JP2015205408A - インプリント用モールドの製造方法、インプリント用モールドおよび階層構造形成体 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 2
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 2
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】電子線リソグラフィ法やフォトリソグラフィ法といった各種リソグラフィ法のような煩雑な工程を用いることなく、一次凹凸構造上に、一次凹凸構造より小さな周期および高さの二次凹凸構造が形成された階層構造を有するインプリント用モールドを容易に製造する方法、インプリント用モールド及び階層構造形成体を提供する。【解決手段】インプリント用モールドの製造方法は、基材の表面上に、一次凹凸構造を形成する工程と、一次凹凸構造上に、前記一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造を形成する工程とを含む。【選択図】図１
Description
本発明は、インプリント用モールドの製造方法およびインプリント用モールドおよび階層構造形成体に関する。
近年、自然界に見られる特異的な現象に注目が集まっている。例えば、蓮の葉は非常によく水をはじくことで知られている。蓮の葉の表面には、５μｍから１５μｍ程度の高さおよび直径の突起物が、２０μｍから３０μｍ程度の周期で空間配置されていることがわかっている。さらに、この突起物表面は、ナノメートルサイズの、分泌されたワックスの微結晶で覆われていることがわかっている。
また、例えば、蛾の眼は光を反射しないことで知られている。蛾の眼の表面は、５μｍから１５μｍ程度の高さおよび直径の個眼が密に配列した複眼構造をしており、さらに各個眼の表面には、ナノメートルサイズの凹凸が形成されていることがわかっている。
このように、一次凹凸構造上に、一次凹凸構造より小さな周期および高さを有する二次凹凸構造が形成された階層構造（以下では、単に階層構造と称する）は、撥水効果や反射防止効果を示すことから、産業的に非常に有用であると言える。そのため、このような階層構造を人工的に形成し、産業利用する方法が提案されている。
階層構造を人工的に形成する方法として、例えば、ポリカーボネート膜に対して、凹面マイクロレンズ構造を有するモールドを熱ナノインプリント法により転写して一次凹凸構造を形成し、次にこの一次凹凸構造上に、ナノメートルサイズの逆円錐型構造を有するモールドを熱ナノインプリント法により転写することで、蛾の眼の複眼構造を形成する方法（特許文献１を参照）が提案されている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、階層構造を形成するために、熱ナノインプリント工程を２回実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造を保ったまま、一次凹凸構造の表面上に二次凹凸構造を転写する必要があるため、加熱温度やプレス圧といった条件を厳密に制御する必要があり、工程が煩雑になるという問題がある。
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、階層構造を形成するために、熱ナノインプリント工程を２回実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造を保ったまま、一次凹凸構造の表面上に二次凹凸構造を転写する必要があるため、加熱温度やプレス圧といった条件を厳密に制御する必要があり、工程が煩雑になるという問題がある。
これに対し、階層構造を人工的に形成する別の方法として、階層構造を有するモールドを製造し、これを一括で転写する方法が提案されている。階層構造を有するモールドを製造する方法として、例えば、マイクロメートルサイズの一次凹凸構造を有する基材を用意し、この一次凹凸構造上に、面電子源を用いた電子ビームリソグラフィ法によって、ナノメートルサイズの二次凹凸構造を形成する方法（特許文献２を参照）が挙げられる。
しかしながら、特許文献２に記載の方法は、ナノメートルサイズの二次凹凸構造を形成する際に、一次凹凸構造上にレジストを塗布する工程の後、更に、露光、現像、エッチング工程を実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造上にレジストを均一に塗布することは困難であり、工程が煩雑になるという問題がある。
しかしながら、特許文献２に記載の方法は、ナノメートルサイズの二次凹凸構造を形成する際に、一次凹凸構造上にレジストを塗布する工程の後、更に、露光、現像、エッチング工程を実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造上にレジストを均一に塗布することは困難であり、工程が煩雑になるという問題がある。
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、電子線リソグラフィ法やフォトリソグラフィ法といった各種リソグラフィ法のような煩雑な工程を用いることなく、階層構造を有するインプリント用モールドを容易に製造する方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の一局面は、基材の表面上に、一次凹凸構造を形成する工程と、一次凹凸構造上に、一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造を形成する工程とを含むインプリント用モールドの製造方法である。
