JP6232820B2 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 - Google Patents
ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6232820B2 JP6232820B2 JP2013163454A JP2013163454A JP6232820B2 JP 6232820 B2 JP6232820 B2 JP 6232820B2 JP 2013163454 A JP2013163454 A JP 2013163454A JP 2013163454 A JP2013163454 A JP 2013163454A JP 6232820 B2 JP6232820 B2 JP 6232820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- inspection
- resin layer
- etching
- hard mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Description
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正および検査に関する。
ナノインプリントリソグラフィは、表面に予め所望のパターンを有するテンプレートを、被転写体の硬化性樹脂層と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写体の表面にパターンを転写する方法である。ナノインプリントリソグラフィは、単純な方法によってパターンを形成することができ、近年、数十ｎｍ〜数ｎｍの超微細なパターンを転写することが可能であることが示されている。そのため、ナノインプリントリソグラフィは、次世代リソグラフィ技術の候補として期待されている。
ナノインプリントリソグラフィの中でも、光ナノインプリントリソグラフィは、熱ナノインプリントリソグラフィに比べて、スループットが高い、温度による寸法変化が生じない、テンプレートの位置合わせが容易である等の利点を有する。そのため、近年、光ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの開発が進められている。
ナノインプリントリソグラフィにおいては、原版であるテンプレートの高精度な凹凸パターンを被転写体の硬化性樹脂層に押し付けて転写するため、テンプレートに欠陥があると被転写体のすべてにその欠陥も転写されてしまう。また、テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍体マスクではなく等倍マスクであり、微小な欠陥といえども被転写体に転写されてしまうという特有の課題がある。そのため、テンプレートには無欠陥が求められる。
しかしながら、近年ではパターンの微細化が求められており、これに伴い微小欠陥を検出することが困難になってきている。欠陥の検査方法としては例えば電子ビームや光で検査する方法が知られているが、電子ビーム検査ではビームサイズ以下の欠陥は解像できず、また微小欠陥の場合は欠陥部の二次電子量が少ないため、検出困難である。また、光検査では正常部と欠陥部の階調差が少なく、電子ビーム検査よりも検出感度が低いため、さらに検出困難である。
なお、特許文献１には、テンプレートの欠陥を効率良く検査することを目的として、テンプレートを用いたインプリントによって検査用基板上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンの欠陥の有無を検査する方法であって、検査用のインプリントの条件を被処理基板の加工条件とは異なるものにするテンプレートの欠陥検査方法が提案されている。この方法では、インプリントプロセスに起因して欠陥が発生するのを抑制し、テンプレート起因の欠陥を効率良く検査することができる。しかしながら、微小欠陥の検査方法に関する技術ではない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、微小な黒欠陥を検出可能なナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法を提供することを主目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記白欠陥部を転写した上記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記黒欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程とを有することを特徴とするテンプレートの欠陥修正方法を提供する。
なお、以下、ナノインプリントリソグラフィをＮＩＬと称する場合がある。
なお、以下、ナノインプリントリソグラフィをＮＩＬと称する場合がある。
本発明によれば、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。
上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程が、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することが好ましい。欠陥の検出感度を向上させることができるからである。
また本発明においては、上記検査用テンプレート作製工程が、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程とを有し、上記欠陥強調工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。樹脂層またはハードマスク層のエッチング時間を長くすることにより、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
上記の場合、上記欠陥強調工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることにより、樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。これにより、上述のように、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
また本発明においては、上記検査用テンプレート作製工程が、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程とを有し、上記欠陥強調工程では、上記転写工程中または上記転写工程後に上記樹脂層に電子線または紫外線を照射することも好ましい。電子線または紫外線の照射により樹脂層を収縮させることができる。これにより、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
また本発明は、ＮＩＬ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部を、上記検査用テンプレートの白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程が、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することを特徴とするテンプレートの検査方法を提供する。
