KR20130087494A - 밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법 - Google Patents

밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기판 위에 밀착 보조층이 설치되어 있고, 상기 밀착 보조층 위에 유기 화합물층이 설치되어야 할 밀착 보조층 부착 기판에 있어서, 상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고, 상기 흡착 관능기는, 주로 기판에 대하여 결합하는 변성 실란기로 이루어지고, 상기 밀착 촉진 관능기는, 주로 상기 유기 화합물층에 대한 밀착을 촉진해서 향상시킨다.

Description

밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법{SUBSTRATE WITH ADHESION PROMOTING LAYER, METHOD FOR PRODUCING MOLD, AND METHOD FOR PRODUCING MASTER MOLD}
본 발명은, 설계대로의 소정의 패턴을 기판에 형성하기 위한 밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 하드디스크 등에서 사용되는 자기 미디어에서는, 자기 입자를 미세화해서, 자기 헤드 폭을 극소화하여, 정보가 기록되는 데이터 트랙 사이를 좁혀서 고밀도화를 도모한다는 방법이 사용되어 왔다. 한편, 이 자기 미디어는 고기록 밀도화가 점점 더 진행되어, 인접 기록 트랙 사이 혹은 기록 비트 사이의 자기적 영향을 무시할 수 없게 되었다. 그 때문에, 종래 방법으로는 고밀도화에 한계가 있었다.
최근, 새롭게 패턴드 미디어라는 새로운 자기 미디어가 제안되고 있다. 이 패턴드 미디어는, 인접하는 기록 트랙 또는 기록 비트를 홈 또는 비자성체로 이루어지는 가드 밴드로 자기적으로 분리하여, 자기적 간섭을 저감해서 신호 품질을 개선하여, 보다 높은 기록 밀도를 달성하고자 하는 것이다.
이 패턴드 미디어를 양산하는 기술로서, 마스터 몰드(원반이라고도함), 또는 이 마스터 몰드를 원래의 몰드로서 1회 또는 복수 회 전사해서 복제한 카피 몰드가 갖는 요철 패턴을 피전사체(여기서는, 자기 미디어)에 전사하여 패턴드 미디어를 제작하는 기술인 임프린트법(또는 나노 임프린트법)이 알려져 있다.
그런데, 여기서 예로 든 임프린트법에서는, 최종적인 피전사체(생산물)에 패턴 전사해서 양산하는 데에, 통상적으로 마스터 몰드는 이용되지 않는다. 상술한 바와 같이, 그 대신에 나노 임프린트법에 의해, 마스터 몰드의 미세한 요철 패턴을 다른 피전사체에 전사 형성해서 복제한 2차 몰드나, 이 2차 몰드의 미세한 패턴을 또 다른 피전사체에 전사 복제한 3차 몰드, 혹은 보다 높은 차원의 카피 몰드가 이용된다.
또한, 예를 들면 상술한 패턴드 미디어를 실제로 대량으로 생산하기 위해서는, 복수의 임프린트 장치를 병렬로 배치해서 가동시킨다. 따라서, 이들 복수의 임프린트 장치를 위해, 소정 동일의 미세한 요철 패턴이 형성된 카피 몰드를 복수 매 제작해서 준비할 필요가 있다.
여기서, 나노 임프린트법에서는, 피전사체(즉, 카피 몰드 제작용 기판)로부터 몰드를 원활하게 이형하기 위해서, 몰드 표면(즉, 요철 패턴의 표면)에는, 미리 이형제 조성물을 도포해서 이형층을 형성한다.
한편, 상기 카피 몰드 제작용 기판의 표면(즉, 요철 패턴을 전사 복제하는 면)에는 밀착 보조제 조성물로 이루어지는 밀착 보조층을 미리 도포 형성한다. 그 후, 해당 밀착 보조층 위에 나노 임프린트용 레지스트(예를 들면, UV 경화성 수지)를 회전 도포법 혹은 잉크제트법에 의해 도포하여, 레지스트층을 형성한다.
그렇게 해서, 레지스트층과 카피 몰드 제작용 기판의 밀착력이, 레지스트층과 몰드의 밀착력보다 커지도록 하여, 몰드의 요철 패턴이 전사 복제된 레지스트층(즉, 레지스트 패턴)을 카피 몰드 제작용 기판 위에 얻는다.
이것에 의해, 몰드와 카피 몰드 제작용 기판의 이형을 원활하면서도 낮은 이형압으로 행할 수 있다.
그 결과, 이형 불량 혹은 밀착 불량에 기인하는 전사 형성된 레지스트 패턴의 손상(박리, 소실 등), 몰드 상의 패턴의 손상, 또는 몰드의 오염(박리된 레지스트 패턴의 이착 등), 혹은 또한, 몰드 혹은 임프린트 장치에 대한 손상을 억제 저감할 수 있다.
그러나, 기판과 레지스트층 사이의 밀착성이 충분하지 않을 경우, 몰드를 카피 몰드 제작용 기판으로부터 이형하는 도중에, 요철 패턴이 전사 형성된 레지스트층의 일부가 박리 소실되어버릴 우려가 있다. 또한, 박리하지 않아도, 레지스트 패턴이 쓰러지거나, 레지스트 패턴에 너울 등의 변형이 생긴다.
그런데 또한, 상기 카피 몰드의 원반인 마스터 몰드를 제작하는 방법으로는, 포토리소그래피 기술에 의해 기판 그 자체에 소정의 요철 패턴을 갖도록 에칭 가공을 실시하고, 그것을 몰드로 하는 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 예를 들면, 석영 기판의 주표면 위에 형성된 에칭용 하드 마스크층 위에(또는, 석영 기판의 주표면 위에) 레지스트층을 설치하고, 에너지 빔(예를 들면 전자선)에 의한 패턴 묘화를 이 레지스트층에 대하여 행한다. 그 후, 묘화된 레지스트층을 현상 처리함으로써 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 최종적으로는 기판에 소정의 요철 패턴을 형성해서 마스터 몰드로 한다.
그러나, 카피 몰드의 경우와 마찬가지로, 상기한 하드 마스크층(혹은 석영 기판)과 레지스트층 사이의 밀착성이 충분하지 않을 경우, 레지스트 패턴을 형성하고자 해도, 현상 처리 중에 박리 소실되어버린다. 또는, 레지스트 패턴이 도괴(倒壞)하거나, 레지스트 패턴에 너울 등의 변형이 생긴다.
이와 같이, 마스터 몰드 및 카피 몰드의 제조에서, 레지스트 패턴에 이상이 발생해버리면, 최종적으로 완성되는 마스터 몰드 혹은 카피 몰드에 형성되어 있어야 할 소정의 요철 패턴에 결함(결손)이나 변형을 발생시키고, 또한, 패턴의 정밀도(형상, 치수의 정밀도 등)가 저하한다(이것들을 모두 패턴 불량이라고도함).
또한, 마스터 몰드에 생긴 패턴 불량은 카피 몰드에 전사 복제된다. 또한, 원래의 몰드에 존재해서 전사 복제된 패턴 결함 외에, 카피 몰드 제작시에 새롭게 패턴 불량이 생겨, 순차적으로 복제되는 카피 몰드의 요철 패턴의 결함은 더욱 증가하고, 또한, 패턴의 정밀도는 점점 더 열화되어 간다.
나아가, 임프린트법에 의해 제조되는 최종 제품(예를 들면 자기 미디어)의 품질 및 정밀도가 열화하는, 혹은 제조 수율에 관련된 문제로 된다.
여기서, 이 기판과 레지스트층 사이의 밀착성을 향상하고자, 실란 커플링제에 의한 표면 처리에 의해 밀착층을 기판과 레지스트층 사이에 개재시킴으로써, 고압 분사에 의한 현상에 의해서도, 패턴의 도괴나 박리, 변형 등을 유효하게 방지할 수 있는 기술에 대해서, 특허 문헌 2에 기재되어 있다.
또한, 특허 문헌 3에는, 감광성 레지스트와의 밀착성을 높이기 위해서, 기판의 표면에 HMDS(헥사메틸디실라잔)를 구성 재료에 이용한 밀착층을 형성하는 기술이 기재되어 있다.
또한 특허 문헌 4에는, 금속 박막과 열가소성 고분자의 접착성이 우수한 나노 임프린트용 접착제로서, 벤조페논으로 이루어지는 광 경화성 수지를 광 경화시킨 경화막층을 이용하여, 금속막 위에 상기 나노 임프린트용 접착제와 열가소성 고분자의 막층을 이 순서대로 설치함으로써, 패턴의 소실, 변형을 억제할 수 있어, 설계대로의 미세한 금속 박막 패턴을 갖는 기판을 제조하는 기술이 기재되어 있다.
일본 특허 출원 공개 제2008-310944호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-281878호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-064812호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-073809호 공보
수직 자기 기록의 최신 기술(주식회사 CMC 출판, 2007년 발행)
최근, 패턴에 대한 미세화의 요청은 점점 높아지고 있다. 특히, 자기 미디어의 고기록 밀도화를 예로 들면, 1테라비트/평방 인치의 기록 밀도를 달성하기 위한 패턴(1개의 비트)의 점유면 면적은 625nm 평방이다(비특허 문헌 1). 비트 간격을 25nm로 하면, 트랙 피치도 25nm가 되어, 인접 비트간과 인접 트랙간에 각각 10nm의 홈을 형성하면, 매우 미소한, 1변이 15nm의 정사각형 패턴을 형성하게 된다. 또한, 자기 미디어의 면기록 밀도는 연율 60%에서 100%로 증가하고 있으며, 앞으로도 마찬가지의 고기록 밀도화가 꾀해지고 있다.