また、二次凹凸構造を形成する工程において、基材上に、ランダムに配列する複数の突起物を有する無機層を形成することにより、二次凹凸構造を形成してもよい。
また、二次凹凸構造を形成する工程において、二次凹凸構造を、スパッタリング法により形成してもよい。
また、二次凹凸構造を形成する工程において、スパッタリング条件を変化させることで、突起物の配列する周期を制御してもよい。
また、二次凹凸構造を形成する工程において、二次凹凸構造が、クロムまたはクロム化合物を用いて形成されてもよい。
また、基材は、ロール状であり、二次凹凸構造を形成する工程において、一次凹凸構造および二次凹凸構造をロール状の基材に対してつなぎ目なく形成してもよい。
また、本発明の他の局面は、上述のインプリント用モールドの製造方法を用いて製造された、インプリント用モールドである。
また、本発明の他の局面は、上述のインプリント用モールドを用いたインプリント法により製造された、階層構造形成体である。
また、本発明の他の局面は、基材と、基材の表面上に形成された一次凹凸構造と、一次凹凸構造上に形成された、一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造とを含む、階層構造形成体である。
本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、一次凹凸構造上に二次凹凸構造を形成する際に、各種リソグラフィ法のような煩雑な工程を用いることなく、スパッタリング法による一段階の工程を用いるため、従来技術と比較して容易に階層構造を有するインプリント用モールドを製造できる。
また、二次凹凸構造はスパッタリング法により形成されるため、基材の材質は、スパッタリング法により無機層を堆積することが可能な材質（例えば、セラミックス、樹脂、金属等）の中から、用途に応じて適宜選択することができる。
また、二次凹凸構造はスパッタリング法により形成されるため、二次凹凸構造の材質は、スパッタリング法に用いるターゲット材料（例えば、クロム、珪素、チタン等）およびスパッタリング条件により、用途に応じて適宜選択することができる。
また、二次凹凸構造を形成する際に、スパッタリング条件を変化させることで二次凹凸構造の形状（例えば、二次凹凸構造の周期等）を容易に制御することができるため、用途に応じて二次凹凸構造の形状を適宜選択することができる。
また、二次凹凸構造は、段差被覆性に優れるスパッタリング法により形成されるため、一次凹凸構造の段差部分や側壁部分へも二次凹凸構造を形成することができる。
また、本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、ロール状の基材につなぎ目なく階層構造を形成することができる。そのため、これを転写することで、大面積の製品を容易に製造することができる。
以下、本発明の実施形態に係るインプリント用モールドの製造方法およびインプリント用モールドについて図１を参照して詳細に説明する。
まず、図１の（ａ）に示すように、基材１０を用意する。
基材１０の材質は、モールドの基材として使用するために必要な機械的強度を有し、更に、後の工程で二次凹凸構造１２を形成する無機層を堆積することが可能な材質であれば、特に限定されない。二次凹凸構造１２をスパッタリング法により形成する場合、基材１０の材質として、例えば、石英ガラス、シリコン、ニッケル、クロム、ポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴ）等が挙げられる。後の工程で、インプリント用モールド１３の構造を転写する際に、ＵＶインプリント法を用いる等の理由からモールドに透明性が求められる場合には、石英ガラスやＰＥＴ等の透明な材質を用いるとよい。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の材質を用いても構わない。
次に、図１の（ｂ）に示すように、基材１０の表面上に、一次凹凸構造１１を形成する。
一次凹凸構造１１の形状は、用途に応じて適宜選択すればよい。例えば、円錐状（円錐台状も含む）の凹部または凸部、角錐状（角錐台状も含む）の凹部または凸部、線状（断面形状が、三角形状、台形上、矩形状等）の凹部または凸部であってもよい。これらのいずれの形状においても、頂部および／または底部が面取りされていてもよい。
ここで、一次凹凸構造１１の周期や高さの定義について図２を参照して詳細に説明する。図２は、一次凹凸構造１１の任意の断面形状を模式的に示している。このような断面形状は、ＳＰＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、ＳＥＭ等の観察手法によって測定することができる。
一次凹凸構造１１の周期は、隣接する凸部の先端間の水平方向の距離ｐを指標として定義する。図２に示す一次凹凸構造１１のように、凹凸構造が非周期的に形成されている場合には、断面形状から得られる任意の５箇所の隣接する凸部の先端間の水平方向の距離ｐを測定し、これを平均した値を平均周期として定義する。