本発明によれば、白欠陥部を強調させるため、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。
上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程が、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程とを有し、上記欠陥強調工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。上述したように、樹脂層またはハードマスク層のエッチング時間を長くすることにより、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
上記の場合、上記欠陥強調工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分を厚くすることが好ましい。上述したように、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分を厚くすることにより、樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。これにより、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
また本発明においては、上記検査用テンプレート作製工程が、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程とを有し、上記欠陥強調工程では、上記転写工程中または上記転写工程後に上記樹脂層に電子線または紫外線を照射することも好ましい。上述のように、電子線または紫外線の照射により樹脂層を収縮させることができる。これにより、検査用基板の露出部分を大きくすることができ、第１テンプレートの黒欠陥部に対して検査用テンプレートの白欠陥部を強調させることが可能である。
さらに本発明は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴とするテンプレートの製造方法を提供する。
本発明においては、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、欠陥の無いテンプレートを得ることが可能である。
本発明においては、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、欠陥の無いテンプレートを得ることが可能である。
また本発明は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程と、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程とを有することを特徴とするテンプレートの製造方法を提供する。
本発明においては、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより欠陥の無い第１テンプレートを得ることができ、この第１テンプレートを用いて第２テンプレートを作製することにより欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。
本発明においては、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能であるという効果を奏する。
以下、本発明のＮＩＬ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法について詳細に説明する。
Ａ．テンプレートの欠陥修正方法
本発明のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記白欠陥部を転写した上記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記黒欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程とを有することを特徴としている。
本発明のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記白欠陥部を転写した上記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記黒欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程とを有することを特徴としている。
本発明のテンプレートの欠陥修正方法について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明のテンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）〜（ｂ）、図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）〜（ｄ）、ならびに図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）は本発明における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図４（ｄ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であり、図５（ａ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、図６（ｄ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
まず、図１に示すように、第１テンプレート準備工程Ｓ１を行う。例えば、図２（ａ）、図３（ａ）および図５（ａ）に示すように、表面に凸部２および凹部３からなる凹凸パターン４を有し、透明基板から構成される第１テンプレート１を準備する。この例において、第１テンプレート１は黒欠陥部５を有している。なお、黒欠陥部とは、余剰パターンや異物等の欠陥をいう。
図１は本発明のテンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）〜（ｂ）、図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）〜（ｄ）、ならびに図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）は本発明における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図４（ｄ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であり、図５（ａ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、図６（ｄ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