따라서, 실란 커플링제 혹은 HMDS로 이루어지는 밀착 보조층을 이용함으로써 충분한 밀착력이 얻어지고 있는 레지스트층과 기판의 조합이라도, 상기의 레지스트 패턴과 기초층(기판)의 접촉 면적의 격감에 기인하는 밀착력 저하가, 레지스트 패턴의 박리나 쓰러짐, 변형 등의 패턴 불량을 야기하여, 최종 제품의 정밀도와 품질 혹은 제조 수율에 한계를 부여할 우려가 있다.
또한, 특허 문헌 4와 같은 광 경화성 수지를 접착제로서 사용했을 경우, 자외선 조사를 행하지 않으면 밀착층으로서 기능하지 않는다. 그 때문에, 레지스트 패턴을 형성하기 전에 별도 밀착층 형성을 위한 자외선 조사 공정이 필요해져, 제품의 제조 비용이 증대할 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 상술한 사정을 고려해서 이루어진 것으로, 충분한 밀착력을 갖고, 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있는 밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 양태는, 기판 위에 밀착 보조층이 설치되어 있고, 상기 밀착 보조층을 개재해서 유기 화합물층이 설치되어야 할 밀착 보조층 부착 기판에 있어서, 상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고, 상기 흡착 관능기는, 주로 기판에 대하여 결합하고 있는 변성 실란기로 이루어지고, 상기 밀착 촉진 관능기는, 주로 상기 유기 화합물층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 밀착 보조층 부착 기판이다.
본 발명의 제2 양태는, 제1 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 유기 화합물층은 레지스트층이며, 상기 밀착 촉진 관능기는, 상기 레지스트층에 대하여 광 래디컬 반응을 행하는 관능기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 양태는, 제1 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 밀착 촉진 관능기는, 상기 유기 화합물층의 근원이 되는 약제를 상기 밀착 보조층 위에 도포했을 때, 상기 약제의 접촉각이 30°이하가 되는 관능기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4 양태는, 제1 또는 제2 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 밀착 촉진 관능기는 머캅토기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제5 양태는, 제1 또는 제3 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 밀착 촉진 관능기는 메타크릴기 또는 에폭시기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제6 양태는, 제1 또는 제5 중 어느 한 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 밀착 촉진 관능기는 분자쇄의 적어도 한쪽의 말단에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제7 양태는, 제1 또는 제6 중 어느 하나의 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 변성 실란기는 분자쇄의 적어도 한쪽의 말단에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제8 양태는, 제1 또는 제7 중 어느 하나의 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 변성 실란기는 알콕시실란기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제9 양태는, 제8 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 알콕시실란기는 트리메톡시실란기인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제10 양태는, 제1 또는 제9 중 어느 하나의 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 유기 화합물층은 레지스트층이며, 상기 레지스트층은 광 경화성 수지로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제11 양태는, 제1 또는 제9 중 어느 하나의 양태에 기재된 발명에 있어서, 상기 유기 화합물층은 레지스트층이며, 상기 레지스트층은 자외선 영역에 실질적인 감도를 갖지 않는 전자선 묘화 노광용 레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제12 양태는, 기판 위에 밀착 보조층이 설치되어 있고, 상기 밀착 보조층을 개재해서 레지스트층이 설치되어야 할 밀착 보조층 부착 기판에 있어서, 상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중의 분자쇄의 한쪽 말단에는 트리메톡시실란기가 형성되어 있고, 다른 한쪽의 말단에는 머캅토기, 메타크릴기 또는 에폭시기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 밀착 보조층 부착 기판이다.
본 발명의 제13 양태는, 소정의 패턴에 대응하는 요철이 형성된 임프린트용의 몰드로부터 다른 카피 몰드를 제조하는 방법이며, 상기 별도 몰드용의 기판 위에 하드 마스크층을 형성하고, 상기 하드 마스크층 위에 밀착 보조층을 형성하고, 상기 밀착 보조층 위에 패턴 형성용의 임프린트용 레지스트층(이후, 레지스트층이라고도 함)을 형성하는 공정과, 임프린트에 의해, 상기 몰드가 갖는 패턴을 상기 레지스트층에 전사하는 공정과, 상기 레지스트층으로부터 상기 몰드를 이형한 후, 소정의 패턴이 전사된 상기 레지스트층을 마스크로 하여, 상기 하드 마스크층에 대해 에칭을 행하는 공정을 갖고, 상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고, 상기 밀착 보조층을 형성할 때에 베이크를 행함으로써, 변성 실란기로 이루어지는 상기 흡착 관능기가, 주로 기판에 대해 결합하고, 상기 밀착 촉진 관능기가, 주로 상기 레지스트층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 몰드의 제조 방법이다.
본 발명의 제14 양태는, 제13 양태에 기재된 발명에 있어서, 광 임프린트법에 의해, 상기 몰드가 갖는 요철 패턴을 상기 레지스트층에 전사하는 공정에 있어서, 상기 광 임프린트법에서 사용되는 조사광에 의해, 상기 레지스트층에 대하여 상기 밀착 촉진 관능기를 광 래디컬 반응시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제15 양태는, 임프린트용의 마스터 몰드를 제조하는 방법이며, 기판 위에 하드 마스크층을 형성하고, 상기 하드 마스크층 위에 밀착 보조층을 형성하고, 상기 밀착 보조층 위에 패턴 형성용의 전자선 묘화 노광용 레지스트층(전자선 레지스트층이라고도 함)을 형성하는 공정과, 광 조사 장치에 의해, 상기의 하드 마스크층, 밀착 보조층, 전자선 레지스트층을 순서대로 형성한 기판을 광 조사하는 공정과, 전자선 묘화(노광) 장치에 의해, 상기 전자선 레지스트층에 소정의 패턴을 묘화 노광하고, 그 후 현상하여, 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 소정의 패턴이 형성된 상기 전자선 레지스트층(레지스트 패턴)을 마스크로 하여, 상기 하드 마스크층에 대하여 에칭을 행하는 공정을 갖고, 상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고, 상기 밀착 보조층을 형성할 때에 베이크를 행함으로써, 상기 흡착 관능기가 변성 실란기로 이루어져, 주로 기판에 대해 결합하고, 상기 밀착 촉진 관능기가, 주로 상기 레지스트층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 마스터 몰드의 제조 방법이다.
본 발명의 제16 양태는, 제15 양태에 기재된 발명에 있어서, 적어도 상기 전자선 레지스트층의 현상보다 전에, 상기 광 조사에 의해 상기 전자선 레지스트층에 대하여 밀착 촉진 관능기를 광 래디컬 반응시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 충분한 밀착성을 갖고, 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있는 밀착 보조층 부착 기판, 몰드의 제조 방법 및 마스터 몰드의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 밀착 보조층 부착 기판을 이용해서 카피 몰드를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면 개략도면이다.
도 2는 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 관한 밀착성의 결과를 나타내는 도면이다.
도 3은 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대해서, 표면 자유 에너지의 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대해, 주사형 전자 현미경을 이용해서 관찰한 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대해서, 표면 거칠기의 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대한 밀착성을 구하는 방법을 도시한 개략도다.
본 발명자들은, 기판과 레지스트 등의 유기 화합물층의 사이에 설치하는 밀착 보조층이며, 기판 및 유기 화합물층의 쌍방과 충분한 밀착성을 가져, 기판에 대한 유기 화합물층의 밀착력을 보조하여, 정밀도 좋게 패턴을 형성할 수 있는 밀착 보조층에 대해서 다양하게 검토했다. 이러한 검토를 함에 있어서, 본 발명자들은 우선, 기판에 대해 충분한 밀착력을 제공하는 실란 커플링제에 초점을 맞췄다.
그리고 본 발명자들은, 이 실란 커플링제를 구성하는 화합물 1 분자 중에서, 이 변성 실란기 이외에, 주로 상기 유기 화합물층에 대한 밀착력을 촉진 향상시키는 밀착 촉진 관능기를 형성하는 것에 생각이 미쳤다.
이러한 구성이면, 하나의 분자로 기판과 레지스트층의 밀착력을 향상시키는 것이 가능해진다. 나아가, 밀착 보조층의 두께를 하나의 분자의 길이 정도(즉 나노 오더)로 설정하는 것도 가능해진다.
또한, 밀착 촉진 관능기의 종류에 따라서, 밀착성을 양호하게 하거나, 밀착성은 일정 정도로 하면서도 표면 거칠기를 저하시켜서, 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있음을 알아냈다.
<실시 형태 1>
이하, 본 발명의 실시 형태를, 임프린트용 몰드의 제조 공정, 특히 카피 몰드의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 개략도인 도 1에 기초해서 설명한다.
(몰드 제조 공정의 개요)
본 실시 형태에서는, 카피 몰드를 제작하기 위해서 블랭크를 이용한다. 이 블랭크의 개요로는, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 하드 마스크층(7)을 설치한 것이 있다.
그리고, 이 하드 마스크층(7) 위에, 본 실시 형태에 따른 밀착 보조층(5)을 형성하고, 또한 그 밀착 보조층(5) 위에 레지스트층(4)을 설치한다.
그리고 장래적으로는, 소정의 패턴이 형성된 원형 몰드(30)가 이 레지스트층(4) 위에 압박되어져, 카피 몰드 제작용 블랭크에 패턴 전사가 행해진다. 그리고 이 패턴 전사시, 여기에서 예로 든 밀착 보조층(5)에 의해, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4)의 사이의 밀착력을 촉진 향상시킬 수 있다.
