TW201319636A - 用於奈米壓印之模具的製造方法 - Google Patents

用於奈米壓印之模具的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201319636A
TW201319636A TW101127151A TW101127151A TW201319636A TW 201319636 A TW201319636 A TW 201319636A TW 101127151 A TW101127151 A TW 101127151A TW 101127151 A TW101127151 A TW 101127151A TW 201319636 A TW201319636 A TW 201319636A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
grid
manufacturing
metal
pattern
mold
Prior art date
Application number
TW101127151A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoung-Jong Yoo
Young-Jae Lee
Jin-Su Kim
Jun Lee
Original Assignee
Lg Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Innotek Co Ltd filed Critical Lg Innotek Co Ltd
Publication of TW201319636A publication Critical patent/TW201319636A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
    • B23P15/24—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass dies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
    • B29D11/00317—Production of lenses with markings or patterns
    • B29D11/00346—Production of lenses with markings or patterns having nanosize structures or features, e.g. fillers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
    • B29D11/0048—Moulds for lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00634—Production of filters
    • B29D11/00644—Production of filters polarizing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/009—Manufacturing the stamps or the moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/006—Nanostructures, e.g. using aluminium anodic oxidation templates [AAO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本發明揭示一種用於奈米壓印之模具的製造方法，其係包括下列步驟：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一金屬格柵圖案於該格柵圖案之上；形成一電鍍層於該金屬格柵圖案之上；以及將包含有該金屬格柵圖案與該電鍍層之一模具與該格柵圖案分離；這可以降低生產成本、改善製程效率、並提供具有改良耐久性和可靠度之奈米模具。

Description

用於奈米壓印之模具的製造方法
本發明係主張關於2011年07月28日申請之韓國專利案號No.10-2011-0075191之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種奈米壓印之模具製造之技術領域。
一偏光板(polarizer)或一偏光裝置(polarizing device)係指用以拉引在非偏光如自然光中具有一特定振動方向之線性偏光的光學裝置。一般來說，當金屬線置入(metal line disposition)之一週期係小於一入射電磁波(electromagnetic wave)之一半波長時，與該金屬線平行之一偏極化分量(polarized component)(橫波/s波(s wave))係被反射，而與該金屬線垂直之一偏極化分量(縱波/p波(p wave))係被傳送。當應用此現象時，可製造出一平面偏光器(planar polarizer)，其係具有絕佳偏振效率、一高傳輸速率、以及一寬廣視角。此裝置係被稱為一線柵偏光板(line grid polarizer)或者一金屬網柵偏光板(wire grid polarizer)。