まず、図１に示すように、第１テンプレート準備工程Ｓ１を行う。例えば、図２（ａ）、図３（ａ）および図５（ａ）に示すように、表面に凸部２および凹部３からなる凹凸パターン４を有し、透明基板から構成される第１テンプレート１を準備する。この例において、第１テンプレート１は黒欠陥部５を有している。なお、黒欠陥部とは、余剰パターンや異物等の欠陥をいう。
次に、図１に示すように、検査用テンプレート作製工程Ｓ２を行う。例えば、図２（ｂ）に示すように、第１テンプレート１を用いたインプリントによる転写によって、黒欠陥部５が転写された白欠陥部１５を有する検査用テンプレート１０を作製する。具体的には、まず、図３（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、検査用基板１０Ａ上にハードマスク層１６および樹脂層１７が積層された積層体を準備する。次いで、図３（ｃ）〜（ｄ）および図５（ｃ）〜（ｄ）に示すように、樹脂層１７に第１テンプレート１を密着させ、樹脂層１７を硬化させ、第１テンプレート１を剥離して、樹脂層１７に凸部２２および凹部２３からなる凹凸パターン２４を転写する。次いで、図３（ｄ）〜（ｅ）および図５（ｄ）〜（ｅ）に示すように、樹脂層１７の凹凸パターン２４の凹部２３を、ハードマスク層１６が露出するまでエッチングする。次いで、図３（ｅ）〜４（ａ）および図５（ｅ）〜図６（ａ）に示すように、樹脂層１７をマスクとして、ハードマスク層１６の露出部分を、検査用基板１０Ａが露出するまでエッチングする。続いて、図４（ｂ）および図６（ｂ）に示すように樹脂層１７を除去した後、図４（ｂ）〜（ｃ）および図６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、ハードマスク層１６をマスクとして、検査用基板１０Ａの露出部分をエッチングする。その後、図４（ｄ）および図６（ｄ）に示すように、ハードマスク層１６を除去する。これにより、図４（ｄ）および図６（ｄ）に示すように、表面に凸部１２および凹部１３からなる凹凸パターン１４を有し、透明基板から構成される検査用テンプレート１０が得られる。
次に、図１に示すように、検査用テンプレート検査工程Ｓ３を行う。例えば、検査用テンプレートを電子ビームや光を利用して検査する。
次に、図１に示すように、検査用テンプレートに白欠陥部が検出された場合には、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４を行う。具体的には、検査用テンプレートの白欠陥部を転写した第１テンプレートの黒欠陥部を電子ビームや光を利用して確認する。例えば、図２（ｂ）、図４（ｄ）および図６（ｄ）においては、検査用テンプレート１０は白欠陥部１５を有しており、図２（ａ）および図５（ａ）に示すように、第１テンプレート１は検査用テンプレート１０の白欠陥部１５を転写した黒欠陥部５を有している。
次に、図１に示すように、第１テンプレートに黒欠陥部が検出された場合には、第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５を行う。具体的には、第１テンプレートの黒欠陥部をエッチングして修正する。
次に、図１に示すように、検査用テンプレートに白欠陥部が検出された場合には、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４を行う。具体的には、検査用テンプレートの白欠陥部を転写した第１テンプレートの黒欠陥部を電子ビームや光を利用して確認する。例えば、図２（ｂ）、図４（ｄ）および図６（ｄ）においては、検査用テンプレート１０は白欠陥部１５を有しており、図２（ａ）および図５（ａ）に示すように、第１テンプレート１は検査用テンプレート１０の白欠陥部１５を転写した黒欠陥部５を有している。
次に、図１に示すように、第１テンプレートに黒欠陥部が検出された場合には、第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５を行う。具体的には、第１テンプレートの黒欠陥部をエッチングして修正する。
本発明において、検査用テンプレート作製工程では、例えば図３（ｃ）〜（ｄ）および図５（ｃ）〜（ｄ）に示すように樹脂層１７が硬化する際に収縮したり、図３（ｄ）〜（ｅ）および図５（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７をエッチングする際に樹脂層１７の凹凸パターン２４の凸部２２の側面がエッチングされてテーパー形状を有するようになったり、図４（ａ）および図６（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする際にハードマスク層１６の側面がエッチングされてテーパー形状を有するようになったりする。これにより、図４（ａ）および図６（ａ）に示すようにハードマスク層１６がオーバーエッチングされる。その結果、図４（ｄ）および図６（ｄ）に示すように検査用テンプレート１０の凹凸パターン１４の凹部１３の平面視の大きさが第１テンプレート１の凹凸パターン４の凸部２の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくなる。第１テンプレート１の黒欠陥部５が転写されると検査用テンプレート１０の白欠陥部１５になるが、検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさも同様に第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくなる。この例においては、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２が、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくなっている。すなわち、第１テンプレート１の黒欠陥部５に対して、検査用テンプレート１０の白欠陥部１５は強調されることになる。
上記の例においては、図２（ａ）に示すような第１テンプレート１のショート欠陥の黒欠陥部５を図２（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のオープン欠陥の白欠陥部１５によって検査する場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば図７（ａ）に示すような第１テンプレート１のエッジ欠陥の黒欠陥部５を図７（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のエッジ欠陥の白欠陥部１５によって検査することもできる。この場合も同様に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２が、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくなっている。このように本発明においては、第１テンプレートの黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する検査用テンプレートを作製することにより、検査用テンプレートの白欠陥部を強調することができる。
