KR100665038B1 - 점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에의한 나노패턴 전사방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 CNP 공정에 사용되는 스탬프에 별도의 점착 방지막을 형성한 스탬프를 개발하여 스탬프와 기판의 분리를 용이하게 함으로써 전사 패턴에 왜곡이나 결함이 없는 점착 방지막을 지니는 스탬프 및 이에 의한 나노패턴 전사방법을 제공한다.

이를 위하여 본 발명에 의한 점착 방지막을 지니는 스탬프는 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스탬프로서, 나노 크기의 패턴이 형성된 투명 기판과, 상기 기판의 일부 표면에 형성되는 불투명 금속막과, 상기 금속막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 점착 방지막을 포함한다. 또한, 상기 스탬프는 상기 점착 방지막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 소수성을 증가시키는 자기 조립막을 더 포함할 수 있다.

CNP, NIL, 스탬프, 나노패턴, 점착방지막, 자기조립막

Description

점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에 의한 나노패턴 전사방법{STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF ANTI-ADHESIVE HYBRID MASK AND NANO IMPRINTING METHOD THEREBY}

도 1a 내지 도 1e는 통상적으로 사용되는 CNP 공정을 설명하기 위한 공정도.

도 2는 도 3은 본 발명에 의한 스탬프의 구조를 나타내는 개략도.

도 4a 및 도 4b는 각각 본 실시예에 의해 제조된 AHMM 스탬프와 종래 기술에 의한 HMM 스탬프에 있어서 물을 떨어뜨려 측정한 소수성 특성을 나타내는 사진.

도 5a 및 도 5b는 각각 본 실시예에 의해 제조된 AHMM 스탬프와 종래 기술에 의한 HMM 스탬프를 사용한 CNP 공정을 행하여 전사된 패턴을 나타내는 주사형 전자현미경 사진.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1: 스탬프 2: 투과 방지막

3: 전사층 4: 기판

10: AHMM 스탬프 11: 투명판

12: 홈 13: 투과 방지막

14: 점착 방지막 15: 자기 조립막

본 발명은 나노패턴의 전사 기술에 관한 것으로, 특히 점착 방지막을 지니는 스탬프를 개발하여 전사층이 도포된 기판에 결함없는 패턴의 전사가 가능한 점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에 의한 나노패턴 전사방법에 관한 것이다.

최근에 개발된 나노 임프린트 리소그래피 기술(Nano Imprint Lithography: NIL; 이하, NIL 기술이라 한다)은 나노 크기의 패턴이 형성되어 있는 스탬프를 제작하고, 이를 기판 위에 도포된 포토 레지스트 또는 수지에 바로 전사하여 나노 크기의 미세패턴을 형성하는 기술이다.

이러한 NIL 기술은 낮은 생산비용 및 높은 생산효율을 가능하게 하고, 실온 및 상압에서의 공정이 가능하다는 장점을 지니고 있으며, 또한 오직 이에 사용되는 스탬프(Stamp)에 의해서만 그 해상도가 결정된다. 특히, 최근에는 광 도파로(Optical Waveguide), 광 디스크(Optical Disc), 광집적회로(Integrated Photonic Circuit), 바이오 칩(Bio-chip) 등의 나노 구조물 제작에도 NIL 기술이 적용되어 그 적용 분야가 확대되고 있다.

NIL 기술은 전사층인 포토 레지스트 또는 수지를 경화시키는 방식에 따라 크게 2가지로 나눌 수 있다. 하나는 열을 이용하여 경화시키는 열 임프린트 방식이고, 다른 하나는 자외선(Ultra Violet)을 이용하는 자외선-임프린트 방식이다.

이러한 두 방식 모두 공통적으로 기계적인 몰딩 방식에 기초하고 있어서 여 러 가지 기술적인 문제점들이 많은데, 그 중 가장 심각한 문제로서 패턴전사 공정 후의 전사층에 있어서 포토 레지스트 등이 잔류하여 이른바 잔류층을 형성한다는 것이다.