近來，一種使用一奈米壓印製程來製造前述線柵偏光板之技術係被提出。此奈米壓印製程係為一種使用一模具，將一奈米尺 度圖案(nano-scale pattern)模鑄為一壓印形狀(imprint shape)之技術。與傳統光學微影製程(photo-lithography)相比，此奈米壓印製程可以使用一相對較簡單的程序，來形成一格柵圖案。另外，當此奈米壓印製程係使用具有一奈米級寬度之模具來形成格柵圖案時，可形成傳統光學微影製程無法實施之一奈米尺度格柵圖案。據此，可有助於改善生產力(productivity)，並降低製造成本。
欲使用前述奈米壓印製程來形成格柵圖案，首先需製造具有一所需形狀之圖案之模具。在這些模具中，使用矽晶圓(silicon wafer)或者石英(quartz)來製造之一模具，在製程中係具有很高的損壞率。因此，為了改善機械性質(mechanical properties)，提出一種鎳電鑄模具(nickel electroformed mold)製造方法，如韓國公開專利案號No.10-2007-0072949所揭露者。圖1至3係繪示使用如韓國公開專利案號No.10-2007-0072949所揭露之電鑄之模具製造程序。參閱圖1至3，首先，如圖1所示，一格柵圖案13係形成於一基板11之上，以製造一主模(master mold)。然後，用來電鑄之一傳導性晶種層14(conductive seed layer)係形成於格柵圖案13之上。接著，使用一電鑄製程，將一金屬層15形成於傳導性晶種層14之上，藉此以完成一模具的製造。然而，使用電鑄之模具製造方法具有缺陷在於，傳導性晶種層14很難形 成，且在電鑄製程過程中，孔16(pore)係形成於該模具之一內部，因而會減弱模具之機械性質與耐久度，並且在將主模與格柵圖案13分離之過程中，增加主模損壞之可能性。
本發明係在於提供一種用於奈米壓印之模具，其係可降低製造成本、改善製程效率，並具有改良之耐久度(durability)與可靠度(reliability)。此模具是藉由在一基板上形成複數個格柵圖案以完成一微細間距(fine pitch)的產品；形成一金屬格柵圖案於該格柵圖案之上；形成一電鍍層(plated layer)於該金屬格柵圖案之上；以及將包含有該金屬格柵圖案與該電鍍層之一模具與該格柵圖案分離。
根據本發明之一方面，提供一種用於奈米壓印之模具的製造方法，包括：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一金屬格柵圖案於該格柵圖案之上；形成一電鍍層於該金屬格柵圖案之上；以及將包含有該金屬格柵圖案與該電鍍層之一模具與該格柵圖案分離。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，形成該格柵圖案之步驟係包括：以一紫外光硬化樹脂(ultraviolet curing resin)塗覆該基板，以形成一格柵基底層(grid base layer)；使用一壓印模具，對該格柵基底層施加壓力；以及以紫外光照射該格柵基底層，以硬化該格柵基底層。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，形成該格柵圖案之步驟係包括：以一熱固性樹脂(heat curing resin)塗覆該基板，以形成一格柵基底層；以及使用加熱的壓印模具，對該格柵基底層施加壓力，以硬化該格柵基底層。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，該格柵圖案之寬度可形成為落在20nm至200nm之範圍內。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，形成該金屬格柵圖案之步驟係包括：將一金屬材料沉積於該格柵圖案之上，以形成一金屬格柵基底層；以及對該金屬格柵基底層進行濕蝕刻(wet-etching)。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，該金屬材料係可由鎳(Ni)或一鎳合金形成。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，可使用下述方法中其中至少一者來將金屬材料沉積於該格柵圖案之上：一濺鍍法(sputtering method)、一化學氣相沉積法(chemical vapor deposition method)、以及一蒸鍍法(evaporation method)。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，經由充填該格柵圖間之一整體空間或將該金屬材料沉積於格柵圖案之 上，藉此以提供一預設空間，來形成該金屬格柵圖案。