したがって本発明においては、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、欠陥部を高感度で検出することができる。そのため、第１テンプレートが微小な黒欠陥部を有する場合、特に既存の欠陥検査装置では検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、欠陥部を感度良く検出することが可能である。
また、ナノインプリントリソグラフィでは、テンプレートの凹凸パターンを被転写体に押し付けて転写するため、テンプレートが欠陥部を有すると、その欠陥部がそのまま転写される。フォトマスクやＥＵＶマスクでは、例えばパターンを１／４倍で縮小露光するため、欠陥部の影響が軽減されるのに対し、ＮＩＬ用のテンプレートでは、原理上、凹凸パターンを原寸で転写するため、欠陥部の影響が直接的に現れるという特有の課題がある。そのため、欠陥部の検査が特に重要になるが、本発明においては上述のように検出困難な微小な黒欠陥部であっても感度良く検出することができる。
また、欠陥部の検査には光検査や電子ビーム検査があり、光検査は電子ビーム検査と比較して検査時間が極めて短いという利点を有するものの、感度が低いという不具合がある。一方、本発明においては、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが光検査では検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、光検査によって欠陥部を感度良く検出することができ、また電子ビーム検査と同程度の高感度で検出することができる。これにより、高速かつ高感度の検査を実現することができ、生産性を大幅に向上させることが可能になる。そのため、本発明は光検査に特に有用である。
以下、本発明のテンプレートの欠陥修正方法における各工程について説明する。
１．第１テンプレート準備工程
第１テンプレートは、通常、透明基板から構成されるものである。透明基板を構成する材料としては、例えば、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを形成することにより一体化した構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるため、合成石英が好適に用いられる。
透明基板の光透過性としては、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内における光線の透過率が８５％以上であることが好ましい。
また、透明基板の厚さは、材料や用途等に応じて異なるものであるが、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
第１テンプレートは、通常、透明基板から構成されるものである。透明基板を構成する材料としては、例えば、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを形成することにより一体化した構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるため、合成石英が好適に用いられる。
透明基板の光透過性としては、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内における光線の透過率が８５％以上であることが好ましい。
また、透明基板の厚さは、材料や用途等に応じて異なるものであるが、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
第１テンプレートは、表面に凹凸パターンを有する。凹凸パターンの形状としては特に限定されるものではなく、例えばラインアンドスペース、ドット、ホール、アイソレートスペース、アイソレートライン、ピラー、レンズ、段差等を挙げることができる。
また、凹凸パターンの寸法としては、一般的なＮＩＬ用のテンプレートと同様とすることができる。
また、凹凸パターンの寸法としては、一般的なＮＩＬ用のテンプレートと同様とすることができる。
第１テンプレートが黒欠陥部を有する場合、黒欠陥部としては、例えば図２（ａ）に示すようなショート欠陥、図７（ａ）に示すようなエッジ黒欠陥、図示しないがピンドット欠陥等が挙げられる。なお、黒欠陥の種類はパターンのどの場所に発生したかによって異なり、ラインパターン間が繋がった黒欠陥をショート欠陥、パターンエッジに発生した黒欠陥をエッジ黒欠陥、スペース上に孤立にある黒欠陥をピンドット欠陥（ＢＳ：ブラックスポットとも呼ぶ）と称する。本発明においては、いずれの黒欠陥部であっても、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、感度良く検出することができる。
また、第１テンプレートの作製方法としては、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができ、例えば、透明基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして透明基板をエッチングしてハードマスク層を除去する方法が挙げられる。
本発明において、第１テンプレートは、ブランクスを加工して得られたテンプレート（マスターテンプレート）であってもよく、マスターテンプレートを用いたインプリントによる転写によって得られたテンプレート（レプリカテンプレート）であってもよく、レプリカテンプレートをさらに任意の回数転写して得られたテンプレートであってもよい。中でも、第１テンプレートはマスターテンプレートであることが好ましい。本発明のテンプレートの欠陥修正方法により、欠陥の無いマスターテンプレートを得ることができ、この欠陥の無いマスターテンプレートを用いて欠陥の無いレプリカテンプレートを得ることができるからである。
２．検査用テンプレート作製工程
本発明における検査用テンプレートの作製工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する。
本発明における検査用テンプレートの作製工程では、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する。
検査用テンプレートの作製方法としては、第１テンプレートを用いたインプリント法であればよく、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができる。例えば、検査用テンプレート作製工程は、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程とを有することができる。
以下、検査用テンプレート作製工程における各工程について説明する。
以下、検査用テンプレート作製工程における各工程について説明する。
（１）積層工程
積層工程では、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する。
積層工程では、検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する。
