JP4858030B2 - インプリント用モールド、インプリント用モールド製造方法およびパターン形成方法 - Google Patents
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Description
従来、半導体デバイスの製造プロセスなど、微細加工が要求されるパターンの形成には、光学的にパターンを転写する方法が用いられてきた。その例として、ガラスなどの透明基板上の一部にクロム等の不透明材料からなるパターンを形成したフォトマスクを作成し、これをレジスト塗布した半導体基板(以下、感応基板という)上に直接的に、或いは間接的に載せ、フォトマスクの背面から光を照射して光の透過部分のレジストを選択的に感光させることにより、フォトマスクのパターンを感応基板に転写することが行われていた。この技術を一般にフォトリソグラフィ法と呼んでいる。また、現在の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、光学的にマスクパターンを縮小して半導体基板上にパターンを転写する方法が主流となっている。
また、縮小投影露光の場合には、基板の水平方向のみならず垂直方向にも位置合わせ精度が要求されるため、フォトマスクおよび半導体基板の精密ステージ制御(X,Y,Z,シーター)などが必要となるため、装置のコストが高くなるという欠点がある。
また、半導体デバイスのみならず、ディスプレイや記録メディア、バイオチップ、光デバイスなど様々なパターン形成においてもフォトリソグラフィ法を用いている限り、これら光の回折現象によるパターンボケや複雑な機構を必要とする装置コストの問題は同様に存在し、マスクパターンを忠実に転写することは出来ない。
このような背景から、S.Y.Chou等は、インプリント法(もしくはナノインプリント法)と呼ばれる非常に簡易であるが大量生産に向き、従来の方法よりも格段に微細なパターンを忠実に転写可能な技術を提案している(例えば非特許文献1,2参照)。なお、インプリント法とナノインプリント法に厳密な区別はないが、半導体デバイスや回折格子などの製造に用いられるようなナノメーターレベルのものをナノインプリント法と呼ぶことが多い。以後、すべてインプリント法と呼ぶことにする。
光インプリント法によるパターン形成方法を説明する。
まず、図1(a)に示すように、石英などの透光性を有する材料からなる基板を電子ビームリソグラフィ法などでエッチングにより表面に凹凸の形状を有するモールド500を作製する。次に、図1(b)に示すように、シリコン基板520上に被転写体となる粘度の低い液体状の光硬化性樹脂組成物(レジスト510)を塗布し、図1(c)に示すように、モールド500をシリコン基板520に接合させ、光硬化性樹脂組成物(レジスト520)を硬化させる。このとき、プレス圧力は0.01〜5MPa程度で良い。この状態で、モールド500の裏面から光照射を行い、光硬化性樹脂組成物(レジスト520)を硬化させる。図1(d)に示すように、モールド500のパターンが転写された光硬化性樹脂(レジスト520)の薄い残膜を酸素プラズマエッチング法などにより除去する。これにより、図1(e)に示すように、樹脂パターンが得られる。
これらインプリント法においては、モールドと基板上に生成した樹脂パターンとの剥離性は極めて重要である。インプリントにおいて、モールドと転写基板を引き離す場合、モールドと樹脂の付着や摩擦により、部分的に樹脂が変形したり、モールドと共に剥離したりする現象が見られる。図2はこの様子を示しており、樹脂レジスト610の全部または一部が石英モールド600側に残り、シリコン基板620に適正なパターンが形成されないことになる(図2(b)〜(d))。これは、モールドまたは樹脂の表面エネルギーが大きい(=疎水性の弱い=接触角の小さい)ためである。特に、光インプリントのモールド材料はその原理として光硬化性樹脂を用いるために石英ガラスが用いられる場合が多く、モールドおよび樹脂の表面エネルギーが大きい。
また、超音波振動による方法では転写基板と樹脂界面にも振動が作用するため、その界面で剥離する可能性がある。
なお、ここで凹凸パターンとは、矩形状の溝パターンに限らず、任意の形状の段差を有するパターンであるものとする。
これにより、モールドの凸部パターンは摩擦係数が非常に小さい非晶質カーボンから構成されるため、モールドの離型性を向上することが可能となる。また、非晶質カーボンはフッ素化処理が容易であるため、離型層を形成するのが簡便であるという効果を奏する。このような非晶質カーボンとして、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)を用いることがより好ましい。
20 非晶質カーボン膜
30 レジスト
40 レジストパターン
50 モールドパターン
60 離型層
70 転写基板
80 光硬化性樹脂
100 モールド
200 光
210 真空紫外線
300 界面領域
310 界面領域(水平)
320 界面領域(垂直)
330 剥離層
400 転写モールド
500 石英モールド
510 レジスト
520 シリコン基板
600 石英モールド
610 レジスト
620 シリコン基板
Claims (6)
- 基板上の樹脂に、パターン形成を行うための凹凸パターンが形成されたインプリント用モールドであって、該インプリント用モールドの凸部パターンが非晶質カーボンで形成され、該インプリント用モールドの凹部パターンが前記透明基板で形成され、該凸部と該凹部で光透過性が異なることを特徴とするインプリント用モールド。
- 請求項1に記載のインプリント用モールドであって、該透明基板としてシリカガラスを用いることを特徴とするインプリント用モールド。