그 결과, 임프린트법(공정)에서의, 특히 이형시의 레지스트 패턴의 결손 혹은 변형 등을 억제하여, 레지스트층(4)에 형성된 레지스트 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수가 있어, 하드 마스크층(7), 나아가서는 기판(1)에 설계대로의 소정의 패턴을 복제하는 것을 가능하게 한다.
상술한 기판(1), 하드 마스크층(7), 밀착 보조층(5) 및 레지스트층(4)에 대해서 이하에 상술한다.
(기판의 준비)
우선, 카피 몰드(20)의 제조를 위한 기판(1)을 준비한다(도 1의 (a)).
이 기판(1)은, 카피 몰드(20)로서 이용할 수 있는 것이라면 상관없다. 일례를 든다면, 실리콘 웨이퍼, 석영 기판 등의 유리 기판 등을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 기판 재료와의 에칭 선택비가 높은 재료로 이루어지는 하드 마스크층(7)을 기판 위에 설치해도 좋다.
또한, 기판(1)의 형상은, 원반 형상이어도 좋고, 사각형, 다각형, 반원 형상이어도 좋다.
본 실시 형태에서는, 원반 형상(웨이퍼 형상)의 석영 기판(1)을 이용하여 설명한다. 이후, 이 석영 기판(1)을 간단히 기판(1)이라고도 한다.
(하드 마스크층의 형성)
다음으로, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 상기 석영 기판(1)을 스퍼터링 장치에 도입한다. 그리고 본 실시 형태에서는, 탄탈(Ta)과 하프늄(Hf)의 합금으로 이루어지는 타깃을 아르곤 가스로 스퍼터링하여, 탄탈-하프늄 합금으로 이루어지는 도전층(2)을 성막하고, 또한 크롬(Cr)으로 이루어지는 타깃을 아르곤 가스 및 질소 가스로 스퍼터링함으로써, 질화 크롬층(3)을 성막했다.
이렇게 해서 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 탄탈-하프늄 합금으로 이루어지는 도전층(2)을 하층으로 하고, 질화 크롬층(3)을 상층으로 한 하드 마스크층(7)을, 석영 기판(1) 위에 형성한다.
또한, 본 실시 형태에서의 "하드 마스크층"은, 단일 또는 복수의 층으로 이루어져도 좋다. 또한, 기판(1)에 에칭 가공을 실시할 때에, 나중에 형성되는 레지스트 패턴의 요철에 대응하는 볼록부(돌기부)가 형성되는 예정된 부분을 충분히 보호하는 것, 즉, 기판(1)의 에칭 가공에 대하여, 기판(1)과의 에칭 선택성이 충분하면, 어느 재료든 상관없다. 또한, 하드 마스크층(7)은, 도전성을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 해당 하드 마스크층(7)을 전기적으로 접지함으로써, 임프린트 공정(전사시), 특히 이형시에 발생할 가능성이 있는 정전기 및 그것에 기인하는 결함(정전 파괴)을 방지할 수 있기 때문이다.
이렇게, 기판 위에 하드 마스크층(7)을 설치한 것을, 본 실시 형태에서는 카피 몰드 제작용 블랭크(또는 간단히 블랭크)라고 한다.
또한, 이 블랭크에 대하여, 필요에 따라서 정전기 제거를 위한 진공 자외선 조사(Vacuum Ultra Violet:VUV)를 행해도 좋다.
(블랭크에 대한 밀착 보조층의 설치)
그리고 본 실시 형태에서는, 블랭크에서의 하드 마스크층(7)에 대하여 적절히 세정·베이크 처리를 행한 후, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 하드 마스크층(7) 위에 밀착 보조제를 도포함으로써 밀착 보조층(5)을 설치한다.
그때, 밀착 보조제에 있어서 탈수 축합을 일으키게 하기 위해서, 밀착 보조제의 도포 후, 베이크를 행한다. 이 베이크 온도는 100℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 하드 마스크층(7) 상에서 변성 실란기가 탈수 축합을 일으키고, 이 변성 실란기가 하드 마스크층(7)과 결합하고, 그 결과, 밀착 보조층(5)을 하드 마스크층(7)에 충분히 밀착시킬 수 있기 때문이다.
본 실시 형태에서는, 이 베이크가 중요한 처리가 된다. 본 실시 형태의 베이크의 의의, 하드 마스크층(7)에 대한 변성 실란기의 "흡착"과 "결합"의 차이에 대해서, 흡착 관능기 및 밀착 촉진 관능기의 설명을 행한 후, 상세하게 설명한다.
(밀착 보조층의 화합물 조성의 개요)
우선, 본 실시 형태에 따른 밀착 보조층(5)에 포함되는 화합물 1 분자 중에는, 주로 하드 마스크층(7)에 대하여 결합하는 변성 실란기로 이루어지는 흡착 관능기와, 주로 레지스트층(4)에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 밀착 촉진 관능기가 포함된다.
(흡착 관능기)
이 흡착 관능기는, 변성 실란기이면 된다. 이 변성 실란기로는, 알콕시실란기가 바람직하다. 구체적으로는, 트리메톡시실란이나 트리에톡시실란, 디메톡시실란이나 디에톡시실란, 메톡시실란이나 에톡시실란 등을 들 수 있다. 하드 마스크층(7)에 대한 결합 능력이나 밀착성의 향상이라는 점에서, 트리메톡시실란이 바람직하다. 이후, 흡착 관능기를 변성 실란기라고도 칭한다. 또한, 변성 실란기란, 기판에 대하여 변성 실란기가 결합하고 있는 상태도 포함하는 것으로 한다.
또한, 이 변성 실란기는 분자쇄의 적어도 한쪽 말단에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 변성 실란기가 말단에 있으면, 트리메톡시실란과 같이, 결합에 기여하는 메톡시기를 많이 가질 수 있기 때문이다.
또한, 상기 흡착 관능기가 하드 마스크층(7)에 결합한다고 설명했지만, 구체적으로는, 하드 마스크층(7) 위에 존재하는 물 혹은 수산기와 변성 실란기가 탈수 축합을 일으켜서, 흡착 관능기와 하드 마스크층(7) 사이에 강고한 공유 결합이 형성되어 있는 것으로 생각된다.
(밀착 촉진 관능기)
다음으로, 밀착 보조층(5) 위에 설치되는 레지스트층(4)에 대하여 활용되는 밀착 촉진 관능기에 대해서 상세하게 설명한다. 앞서 설명한 바와 같이, 이 밀착 촉진 관능기는, 밀착 보조층(5)을 구성하는 화합물의 분자 내에서의 분자쇄 내에 형성되어 있다.
여기서, 레지스트층(4)에 대한 밀착 보조층의 밀착력 촉진 및 향상은, 크게 나누어서 2개의 작용에 의한다.
첫번째 작용은, 이 밀착 촉진 관능기 그 자체가 레지스트층(4)에 대하여 화학적으로 반응함으로써, 밀착 보조층(5)과 레지스트층(4)의 밀착력을 향상시킨다는 작용이다.
그리고, 두번째 작용은, 이 밀착 촉진 관능기를 레지스트층(4)의 조성과 유사하게 함으로써, 말하자면 밀착 보조층(5)을 레지스트층(4)과 융화하기 쉽게 함으로써, 밀착 보조층(5)과 레지스트층(4)의 밀착력을 향상시킨다는 작용이다.
우선, 첫번째의 작용에 대해서 설명한다. 이 작용은, 원형 몰드(30)에 형성된 요철 패턴을 피전사체인 카피 몰드 제작용 기판에(즉, 카피 몰드에) 전사할 때의 레지스트층의 경화에 이용되는 자외광의 노광을, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4) 사이의 밀착 보조층(5)의 기능 발현(즉, 밀착력의 촉진 향상)에도 이용한다. 이 경우, 밀착지 촉진 관능기로서 머캅토기(티올기라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다.
밀착 보조층(5)을 구성하는 화합물에 머캅토기가 구비되어 있으면, 자외광의 조사에 의해, 유기 화합물층인 레지스트층과 머캅토기가 광 래디컬 반응인 엔·티올 반응을 일으킬 수 있다. 따라서, 별도 추가해서 밀착성을 향상시키기 위한 공정을 설치할 필요가 없어진다.
또한, 이 머캅토기를 갖는 화합물을 구체적으로 예로 든다면, 하기 화학식의 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
또한, 머캅토기 이외에도, 자외선 조사에 의해 레지스트층(4)과의 사이의 밀착력이 향상하는 관능기이면, 본 실시 형태의 밀착 보조제로서 사용할 수 있다.
다음으로, 두번째의 작용에 대해서 설명한다. 이 작용은, 밀착 보조층(5)과 레지스트층(4)을 융화시키도록 밀착 촉진 관능기를 레지스트층(4)의 조성에 유사하게 한다.
이 "융화시키는" 방법에는, 상기 밀착 촉진 관능기를 소정의 것으로 설정하여, 밀착 보조층(5)에 의해 레지스트층(4)을 겉돌지 않게 하는 것을 들 수 있다.
즉, 레지스트층(4)을 상기 밀착 보조층(5) 위에 도포함에 있어서 적하했을 때, 레지스트층(4)을 구성하는 조성물의 용액의 액적의 접촉각이 30°이하가 되는 관능기를 설정하는 것이 바람직하다.
상기의 접촉각이 30°이하가 되는 것에 기여하는 관능기로는, 메타크릴기를 예로서 들 수 있다.
이 메타크릴기의 화합물을 구체적으로 예로 든다면, 하기 화학식의 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00002
또한, 밀착 촉진 관능기를 메타크릴기로 함으로써, 실시예에서 상세하게 설명하지만, 밀착 보조층(5)과 레지스트층(4)을 융화시키기 쉽게 할 수 있는 동시에 밀착 보조층(5)의 표면을 평활하게 할 수 있다(도 4 및 도 5).