이러한 잔류층은 최종 나노 패턴의 정밀도 및 품질을 크게 떨어뜨리고 오염도를 증가시키는 것이므로, 이러한 문제를 해결하기 위하여 후속공정으로서 비등방성 식각인 건식에칭 공정을 추가하여 형성된 잔류층을 제거하고 있다. 그러나, 전체 공정 중에서 임프린팅 시간이 비교적 짧은 시간 내에 모두 이루어지는 것을 고려할 때, 상기 건식에칭의 추가는 전체 공정 시간을 심각하게 증가시킨다는 문제점을 초래한다. 더구나, 이들 잔류층은 균일하지 못하므로, 이의 제거시간을 예측하기 어렵고 또한 무엇보다도 심각한 면적손실(Critical Dimension Loss: CD Loss)을 초래하여 결국에는 균일한 최종 패턴의 형성이 힘들어진다.

이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로서 기계적인 NIL 기술에 통상적인 사진식각 기술을 접목시킨 이른바 CNP(Combined Nanoimprint and Photolithography) 공정이 개발되어 사용되고 있다(S.V. Sreenivasan et al, NIST-SPIE Conference on Nanotechnology, Sep, 2001).

도 1a 내지 도 1e는 통상적으로 사용되는 CNP 공정을 설명하기 위한 공정도이다.

먼저 제 1단계로서, 자외선의 투과가 가능한 투명판의 양각된 패턴 위에 불투명한 투과 방지막(2)이 코팅된 스탬프(1)를 이용하여 전사층(3)이 도포된 기판(4)을 소정의 압력으로 가압하여 패턴을 임프린팅한다(도 1a). 이때, 사용되는 상 기 스탬프(1)는 일반적으로 하이브리드 마스크 몰드(Hybrid Mask Mold: HMM, 이하 HMM 스탬프라 한다)라 불리며, 상기 투명판의 재질로는 석영(Quartz), 유리, 사파이어, 다이아몬드 등을 사용하고, 상기 투과 방지막(2)의 재질로는 Ni, Cr 등의 금속을 사용한다. 또한, 전사층(3)의 재질로는 일반적으로 포토 레지스트 또는 수지를 사용하며, 기판(4)의 재질로는 실리콘, 유리 등을 사용하고 그 용도에 따라 달라질 수 있다.

제 2단계로서, 기계적인 임프린팅으로 기판(4)과 HMM 스탬프(1)를 결합시킨 후, 자외선을 조사한다(도 1b). 이때, 투과 방지막(2) 하부에 위치하는 부분을 제외한 전사층(3)은 모두 자외선이 투과되어 자외선에 의한 경화가 발생한다.

제 3단계로서, 앞서와 같이 전사층(3)에서 충분히 경화를 발생시킨 후에 HMM 스탬프(1)과 기판(4)을 분리해낸다(도 1c).

제 4단계로서, 나노 패턴이 형성된 기판(4)에서 전사층(3)을 제거하기 위하여 통상의 현상공정을 행한다. 이때, 경화가 일어나지 않은 전사층(3)은 화학적으로 제거된다(도 1d). 도 1e는 상기 제 1 내지 제 4 단계의 공정으로 최종적으로 제조된 나노 패턴을 도시한다.

그러나, 이러한 CNP 공정에 있어서 실제로는 최종 나노 패턴에서 잔류층 형성의 완전한 억제가 어렵고, 특히, 상기 제 3단계의 분리공정에 있어서 일부 전사층이 스탬프에 달라붙거나 심지어 기판으로부터 떨어져 나가는 문제가 발생한다. 이는 전사공정의 정밀도 등을 크게 떨어뜨리게 되므로, 나노 구조물의 제조에 큰 걸림돌이 되고 있는 실정이다.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 CNP 공정에 사용되는 스탬프에 별도의 점착 방지막을 형성한 스탬프를 개발하여 스탬프와 기판의 분리를 용이하게 하여 전사 패턴에 왜곡이나 결함이 없는 점착 방지막을 지니는 스탬프 및 이에 의한 나노패턴 전사방법을 제공하는 데 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 점착 방지막을 지니는 스탬프는 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스탬프로서, 나노 크기의 패턴이 형성된 투명 기판과, 상기 기판의 일부 표면에 형성되는 불투명 금속막과, 상기 금속막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 점착 방지막을 포함한다.