また、一次凹凸構造１１の高さは、例えば、任意の凸部３０に注目した場合凸部の頂点と、隣接する谷部との垂直方向の距離ｈ１およびｈ２の平均値ｈを指標として定義する。図２に示す一次凹凸構造１１のように、凹凸構造の高さが不均一に形成されている場合には、断面形状から得られる任意の５箇所の凸部の高さｈを測定し、これを平均した値を平均高さとして定義する。
一次凹凸構造１１の周期ｐは、用途に応じて適宜選択すればよいが、０．１μｍ以上１０００μｍ以下の範囲であると好ましい。この理由を以下に説明する。
一次凹凸構造１１の周期ｐが０．１μｍ未満であると、後の工程で形成する二次凹凸構造１２の周期と同程度か、二次凹凸構造１２の周期以下となり、撥水特性や反射防止特性に対する、階層構造による効果が得られないためである。また、一次凹凸構造１１の周期ｐが１０００μｍより大きい場合には、微視的には平面上に二次凹凸構造１２が形成されることに相当し、撥水特性や反射防止特性に対する、階層構造による効果が得られないためである。ただし、本形態の実施上問題がなければ、一次凹凸構造１１の周期ｐの範囲は特に限定されない。
また、一次凹凸構造１１の高さｈは、用途に応じて適宜選択すればよいが、０．１μｍ以上１０００μｍ以下の範囲であると好ましい。この理由を以下に説明する。
一次凹凸構造１１の高さｈが０．１μｍ未満であると、後の工程で形成する二次凹凸構造１２の高さと同程度か、二次凹凸構造１２の高さ以下となり、撥水特性や反射防止特性に対する、階層構造による効果が得られないためである。また、一次凹凸構造１１の高さｈが１０００μｍより大きい場合には、インプリント法による転写が困難になるためである。ただし、本形態の実施上問題がなければ、一次凹凸構造１１の高さｈの範囲は特に限定されない。
また、一次凹凸構造１１の高さｈは、一次凹凸構造１１の谷部の開口幅に対して、１倍以下であることが好ましい。一次凹凸構造１１の高さｈが、谷部の開口幅に対して１倍より大きい場合（一次凹凸構造１１の谷部の深さが開口幅の１倍より深く、縦長の場合とも言い得る）、後の工程で二次凹凸構造１２をスパッタリング法により形成する場合に、谷の底部に対してスパッタ粒子が到達しにくく、谷の底部において二次凹凸構造１２が形成されにくいためである。ただし、本形態の実施上問題がなければ、一次凹凸構造１１の高さが、谷部の開口幅に対して１倍より大きくても構わない。
一次凹凸構造１１の形成方法は、基材１０の材質や用途に応じて適宜選択すればよい。機械的な方法として、例えば、サンドブラストによる粗化、サンドペーパーによる粗化が挙げられる。サンドブラストによって粗化を行う場合には、投射物の硬さ、平均粒形、投射速度等の処理条件によって、一次凹凸構造１１の周期ｐや高さｈを制御することができる。サンドペーパーによって粗化を行う場合には、サンドペーパーの番手によって、一次凹凸構造１１の周期ｐや高さｈを制御することができる。
また、切削加工やレーザー加工等の微細加工技術を用いて一次凹凸構造１１を形成してもよい。この方法によれば、一次凹凸構造１１の周期ｐ、高さｈ、形状を制御することができる。
その他の方法として、ウェットエッチングが挙げられる。例えば、基材１０が単結晶（例えば、単結晶シリコン）である場合には、異方性エッチングを利用することで、マイクロメートルサイズの凹凸構造（例えば、テクスチャ構造）を形成することができる。
また、工程数が増加することが問題にならない場合には、フォトリソグラフィ法等の各種リソグラフィ法を用いることもできる。この方法によっても、一次凹凸構造１１の周期ｐ、高さｈ、形状を制御することができる。
また、工程数が増加することが問題にならない場合には、フォトリソグラフィ法等の各種リソグラフィ法を用いることもできる。この方法によっても、一次凹凸構造１１の周期ｐ、高さｈ、形状を制御することができる。
次に、図１の（ｃ）に示すように、一次凹凸構造１１の表面に、二次凹凸構造１２を形成し、インプリント用モールド１３を得る。
二次凹凸構造１２の材質は、二次凹凸構造１２の形成方法等に応じて適宜選択することができる。例えば、二次凹凸構造１２をスパッタリング法で形成する場合には、クロムやクロム化合物（例えば、窒化クロム、酸化クロム等）が好ましい。インプリント用モールド１３に透明性が求められる場合には、二酸化珪素等の透明な材質を用いるとよい。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の材質を用いても構わない。
二次凹凸構造１２の形成方法は、二次凹凸構造１２に、複数の突起物が生じるように形成することを考慮すると、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法の中でも、反応性スパッタリング法が特に好ましい。反応性スパッタリング法によれば、放電電力、スパッタガス圧力、全スパッタガス流量中の反応性ガス流量の比率、スパッタターゲットと基材１０との距離（以下、Ｔ−Ｓポジションと称する）、成膜時間等のスパッタリング条件をパラメータとして変化させることで、二次凹凸構造１２の形状（複数の突起物の形状とも言い得る）を容易に制御することができるためである。また、スパッタリング法は、段差被覆性に優れるため、一次凹凸構造の段差部分や側壁部分へも二次凹凸構造を形成することができる。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の形成方法を用いても構わない。