検査用基板としては、例えば透明基板が挙げられる。なお、透明基板については、第１テンプレートと同様であるので、ここでの説明は省略する。
ハードマスク層に用いられる材料としては、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属、これらの金属を含む合金、およびこれらの金属を含む酸化物や窒化物等を挙げることができる。
ハードマスク層の厚みは、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
ハードマスク層の形成方法としては、例えば蒸着法が挙げられる。
ハードマスク層の厚みは、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
ハードマスク層の形成方法としては、例えば蒸着法が挙げられる。
樹脂層に用いられる材料としては、後述の転写工程にて硬化可能な硬化性樹脂であればよく、例えば光硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、具体的には、ＰＡＫ−０１（東亞合成製）、ＮＩＰ−Ｋ（Zen Photonics製）、およびＴＳＲ−８２０（帝人製機製）等を挙げることができる。ＰＡＫ−０１（東亞合成製）は硬化収縮しやすいことから好ましく用いられる。
樹脂層の厚みは、例えば１０ｎｍ〜数百ｎｍ程度で設定することができる。
樹脂層の形成方法としては、検査用基板上に硬化性樹脂組成物を塗布する方法を挙げることができ、塗布方法としては、例えばインクジェット法、滴下法、スピンコート法等を挙げることができる。
樹脂層の厚みは、例えば１０ｎｍ〜数百ｎｍ程度で設定することができる。
樹脂層の形成方法としては、検査用基板上に硬化性樹脂組成物を塗布する方法を挙げることができ、塗布方法としては、例えばインクジェット法、滴下法、スピンコート法等を挙げることができる。
（２）転写工程
転写工程では、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する。
転写工程では、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する。
樹脂層の硬化方法としては、通常、光を照射する方法が用いられる。光の種類としては、例えば紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。一般に使用される紫外線の波長帯としては、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。また、光の照射量としては、硬化性樹脂が十分に硬化する量であれば特に限定されるものではない。
樹脂層の凹凸パターンは、上記第１テンプレートの凹凸パターンが転写されたものであり、樹脂層の凹凸パターンの形状および寸法については、上記第１テンプレートの凹凸パターンと同様である。
検査用テンプレートが白欠陥部を有する場合、白欠陥部としては、例えば図２（ｂ）に示すようなオープン欠陥、図７（ｂ）に示すようなエッジ白欠陥、図示しないがピンホール欠陥等が挙げられる。なお、白欠陥の種類は、パターンのどの場所に発生したかによって異なり、ラインパターンが断線した白欠陥をオープン欠陥、パターンエッジに発生した白欠陥をエッジ白欠陥、ラインパターン上に孤立にある白欠陥をピンホール欠陥と称する。
第１テンプレートを剥離する方法としては、特に限定されるものではなく、一般的なインプリントで用いられる方法と同様である。
（３）第１エッチング工程
第１エッチング工程では、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする。樹脂層の凹凸パターンを全体的にエッチングして厚みを薄くすることで、凹部の樹脂層が除去され、下地のハードマスク層が露出する。このとき、凸部の樹脂層は残存している。
樹脂層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、樹脂層のエッチング方法は、樹脂層およびハードマスク層のうち、樹脂層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、樹脂層およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、酸素、窒素、塩素、フッ素系等のガスで樹脂層をエッチングすることができる。
第１エッチング工程では、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする。樹脂層の凹凸パターンを全体的にエッチングして厚みを薄くすることで、凹部の樹脂層が除去され、下地のハードマスク層が露出する。このとき、凸部の樹脂層は残存している。
樹脂層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、樹脂層のエッチング方法は、樹脂層およびハードマスク層のうち、樹脂層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、樹脂層およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、酸素、窒素、塩素、フッ素系等のガスで樹脂層をエッチングすることができる。
（４）第２エッチング工程
第２エッチング工程では、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする。
ハードマスク層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、ハードマスク層のエッチング方法は、樹脂層およびハードマスク層のうち、ハードマスク層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、樹脂層およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。
第２エッチング工程では、上記ハードマスク層の露出部分を、上記検査用基板が露出するまでエッチングする。
ハードマスク層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、ハードマスク層のエッチング方法は、樹脂層およびハードマスク層のうち、ハードマスク層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、樹脂層およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。
ハードマスク層のエッチング後には、通常、樹脂層を除去する。樹脂層の除去は、後述の第３エッチング工程前に行うことが好ましい。第３エッチング工程にて検査用基板の露出部分をエッチングする際に樹脂層がある場合は、樹脂層のスカム（残渣）や残膜等により安定的にエッチングができない可能性がある。また、ハードマスク層のエッチングから検査用基板のエッチングに進む際、一般的にはドライエッチングチャンバーを変更するが、このチャンバーを変更する際に検査用基板上に異物が付着するおそれがある。検査用基板のエッチングの前に樹脂層を除去することで、その異物も同時に除去することができる。