또한, 레지스트층(4)의 조성의 적어도 일부와 밀착 보조층(5)을 유사하게 하는 방법에 대해서 설명한다.
이 레지스트층(4)으로는 에폭시 수지를 포함하는 레지스트가 빈번하게 사용되고 있는 점에서, 밀착 촉진 관능기를 에폭시기로 하는 것도 바람직하다.
또한, 이 에폭시기의 화합물을 구체적으로 예로 든다면, 하기 화학식의 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00003
여기서 설명한 밀착 촉진 관능기는, 밀착 보조층(5)을 형성하는 화합물 1 분자 중의 분자쇄의 적어도 한쪽 말단에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 변성 실란기와 마찬가지로 말단에 형성되어 있으면, 한쪽 말단을 하드 마스크층(7)과 앵커링하고, 다른 한쪽 말단을 레지스트층(4)과 앵커링할 수 있다. 그 결과, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4) 사이의 밀착력을 크게 촉진시켜 향상시킬 수 있다.
또한, 밀착 보조층(5)을 구성하는 화합물에 형성되는 밀착 촉진 관능기는, 단수이어도 좋고 복수이어도 좋다. 적절한 개수의 밀착 촉진 관능기를 갖고 있으면, 하드 마스크층(7)과 밀착 보조층(5) 사이의 밀착력을 향상시킬 수 있는 것으로 생각된다.
또한, 하나의 분자에 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기를 갖고 있으면, 하나의 분자로 기판과 레지스트층을 결부시키는 것이 가능해진다. 그리고, 밀착 보조층(5)의 두께를 하나의 분자의 길이 정도로도 설정 가능하게 된다.
또한, 이 분자의 분자쇄는 분기되어 있거나 직쇄이어도 좋지만, 밀착 보조층(5)의 내부를 긴밀하게 해서 밀착력을 향상시킨다는 점에서는 직쇄인 것이 바람직하다. 또한, 여기서는, 1 분자는 1 분자쇄에 의해 구성되며, 1 분자쇄에는 주쇄 및 주쇄로부터 분기된 측쇄도 포함하는 것으로 한다.
또한, 이 밀착 보조제에는, 상기한 바와 같은 분자를 갖는 화합물을 주성분으로 하는 것이 바람직하지만, 밀착 보조제에 첨가 가능한 종래의 물질이 포함되어 있어도 좋다. 물론, 상기 화합물만으로 구성되어 있어도 좋다.
이상과 같이, 밀착 보조층(5)은, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4)의 사이에 위치하여, 밀착 보조층(5)을 통해 양자를 밀착시키는 역할을 한다. 견해를 바꿔보면, 레지스트층(4)을 형성하기 전의 단계에서는 이미, 밀착 보조층(5)에서의 변성 실란기는 하드 마스크층(7)쪽을 주로 향하고 있고, 한편, 밀착 촉진 관능기는 레지스트층(4)이 형성되는 쪽(즉 주 표면측)을 주로 향하고 있다. 즉, 밀착 보조층(5) 내에서 분자쇄의 방향이 거의 일정하게 되어 있다. 이것을 실현하는 것이, 밀착 보조제의 도포 후에 행해지는 베이크이다. 이하, 분자쇄의 방향을 거의 일정하게 하는 메카니즘에 대해서 설명한다.
우선, 하드 마스크층(7) 위에 밀착 보조제를 도포한다. 이때, 밀착 보조제의 1 분자 중의 분자쇄에서, 변성 실란기가 하드 마스크층(7)에 흡착할 뿐만 아니라, 밀착 촉진 관능기가 머캅토기일 경우, 머캅토기도 하드 마스크층(7)에 흡착할 가능성이 있다. 즉, 이 시점에서는, 하드 마스크층(7) 위의 밀착 보조제의 분자쇄의 방향은 일정하지 않다. 이와 같이, 베이크를 행하기 전의 밀착 보조제의 흡착 관능기 및 밀착 촉진 관능기가 하드 마스크층(7) 그 자체나 그 위의 수분 등과 결부되어 있는 상태를, 본 실시 형태에서는 "흡착"이라고 부르고 있다.
그러나, 밀착 보조제의 도포 후, 베이크를 행하면, 밀착 보조제의 변성 실란기와 하드 마스크층 표면의 수산기가 탈수 축합을 일으킨다. 그 결과, 밀착 보조제에 포함되는 관능기 중에서도 변성 실란기가 선택적으로, 하드 마스크층(7)과 공유 결합으로 결부되게 된다. 이렇게, 베이크를 행한 후, 밀착 보조제의 흡착 관능기가 하드 마스크층(7)과 공유 결합으로 결부되어 있는 상태를, 본 실시 형태에서는 "결합"이라고 부르고 있다.
그와는 반대로, 밀착 촉진 관능기인 머캅토기는, 변성 실란기와 비교하면 하드 마스크층 표면의 수산기와의 결합이 약하여, 결과적으로 하드 마스크층(7)에서 멀어지는 쪽(즉 레지스트층(4)이 형성되는 주 표면의 방향)을 향하게 된다. 물론, 모든 분자쇄가 상기의 방향을 갖고 있는지는 분명하지 않지만, 변성 실란기가 탈수 축합을 일으키는 이상, 충분한 밀착성을 발휘할 정도로는, 분자쇄의 대부분이 상기의 방향을 갖고 있는 것으로 생각된다.
(레지스트층의 형성)
다음으로, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 밀착 보조층(5)에 대하여 광 임프린트용의 레지스트를 도포해서 레지스트층(4)을 형성한다. 상술한 바와 같이, 레지스트 도포의 단계에서는, 밀착 보조층(5)에서 레지스트와 접촉하는 부분에는, 밀착 촉진 관능기가 주로 존재하고 있다.
본 실시 형태에서 사용되는 레지스트층(4)은, 유기 화합물층이면 좋다. 앞에서도 설명한 바와 같이, 밀착 촉진 관능기와 화학적으로 반응시키거나, 밀착 촉진 관능기와 융화시킬 수 있으면 된다.
임프린트법에 대해서는, 본 실시 형태에서는, 원형 몰드(30)의 패턴을 광 임프린트법에 의해 레지스트층(4)에 전사하는 방법에 대해서 설명한다. 그것에 수반하여, 유기 화합물층으로서 광 임프린트용의 레지스트를 이용했을 경우에 대해서 설명한다.
이와 같이 광 임프린트용의 레지스트를 이용함으로써, 앞서 설명한 바와 같이 밀착 촉진 관능기로서 머캅토기를 이용할 경우, 패턴 전사시의 노광을 이용함으로써 광 래디컬 반응인 엔·티올 반응을 일으키게 하여, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4)의 사이의 밀착력을 향상시킬 수 있다.
이때의 레지스트층(4)의 두께는, 질화 크롬층(3)의 에칭이 완료할 때까지 마스크가 되는 부분의 레지스트가 잔존할 정도의 두께인 것이 바람직하다.
또한, 이 광 임프린트용의 레지스트로는, 광 경화성 수지, 특히 자외선 경화성 수지로 이루어지는 것을 들 수 있는데, 광 경화성 수지 중, 나중에 행해지는 에칭 공정에 적합한 것이면 좋다.
이상이 블랭크에 밀착 보조층(5)을 설치하고, 그 위에 레지스트층(4)을 설치하는 공정이다.
이하, 이 밀착 보조층(5) 부착 기판(1)을 사용하여, 광 임프린트에 의해 몰드를 제작하는 공정에 대해서 설명한다.
(임프린트 공정)
이하, 상기의 블랭크에 밀착 보조층(5)을 형성하고, 그 위에 레지스트층(4)을 형성한 피전사 기판(즉, 카피 몰드 제작용 기판)에, 광 임프린트법에 의해 패턴 전사하는 임프린트 공정에 대해서 설명한다.
우선, 도 1의 (e)에 도시한 바와 같이, 상기한 바와 같이 레지스트층(4)의 형성까지 끝낸 카피 몰드용 제작 기판에, 소정의 요철 패턴이 형성되고, 또한 이형층이 형성된 원형 몰드(30)를 압박하여, 상기 레지스트층(4)을 상기 몰드의 요철 패턴에 충진시킨다.
상기 몰드의 요철 패턴에 충진된 레지스트층(4)에 자외선 조사를 행하여, 패턴 전사된 레지스트층(4)을 경화시킨다. 이때, 자외광의 조사는 원형 몰드(30)의 이면측에서 행하는 것이 통상적이지만, 기판(1)이 투광성 기판인 경우에는, 기판(1)의 이면측에서 행해도 좋다. 그 후, 원형 몰드(30)와 피전사 기판인 몰드 제작용 기판(1)을 떼어내어 이형한다.
또한, 원형 몰드(30)와 상기 몰드 제작용 기판(1)의 사이의 패턴 배치의 위치 어긋남을 방지하기 위해서, 위치 정렬 기구에 따른 위치 정렬용 패턴(얼라인먼트 마크)을 원형 몰드(30) 및 상기 몰드 제작용 기판(1) 위에 별도 형성하여, 임프린트 공정에 앞서, 상기 몰드 제작용 기판(1)과 원형 몰드(30)와의 위치 정렬을 행해도 좋다.
(제1 에칭)
다음으로, 상기 레지스트 패턴이 형성된 카피 몰드 제작용의 기판(1)을, 드라이 에칭 장치에 도입한다. 그리고, 요철 패턴이 형성된 레지스트층(4)의 오목부의 바닥부에 위치하는 잔막부, 및 상기 밀착 보조층(5)을, 산소, 불소계 가스, 아르곤 등의 가스의 플라즈마를 사용한 제1 에칭 처리 공정(애싱이라고도 함)에 의해 제거하여, 하드 마스크층(7)을 노출시킨다.
