JP6372145B2 - インプリント用モールドの製造方法、インプリント用モールドおよび階層構造形成体 - Google Patents
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しかしながら、特許文献1に記載の方法は、階層構造を形成するために、熱ナノインプリント工程を2回実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造を保ったまま、一次凹凸構造の表面上に二次凹凸構造を転写する必要があるため、加熱温度やプレス圧といった条件を厳密に制御する必要があり、工程が煩雑になるという問題がある。
しかしながら、特許文献2に記載の方法は、ナノメートルサイズの二次凹凸構造を形成する際に、一次凹凸構造上にレジストを塗布する工程の後、更に、露光、現像、エッチング工程を実施する必要があり、生産性が悪い。また、一次凹凸構造上にレジストを均一に塗布することは困難であり、工程が煩雑になるという問題がある。
また、工程数が増加することが問題にならない場合には、フォトリソグラフィ法等の各種リソグラフィ法を用いることもできる。この方法によっても、一次凹凸構造11の周期p、高さh、形状を制御することができる。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造12の周期は、断面SEM画像からランダムに5つの突起物を抽出し、その幅wの平均値から算出した。
尚、突起物はランダムに形成されるため、各突起物の形状は相異なっている。そのため、二次凹凸構造12の深さは、断面SEM画像からランダムに5つの突起物を抽出し、その深さdの平均値から算出した。
例えば、スパッタガスとしてアルゴンを用い、反応性ガスとして窒素を導入して、クロムをスパッタリングする場合において、放電電力を600W、スパッタガス圧力を0.3Pa、反応性ガス流量の比率を10%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を10分とすると、図4Aに示す表面形態を有する二次凹凸構造12が得られる。この場合、二次凹凸構造12の周期wは27nmであり、深さdは12nmである。
また、例えば、放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を10分とすると、図4Bに示す表面形態を有する二次凹凸構造12が得られる。この場合、二次凹凸構造12の周期wは61nmであり、深さdは35nmである。
また、例えば、放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を40分とすると、図4Cに示す表面形態を有する二次凹凸構造12が得られる。この場合、二次凹凸構造12の周期wは221nmであり、深さdは60nmである。
以下に、本発明の実施例について説明する。
まず、シリコンウエハからなる基材10を用意し(図1の(a))、基材10の表面上に周期25μm、直径10μm、深さ10μmの円形の凹部をフォトリソグラフィ法により形成し、一次凹凸構造11を形成した(図1の(b))。
放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を10分とすると、図4Bに示す表面形態を有する二次凹凸構造12が得られた。この場合、二次凹凸構造12の周期wは61nmであり、深さdは35nmであった。
また、放電電力を800W、スパッタガス圧力を0.2Pa、反応性ガス流量の比率を7%、T−Sポジションを250mm、成膜時間を40分とすると、図4Cに示す表面形態を有する二次凹凸構造12が得られた。この場合、二次凹凸構造12の周期wは221nmであり、深さdは60nmであった。
11、51 一次凹凸構造
12、52 二次凹凸構造
13、53 インプリント用モールド
21 被転写材
22 階層構造
23 階層構造形成体
30 凸部
31 柱状物
32 突起物
60 スパッタターゲット
Claims (5)
- 基材の表面上に、一次凹凸構造を形成する工程と、
前記一次凹凸構造上に、スパッタリング法により前記一次凹凸構造の周期および高さより小さな周期および高さを有する二次凹凸構造を形成する工程とを含み、
前記一次凹凸構造を形成する工程において、前記一次凹凸構造の高さを、前記一次凹凸構造の谷部の開口幅に対して、1倍以下となるように形成する、インプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
前記基材上に、ランダムに配列する複数の突起物を有する無機層を形成することにより、前記二次凹凸構造を形成する、請求項1記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
スパッタリング条件を変化させることで、前記突起物の配列する周期を制御する、請求項1に記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記二次凹凸構造を形成する工程において、
前記二次凹凸構造を、クロムまたはクロム化合物を用いて形成する、請求項1から3のいずれか一項に記載のインプリント用モールドの製造方法。 - 前記基材は、ロール状であり、
前記二次凹凸構造を形成する工程において、前記一次凹凸構造および前記二次凹凸構造を前記ロール状の基材に対してつなぎ目なく形成する、請求項1から4のいずれか一項に記載のインプリント用モールドの製造方法。
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