樹脂層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、樹脂層のみを容易に除去することができる。
樹脂層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、樹脂層のみを容易に除去することができる。
（５）第３エッチング工程
第３エッチング工程では、上記検査用基板の露出部分をエッチングする。
検査用基板のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、検査用基板のエッチング方法は、検査用基板およびハードマスク層のうち、検査用基板を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、検査用基板およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ8を用いることができ、酸素、ヘリウムガスをさらに混合してもよい。
第３エッチング工程では、上記検査用基板の露出部分をエッチングする。
検査用基板のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、検査用基板のエッチング方法は、検査用基板およびハードマスク層のうち、検査用基板を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、検査用基板およびハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ8を用いることができ、酸素、ヘリウムガスをさらに混合してもよい。
（６）ハードマスク層除去工程
ハードマスク層除去工程では、上記ハードマスク層を除去する。
ハードマスク層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、ハードマスク層のみを容易に除去することができる。ウェットエッチングにおいて、例えばハードマスク層がクロムを含む場合には、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いることができる。また、ドライエッチングにおいて、例えばハードマスク層がクロムを含む場合には、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。
ハードマスク層除去工程では、上記ハードマスク層を除去する。
ハードマスク層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、ハードマスク層のみを容易に除去することができる。ウェットエッチングにおいて、例えばハードマスク層がクロムを含む場合には、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いることができる。また、ドライエッチングにおいて、例えばハードマスク層がクロムを含む場合には、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。
（７）欠陥強調工程
本発明において、検査用テンプレート作製工程は、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することが好ましい。検査用テンプレートの白欠陥部を転写した第１テンプレートの黒欠陥部を検出しやすくなるからである。
本発明において、検査用テンプレート作製工程は、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することが好ましい。検査用テンプレートの白欠陥部を転写した第１テンプレートの黒欠陥部を検出しやすくなるからである。
ここで、「白欠陥部を強調させる」とは、第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさに対して、その黒欠陥部が転写された検査用テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることをいう。
比較対象の黒欠陥部および白欠陥部の平面視の大きさとしては、例えば、長さであってもよく幅であってもよい。具体的には、凹凸パターンがラインアンドスペースパターンである場合には、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部および白欠陥部の長さを挙げることができる。
より具体的には、第１テンプレートがラインアンドスペースパターンを有する場合であって、図２（ａ）に示すような第１テンプレート１のショート欠陥の黒欠陥部５を図２（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のオープン欠陥の白欠陥部１５によって検査する場合には、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２を、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることにより、白欠陥部を強調させることができる。
また、第１テンプレートがラインアンドスペースパターンを有する場合であって、図７（ａ）に示すような第１テンプレート１のエッジ欠陥の黒欠陥部５を図７（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のエッジ欠陥の白欠陥部１５によって検査する場合には、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２を、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることにより、白欠陥部を強調させることができる。
より具体的には、第１テンプレートがラインアンドスペースパターンを有する場合であって、図２（ａ）に示すような第１テンプレート１のショート欠陥の黒欠陥部５を図２（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のオープン欠陥の白欠陥部１５によって検査する場合には、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２を、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることにより、白欠陥部を強調させることができる。
また、第１テンプレートがラインアンドスペースパターンを有する場合であって、図７（ａ）に示すような第１テンプレート１のエッジ欠陥の黒欠陥部５を図７（ｂ）に示すような検査用テンプレート１０のエッジ欠陥の白欠陥部１５によって検査する場合には、ラインパターンの長手方向における検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の長さｄ２を、第１テンプレート１の黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることにより、白欠陥部を強調させることができる。
