1)モールド103の表面全体にモールド基板101と同じ材料401を成膜し、凹部を完全に埋め込む(図4(a))。
(2)モールド103の表面まで401中の402に示す部分をエッチングすることにより平坦化する(図4(b))。
(3)実施例1で説明したエッチング手法を用いて、401のエッチングを行う。この際、401中の403に示す部分がエッチングされ、表面層102中の404に示す部分がエッチングされる(図4(c))。
以上のプロセスにより、モールド103の凹部の深さを事後的に調整することができる。
実施例3において、本発明を適用したモールドの製造方法における変形例について説明する。
図5に、本実施例におけるモールド作製プロセスの変形例を説明する図を示す。図3、図4に示すように、モールドの再加工を行った場合、302、404のように表面層102も若干エッチングされる場合がある。よって、表面層102の膜厚は、厚くしておくことが望ましい。
しかし、レジスト201で表面層102の厚膜のエッチングを行うと側壁形状が悪化してしまい、モールド基板101に転写するパターンの精度が落ちてしまう場合がある。
そこで、レジスト201と表面層102の間に、もう一層ハードマスクとなる層501を追加することが好ましい(図5(a))。
つぎに、レジスト201によりマスク層501をエッチングし、さらに501をマスク層にして表面層102のエッチングを行う(図5(b))。
マスク層501に用いる材料としては、Cr、W、Si、Al等の金属材料が適している。マスク層501はその後のモールド基板101のエッチング時に残っていても問題ないが、少なくともインプリント前には除去するものとする。
実施例4において、本発明を適用したモールドを用いたデバイスの作製方法と、本発明を適用したモールドを備えたインプリント装置について説明する。
図6に、インプリントパターンをインプリントするプロセスを説明するための図を示す。
まず、基板601に光硬化樹脂602を塗布する(図6(a))。
次に、モールド103と基板601との距離を近づける(図6(b))。
そして、紫外光603をモールド103の裏側から照射し、光硬化樹脂602を硬化させる(図6(c))。
その後、モールド103を基板601から遠ざけ(図6(d))、エッチングによりパターンを基板601に転写する(図6(e))。
最後に、光硬化樹脂602を取り除くと、基板601にパターンが形成される(図6(f))。
図7において、701は露光光源、702はモールド保持部、703はワーク保持部、704はワーク加圧機構、705は面内移動機構、706はインプリント制御機構である。
加圧機構704により、モールド103と基板601を、樹脂602を介して接触させる。
露光光源701から発生した紫外光は、モールド保持部702、モールド103の順に通過し、樹脂601を硬化させる。そして、モールド103と基板601を、加圧機構704により離間させる。必要に応じて、基板601を面内移動機構705により動かして、パターンが転写された領域の隣りに、再度転写を行う、いわゆるステップアンドリピートを行う。
なお、加圧機構、面内移動機構は、モールド保持部の側に持たせても良い。
実施例5において、上記第1および第2の材料が、光学的計測が可能な程度の透過率を有することを特徴とするモールドについて説明する。
この点、上記のように、従来例としては、モールドを加工する際にハードマスクとしてCr、ポリシリコン、シリサイドを使用したものがある。そこで、このハードマスクをインプリントの際に除去せずに、インプリントパターンの深さ調整用のマスクとして使用することも考えられる。
しかし、Cr、ポリシリコン、シリサイドは可視光に対して極めて透過率が低い。そのため、例えばアライメントマーク等を観察するための光源として可視光を利用する場合には、このモールドを使用してアライメントを行い難いという問題がある。
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記樹脂にパターンを形成するための層であって、前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなる。
そして、前記第1および第2の材料は、光学的計測が可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
ここで、モールド基板の材料としては、実施例1と同様に、酸化シリコン等を用いることができる。
また、表面層の材料としては、実施例1と同様に、窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ITO、酸化亜鉛等を用いることができる。
なお、本実施例の方式は、基板表面の反射率計測、モールドと基板の距離の干渉計測、樹脂の吸収率測定などの光学的計測にも適用できる。
102:表面層
103:モールド
201:レジスト
301:被エッチング部
302:被エッチング部
401:成膜層
402:被エッチング部
403:被エッチング部
404:被エッチング部
501:ハードマスク層
Claims (10)
- 光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、紫外光の少なくとも一部の波長域に対し、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。 - 前記第1の材料の前記第2の材料に対するエッチング速度比が、10以上であることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記第2の材料は、365nmの波長に対して30%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記表面層は前記モールドの凸部の一部を構成することを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記表面層は前記モールドの凸部の全部を構成することを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記第1の材料が酸化シリコンであり、前記第2の材料が窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ITOのいずれかの材料であることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- モールドを通じた紫外光の照射により光硬化樹脂を硬化させてインプリントするインプリント装置であって、前記モールドとして、請求項1記載のモールドを備えていることを特徴とするインプリント装置。
- デバイスの製造方法であって、
請求項1記載のモールドを用意する工程、
前記モールドを光硬化樹脂に接触させる工程、
前記モールドを通じて紫外光を照射する工程、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。 - 樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、光学的計測が可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。 - 光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第1の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第2の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第1および第2の材料は、該第2の材料に比べて該第1の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第1および第2の材料は、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。
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