JP4533730B2 - 微細構造体成形用型材、微細構造体成形用型材の作製方法及び微細構造体の成形方法 - Google Patents
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Description
原型として、線幅0.4μm、深さ0.2μmの溝が等間隔に形成されたSiウエハを用い、当該Siウエハの溝形成面に、カーボン層として厚さ0.3μmのグラファイト膜を真空蒸着装置で形成した。グラファイト膜の成膜は、図7の実施例1の欄に示す条件で行った。
原型として、直径40μm、高さ4μmのレンズ状突起物が縦横50μm間隔で等間隔に並んだNi板を用い、当該Ni板の突起形成面に可溶性膜として厚さ0.1μmのSiO2膜をRFスパッタリング装置で形成した。この上に続けてカーボン層として厚さ1μmのDLC膜をプラズマCVD装置で形成した。更にこの上に続けて電気めっき金属層を形成するための導電膜として厚さ0.1μmのNi膜をRFスパッタリング装置で形成した。各膜の成膜条件を図7の実施例2の欄に示す。
原型として、線幅0.4μm、深さ0.2μmの溝が等間隔に形成されたSiウエハを用い、当該Siウエハの溝形成面に、剥離層として厚さ0.1μmのAu膜をRFスパッタリング装置で形成した。この上に続けてカーボン層として厚さ1μmのDLC膜を同様のRFスパッタリング装置で形成した。更にこの上に続けて導電性金属膜として厚さ0.1μmのNi膜を同様のRFスパッタリング装置で形成した。各膜の成膜条件を図7の実施例3の欄に示す。
原型として、線幅0.4μm、深さ0.2μmの溝が等間隔に形成されたSiウエハを用い、当該Siウエハの溝形成面に、離型剤としてステアリン酸モノグリセリドをアセトン溶媒に0.1wt%程度溶解させた溶液をスピン塗布した。
原型として、線幅0.4μm、深さ0.2μmの溝が等間隔に形成されたSiウエハを用い、当該Siウエハの溝形成面に、可溶性膜として厚さ0.1μmのSiO2膜をRFスパッタリング装置で形成した。この上に続けてカーボン層として厚さ0.2μmのフッ素含有DLC膜をプラズマCVD装置で形成した。更にこの上に続けて導電性金属膜として厚さ0.1μmのNi膜をRFスパッタリング装置で形成した。各膜の成膜条件を図7の実施例5の欄に示す。
実施例1とは凹凸の向きが反転した溝構造を有するSiウエハを原型として用い、表面にカーボン層として厚さ0.05μmのグラファイト膜を真空蒸着装置で形成した。グラファイト膜の成膜は図7の比較例1に示す条件で行い、これを型材として用いた。
Siウエハ上にカーボン層として厚さ0.6μmのDLC膜をプラズマCVD装置で形成した。次いで前記DLC膜に電子ビーム加工を行い、線幅0.4μm、深さ0.2μmの溝が等間隔で並んだ型材を作製した。
2 カーボン層
2a 凹凸パターン
3 電気めっき金属層
4 導電性金属層
5 離型層
11 原型
14 基板
Claims (3)
- 表面に所要の凹凸パターンが形成されたカーボン層と、当該カーボン層の裏面側に直接又は導電性金属層を介して形成された電気めっき金属層とを有する微細構造体成形用型材において、前記カーボン層の層厚が、前記凹凸パターンの段差の大きさよりも厚いことを特徴とする微細構造体成形用型材。
- 表面に所要の凹凸パターンが形成された原型を作製する工程と、前記原型の凹凸パターン形成面に所要の層厚のカーボン層を形成する工程と、前記カーボン層上に直接又は導電性金属層を介して電気めっき金属層を形成する工程と、前記原型と前記カーボン層との界面を剥離し、前記カーボン層と前記電気めっき金属層とが一体化された微細構造体成形用型材を得る工程とを含む微細構造体成形用型材の作製方法において、前記原型を作製した後、前記カーボン層を形成する前に、前記原型の凹凸パターン形成面に離型層を形成し、前記電気めっき金属層の形成後に前記原型と前記離型層との界面を剥離することを特徴とする微細構造体成形用型材の作製方法。
- 表面に所要の凹凸パターンが形成された原型を作製する工程と、前記原型の凹凸パターン形成面に所要の層厚のカーボン層を形成する工程と、前記カーボン層上に直接又は導電性金属層を介して電気めっき金属層を形成する工程と、前記原型と前記カーボン層との界面を剥離し、前記カーボン層と前記電気めっき金属層とが一体化された微細構造体成形用型材を得る工程とを含む微細構造体成形用型材の作製方法において、前記原型を作製した後、前記カーボン層を形成する前に、前記原型の凹凸パターン形成面に可溶性膜を形成し、前記電気めっき金属層の形成後に、前記可溶性膜を溶解し、前記原型から前記カーボン層との界面を剥離することを特徴とする微細構造体成形用型材の作製方法。
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