ここで、複数の突起物について、図３を参照して詳細に説明する。突起物とは、二次凹凸構造１２のうち、二次凹凸構造１２の上面において凹凸を形成する部位を示すが、突起物の生じ方は、二次凹凸構造１２を形成する際の条件によって異なる。例えば、図３の（ａ）および図４Ａに示すような、基材１０上に無機物が直接柱状に成長した柱状物３１を示すほか、図３の（ｂ）および図４Ｃに示すような、基材１０上に無機層が成長し、その無機層上に無機物が局所的に成長して形成された突起物３２を示すこともある。
二次凹凸構造１２の周期は、柱状物３１または突起物３２（以下では、これらをまとめて突起物と称することもある）を形成した二次凹凸構造１２の断面をＳＥＭにより観察し、断面に見られた突起物の幅を測定した値である。ここで突起物の幅について図３の（ａ）および図３の（ｂ）を用いて説明する。突起物の幅ｗは、断面図において、任意の突起物に着目した際に、左側で接する突起物との間にある溝の底部から、右側で接する突起物との間にある溝の底部までの、水平方向の距離を示す。二次凹凸構造１２は、突起物が配列することにより形成されるため、突起物の幅ｗが二次凹凸構造１２の周期と考えることができる。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造１２の周期は、断面ＳＥＭ画像からランダムに５つの突起物を抽出し、その幅ｗの平均値から算出した。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造１２の周期は、断面ＳＥＭ画像からランダムに５つの突起物を抽出し、その幅ｗの平均値から算出した。
また、二次凹凸構造１２の深さ（高さとも言い得る）は、二次凹凸構造１２の断面をＳＥＭにより観察し、断面に見られた突起物の高さを測定した値である。ここで二次凹凸構造１２の深さについて図３の（ａ）および図３の（ｂ）を用いて説明する。二次凹凸構造の深さｄは、断面図において、任意の突起物に着目した際に、突起物の先端を基準として、左側で接する突起物との間にある溝の底部までの深さｄ１と、右側で接する突起物との間にある溝の底部までの深さｄ２を測定し、ｄ１とｄ２の平均値を算出した値である。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造１２の深さは、断面ＳＥＭ画像からランダムに５つの突起物を抽出し、その深さｄの平均値から算出した。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造１２の深さは、断面ＳＥＭ画像からランダムに５つの突起物を抽出し、その深さｄの平均値から算出した。
図４Ａ、４Ｂ、４Ｃに、二次凹凸構造１２の表面ＳＥＭ画像を示す。
例えば、スパッタガスとしてアルゴンを用い、反応性ガスとして窒素を導入して、クロムをスパッタリングする場合において、放電電力を６００Ｗ、スパッタガス圧力を０．３Ｐａ、反応性ガス流量の比率を１０％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ａに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２７ｎｍであり、深さｄは１２ｎｍである。
また、例えば、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ｂに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは６１ｎｍであり、深さｄは３５ｎｍである。
また、例えば、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を４０分とすると、図４Ｃに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２２１ｎｍであり、深さｄは６０ｎｍである。
例えば、スパッタガスとしてアルゴンを用い、反応性ガスとして窒素を導入して、クロムをスパッタリングする場合において、放電電力を６００Ｗ、スパッタガス圧力を０．３Ｐａ、反応性ガス流量の比率を１０％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ａに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２７ｎｍであり、深さｄは１２ｎｍである。
また、例えば、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ｂに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは６１ｎｍであり、深さｄは３５ｎｍである。
また、例えば、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を４０分とすると、図４Ｃに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られる。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２２１ｎｍであり、深さｄは６０ｎｍである。
このように、発明者の実験によれば、前述したパラメータを制御することで、二次凹凸構造１２の形状を容易に制御することができた。このため、本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、用途に応じて二次凹凸構造１２の形状を適宜選択することができる。