이렇게 해서, 도 1의 (g)에 도시한 바와 같이, 원하는 패턴에 대응하는 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 요철 패턴이 형성된 레지스트층(4)의 오목부(즉, 잔막부가 제거되어, 하드 마스크층(7)이 노출된 부위)에, 최종적으로 기판(1) 위에 홈이 형성되게 된다.
(제2 에칭)
다음으로, 하드 마스크층(7) 위에 레지스트 패턴이 형성된 카피 몰드 제작용의 기판(1)을, 드라이 에칭 장치에 도입한다. 그리고, 염소계 가스와 산소 가스를 포함하는 분위기하에서 상기와 같이 노출된 하드 마스크층(7)을 에칭 제거하는 제2 에칭을 행한다. 또한, 이때의 에칭의 종점은, 반사 광학식 등의 종점 검출기로 판정하고, 그 후, 소정의 오버 에칭을 거쳐서 에칭을 끝낸다.
이렇게 해서, 도 1의 (h)에 도시한 바와 같이, 패턴을 갖는 레지스트층(4), 밀착 보조층(5) 및 하드 마스크층(7)을 형성한다.
(제3 에칭)
계속해서, 제2 에칭에서 사용된 가스를 진공 배기한 후, 동일한 드라이 에칭 장치 내에서, 불소계 가스를 이용한 제3 에칭을 석영 기판(1)에 대해 행한다.
이때, 상기 하드 마스크층(7)을 마스크로 해서 석영 기판(1)을 에칭 가공하여, 도 1의 (i)에 도시한 바와 같이, 패턴에 대응한 홈을 기판(1)에 형성한다. 그 전후에서, 알칼리 용액이나 산 용액 등으로 레지스트층(4)을 제거한다.
여기서 사용되는 불소계 가스로는, CxFy(예를 들면, CF4, C2F6, C3F8), CHF3, 이것들의 혼합 가스 또는 이것들에 첨가 가스로서 희 가스(He, Ar, Xe 등)를 포함하는 것 등을 들 수 있다.
이렇게 해서 도 1의 (i)에 도시한 바와 같이, 패턴에 대응하는 요철 가공이 석영 기판(1)에 형성된다. 이렇게 해서 잔존 하드 마스크층 제거 전 몰드(10)를 제작한다.
(제4 에칭)
다음으로, 이와 같이 제작된 잔존 하드 마스크층 제거 전 몰드(10)에 대하여, 제1 에칭과 마찬가지의 방법으로, 잔존 하드 마스크층 제거 전 몰드(10) 위에 잔존하는 잉여의 레지스트층(4), 밀착 보조층(5) 및 하드 마스크층(7)을 드라이 에칭 가스로 제거하는 공정이 행해지고, 그것에 의해 카피 몰드(20)가 제작된다(도 1의 (j)).
또한, 상기 제1 내지 제4 에칭에서는, 어느 하나의 에칭만을 웨트 에칭으로 하고, 다른 에칭에서는 드라이 에칭을 행해도 좋고, 모든 에칭에서 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 행해도 좋다. 또한, 패턴 크기가 마이크론 오더일 경우 등, 마이크론 오더 단계에서는 웨트 에칭을 행하고, 나노 오더 단계에서는 드라이 에칭을 행하는 것과 같이, 패턴 크기에 따라서 웨트 에칭을 도입해도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 내지 제4 에칭을 행하였지만, 카피 몰드 제작용 기판(1)의 구성 물질에 따라서, 별도 에칭을 제1 내지 제2 에칭의 사이에 추가해도 된다.
(카피 몰드의 완성)
이상의 공정을 거쳐서, 잉여의 레지스트층(4), 밀착 보조층(5) 및 하드 마스크층(7)을 제거한 후, 필요하다면 기판(1)의 세정 등을 행한다. 이렇게 하여, 도 1의 (j)에 도시하는 바와 같은 카피 몰드(20)를 완성시킨다.
이상과 같은 본 실시 형태에서는, 이하의 효과를 얻을 수 있다.
우선, 밀착 보조층(5)을 구성하는 화합물로서 변성 실란기를 갖는 화합물을 이용함으로써, 하드 마스크층(7)에 대하여 충분한 밀착성을 제공할 수 있다.
그리고, 이 변성 실란기와 함께 밀착 촉진 관능기를 갖는 화합물을 이용함으로써, 레지스트층(4)에 대하여 충분한 밀착성을 제공할 수 있다.
이 밀착성 촉진을 위해서는, 이 밀착 촉진 관능기 그 자체가 레지스트층(4)에 대하여 엔·티올 반응에 의해 화학적으로 반응하는 구성(조성)일 경우, 원형 몰드(30)에 설치된 요철 패턴을 전사한 레지스트층을 광 경화시킬 때에 사용되는 자외광의 조사를 이용할 수 있다.
즉, 별도 밀착성을 향상시키기 위한(밀착 보조층(5)을 기능시키기 위한) 자외선 조사 공정을 설치할 필요가 없어진다.
이상의 결과, 본 실시 형태에서의 밀착 보조층에 의해 충분한 밀착성을 얻을 수 있어, 설계대로의 원하는 패턴을 정밀도 좋게 패턴을 형성, 즉 전사 복제할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 기술 사상은, 레지스트 등의 유기 화합물층과 타물질을 밀착시키는 경우에 적용 가능하다. 특히, 임프린트 기술을 이용해서 제작되는 카피 몰드에 본 실시 형태를 적절히 응용할 수 있다. 또한, 마찬가지로, 임프린트 기술을 이용해서 제조되는 패턴드 미디어에 본 실시 형태를 적절히 응용할 수 있다.
<실시 형태 2>
이하, 상기 실시 형태 1에 기재된 카피 몰드를 제작하기 위한 원반인 나노 임프린트용 마스터 몰드의 제조 공정을 설명한다.
(마스터 몰드 제조 공정의 개요)
실시 형태 2에서, 마스터 몰드를 제작하기 위해서는, 실시 형태 1과 마찬가지로 몰드 제작용 기판을 이용한다. 이 몰드 제작용 기판의 개요는, 실시 형태 1에서 상세하게 설명한 도 1의 (b)에 도시한 바와 같은, 기판(1) 위에 하드 마스크층(7)을 설치한 것이 있다. 이후, 실시 형태 2에서는, 실시 형태 1과 동일 구성에 대하여 동일한 부호를 붙인 것에 "'"를 더 붙인다.
그리고, 이 하드 마스크층(7') 위에, 본 실시 형태에 따른 밀착 보조층(5')을 형성하고, 또한 그 밀착 보조층(5') 위에, 전자선 묘화용 레지스트로 이루어지는 전자선 레지스트층(4')을 형성한다.
다음으로, 밀착 보조층(5') 및 전자선 레지스트층(4')을 형성한 기판(1')에 대하여 자외광 조사를 행한다.
다음으로, 형성된 레지스트층(4')에 대해, 예를 들면 스폿 형상으로 성형된 전자선을 조사하여, 설계대로의 소정의 패턴의 묘화를 행한다.
그 후, 전자선에 의해 소정의 패턴의 묘화를 거친 전자선 레지스트층(4')을, 소정의 현상액으로 현상 처리한다.
마지막으로, 형성된 밀착 보조층(5') 및 전자선 레지스트 패턴의 늘어짐 등의 잔사의 제거(제1 에칭), 하드 마스크층(7')의 에칭(제2 에칭), 기판(1')의 에칭(제3 에칭), 그리고 잉여의 하드 마스크층(7') 및 그 위의 전자선 레지스트층(4')의 에칭 제거(제4 에칭)를 거쳐서, 설계대로의 소정의 패턴에 대응한 요철 패턴을 기판 표면에 갖는 나노 임프린트용 마스터 몰드가 완성된다.
다음으로, 상술한 기판(1'), 하드 마스크층(7'), 밀착 보조층(5') 및 전자선 레지스트층(4')에 대해서 이하에 상세하게 설명한다.
(기판의 준비)
우선, 마스터 몰드(20')의 제조를 위한 기판(1')을 준비한다(도 1의 (a)).
이 기판(1')은, 마스터 몰드(20')로서 이용할 수 있는 것이라면 어느 재료든 상관없다. 일례를 들면, 실리콘 웨이퍼, 또는 석영 기판 등의 유리 기판 등을 들 수 있다.
또한, 광 나노 임프린트용으로 한정하면, 레지스트층(4')을 경화시키기 위한 광 조사를 행하기 위해, 마스터 몰드는 해당 조사광에 대하여 투명할 필요가 있다.
또한, 기판(1')의 형상은, 원반 형상이어도 좋고, 사각형, 다각형, 반원 형상이어도 좋지만, 마스터 몰드의 용도인 나노 임프린트법을 고려하면, 피전사체와 완전히 동일 형상, 혹은, 피전사체보다 큰 상사형(相似形)이 바람직하다. 또한, 기판(1')의 형상은, 실질적인 패턴 형성 영역을 메사 구조로 한 것이어도 된다.
본 실시 형태에서는, 원반 형상(웨이퍼 형상)의 석영 기판(1')을 이용하여 설명한다. 이후, 이 석영 기판(1')을 간단히 기판(1')이라고도 한다.
(하드 마스크층의 형성)
다음으로, 하드 마스크층(7')의 형성에 대해서 설명하는데, 실시 형태 1과 마찬가지이다.