또한, 상기 스탬프는 상기 점착 방지막의 표면에 형성되어 상기 스탬프의 소수성을 증가시키는 자기 조립막을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 스탬프는 상기 금속막과 상기 점착 방지막 사이에 버퍼층을 삽입하여 상기 점착 방지막의 부착강도를 증가시킬 수도 있다.

또한, 본 발명에 의한 점착 방지막을 지니는 스탬프의 제조방법은 투명 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 표면에 불투명 금속막을 증착하여 상기 기판과 상기 금속막을 동시에 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 금속막의 표면에 상기 스탬프의 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 점착 방지막을 증착하는 단계를 포함한다.

또한, 상기 스탬프의 제조방법은 상기 점착 방지막의 표면에 상기 스탬프의 소수성을 증가시키는 자기 조립막을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

또한, 본 발명에 의한 나노패턴 전사방법은 상기와 같이 제조되어 점착 방지막, 자기 조립막을 적어도 어느 하나 이상을 지니는 스탬프를 사용하여 전사층이 도포된 기판을 압착하여 상기 기판 상에 나노패턴을 형성한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하며 본 발명을 상세히 설명한다.

도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 스탬프의 구조를 나타내는 개략도이다.

본 발명에서는 앞서 설명한 바 있는 종래의 HMM 스탬프에 별도의 점착 방지막을 형성하여 스탬프와 기판의 분리를 용이하게 한 AHMM(Anti-adhesive Hybrid mask Mold) 스탬프를 개발하였다.

이를 위하여 본 발명에 의한 AHMM 스탬프(10)는 양각화된 투명판(11) 상에 순차적으로 형성된 투과 방지막(13), 점착 방지막(14)을 포함하며, 상기 점착 방지막(14)의 상부에 자기 조립막(15)을 더 선택적으로 포함할 수 있다.

특히, 본 발명에서는 상기 점착 방지막(14)을 표면 에너지 또는 마찰계수가 작은 물질로 선택하여 이를 상기 투과 방지막(13)의 표면에 도포함으로써 전사층(미도시) 일부가 스탬프(10)의 표면에 점착되는 것을 방지한다. 즉, 점착 방지막(14)의 도포로 인하여 감소한 스탬프(10)의 표면 에너지 또는 마찰계수는 상기 전사층 물질의 점착을 방해하게 된다. 예를 들어, 점착 방지막(14)이 도포된 스탬프(10)를 사용하는 CNP 공정에 있어서는 임프린팅과 노광 후에 HMM 스탬프를 전사층 으로부터 분리시킬 때 일부 전사층이 상기 HMM 스탬프에 달라붙거나 또는 기판으로부터 떨어져 나가는 현상이 방지될 수 있다. 또한, 상기 HMM 스탬프에 달라붙는 현상이 방지되므로, 상기 HMM 스탬프 표면의 오염도가 현저하게 감소될 수 있다.

또한, 본 발명에서는 자기 조립막(15)을 소수성 물질로 형성하여 상기 점착 방지막(14)의 표면에 최종 도포함으로써 스탬프(10)의 소수성을 강화시킬 수 있다. 이는 일반적으로 사용되는 전사층의 재료가 친수성임을 감안할 때 점착 방지막(14)으로 인한 효과를 더욱 증진시키게 된다. 즉, 스탬프(10)로 전사층을 압착하여 전사한 후 상기 스탬프와 전사층을 분리하는 공정에 있어서 친수성과 소수성이라는 상호 상반되는 성질로 인하여 그 분리가 용이하게 된다.

먼저, 본 발명에 의한 AHMM 스탬프(10)는 자외선의 투과가 가능한 투명판(11)으로 제조된다. 상기 투명판(11)의 재질로는 최종 나노패턴의 용도에 따라 달라지며, 예를 들어 석영(Quartz), 석영유리(Fused Silica), 사파이어, 다이아몬드 등으로 됨이 바람직하다. 또한, 상기 투명판(11)은 나노 크기의 홈(Groove; 12)이 형성되도록 e빔 리소그래피 등 통상적인 방법을 통하여 양각될 수도 있다.