また、基材１０の形状は、平板状に限らず、ロール状でもよい。以下では、スパッタリング法を用いてロール状の基材につなぎ目なく階層構造を形成する方法を、図５を参照して説明する。
図５の（ａ）に示すように、一次凹凸構造５１が形成されたロール状の基材５０を用意する。
基材５０の材質は、基材１０の材質に準ずる。また、一次凹凸構造５１の周期ｐ、高さｈ、形状、形成方法等は一次凹凸構造１１に準ずる。一次凹凸構造１１の形成方法のうち、サンドブラストによる粗化、サンドペーパーによる粗化、切削加工、レーザー加工、ウェットエッチングの各方法によれば、ロール状の基材５０に対して、一次凹凸構造５１をつなぎ目が生じることなく形成することができる。
次に、図５の（ｂ）に示すように、スパッタチャンバ内に一次凹凸構造５１を形成した基材５０を用意し、基材５０を円柱形状の軸を中心に回転させながら、スパッタターゲット６０下部の電極へ所定の電力を印加してプラズマ放電させ、基材５０の表面に形成された一次凹凸構造５１の表面上に二次凹凸構造５２を形成し、図５の（ｃ）に示すインプリント用モールド５３を得る。
図５を参照して説明した、階層構造が形成されたロール状のインプリント用モールドを形成する方法を用いると、二次凹凸構造５２は、ロールの全面に形成された一次凹凸構造５１の表面に、順次連続的に成長するため、階層構造につなぎ目が生じることはない。そのため、これをモールドとし、階層構造を転写すれば、大面積の製品を、つなぎ目等の欠陥を生じさせることなく製造することができる。
また、基材１０の形状はフィルム状でもよい。フィルム状の基材の表面上に一次凹凸構造１１を形成し、この一次凹凸構造１１の上面に二次凹凸構造１２を形成することで、フィルム状のインプリント用モールド１３を得ることができる。Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式でフィルム状のインプリント用モールド１３を製造すれば、大面積のインプリント用モールド１３を製造することができる。
尚、これまでに示したインプリント用モールド１３は、インプリント用モールドとしての用途だけでなく、直接、撥水膜や反射防止膜等の別の用途に用いてもよい。
次に、製造したインプリント用モールドの階層構造を、被転写材に転写する工程を説明する。図１の（ｄ）に示すように、基材２０を用意し、基材２０上に被転写材２１を形成し、インプリント用モールド１３の微細凹凸構造を被転写材２１に転写することで、図１の（ｅ）に示す階層構造２２を有する階層構造形成体２３を得る。
被転写材２１にインプリント用モールド１３の微細凹凸構造を転写する方法は、二次凹凸構造１２の微細凹凸構造が転写される方法であれば、特に限定されない。例えば、ＵＶインプリント法、熱インプリント法等が挙げられる。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の転写方法を用いても構わない。
基材２０の材質は、使用する転写方法に応じて適宜選択することができる。例えば、ＵＶインプリント法を用いる場合には、石英ガラス、シリコン、ＰＥＴ等が挙げられる。また、例えば、熱インプリント法を用いる場合には、石英ガラス、シリコン等が好ましい。ＰＥＴ等のポリマーフィルムを使用する場合には、転写時に基材２０を加熱する温度が、基材２０の物性が変化しない範囲である必要がある。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の材質を用いても構わない。
被転写材２１の材質は、使用する転写方法に応じて適宜選択することができる。例えば、ＵＶインプリント法を用いる場合には、光硬化性樹脂を用いるとよい。また、例えば、熱インプリント法を用いる場合には、熱可塑性樹脂を用いるとよい。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の材質を用いても構わない。
被転写材２１の形成方法は、用いる樹脂の粘度に応じて適宜選択することができる。例えば、バーコート法、スピンコート法、ダイコート法等が挙げられる。ただし、本形態の実施上問題がなければ、その他の形成方法を用いても構わない。
得られた階層構造形成体２３は、撥水、反射防止、放熱、接着等の用途に使用することができる。なお、階層構造形成体２３は上述した方法以外の方法で製造してもよい。
（実施例１）
以下に、本発明の実施例について説明する。
まず、シリコンウエハからなる基材１０を用意し（図１の（ａ））、基材１０の表面上に周期２５μｍ、直径１０μｍ、深さ１０μｍの円形の凹部をフォトリソグラフィ法により形成し、一次凹凸構造１１を形成した（図１の（ｂ））。
以下に、本発明の実施例について説明する。
まず、シリコンウエハからなる基材１０を用意し（図１の（ａ））、基材１０の表面上に周期２５μｍ、直径１０μｍ、深さ１０μｍの円形の凹部をフォトリソグラフィ法により形成し、一次凹凸構造１１を形成した（図１の（ｂ））。
次に、一次凹凸構造１１の表面上に、窒化クロムからなる二次凹凸構造１２を反応性スパッタリング法により形成し、階層構造を有するインプリント用モールド１３を得た（図１の（ｃ））。