단, 하드 마스크층(7')은, 도전성을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 해당 하드 마스크층(7')을 전기적으로 접지함으로써, 전자선으로 전자선 레지스트층(4')을 묘화할 때의 차지 업의 방지 효과를 얻는다. 또한, 나노 임프린트 공정에서(전사시), 특히 이형시에 발생할 가능성이 있는 정전기 및 그것에 기인하는 결함(정전 파괴)을 방지할 수 있기 때문이다.
또한, 나중에, 기판(1')에 대한 에칭 선택비가 충분히 높은 전자선 레지스트층(4')을 이용하는 경우에는, 하드 마스크층(7')을 형성하지 않아도 좋다.
(밀착 보조층의 형성, 및 밀착 보조층의 화합물 조성의 개요)
밀착 보조층(5')의 형성에 대해서도 실시 형태 1과 마찬가지이다.
또한, 밀착 보조층(5')을 구성하는 화합물의 조성은, 실시 형태 1에 기재된 구성과 완전히 마찬가지이다. 즉, 본 실시 형태에 따른 밀착 보조층(5')에 포함되는 화합물(즉, 밀착 보조제) 1 분자에는, 주로 하드 마스크층(7')에 대하여 결합하는 변성 실란기로 이루어지는 흡착 관능기와, 주로 전자선 레지스트층(4')에 대한 밀착력을 촉진 향상시키는 밀착 촉진 관능기가 포함된다.
또한, 흡착 관능기 및 밀착 촉진 관능기의 화학적인 조성, 및 화학적인 기능 발현에 대해서도, 실시 형태 1에 준한다.
(전자선 레지스트층의 형성)
다음으로, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 밀착 보조층(5')을 형성한 기판(1')에 대하여, 전자선 레지스트층(4')을 구성하는 전자선 묘화용 레지스트를 회전 도포법 등에 의해 도포하고, 그 후 베이크 처리하여, 전자선 레지스트층(4')을 형성한다.
본 실시 형태에서 사용되는 전자선 레지스트층(4')은, 상기 밀착 보조층(5')을 구성하는 화합물의 분자의 밀착 촉진 관능기와 화학적으로 반응하여, 밀착 촉진 관능기와 융화하는 것이면 된다.
또한, 본 실시 형태에서 사용하는 전자선 레지스트층(4')을 구성하는 전자선 묘화용 레지스트는, 자외광에 대하여 실질적으로 감도를 갖지 않고(자외광을 흡수하지 않고), 또한, 전자선에 대해서는 필요 충분한 감도를 갖는 것이다.
여기서 말하는 "자외광에 대하여 실질적으로 감도를 갖지 않고"란, 자외광이 조사되어도 레지스트가 감광하지 않는 것을 가리키며, 나아가, 만약 자외광에 대하여 감도를 갖고 있어도, 자외광에 의한 감광 후, 전자선이 묘화(노광)해서 현상을 행하면 설계대로의 소정의 패턴을 얻을 수 있을 정도로 감도가 작은 것을 가리킨다. 본 실시 형태와 같이 전자선을 묘화(노광)하는 경우, 전자선 리소그래피법에 의해, 설계대로의 소정의 패턴을 상기 전자선 레지스트층에 형성하기 위해서, 자외광에 대하여 실질적으로 감도를 갖지 않는 레지스트를 이용한다.
앞서 설명한 바와 같이, 밀착 촉진 관능기에 머캅토기를 이용할 경우, 자외광 조사에 의해 광 래디컬 반응인 엔·티올 반응을 일으키게 하여, 밀착 보조층(5')과 전자선 레지스트층(4')의 사이의 밀착력을 촉진해서 향상시켜, 결과적으로 하드 마스크층(7')(혹은 석영 기판(1'))과 전자선 레지스트층(4')의 밀착력을 촉진 향상시킬 수 있다.
따라서, 상기 밀착 보조층(5') 위에 형성한 전자선 레지스트층(4')이 자외광에 대하여 투명이면, 전자선 레지스트층(4')을 형성한 후에 자외광 조사함으로써, 밀착 보조층(5')과 전자선 레지스트층(4')의 사이의 밀착력을 촉진해서 향상시킬 수 있다. 한편, 패턴 형성에서는, 전자선 레지스트층(4')은 자외광 조사의 영향을 전혀 받지 않는다.
여기서, 전자선 레지스트층(4')의 두께는, 하드 마스크층(7')(혹은 석영 기판(1'))의 에칭이 완료할 때까지, 마스크가 되는 부분(레지스트 패턴의 볼록부)의 레지스트가 충분히 잔존하는 정도의 두께인 것이 바람직하다. 또한, 현상 공정의 최종 처리인 건조시(일반적으로, 회전 건조)에 일어나는 모세관 현상에 기인하는 패턴 도괴가 생기지 않도록, 형성해야 할 패턴의 치수와 높이의 비(즉, 어스펙트비)를 고려한 두께인 것이 바람직하다.
(자외광 조사의 공정)
상기와 같이, 기판(1')에 밀착 보조층(5')을 형성하고, 그 위에 전자선 레지스트층(4')을 형성한 후에, 적어도 실질적인 패턴 형성 영역에 대하여 자외광을 조사한다.
이것에 의해 밀착 보조층(5')의 기능이 발현되어, 밀착 보조층(5')과 전자선 레지스트층(4')의 사이의, 즉, 하드 마스크층(7')과 전자선 레지스트층(4')의 사이의 밀착력을 촉진 향상시킬 수 있다.
또한, 자외광의 조사는 기판(1')에 형성된 전자선 레지스트층(4')측에서 행하는 것이 통상적이지만, 하드 마스크층(7')을 포함하는 기판(1')이 투광 또는 반투명인 경우에는, 기판(1')의 이면측에서 행해도 좋다.
(전자선 묘화)
다음으로는, 상기 전자선 레지스트층(4')에 대하여, 예를 들면 스폿 형상으로 성형된 전자선을 조사하여, 설계대로의 소정의 패턴의 묘화를 행한다.
(현상)
다음으로는, 전자선에 의해 소정의 패턴의 묘화를 거친 전자선 레지스트층(4')을, 소정의 현상액으로 현상 처리한다.
특히 이 현상 처리에서, 상기한 밀착 보조층(5')의 기능에 의한 부분의, 하드 마스크층(7)과 레지스트층(4') 사이의 밀착력을 촉진 향상의 효과를 얻을 수 있다.
즉, 특히 현상시에 발생할 위험이 있는 레지스트 패턴의 박리, 소실, 혹은 변형 등, 이것들을 억제하여, 전자선 레지스트 패턴을 정밀도 좋게 형성할 수가 있어, 하드 마스크층(7'), 나아가 기판(1')에 설계대로의 소정의 패턴을 형성하는 것을 가능하게 한다.
(제1 에칭)
다음으로, 상기의 전자선 레지스트 패턴이 형성된 기판(1')을, 드라이 에칭 장치에 도입한다. 그리고, 요철 패턴이 형성된 레지스트층(4')의 오목부의 바닥부에 존재하는 늘어진 형상의 잔사, 및 상기 밀착 보조층(5')을, 산소, 불소계 가스, 아르곤 등의 가스의 플라즈마를 사용한 제1 에칭 처리 공정(디스컴 처리라고도 함)에 의해 제거하여, 레지스트층(4')의 오목부에 대응하는 하드 마스크층(7')을 노출시킨다.
이렇게 해서, 도 1의 (g)에 도시한 바와 같이, 설계대로의 패턴에 대응하는 전자선 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 요철 패턴이 형성된 레지스트층(4')의 오목부의 잔사(즉, 늘어짐, 잔사)를 제거하여, 하드 마스크층(7')이 노출된 부위에 최종적으로는 홈이 형성된다.
(제2 내지 제4 에칭)
다음으로, 레지스트 패턴이 형성되고, 하드 마스크층(7')이 일부 노출된 기판(1')을, 드라이 에칭 장치에 도입한다.
그리고, 실시 형태 1에 준하는 제2 에칭 내지 제4 에칭까지를 행한다.
(마스터 몰드의 완성)
이상의 제4 에칭까지를 거쳐, 필요하다면 기판(1)의 세정 등을 행하고, 이렇게 하여, 도 1의 (j)에 도시하는 바와 같은 마스터 몰드(20')를 완성시킨다.
이상과 같은 본 실시 형태에서는, 이하의 효과를 얻을 수 있다.
우선, 밀착 보조층(5')을 구성하는 화합물로서 변성 실란기와 밀착 촉진 관능기를 갖는 화합물을 이용함으로써, 레지스트층(4')과 하드 마스크층(7')(혹은 기판(1'))의 충분한 밀착력을 제공할 수 있다.
이 밀착력의 촉진과 향상을 위해서는, 이 밀착 촉진 관능기가 레지스트층(4)에 대하여 엔·티올 반응에 의해 화학적으로 반응하는 구성(조성)일 경우, 밀착 보조층(5') 위에 레지스트층(4')을 형성한 후에 자외광 조사할 필요가 있다. 여기서, 해당 레지스트층(4')을 자외광 파장 영역에 흡수 혹은 실질적인 감도를 갖지 않는 전자선 레지스트로 이루어지는 전자선 레지스트층으로 함으로써, 이것을 가능하게 한다.
이상의 결과, 본 실시 형태에서의 밀착 보조층에 의해 충분한 밀착성을 얻을 수 있어, 설계대로의 원하는 패턴을 정밀도 좋게 형성하는 것, 즉, 정밀도 좋게 마스터 몰드를 제작할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 기술 사상은, 레지스트층 등의 유기 화합물층과 타물질을 밀착시킬 경우에 적용 가능하다. 특히, 나노 임프린트 기술을 이용해서 제작되는 카피 몰드에 본 실시 형태를 적절히 응용할 수 있다.