또한, 상기 투명판(11)의 표면에는 불투명한 금속막으로 되는 투과 방지막(13)이 통상적인 방법으로 증착된다. 투과 방지막(13)은 앞서 설명한 바 있듯이 CNP 공정의 자외선 조사단계에 있어서 상기 자외선을 차단하는 마스크(Mask)로서 기능하며, 특히 Cr, Ni, Pt, Au, Ag, Ir, Ru, Mo 등에서 적어도 어느 하나의 재질로 됨이 바람직하다. 또한, 상기 투명판(11)을 앞서와 같이 별도로 먼저 양각하지 않고, 상기 투과 방지막(13)을 상기 투명판(11)에 전면 증착한 후에 상기 투 명판(11)과 상기 투과 방지막(13)을 순차적으로 식각할 수도 있다.

그리고, 상기 투과 방지막(13)의 상부에는 스탬프(10)와 전사층(미도시) 간의 분리를 용이하게 하는 점착 방지막(14)이 도포된다. 상기 점착 방지막(14)은 표면 에너지 또는 마찰계수가 적은 물질로 되며, 특히 2원계 금속 산화막으로 됨이 바람직하고, 특히 SiO₂, Al₂O₃, Y₂O₃, HfO₂, ZrO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, TiO₂, NiO, ZnO, MgO 등에서 적어도 어느 하나 이상의 재질로 됨이 매우 바람직하다. 또한, 이 외에도 상기 열거된 2원계 금속 산화막 물질들 중에서 Si 등과 같이 단원자이며 비금속인 고체 원소도 사용이 가능하다.

이때, 상기 투과 방지막(13)과 점착 방지막(14) 사이에는 상기 투과 방지막(13)의 부착 정도를 증가시키기 위한 일종의 버퍼(Buffer) 층이 삽입되어 형성될 수도 있다(미도시). 예를 들어, 투과 방지막(13)이 Ni 재질이고 점착 방지막(14)이 SiO₂ 재질로 되는 경우, 투과 방지막(13)과 점착 방지막(14) 사이에 Ti 재질로 되는 버퍼층을 증착할 수도 있다.

그리고, 최종적으로 상기 점착 방지막(14) 상부에는 소수성 물질로 되는 자기 조립막(15)이 형성될 수 있다. 앞서 설명하였듯이, 친수성으로 되는 전사층으로부터의 분리를 더욱 증진시키게 된다. 이러한 자기 조립막(15)은 표면에 반응하는 리간드(Y(CH₂)_nX)를 포함하는 용액에 기판을 담그거나 반응 시드(Seed)로 구성된 기체에 기판을 노출시켜서 스탬프의 표면에 단층 분자막으로 형성될 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세히 설 명한다. 다만, 본 발명이 하술하는 실시예는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공되는 것이며, 본 발명은 상기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

실시예

먼저 석영을 투명판(11)의 재질로 준비한 후, 상기 투명판(11)의 상부에 투과 방지막으로서 Cr을 100nm 두께로 증착하였다.

그리고, 통상적인 현상 및 식각공정을 통하여 상기 Cr층을 100nm 식각하고, 상기 투명판(11)을 300nm를 식각하였다.

그리고, 상기 Cr층 상부에 점착 방지막으로서 5 내지 20nm 두께의 SiO₂ 층을 CVD 방법으로 증착하여 최종의 AHMM 스탬프를 제작하였다.

또한, 상기 AHMM 스탬프의 소수성을 증가시키기 위하여 자기 조립막을 스탬프 위에 코팅하였다. 이를 위하여, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl (HTH)기와 3개의 Cl이 Si를 중심으로 결합된 heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl trichlorosilane을 H₂O 3분자와 반응시켜 HTH-Si-(OH)₃를 제조하였고, 이를 스탬프 표면과 반응시켜 소수성의 HTH가 스탬프의 반대편 방향으로 배열된 자기 조립막을 형성하였다.