スパッタリングに用いたクロムターゲットは純度９９．９９５％である。また、Ｔ−Ｓポジションは２５０ｍｍとした。スパッタチャンバ内にアルゴンを９０ｓｃｃｍ、窒素を１０ｓｃｃｍ導入し、スパッタチャンバ内の圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源により６００Ｗをターゲット下部の電極へ印加してプラズマ放電させた。
図４Ａに、窒化クロムからなる二次凹凸構造１２の表面ＳＥＭ画像を示す。二次凹凸構造１２の周期ｗは２７ｎｍ、深さｄは１２ｎｍであった。
次に、ＰＥＴフィルムからなる基材２０を用意し、基材２０の表面に、光硬化性樹脂をバーコーターで塗布し、膜厚２０μｍの被転写材２１を形成した（図１の（ｄ））。
次に、基材２０上に形成された被転写材２１に対して、二次凹凸構造１２面側が接触するようにインプリント用モールド１３を押し当てたまま、基材２０側からＵＶ光を照射して被転写材２１を硬化させ、インプリント用モールド１３を離型し、階層構造形成体２３を得た（図１の（ｅ））。
また、二次凹凸構造１２を反応性スパッタリング法により形成する際のスパッタリング条件を変更することで、以下に示す二次凹凸構造１２を有するインプリント用モールド１３が得られた。なお、以下に記載の条件以外は、実施例１と同一にした。
（実施例２）
放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ｂに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られた。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは６１ｎｍであり、深さｄは３５ｎｍであった。
放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を１０分とすると、図４Ｂに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られた。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは６１ｎｍであり、深さｄは３５ｎｍであった。
（実施例３）
また、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を４０分とすると、図４Ｃに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られた。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２２１ｎｍであり、深さｄは６０ｎｍであった。
また、放電電力を８００Ｗ、スパッタガス圧力を０．２Ｐａ、反応性ガス流量の比率を７％、Ｔ−Ｓポジションを２５０ｍｍ、成膜時間を４０分とすると、図４Ｃに示す表面形態を有する二次凹凸構造１２が得られた。この場合、二次凹凸構造１２の周期ｗは２２１ｎｍであり、深さｄは６０ｎｍであった。
このように、発明者の実験によれば、前述したパラメータを制御することで、二次凹凸構造１２の形状を容易に制御することが確認できた。このため、本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、用途に応じて二次凹凸構造１２の形状を適宜選択することができる。
本発明のインプリント用モールドの製造方法およびインプリント用モールドは、階層構造を形成することが求められる広範な分野に利用することが期待される。例えば、撥水、反射防止、放熱、接着等の用途に利用することが期待される。
１０、２０、５０ 基材
１１、５１ 一次凹凸構造
１２、５２ 二次凹凸構造
１３、５３ インプリント用モールド
２１ 被転写材
２２ 階層構造
２３ 階層構造形成体
３０ 凸部
３１ 柱状物
３２ 突起物
６０ スパッタターゲット
１１、５１ 一次凹凸構造
１２、５２ 二次凹凸構造
１３、５３ インプリント用モールド
２１ 被転写材
２２ 階層構造
２３ 階層構造形成体
３０ 凸部
３１ 柱状物
３２ 突起物
６０ スパッタターゲット
Claims (9)
- 基材の表面上に、一次凹凸構造を形成する工程と、
前記一次凹凸構造上に、前記一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造を形成する工程とを含む、インプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
前記基材上に、ランダムに配列する複数の突起物を有する無機層を形成することにより、前記二次凹凸構造を形成する、請求項１記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
前記二次凹凸構造を、スパッタリング法により形成する、請求項１または２に記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
スパッタリング条件を変化させることで、前記突起物の配列する周期を制御する、請求項３に記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
前記二次凹凸構造を、クロムまたはクロム化合物を用いて形成する、請求項１から４のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記基材は、ロール状であり、