또한 마찬가지로, 전자선 리소그래피 기술을 이용해서 제조되는 포토마스크에도 본 실시 형태를 적절히 응용할 수 있다.
또한, 본 발명에서의 "기판"이란, 주 표면에 밀착 보조층을 형성할 수 있는 것이면 되며, 소위 기판 그 자체, 그리고, 그 기판 위에 하드 마스크층이 설치된 것을 포함한다.
또한, 본 실시 형태에서의 레지스트는, 에너지 빔을 조사해서 노광했을 때에 반응성을 갖는 것이면 좋다. 구체적으로는, 현상제에 의한 현상 처리를 행할 필요가 있는 레지스트이면 되고, 자외선, X선, 전자선, 이온 빔, 하전 입자 빔, 프로톤 빔 등에 감도를 갖는 레지스트이어도 좋다. 또한 마찬가지로, 사용하는 레지스트의 종류에 따라서, 자외선, X선, 전자선, 이온 빔, 하전 입자 빔, 프로톤 빔 조사 장치를 레지스트에 대한 노광에 이용해도 된다.
실시예
다음으로 실시예를 나타내어, 본 발명에 대해서 구체적으로 설명한다. 물론 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
본 실시예의 카피 몰드(20)를 제작하기 위한 기판(1)으로서, 합성 석영으로 이루어지는 웨이퍼(외경 150mm, 두께 0.7mm)를 사용했다(도 1의 (a)). 이 석영 웨이퍼(기판(1))를 스퍼터링 장치에 도입했다.
그리고, 탄탈(Ta)과 하프늄(Hf)의 합금(Ta:Hf=80:20 원자비)으로 이루어지는 타깃을 아르곤 가스로 스퍼터링하여, 실시예에서도 사용한 기판 위에 7nm의 두께의 탄탈-하프늄 합금으로 이루어지는 도전층(2)을 성막했다.
다음으로, 크롬 타깃을 아르곤과 질소의 혼합 가스로 스퍼터링하여, 질화 크롬층(3)을 2.5nm의 두께로 성막했다(도 1의 (b)).
이렇게 해서, 기판(1) 위에 형성된 도전층(2) 및 질화 크롬층(3)으로 이루어지는 하드 마스크층(7)에 진공 자외선 조사(Vacuum Ultra Violet:VUV)를 2분간 행하였다. 그 기판 위에, 스핀 코트법에 의해 변성 실란기와 머캅토기를 갖는 밀착 보조제(다우코닝사제 제품명:Z6062)를 도포했다. 이 도포시의 회전수는 3000rmp으로 해서 30초간 회전시켰다(도 1의 (c)). 그 후, 100℃에서 1분간 베이크를 행하고, 레지스트(도요합성공업사제 제품명:PAK01)를 도포했다. 이 도포시의 회전수는 1500rmp으로 해서 30초간 도포했다.
이렇게 하여, 본 실시예에 따른 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층을 형성한 카피 몰드용 기판을 제작했다.
<실시예 2>
실시예 1에서는 변성 실란기와 머캅토기를 갖는 밀착 보조제를 사용했지만, 그 대신에 실시예 2에서는 변성 실란기와 메타크릴기를 갖는 밀착 보조제(다우코닝사제 제품명:Z6030)를 사용했다. 그 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층을 형성한 카피 몰드 제작용 기판을 제작했다.
<실시예 3>
실시예 3에서는, 질화 크롬만을 하드 마스크층(7)에 사용한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층을 형성한 카피 몰드 제작용 기판을 제작했다. 이때, 질화 크롬층의 두께는 5nm로 했다.
<비교예 1 내지 3>
상술한 실시예와 비교하기 위해서, 비교예 1에서는 밀착 보조제로서 변성 실란기만을 갖는 화합물(HMDS)(AZ 일렉트로닉 머테리얼사제)을 사용했다.
비교예 2에서는 밀착 보조제로서 아크릴기를 갖는 화합물을 사용했다.
비교예 3에서는 밀착 보조제를 사용하지 않았다.
상기의 점 이외에 대해서는, 실시예와 마찬가지로 해서 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층을 형성한 카피 몰드 제작용 기판을 제작했다.
<평가>
실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층을 형성한 카피 몰드 제작용 기판에 대해서, 다양한 평가를 행하였다.
1) 밀착력
밀착력의 평가 방법의 구체예에 대해서 도 6에 나타낸다. 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 하드 마스크층(7) 위에 밀착 보조층(5)을 설치한 것에 대해, 캔틸레버(8)를 접촉시키고, 그 후 끌어올리는 동작을 행하였다. 이때, 캔틸레버(8)에 걸리는 힘(하방향으로 걸리는 힘을 y축으로 한 것)과, 캔틸레버(8) 선단과 밀착 보조층(5)의 사이의 거리와의 관계를 기재한 것이 도 6의 (b)다.
도 6의 (a)의 (1)에 도시한 바와 같이, 평가 시험 전에는 캔틸레버(8)는 밀착 보조층(5)에 대해 비접촉 상태이다. 그 때문에, 캔틸레버(8)에 걸리는 힘은 일정한 상태 그대로이다(도 6의 (b)의(1)).
그 후, 도 6의 (a)의 (2)에 도시한 바와 같이, 캔틸레버(8)가 밀착 보조층(5)에 대해 접촉한다. 그리고, 하드 마스크층(7)에 접촉할 때까지(도 6의 (a)의 (3)의 상태가 될 때까지) 캔틸레버(8)에 걸리는 힘은 증대한다(도 6의 (b)의 (2) 내지 (3)).
이번에는 캔틸레버(8)를 떼어내기 위해, 도 6의 (a)의 (4)에 도시한 바와 같이, 캔틸레버(8)에 상방향으로 힘이 걸리게 된다(도 6의 (b)의 (4)).
캔틸레버(8)를 다시 밀착 보조층(5)에 대해 비접촉의 상태(도 6의 (a)의 (1)의 상태)로 되돌리기 위해서는, 도 6의 (a)의 (1) 내지 (3)일 때에 캔틸레버(8)에 걸리는 힘에 비해, 상향으로의 힘이 여분으로 필요하게 된다(도 6의 (b)의 화살표 A).
본 실시예에서는 이 힘의 값을, 밀착 보조층(5)의 밀착력을 나타내는 값으로 하고 있다. 또한, 캔틸레버(8)에 걸리는 힘에 대해서는, 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope:AFM)을 이용해서 조사했다.
실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대한 밀착성의 결과를 나타내는 도 2를 보면, 실시예 1(머캅토기)은 비교예 1에 필적하는 밀착성을 갖고 있음을 알았다. 도 2에는 도시하지 않았지만, 실시예 3에 대해서도 실시예 1과 마찬가지의 결과를 얻었다. 또한, 실시예 2(메타크릴기)에서도 실용에 견딜 수 있는 밀착력을 가짐을 알았다.
2) 표면 자유 에너지
다음으로, 표면 자유 에너지에 대해 접촉각 측정법을 이용해서 평가했다. 그 결과를 도 3에 나타낸다. 또한, 참고로서, 기판(1) 및 하드 마스크층(7)의 표면 자유 에너지에 대해서도 평가했다.
도 3으로부터, 실시예 1(머캅토기)에 대해서는 높은 표면 자유 에너지를 얻을 수 있고, 유기 화합물에 대해 양호한 습윤성을 나타냄을 알았다. 도 3에는 도시되지 않았지만, 실시예 3에 대해서도 실시예 1과 마찬가지의 결과를 얻었다. 또한, 실시예 2(메타크릴기)에서도 유기 화합물에 대하여 양호한 습윤성을 나타냄을 알았다.
3) 표면 거칠기
다음으로, 실시예 및 비교예에 따른 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층(4)을 형성한 카피 몰드 제작용 기판에 대해서, 표면 거칠기를 평가했다.
여기서 표면 거칠기를 평가한 이유는 이하와 같다.
레지스트층(4)으로서 광 경화성 수지를 이용했을 경우, 이 광 경화성 수지가 광 조사에 의해 경화하면, 통상적으로 수축한다.
혹시 레지스트층(4)과 밀착 보조층(5) 사이의 밀착력이 부족한 경우, 광 조사에 의해 경화한 레지스트층(4)은 밀착 보조층(5)으로부터 박리되어버린다.
그 결과, 레지스트층(4)의 표면에 거칠기가 발생한다.
즉, 표면 거칠기가 밀착성을 나타내는 지표의 하나로 될 수 있다고 본 발명자들은 생각했다.
이 표면 거칠기에 관하여, 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 밀착 보조층 부착 기판에 대해, AFM을 이용해서 관찰한 결과를 도 4에 나타낸다. 또한, 이것을 수치화한 결과에 대해서 도 5에 나타낸다. 실시예 1의 도 4의 (a) 및 실시예 2의 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 실시예에서는 대략 평활한 표면이었다. 도 4에는 도시되지 않았지만, 실시예 3에 대해서도 실시예 1과 마찬가지의 결과를 얻었다.
그 중에서도 특히 도 4의 (b)에 도시하는 실시예 2(메타크릴기)에서는, 표면 거칠기가 상당히 작아 양호한 표면을 얻을 수 있었다.
한편, 비교예 1 내지 3에서는, 각각 대응하는 도 4의 (c) 내지 (e)에 도시한 바와 같이, 거친 표면이 되어 있다. 그 때문에, 비교적 밀착력이 떨어질 뿐 아니라, 거친 표면인 것을 고려하면 정밀도가 높은 패턴을 제작하는 것이 어려운 것으로 생각된다.