- 請求項1または2のいずれかに記載のインプリント用モールドであって、該非晶質カーボンとしてダイヤモンドライクカーボン(DLC)を用いることを特徴とするインプリント用モールド。
- 請求項1から3のいずれかに記載のインプリント用モールドであって、該非晶質カーボンの表面に離型層が形成されていることを特徴とするインプリント用モールド。
- 請求項1から4のいずれかに記載のインプリント用モールドを用いたパターン形成方法であって、
転写基板上にパターンを形成する際に、該インプリント用モールド凹部に接する樹脂表面に剥離層を形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載のインプリント用モールドを用いたパターン形成方法であって、
該転写基板上に樹脂を塗布する工程と、
該インプリント用モールドと該転写基板とを接合する工程と、
接合された該インプリント用モールドと該転写基板に、該インプリント用モールド側から真空紫外線を含む光を照射し、該インプリント用モールドの凹部に接する樹脂を硬化させる工程と、
該転写基板から該インプリント用モールドを剥離する工程と、
該転写基板を現像処理し、該インプリント用モールドの凸部に接していた未硬化の樹脂を除去する工程と、
を行うことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006247848A JP4858030B2 (ja) | 2006-09-13 | 2006-09-13 | インプリント用モールド、インプリント用モールド製造方法およびパターン形成方法 |
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JP2006247848A JP4858030B2 (ja) | 2006-09-13 | 2006-09-13 | インプリント用モールド、インプリント用モールド製造方法およびパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008068475A JP2008068475A (ja) | 2008-03-27 |
JP4858030B2 true JP4858030B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4858030B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027743A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Ebara Corp | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
JP2010225223A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | ガラススタンパの製造方法、ガラススタンパ、および磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1096808A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタン形成法 |
JP2000194142A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2001150451A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-06-05 | Canon Inc | 成形型およびその製造方法 |
JP2005047080A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Alps Electric Co Ltd | 微細凹凸面を有する樹脂製光学部品成形用型及びこれを用いた樹脂製光学部品の製造方法 |
JP4401139B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-01-20 | シャープ株式会社 | パターン形成方法および光学素子 |
JP2006032423A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法 |
JP4533730B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-09-01 | 日立マクセル株式会社 | 微細構造体成形用型材、微細構造体成形用型材の作製方法及び微細構造体の成形方法 |
KR100772639B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2007-11-02 | 한국기계연구원 | 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법 |
JP2007266384A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド及びその製造方法 |
-
2006
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Publication number | Publication date |
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JP2008068475A (ja) | 2008-03-27 |
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