도 4a 및 도 4b는 스탬프에 물을 떨어뜨려 측정한 소수성 특성을 나타내는 사진으로서, 도 4a는 본 실시예에 의해 제조된 AHMM 스탬프의 소수성 특성을, 도 4b는 종래 기술에 의한 HMM 스탬프의 소수성 특성을 나타낸다.

측정된 접촉각은 종래 기술에 의한 HMM 스탬프의 경우는 93°였고, 본 실시 예에 의한 AHMM 스탬프는 132°였다. 이로써, 본 실시예에 의한 AHMM 스탬프가 종래보다 매우 향상된 소수성을 지니고 있음을 알 수 있다.

또한, 본 실시예에 있어서는 위와 같이 제조된 AHMM 스탬프를 사용하여 CNP 공정을 행하였다.

먼저 기판 상부에 네가티브형 포토 레지스트 층을 전사층으로서 형성하였다. 이때, 상기 네가티브형 포토 레지스트로는 75cPs의 점성도를 가지는 네가티브 톤의 DNR-L300-30을 사용하였으며, 통상 10cPs 정도의 유동성이 있어야 전사작업이 편리하므로, 상기 포토 레지스트에 Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate를 용매로서 첨가하면서 상기 점성도를 조절하였다.

그리고, 상기 제조된 AHMM 스탬프를 사용하여 3MPa의 압력을 1 내지 3분간 가하여 상기 포토 레지스트 층에 상기 AHMM 스탬프를 임프린팅하였다.

그리고, 365nm 파장의 UV source를 이용하여 2.77mW/cm²로 300초 동안 UV를 조사하여 상기 Cr층이 겹치지 않는 부위의 상기 포토 레지스트 층을 경화시켰다.

그리고, 상기 AHMM 스탬프와 상기 기판을 분리하여 상기 전사층에 상기 AHMM 스탬프와 반대의 패턴이 전사된 후, 핫 플레이트에서 110℃에서 2분간 베이킹하였고, 30초 동안 통상의 현상 공정으로 상기 전사층에서 UV가 조사되지 않은 포토 레지스트를 제거하였다. 이때, 상기 베이킹 공정을 생략하면 UV가 조사된 부위의 포토 레지스트마저도 제거될 수 있으므로, 상기 베이킹 공정을 실시하는 것이 바람직하며, 특히 상기 베이킹 공정은 100 내지 150℃에서 20초 내지 3분 동안 실시하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 기판을 식각하여 패터닝한 후, 잔존하는 포토 레지스트를 제거하여 최종적으로 나노패턴이 형성된 기판을 제조하였다.

도 5a 및 도 5b는 각각 CNP 공정을 행하여 전사된 패턴을 나타내는 주사형 전자현미경(SEM) 사진으로서, 도 5a는 본 실시예에 의해 제조된 AHMM 스탬프를 사용한 것이고, 도 5b는 종래 기술에 의한 HMM 스탬프를 사용한 것이다.

종래 기술에 의한 HMM 스탬프로 전사한 경우에는 전사된 패턴의 하단부분이 일부 상실된 것을 확인할 수 있는데, 이는 CNP 공정에 있어서 HMM 스탬프를 전사층에 임프린팅하고 노광시킨 후 상기 HMM 스탬프와 상기 전사층을 분리시킬 때 일부 전사층이 상기 기판으로부터 떨어져 나가며 발생한 것이다. 그러나, 본 실시예의 AHMM 스탬프로 전사한 경우는 종래 기술과는 달리 상실된 패턴이 전혀 없는 무결점인 패턴이 형성되었음을 확인할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 AHMM 스탬프는 표면 에너지 또는 마찰계수를 감소시키는 점착 방지막을 그 표면에 형성함으로써 일부 전사층의 스탬프로의 점착을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 점착 방지막의 표면에 자기 조립막을 형성하여 그 효과를 증진할 수 있다.