<실시예 4>
실시예 1에서 변성 실란기와 머캅토기를 갖는 밀착 보조층 부착 기판에 레지스트층(4)을 형성한 카피 몰드 제작용 기판을 제작한 후, 이 밀착 보조층 부착 기판에 대하여, 80℃에서 20분간, 노광 전 베이크를 행하였다.
그리고, 해당 기판에 대하여 광 임프린트 장치로(메이쇼제 UV 노광 장치로 120초 조사) 압력 2.2MPa, 자외광 조사 시간 120초로 하여, 트랙 피치 120nm의 디스크리트 트랙 리코딩형 패턴드 미디어의 요철 패턴을 형성한 원형 몰드(30)를 이용해서 패턴 전사를 행하였다. 또한, 이 원형 몰드(30)에는 이형제 DDOH(마츠무라석유제)를 도포하여, 미리 이형층을 형성했다.
상기와 같이 패턴 전사하여, 레지스트층(4)에 패턴을 형성한 후, 광학 현미경에 의한 관찰을 행하여, 레지스트층(4)에 박리가 생긴 부위의 전체에서 차지하는 면적을 구했다. 그 결과, 면적은 전체의 1% 미만으로, 양호한 밀착성을 가짐을 알았다.
1 : 기판
2 : 도전층
3 : 질화 크롬층
4 : 레지스트층
5 : 밀착 보조층
7 : 하드 마스크층
8 : 캔틸레버
10 : 잔존 하드 마스크층 제거 전 몰드
20 : 카피 몰드
30 : 원형 몰드

Claims (16)

  1. 기판 위에 밀착 보조층이 설치되어 있고, 상기 밀착 보조층을 개재하여 유기 화합물층이 설치되어야 할 밀착 보조층 부착 기판으로서,
    상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고,
    상기 흡착 관능기는, 주로 기판에 대하여 결합하고 있는 변성 실란기로 이루어지고,
    상기 밀착 촉진 관능기는, 주로 상기 유기 화합물층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 밀착 보조층 부착 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 화합물층은 레지스트층이며,
    상기 밀착 촉진 관능기는, 상기 레지스트층에 대하여 광 래디컬 반응을 행하는 관능기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 밀착 촉진 관능기는, 상기 유기 화합물층의 근원이 되는 약제를 상기 밀착 보조층 위에 도포했을 때, 상기 약제의 접촉각이 30°이하가 되는 관능기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 밀착 촉진 관능기는 머캅토기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 밀착 촉진 관능기는 메타크릴기 또는 에폭시기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀착 촉진 관능기는 분자쇄의 적어도 한쪽의 말단에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변성 실란기는 분자쇄의 적어도 한쪽의 말단에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변성 실란기는 알콕시실란기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 알콕시실란기는 트리메톡시실란기인 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 화합물층은 레지스트층이며, 상기 레지스트층은 광 경화성 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 화합물층은 레지스트층이며, 상기 레지스트층은 자외선 영역에 실질적인 감도를 갖지 않는 전자선 묘화 노광용 레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  12. 기판 위에 밀착 보조층이 설치되어 있고, 상기 밀착 보조층을 개재하여 레지스트층이 설치되어야 할 밀착 보조층 부착 기판으로서,
    상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중의 분자쇄의 한쪽 말단에는 트리메톡시실란기가 형성되어 있고, 다른 한쪽의 말단에는 머캅토기, 메타크릴기 또는 에폭시기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 밀착 보조층 부착 기판.
  13. 소정의 패턴에 대응하는 요철이 형성된 임프린트용의 몰드로부터 다른 카피 몰드를 제조하는 방법으로서,
    상기 별도 몰드용의 기판 위에 하드 마스크층을 형성하고, 상기 하드 마스크층 위에 밀착 보조층을 형성하고, 상기 밀착 보조층 위에 패턴 형성용의 임프린트용 레지스트층(이후, 레지스트층이라고도 함)을 형성하는 공정과,
    임프린트에 의해, 상기 몰드가 갖는 패턴을 상기 레지스트층에 전사하는 공정과,
    상기 레지스트층으로부터 상기 몰드를 이형한 후, 소정의 패턴이 전사된 상기 레지스트층을 마스크로 하여, 상기 하드 마스크층에 대해 에칭을 행하는 공정
    을 갖고,
    상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고,
    상기 밀착 보조층을 형성할 때에 베이크를 행함으로써,
    상기 흡착 관능기는 변성 실란기로 이루어져, 주로 기판에 대해 결합하고,
    상기 밀착 촉진 관능기는, 주로 상기 레지스트층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 몰드의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    광 임프린트법에 의해, 상기 몰드가 갖는 요철 패턴을 상기 레지스트층에 전사하는 공정에 있어서,
    상기 광 임프린트법에서 사용되는 조사광에 의해, 상기 레지스트층에 대하여 상기 밀착 촉진 관능기를 광 래디컬 반응시키는 것을 특징으로 하는, 몰드의 제조 방법.
  15. 임프린트용의 마스터 몰드를 제조하는 방법으로서,
    기판 위에 하드 마스크층을 형성하고, 상기 하드 마스크층 위에 밀착 보조층을 형성하고, 상기 밀착 보조층 위에 패턴 형성용의 전자선 묘화 노광용 레지스트층(전자선 레지스트층이라고도 함)을 형성하는 공정과,
    광 조사 장치에 의해, 상기의 하드 마스크층, 밀착 보조층, 전자선 레지스트층을 순서대로 형성한 기판을 광 조사하는 공정과,
    전자선 묘화(노광) 장치에 의해, 상기 전자선 레지스트층에 소정의 패턴을 묘화 노광하고, 그 후 현상하여, 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
    소정의 패턴이 형성된 상기 전자선 레지스트층(레지스트 패턴)을 마스크로 하여, 상기 하드 마스크층에 대하여 에칭을 행하는 공정
    을 갖고,
    상기 밀착 보조층에 포함되는 화합물 1 분자 중에는 흡착 관능기와 밀착 촉진 관능기가 포함되고,
    상기 밀착 보조층을 형성할 때에 베이크를 행함으로써,
    변성 실란기로 이루어지는 상기 흡착 관능기가, 주로 기판에 대해 결합하고,
    상기 밀착 촉진 관능기가, 주로 상기 레지스트층에 대한 밀착을 촉진 향상시키는 것을 특징으로 하는 마스터 몰드의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    적어도 상기 전자선 레지스트층의 현상보다 전에, 상기 광 조사에 의해 상기 전자선 레지스트층에 대하여 밀착 촉진 관능기를 광 래디컬 반응시키는 것을 특징으로 하는, 마스터 몰드의 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180128908A (ko) * 2016-03-31 2018-12-04 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서 충전 시간을 감소시키기 위한 임프린트 레지스트 및 기판 전처리
KR20190009352A (ko) * 2016-06-28 2019-01-28 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서의 충전 시간을 감소시키기 위한 임프린트 레지스트 및 기판 전처리
KR20200058357A (ko) * 2015-09-08 2020-05-27 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서의 충전 시간을 줄이기 위한 기판 예비처리

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5891814B2 (ja) * 2012-01-25 2016-03-23 大日本印刷株式会社 パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材
CN105358979A (zh) * 2013-03-15 2016-02-24 普林斯顿大学理事会 借助靶向固定、表面放大、以及像素化读取和分析的分析物检测增强
JP6232820B2 (ja) * 2013-08-06 2017-11-22 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法
JP6323071B2 (ja) * 2014-03-04 2018-05-16 大日本印刷株式会社 表面状態検査方法、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法
WO2016006190A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
US20160167180A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-16 United Technologies Corporation Direct deposition of metallic coating
JP6632340B2 (ja) * 2015-01-30 2020-01-22 キヤノン株式会社 密着層形成組成物、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品
WO2016120944A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component
JP6639128B2 (ja) * 2015-07-10 2020-02-05 株式会社カネカ 金属細線フィルムおよびその製造方法
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) * 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) * 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10754244B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) * 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10829644B2 (en) * 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
JP6942487B2 (ja) * 2017-03-03 2021-09-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
US10317793B2 (en) 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
US11199778B2 (en) 2019-03-12 2021-12-14 International Business Machines Corporation Polymer brush adhesion promoter with UV cleavable linker
KR102435818B1 (ko) * 2021-09-03 2022-08-23 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0954440A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターン形成方法およびフォトマスクの製造方法
JPH09269593A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版
JP3426560B2 (ja) * 2000-04-11 2003-07-14 島田理化工業株式会社 基板洗浄方法
JP4185808B2 (ja) * 2003-05-09 2008-11-26 Ｔｄｋ株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
JP5033615B2 (ja) * 2007-12-27 2012-09-26 株式会社日立製作所 インプリント用基板
JP2009206339A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hoya Corp インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法
JP5349854B2 (ja) * 2008-06-30 2013-11-20 株式会社日立製作所 微細構造体およびその製造方法
JP5615488B2 (ja) * 2008-06-30 2014-10-29 Hoya株式会社 位相シフトマスクの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200058357A (ko) * 2015-09-08 2020-05-27 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서의 충전 시간을 줄이기 위한 기판 예비처리
KR20180128908A (ko) * 2016-03-31 2018-12-04 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서 충전 시간을 감소시키기 위한 임프린트 레지스트 및 기판 전처리
KR20190009352A (ko) * 2016-06-28 2019-01-28 캐논 가부시끼가이샤 나노임프린트 리소그래피에서의 충전 시간을 감소시키기 위한 임프린트 레지스트 및 기판 전처리

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