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，可對形成在該格柵圖案之間的該金屬格柵基底層進行蝕刻，來進行該濕蝕刻製程。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，亦可對形成在該格柵圖案之上的該金屬格柵基底層之一部分進行蝕刻，來進行該濕蝕刻製程。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，該金屬格柵圖案之一截面(cross section)係可具有下述形狀其中至少一者：一多邊形(polygon)、一半圓形(semicircle)、以及一半橢圓形(semiellipse)。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，形成該電鍍層之步驟係可由一電鑄方法來進行之。
在根據本發明之用於奈米壓印之模具的製造方法中，該電鍍層係可由與該金屬格柵圖案相同之材料形成，例如鎳(Ni)或一鎳合金。
根據本發明之實驗實施例，可製造出由具有一微細間距(小於200 nm)之金屬材料所形成之模具。特別是，可製造出由鎳所形成之模具。因此，所提供之用於奈米壓印之模具係具有改良之耐久性與可靠度等優點。
又，根據本發明之實驗實施例，可使用簡單的電鑄製程，來製造具有改良之耐久性與可靠度之用於奈米壓印之模具。因此，其優點在於不需進行獨立的複雜製程，進而改善一製造程序之效率，並降低模具之生產成本。
以下所附圖示係對本發明提供進一步之理解，且構成本發明之一部分，並係用以詳細說明本發明之實施例以及本發明之原理的精神及範疇。
以下將伴隨圖示詳細描述本發明的實施例，使熟習此項技術者可輕易實現本發明之內容。此處所說明之實施例以及圖示中繪示之元件僅為本發明之一較佳實施例。應理解的是，在本發明申請時，此些實施例與圖示可有各種對等變化及修改，都落在本發明之精神主旨、申請範疇內。另外，在詳細說明本發明較佳實施例時，當遇到細節說明早已廣為人知之內容或不需要的元件時，將省略敘述，使其不致影響主要欲敘述之內容，以求說明之清晰與便利。下文中所使用之詞語係依據本發明中之功能考量而定義。各詞語之意義係應依據本說明書內之內容而解讀。在所有圖示中，相同參考的數字將會指定到具有相似功能、運作之元件。
圖4係根據本發明一實驗實施例，繪示有一用於奈米壓印之模具之製造方法之一流程圖。
參閱圖4，根據本發明之本實驗實施例之一種用於奈米壓印之模具之製造方法係包括下列步驟：形成複數個格柵圖案於一基板之上(步驟S1)；形成一金屬格柵圖案於該格柵圖案之上(步驟S3)；形成一電鍍層於該金屬格柵圖案之上(步驟S5)；以及將包含有該金屬格柵圖案與該電鍍層之一模具與該格柵圖案分離(步驟S7)。
步驟S1中所使用之基板可為一透明基板。形成該基板之材料，可使用各種聚合物如玻璃、石英、壓克力(acrylic)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、及PET等所形成之塑膠及藍寶石(sapphire)基板。此外，亦可使用其他各種材料。同時，該格柵圖案係為包括一突起圖案與形成在個凸起圖案間之一溝槽，而一週期(cycle)係指一格柵圖案與一相鄰之格柵圖案間之一距離。下文中將詳細說明形成複數個格柵圖案之程序。
形成格柵圖案之程序可由一奈米壓印製程來進行。也就是說，將一聚合樹脂(polymer resin)塗覆於一基板之上，來形成一格柵基底層。
在此處，可使用下述方法其中一者來進行聚合樹脂之塗覆：一旋轉塗佈方法(spin coating method)、一模具塗覆方法(die coating method)、一輥塗覆方法(roll coating method)、一浸漬塗佈方法(dip coating method)、一鑄造塗佈法(cast coating method)、一網印方法(screen printing method)、及一轉印印刷方法(transfer printing method)等。較佳地，該塗覆係由旋轉塗佈方法、模具塗覆方法、及輥塗覆方法其中一者來進行，但不限制於此。
同時，一聚合樹脂係可使用一紫外光硬化樹脂或者一熱固性樹脂。例如，當使用紫外光硬化樹脂時，在一格柵基底層形成後，具有複數個溝槽及突起部之一壓印模具係排列在該格柵基底層之一部分上。在此處，該壓印模具之該些溝槽及突起部彼此之間重複性地以一固定間隔相隔而設，形成一形狀。另外，該壓印模具之該溝槽係對應於形成格柵圖案之一位置。
接著，在對該壓印模具之該些溝槽及該格柵基底層施加壓力、使其彼此相接觸以後，照射紫外光於其上，以使其光硬化。據此，在該基板之一上部分上，該些格柵圖案係形成於對應該壓印模具之該些溝槽之一部分中。此時，該些溝槽之一寬度W係可落在20nm至200nm之範圍內，但並不限制於此。這是為了使形成於對應該壓印模具之該些溝槽之一部分中之格柵圖案之一寬度落在20nm至200nm之範圍內。然而，此僅為一例，而壓印模具之該些溝槽之一寬度以及該些格柵圖案之一寬度可考量隨後會形成之 用於奈米壓印之模具之一寬度而決定。