欠陥強調工程は、第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさに対して、第１テンプレートの黒欠陥部が転写された検査用テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、上記第１エッチング工程での樹脂層のエッチング時間を長くする方法、上記第２エッチング工程でのハードマスク層のエッチング時間を長くする方法、および、上記転写工程中または上記転写工程後に樹脂層に電子線や紫外線を照射する方法が挙げられる。
以下、エッチング時間を長くする方法、樹脂層に電子線や紫外線を照射する方法に分けて説明する。
以下、エッチング時間を長くする方法、樹脂層に電子線や紫外線を照射する方法に分けて説明する。
（ａ）エッチング時間
上記第１エッチング工程での樹脂層のエッチング時間を長くする方法では、例えば図５（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７をエッチングする際に樹脂層１７の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。これにより、図６（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする際にハードマスク層１６をオーバーエッチングし、ハードマスク層１６の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。その結果、図６（ｄ）に示すように検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくすることができる。
上記第１エッチング工程での樹脂層のエッチング時間を長くする方法では、例えば図５（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７をエッチングする際に樹脂層１７の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。これにより、図６（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする際にハードマスク層１６をオーバーエッチングし、ハードマスク層１６の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。その結果、図６（ｄ）に示すように検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくすることができる。
また、上記第２エッチング工程でのハードマスク層のエッチング時間を長くする方法では、例えば図６（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする際にハードマスク層１６をオーバーエッチングし、ハードマスク層１６の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。その結果、図６（ｄ）に示すように検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくすることができる。
上記第１エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法においては、具体的に、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記第１エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。
このような方法としては、例えば、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くする方法を挙げることができ、具体的には、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いことにより、樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いほど、樹脂層のエッチング時間が長くなり、樹脂層をエッチングする際に樹脂層の開口部の平面視の大きさを第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさよりも大きくすることができると考えられる。
このような方法としては、例えば、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くする方法を挙げることができ、具体的には、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いことにより、樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いほど、樹脂層のエッチング時間が長くなり、樹脂層をエッチングする際に樹脂層の開口部の平面視の大きさを第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさよりも大きくすることができると考えられる。
ここで、ナノインプリントリソグラフィにおいて、転写された凹凸パターンの残膜部分の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。なお、本発明において、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さとは、図３（ｄ）に例示するような樹脂層１７の凹凸パターン２４の凹部２３の厚さＴをいう。
通常、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製する場合、ＲＬＴはなるべく薄いほうが望ましいとされており、凹凸パターンの寸法や材料等にもよるが、例えば樹脂層の高さが１００ｎｍ程度の場合、ＲＬＴは１０ｎｍ程度である。
これに対し、本発明においては、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。具体的に、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、０．１５〜０．７の範囲内であることが好ましい。より具体的には、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さが４５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である場合、６．８ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内で設定することができる。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄すぎると、樹脂層のエッチング時間を長くすることができず、白欠陥部を十分に強調させることが困難となる。一方、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、樹脂層をエッチングする際、樹脂層の凹凸パターンの凸部は、図３（ｅ）に例示する樹脂層１７の断面のように、上方向からのエッチングと、上方向よりは少ないが横方向からのエッチングとの２方向からエッチングが進むため、高さが低くなり、第２エッチング工程にてハードマスク層の露出部分をエッチングする際にマスクとして機能しなくなるおそれがある。また、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、樹脂層をエッチングする際に樹脂層の開口部の平面視の大きさが第１テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の大きさよりも大きくなりすぎて、検査用基板に凹凸パターンを形成することが困難になる場合や、樹脂層のエッチング時間が長くなりすぎて、製造効率が悪くなる場合がある。