이에 따라, 통상적인 CNP 공정에 있어서 본 발명에 의한 AHMM 스탬프를 사용하면, 임프린팅과 노광 후에 스탬프를 전사층으로부터 분리시킬 때 일부 전사층이 스탬프에 달라붙거나 또는 기판으로부터 떨어져나가는 현상을 방지할 수 있으며, 또한 스탬프 표면의 오염도를 크게 감소시킬 수 있다.

따라서, 본 발명에 의한 AHMM 스탬프는 스탬프와 기판의 분리가 용이함과 동시에 전사 패턴에 왜곡이나 결함이 없이 패턴을 전사할 수 있어 전사공정의 품질과 효율 및 내구성을 크게 증진시키게 된다.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (20)

1. 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스템프로서,

   나노 크기의 패턴이 형성된 투명 기판과;

   상기 투명 기판의 일부 표면에 대응하여 형성되는 불투명 금속막과;

   상기 불투명 금속막의 표면에 형성되어 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 제 1박막층과;

   상기 제 1박막층의 표면에 형성되어 소수성을 증가시키는 제 2박막층을 포함하며, 상기 불투명 금속막과 제 1박막층 사이에는 부착강도를 증가시키는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 2원계 금속 산화막으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
5. 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 SiO₂, Al₂O₃, Y₂O₃, HfO₂, ZrO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, TiO₂, NiO, ZnO, MgO 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
6. 제 1항에 있어서, 제 1박막층은 비금속 고체원소로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
7. 제 1항에 있어서, 제 2박막층은 heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl를 포함하는 성분으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
8. 제 1항에 있어서, 제 2박막층은 리간드(Y(CH₂)_nX)를 포함하는 성분으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
9. 제 1항에 있어서, 상기 불투명 금속막은 Cr, Ni, Pt, Au, Ag, Ir, Ru, Mo 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
10. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 석영(Quartz), 석영유리(Fused Silica), 사파이어, 다이아몬드 중의 적어도 어느 하나로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
11. 삭제
12. 나노패턴을 형성하기 위한 전사공정에 사용되는 스탬프의 제조방법에 있어서,

    투명 기판을 준비하는 단계와;

    상기 투명 기판의 표면에 불투명 금속막을 증착하고 상기 투명 기판과 상기 불투명 금속막을 순차적으로 패터닝하는 단계와;

    상기 불투명 금속막 상에 부착강도를 증가시키는 버퍼층을 형성하는 단계와;

    상기 버퍼층의 표면에 표면 에너지 또는 마찰계수의 적어도 어느 하나 이상을 감소시키는 제 1박막층을 증착하는 단계와;

    상기 제 1박막층의 표면에 소수성을 증가시키는 제 2박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프의 제조방법.
13. 삭제
14. 제 12항에 있어서, 제 1박막층은 SiO₂, Al₂O₃, Y₂O₃, HfO₂, ZrO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, TiO₂, NiO, ZnO, MgO 중의 적어도 어느 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 스탬프.
15. 삭제
16. 제 12항에 있어서, 제 1박막층은 5 내지 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 스탬프의 제조방법.
17. 스탬프를 사용하여 전사층이 도포된 기판을 압착하여 상기 기판 상에 나노패턴을 형성하는 전사방법에 있어서, 제 1항에 의한 스탬프를 사용하여 전사하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법.
18. 제 17항에 있어서, 상기 나노패턴 전사방법은

    상기 기판 상부에 전사층을 형성하는 제 1단계와;

    상기 스탬프로 상기 전사층을 압착하여 임프린팅하는 제 2단계와;

    소정의 광원으로 노광하여 노광된 부분의 전사층을 경화시키는 제 3단계와;

    상기 스탬프와 상기 전사층을 분리하는 제 4단계와;

    상기 노광된 부분의 전사층을 현상하여 제거하는 제 5단계와;

    상기 기판을 식각하고 잔존하는 전사층을 제거하는 제 6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법.
19. 제 18항에 있어서, 상기 전사층은 네거티브형 포토 레지스트로 되는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법.
20. 제 18항 또는 제 19항에 있어서, 상기 나노패턴 전사방법은 제 4단계 및 제 5단계의 사이에 100 내지 150℃에서 20초 내지 3분 동안 베이킹하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 전사방법.

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