同時，前述之實驗實施例係顯示了當形成該格柵基底層之聚合樹脂係為紫外光硬化樹脂之情況，但其實也可以使用熱固性樹脂。據此，本發明中之格柵圖案可形成為藉由使用加熱壓印模具，對該格柵基底層施加壓力，來進行熱固。
在格柵圖案形成後，金屬格柵圖案係形成於該些格柵圖案之上(步驟S3)。
在此處，該金屬格柵圖案係被定義為包含形成於該格柵圖之上部分上之一圖案之通用名稱。根據本發明，該金屬格柵圖案之形成步驟係如下所述。首先，使用目前業界普遍使用之沉積方法如一濺鍍法、一化學氣相沉積、以及一蒸鍍法等，或者未來發展出可實施之沉積技術，將一金屬材料沉積於該格柵圖案之上，以形成該金屬格柵基底層。此時，該沉積金屬材料可包括具有傳導性之Ni、Al、Au、Ag、Cr、Cu、或其合金。而較佳者為使用鎳或鎳合金，此係為了改良隨後將形成之一用於奈米壓印之模具之耐久度以及釋放性(release properties)。
該金屬格柵圖案之形成程序是先形成該金屬格柵基底層，然後進行一蝕刻製程來蝕刻該些格柵圖案之間的一獨立空間。在此處，一時科部分可為該些格柵圖案之間的獨立空間；而當需要時，形成於該些格柵圖案之上的該金屬格柵基底層之一部分亦可被蝕 刻。同時，如上述的蝕刻製程，可利用濕蝕刻，此時，可經由調整濕蝕刻的次數，來調整該金屬格柵圖案之一寬度及一厚度。依此，根據本發明之金屬格柵圖案係可具有一結構，其中微小突起圖案係以一固定週期排列。
同時，該金屬格柵圖案之一截面形狀係可形成為各種不同結構如：一四邊形(quadrangle)、一三角形(triangle)、及一半圓形等。其形狀亦可為一三角形、一四邊形、及一正弦波形(sine wave)等。也就是說，無論該金屬格柵圖案之截面形狀為何，其係可形成為各種具有一固定週期於一側向之一形狀。
在該金屬格柵圖案形成以後，該電鍍層係形成於該金屬格柵圖案之上(步驟S5)。形成該電鍍層之步驟係使用一電鑄方法來進行。另外，一電鑄材料係與前述金屬格柵圖案之材料相同。特別是，可使用鎳(Ni)或一鎳合金。
當使用鎳(Ni)來進行電鑄時，因為各金屬格柵圖案之間的一距離很窄，鎳(Ni)在一水平方向的成長係受到限制，故其係成長於一垂直方向。又，其成長係以一放射狀進行。據此，當鎳(Ni)終於成長至一固定高度時，形成於該金屬格柵圖案之上之該電鍍層係彼此相連接在一起。而依此，可取得一模具，其具有一結構，其中該金屬格柵圖案係形成於該電鍍層之一下部分中。
在該電鍍層形成後，具有上述電鍍層與金屬格柵圖案之模具 係與該基板與該格柵圖案分離(步驟S7)，進而可獲得用於奈米壓印之模具。
根據本發明，由上述方法製造之用於奈米壓印之模具係可實施為其一微細間距小於200nm。特別是，當使用鎳(Ni)來製造該用於奈米壓印之模具時，其優點為具有改良之耐久性與可靠度。
又，根據該用於奈米壓印之模具之釋放性，可降低主模(基板及格柵圖案)在分離程序中損壞之可能性。因此，在製程中形成於該基板之上之格柵圖案可在用於奈米壓印之模具之製程中被重複使用，進而額外地達到經濟效益，更進一步降低製造成本。
另外，根據本發明，可使用簡單的電鑄方法來製造具有改良耐久度之用於奈米壓印之模具，不需要進行傳統複雜的分離製程，故可改良整體製程之效率，並降低製造成本。
圖5至12係根據本發明一實驗實施例，繪示有一種用於奈米壓印之模具之製造方法之製程圖。
參閱圖4至12，一聚合樹脂係被塗覆於一基板110之上，如圖5所示，以形成一格柵基底層130。
接著，如圖6所示，一壓印模具210係被排列於格柵基底130之一上部分上。在此處，如前文所述有關圖4之說明，壓印模具210係具有：複數個突起部分211，以一固定間隔排列；以及複數個溝槽，形成於各突起部分之間。在此處，溝槽之一寬度可落在 20nm至200nm之範圍內，但不限制於前文所述有關圖4之說明。
另外，可使用壓印模具210，對格柵基底層130之上部分施加壓力，以形成格柵圖案131，如圖7所示；然後，將壓印模具210與該格柵基底層分離，如圖8所示。此時，在使用壓印模具210對格柵基底層130施加壓力之後、將壓印模具210與該格柵基底層分離之前，若形成格柵基底層130之材料為一熱固性樹脂，進行一熱固化程序或若形成格柵基底層130之材料為一紫外光硬化樹脂，照射紫外光進行一光硬化程序
又，形成格柵圖案，以形成一金屬格柵基底層140。然後將一金屬材料沉積於格柵圖案131之上，如圖9所示。此時，金屬格柵基底層140可形成，以使各格柵圖案131間之一空間，如圖9所示般全部被填滿；或者，金屬格柵基底可具有一固定空間(未圖示)，形成於各格柵圖案131之間。當該固定空間係被提供於各格柵圖案131之間時，在稍後將執行之濕蝕刻製程中，可順利無礙地蝕刻金屬格柵基底層140。
在此處，可使用所有目前業界普遍使用之沉積方法如一濺鍍法、一化學氣相沉積、以及一蒸鍍法等，或者未來發展出可實施之沉積技術，將金屬材料沉積於格柵圖案131之上。另外，該金屬材料可包括下述至少一者：具有傳導性之Ni、Al、Au、Ag、Cr、Cu、或其合金。如前文所述有關圖4之說明，較佳地係使用鎳(Ni) 或一鎳合金。