前記二次凹凸構造を形成する工程において、前記一次凹凸構造および前記二次凹凸構造を前記ロール状の基材に対してつなぎ目なく形成する、請求項１〜５のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 請求項１〜６のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法を用いて製造された、インプリント用モールド。
- 請求項７に記載のインプリント用モールドを用いたインプリント法により製造された、階層構造形成体。
- 基材と、前記基材の表面上に形成された一次凹凸構造と、前記一次凹凸構造上に形成された、前記一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造とを含む、階層構造形成体。
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| JP2015060983A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 凸版印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法およびナノインプリント用モールド |
| WO2022019264A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | キヤノン株式会社 | 吸光遮熱膜、吸光遮熱部材、および物品、並びにそれらの製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133614A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 拡散反射板及びその転写原型、その製造方法及びそれを用いたベースフィルム、転写フィルム、並びにこれらを用いた拡散反射板の製造方法 |
| JP2011051153A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | 蛍光レジスト組成物および、その用途 |
| JP2012201081A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 照明光路制御用光学レンズシートの製造用金型及び前記金型を用いて製造する前記シートおよび前記金型を用いて前記シートを製造する方法並びに液晶表示装置並びにディスプレイ |
| JP2013086294A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Tohoku Univ | ナノインプリント用複製モールド |
| JP2013142741A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用原版 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001133614A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 拡散反射板及びその転写原型、その製造方法及びそれを用いたベースフィルム、転写フィルム、並びにこれらを用いた拡散反射板の製造方法 |
| JP2011051153A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | 蛍光レジスト組成物および、その用途 |
| JP2012201081A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 照明光路制御用光学レンズシートの製造用金型及び前記金型を用いて製造する前記シートおよび前記金型を用いて前記シートを製造する方法並びに液晶表示装置並びにディスプレイ |
| JP2013086294A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Tohoku Univ | ナノインプリント用複製モールド |
| JP2013142741A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用原版 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015060983A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 凸版印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法およびナノインプリント用モールド |
| WO2022019264A1 (ja) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | キヤノン株式会社 | 吸光遮熱膜、吸光遮熱部材、および物品、並びにそれらの製造方法 |
| GB2612240A (en) * | 2020-07-22 | 2023-04-26 | Canon Kk | Light absorptive heat shielding film, light absorptive heat shielding member, article, and methods for manufacturing same |
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