JP5211505B2 - インプリントモールド、インプリントモールド製造方法及び光インプリント法 - Google Patents
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Description
インプリント法において、ナノメーターレベルのものを特にナノインプリント法と呼ぶが、以降、単にインプリント法と称するときはナノインプリント法も含むものとする。
本発明のインプリントモールドは
インプリントモールドと転写基板との接触面と、
コヒーレントな露光光を発する露光光源と、の間に、
インプリントモールドに用いた材料の屈折率と、異なる屈折率を有する位相変位層を備えたこと
を特徴とする。
このとき、位相変位層は、凹凸パターンの凹パターン部/凹凸パターンの凸パターン部のいずれに相対するように配置してもかまわない。図3に凹凸パターンの凸パターン部に選択的に位相変位層を配置した場合の、本発明のインプリントモールドの一例を示す。
図2(a)でモールド100に対して入射したコヒーレント光200の波面Aは410、420部で示したモールド100の凹凸部間で距離A、距離Bをそれぞれ通過する。この凸パターン部の断面寸法(距離A)と凹パターン部の断面寸法(距離B)の差分距離Cをコヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長にすれば、波面Bは隣り合った410、420で相対して位相反転した光として射出される。
図3において、凹凸パターンの寸法をt1、位相変位層の厚みをt2とする。
図3の場合、数1において、Tが2つに分かれることに相当し、Tとnは別々のt1、t2、nr、n2に分割される。また、位相反転を発現させる光の伝播媒体の屈折率が波面Aの段階では一般に大気中(屈折率nair=1)であり、波面Bでは光硬化性樹脂中(屈折率nr)となる。
まず、数1を数2に変形する。
λ:193nm(ArFエキシマレーザーの波長)
nq:1.5(石英ガラス基板10の屈折率)
t1:100nm(凹凸パターンの寸法)
n2:2.5(位相変化層90の屈折率)
nr:1.7(光硬化樹脂の屈折率)
nair:1(大気の屈折率)
本発明のインプリントモールド製造方法は、
基板に凹凸パターンを形成する工程と、
前記凹凸パターンを形成した基板表面とは逆側の基板表面に位相変位層を積層する工程と、
前記位相変位層を、前記凹凸パターンと相対するようにパターニングする工程と、を備えたこと
を特徴とする。
まず、基板に凹凸パターンを形成する。
次に、凹凸パターンを形成した基板表面とは逆側の基板表面に位相変位層を積層する。
次に、位相変位層を、凹凸パターンと相対するようにパターニングする。
このとき、凹凸パターンとのアライメントのために、基板表裏の位置あわせを行う工程を、位相変位層をパターニングする工程前に行うことが好ましい。
本発明の光インプリント法は、
露光光がコヒーレントな光であり、
位相変位層を備えたインプリントモールドを用意する工程と、
転写基板に光硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを接合し、前記インプリントモールド側から前記転写基板に露光光を照射する工程と、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを剥離する工程と、
露光光を照射した光硬化性樹脂に現像処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とする。
以下、本発明のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す。当然のことながら、本発明のインプリントモールド製造方法は下記実施例に限定されず、各工程において類推することの出来る他の製造方法であっても良い。
このとき、基板表裏の位置あわせはマスクパターン50を基準に行った。
以上より、本発明のインプリントモールドの一例であるモールド100を製造することが出来た。
以下、本発明の光インプリント法の実施の一例を、図4を用いて具体的に説明を行う。当然のことながら、本発明の光インプリント法は下記実施例に限定されず、各工程において類推することの出来る他の光インプリント法であっても良い。
このとき、所望する転写パターンに不要な残膜150も同時に除去された(図7(e))。
以上より、転写基板に転写パターン130を形成することが出来た。
20 犠牲膜
30 レジスト
40 レジストパターン
50 マスクパターン
60 凹凸パターン
70 光透過材料
80 レジストパターン
90 位相変位層
100 モールド
110 転写基板
120 光硬化性樹脂
130 転写パターン
140 未硬化部分
150 残膜
160 転写モールド
200 コヒーレント光
410 距離A部
420 距離B部
430 回折光
440 合成光強度
Claims (6)
- 転写基板とインプリントモールドとを接触させ、露光光により光硬化性樹脂を硬化させる光インプリント法に用いるインプリントモールドであって、
インプリントモールドと転写基板との接触面側に凹凸パターンが形成され、前記凹凸パターン形成面と逆側の面に、インプリントモールドに用いた材料の屈折率と異なる屈折率を有する位相変位層を備えたこと
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1に記載のインプリントモールドであって、
基板に微細な凹凸パターンが形成され、
前記凹凸パターンが形成された基板表面とは逆側の基板表面に、前記位相変位層を少なくとも一層以上積層し、
前記位相変位層は、前記凹凸パターンの凹部または凸部に対応するようにパターニングされていること
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1または2のいずれかに記載のインプリントモールドであって、
前記位相変位層は、モリブデン、タングステン、タンタル、シリコン、酸素、窒素、からなる群より選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含む材料であること
を特徴とするインプリントモールド。 - 請求項1から3のいずれかに記載のインプリントモールドであって、
位相変位層は、凹凸パターンの凸パターン部に相対するようにパターニングされ、
前記位相変位層は、前記転写基板側に到達する露光光強度を制御すること
を特徴とするインプリントモールド。 - 光インプリント法に用いる請求項1〜4何れかに記載のインプリントモールドの製造方法であって、
基板に凹凸パターンを形成する工程と、
前記凹凸パターンを形成した基板表面とは逆側の基板表面に位相変位層を積層する工程と、
前記積層した位相変位層を、前記凹凸パターンの凹部または凸部に対応する位置に、パターニングする工程と、を備えたこと
を特徴とするインプリントモールド製造方法。 - 露光光により樹脂を硬化させる光インプリント法において、
露光光がコヒーレントな光であり、
請求項1〜4何れかに記載のインプリントモールドを用意する工程と、
転写基板に光硬化性樹脂を塗布する工程と、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを接触させ、前記インプリントモールド側から前記転写基板に露光光を照射する工程と、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを剥離する工程と、
露光光を照射した前記光硬化性樹脂に現像処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
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JP2007040527A JP5211505B2 (ja) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | インプリントモールド、インプリントモールド製造方法及び光インプリント法 |
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JP4892025B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-03-07 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP2011103362A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP5392145B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-01-22 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
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Publication number | Publication date |
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