如圖10所示，經由形成金屬格柵基底層140，可形成一金屬格柵圖案150；然後，使用乾蝕刻製程，對各格柵圖案131之間之空間A進行蝕刻。此時，如前文所述有關圖4之說明，藉由調整乾蝕刻製程之次數，可調整金屬格柵圖案150之一寬度及一厚度。
當金屬格柵圖案150形成以後，一電鍍層170係形成於金屬格柵圖案150之上。此時，可使用與形成金屬格柵圖案150相同之材料來形成該電鍍層。特別是，如前文所述有關圖4之說明，可使用鎳(Ni)或一鎳合金。在電鑄程序之進行中，因各金屬格柵圖案150間之一距離很窄，電鍍層在一水平方向的成長係受到限制，故電鍍層係成長於一垂直方向。又，其成長係以一放射狀進行。當電鍍層終於成長至一固定高度時，如圖11所示，可形成電鍍層170，其一形狀係為連接於金屬格柵圖案150之上。據此，可取得一模具300，其具有一結構，其中金屬格柵圖案150係形成於電鍍層170之一下部分中，如前文所述有關圖4之說明。
當模具300時形成於格柵圖案131上、然後又將模具與基板110及格柵圖案131分離後，可取得用於奈米壓印之模具300，如圖12所示。
綜上所述，雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精 神及範疇內的眾多其他修改及實施例。因此，本發明之範疇應由所附之專利範圍之範疇，而非本參考書之說明內文，來定義，且所有落入本發明範疇之修改均應被理解為被包括於本發明申請範疇之內。
11‧‧‧基板
13‧‧‧格柵圖案
14‧‧‧傳導性晶種層
15‧‧‧金屬層
16‧‧‧孔
110‧‧‧基板
130‧‧‧格柵基底層
131‧‧‧格柵圖案
140‧‧‧金屬格柵基底層
150‧‧‧金屬格柵圖案
170‧‧‧電鍍層
210‧‧‧壓印模具
211‧‧‧突起部分
300‧‧‧模具
S1,S3,S5,S7‧‧‧步驟
圖1至3係根據一習知技藝，大略繪示一種模具製造方法之製程圖；圖4係根據本發明一實驗實施例，繪示有一種用於奈米壓印之模具之製造方法之一流程圖；以及圖5至12係根據本發明另一實驗實施例，繪示有一種用於奈米壓印之模具之製造方法之製程圖。
S1,S3,S5,S7‧‧‧步驟

Claims (14)

  1. 一種用於奈米壓印之模具的製造方法，包括：形成複數個格柵圖案於一基板之上；形成一金屬格柵圖案於該格柵圖案之上；形成一電鍍層於該金屬格柵圖案之上；以及將包含有該金屬格柵圖案與該電鍍層之一模具與該格柵圖案分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該格柵圖案之步驟係包括：以一紫外光硬化樹脂塗覆該基板，以形成一格柵基底層；使用一壓印模具，對該格柵基底層施加壓力；以及以紫外光照射該格柵基底層，以硬化該格柵基底層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該格柵圖案之步驟係包括：以一熱固性樹脂塗覆該基板，以形成一格柵基底層；以及使用加熱的壓印模具，對該格柵基底層施加壓力，以硬化該格柵基底層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該格柵圖案之一寬度係落在20nm至200nm之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該金屬 格柵圖案之步驟係包括：將一金屬材料沉積於該格柵圖案之上，以形成一金屬格柵基底層；以及對該金屬格柵基底層進行濕蝕刻。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之製造方法，其中該金屬材料係由鎳(Ni)或一鎳合金形成。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之製造方法，其中，係使用下述方法中其中至少一者來將該金屬材料沉積於該格柵圖案之上：一濺鍍法、一化學氣相沉積法、以及一蒸鍍法。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之製造方法，其中，充填該格柵圖案間之一整體空間或將該金屬材料沉積於格柵圖案之上，藉此以提供一預設空間，來形成該金屬格柵圖案。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之製造方法，其中，對形成在該格柵圖案之間的該金屬格柵基底層進行蝕刻，來進行該濕蝕刻製程。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中，對形成在該格柵圖案之上的該金屬格柵基底層之一部分進行蝕刻來進行該濕蝕刻製程。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該金屬格柵圖案之一截面係具有下述形狀其中至少一者：一多邊 形、一半圓形、以及一半橢圓形。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該電鍍層之步驟係由一電鑄方法來進行之。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該電鍍層係以與該金屬格柵圖案相同之材料形成。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該電鍍層係由鎳(Ni)或一鎳合金形成。
TW101127151A 2011-07-28 2012-07-27 用於奈米壓印之模具的製造方法 TW201319636A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110075191A KR101775163B1 (ko) 2011-07-28 2011-07-28 나노 임프린트용 몰드 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노 임프린트용 몰드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201319636A true TW201319636A (zh) 2013-05-16

Family

ID=47601675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101127151A TW201319636A (zh) 2011-07-28 2012-07-27 用於奈米壓印之模具的製造方法

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR101775163B1 (zh)
CN (1) CN103842861B (zh)
TW (1) TW201319636A (zh)
WO (1) WO2013015648A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620651B (zh) * 2015-08-31 2018-04-11 伊英克加利福尼亞有限責任公司 壓花工具及其製備方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9919553B2 (en) 2014-09-02 2018-03-20 E Ink California, Llc Embossing tool and methods of preparation
CN107170675A (zh) 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 纳米线栅结构的制作方法
CN110884246A (zh) * 2018-08-16 2020-03-17 汉能移动能源控股集团有限公司 Uv转印模具及其制备方法、前板及太阳能幕墙
KR102267128B1 (ko) * 2019-07-19 2021-06-23 주식회사 제이마이크로 엔코더를 제작하는 방법
CN111716084B (zh) * 2020-07-01 2021-07-27 南京工程学院 一种蜂窝加植钉界面结构的铜/钢复合注塑模具制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6404555B1 (en) * 1998-07-09 2002-06-11 Seiko Epson Corporation Micro lens array, method of fabricating the same and display
KR100488049B1 (ko) * 2003-01-16 2005-05-06 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 제조 방법
KR20050019557A (ko) * 2003-08-19 2005-03-03 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 방법 및 이에 이용되는 고분자 조성물
KR20050121399A (ko) * 2004-06-22 2005-12-27 엘지전자 주식회사 나노임프린트를 이용한 편광판 제조 방법
CN1800984A (zh) * 2005-12-27 2006-07-12 国家纳米技术产业化基地 一种负型纳米压印方法
JP5213335B2 (ja) * 2006-02-01 2013-06-19 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法
JP2007320071A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Asahi Glass Co Ltd テンプレートおよび転写微細パターンを有する処理基材の製造方法
KR20080062854A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 엘지전자 주식회사 다층 스탬프와 그의 제조 방법, 다층 스탬프가 장착된나노 임프린트 시스템 및 다층 스탬프를 이용한 표시패널에 나노 임프린팅하는 방법
CN101205054B (zh) * 2007-12-11 2011-03-30 山东大学 一种微型金属镍模具制作方法
JP2010049745A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体
KR101610376B1 (ko) * 2009-04-10 2016-04-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 와이어 그리드 편광자의 제조 방법
CN101923282B (zh) * 2009-06-09 2012-01-25 清华大学 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法
NL2005263A (en) * 2009-09-29 2011-03-30 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620651B (zh) * 2015-08-31 2018-04-11 伊英克加利福尼亞有限責任公司 壓花工具及其製備方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101775163B1 (ko) 2017-09-05
WO2013015648A2 (en) 2013-01-31
KR20130013502A (ko) 2013-02-06
CN103842861B (zh) 2017-03-22
WO2013015648A3 (en) 2013-04-25
CN103842861A (zh) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201319636A (zh) 用於奈米壓印之模具的製造方法
KR100693992B1 (ko) 자기정렬단일층의 이형코팅이 용이한 니켈 스탬프 및제조방법
WO2018214202A1 (zh) 纳米线栅结构的制作方法
TWI466820B (zh) 奈米線格柵結構及奈米線的製造方法
KR20100074434A (ko) 쉐도우 증착과 나노전사 프린팅을 이용한 나노임프린트 리소그래피의 패턴전사 방법
KR100741343B1 (ko) 편광용 또는 정보보호용 필름의 제조방법
AU2018262130B2 (en) Methods for micro and nano fabrication by selective template removal
KR100884811B1 (ko) 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
KR101885174B1 (ko) 플라즈모닉 메타표면 제작방법
KR100744550B1 (ko) 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프, 및 이의 제작 방법
CN103503114B (zh) 具有纳米图案的透明衬底及其制造方法
KR100881233B1 (ko) 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피방법
JP4533730B2 (ja) 微細構造体成形用型材、微細構造体成形用型材の作製方法及び微細構造体の成形方法
JP2012245775A5 (ja) 成形型の製造方法及び光学素子
KR101408181B1 (ko) 나노패턴이 형성된 기판 제조방법
KR20050099888A (ko) 나노 와이어 제조 방법
KR102203701B1 (ko) 나노입자 노출을 이용한 마이크로-나노 복합 패턴의 제조 방법 및 이를 이용한 도광판의 제조 방법
KR101401579B1 (ko) 와이어 그리드 편광자 제조 방법
TWI500979B (zh) 奈米模基底及使用其之奈米模的製造方法
KR20070054896A (ko) 나노 임프린트용 스탬프 제조방법 및 그를 이용한 광 결정제조방법
US11261085B2 (en) Methods for micro and nano fabrication by selective template removal
JP2015205408A (ja) インプリント用モールドの製造方法、インプリント用モールドおよび階層構造形成体
TWI627044B (zh) 金屬零件的製造方法
KR101885793B1 (ko) 미세 패턴을 갖는 마스터 몰드 및 그 제조 방법
KR100755044B1 (ko) 임프린트 리소그래피용 스탬프의 제조 방법