なお、本発明において、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さとは、図３（ｄ）に例示するような高さＨで示される。
通常、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製する場合、ＲＬＴはなるべく薄いほうが望ましいとされており、凹凸パターンの寸法や材料等にもよるが、例えば樹脂層の高さが１００ｎｍ程度の場合、ＲＬＴは１０ｎｍ程度である。
これに対し、本発明においては、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。具体的に、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、０．１５〜０．７の範囲内であることが好ましい。より具体的には、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さが４５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である場合、６．８ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内で設定することができる。樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄すぎると、樹脂層のエッチング時間を長くすることができず、白欠陥部を十分に強調させることが困難となる。一方、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、樹脂層をエッチングする際、樹脂層の凹凸パターンの凸部は、図３（ｅ）に例示する樹脂層１７の断面のように、上方向からのエッチングと、上方向よりは少ないが横方向からのエッチングとの２方向からエッチングが進むため、高さが低くなり、第２エッチング工程にてハードマスク層の露出部分をエッチングする際にマスクとして機能しなくなるおそれがある。また、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、樹脂層をエッチングする際に樹脂層の開口部の平面視の大きさが第１テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の大きさよりも大きくなりすぎて、検査用基板に凹凸パターンを形成することが困難になる場合や、樹脂層のエッチング時間が長くなりすぎて、製造効率が悪くなる場合がある。
なお、本発明において、樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さとは、図３（ｄ）に例示するような高さＨで示される。
また、例えば上記第１エッチング工程にて樹脂層およびハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純に樹脂層のエッチング時間を長くしてもよい。
一方、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法においては、具体的に、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。
このような方法としては、例えば、上記ハードマスク層の厚さを厚くする方法を挙げることができ、具体的には、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。ハードマスク層の厚さが厚いことにより、ハードマスク層のエッチング時間を長くすることができる。ハードマスク層の厚さが厚いほど、ハードマスク層のエッチング時間が長くなり、ハードマスク層をエッチングする際にハードマスク層の開口部の平面視の大きさを第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさよりも大きくすることができると考えられる。
このような方法としては、例えば、上記ハードマスク層の厚さを厚くする方法を挙げることができ、具体的には、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、上記ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。ハードマスク層の厚さが厚いことにより、ハードマスク層のエッチング時間を長くすることができる。ハードマスク層の厚さが厚いほど、ハードマスク層のエッチング時間が長くなり、ハードマスク層をエッチングする際にハードマスク層の開口部の平面視の大きさを第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさよりも大きくすることができると考えられる。
通常、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製する場合、凹凸パターンが微細であることから、ハードマスク層の厚さはなるべく薄いほうが望ましいとされており、凹凸パターンの寸法等にもよるが、例えばハードマスク層の厚さは３ｎｍ〜１０ｎｍ程度である。
これに対し、本発明においては、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。具体的に、ハードマスク層の厚さとしては、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが好ましい。ハードマスク層の厚さが薄すぎると、ハードマスク層のエッチング時間を長くすることが困難となる。また、ハードマスク層の厚さが厚すぎると、ハードマスク層をエッチングする際にハードマスク層の開口部の平面視の大きさが第１テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の大きさよりも大きくなりすぎて、検査用基板に凹凸パターンを形成することが困難になる場合や、ハードマスク層のエッチング時間が長くなりすぎて、製造効率が悪くなる場合がある。
これに対し、本発明においては、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。具体的に、ハードマスク層の厚さとしては、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが好ましい。ハードマスク層の厚さが薄すぎると、ハードマスク層のエッチング時間を長くすることが困難となる。また、ハードマスク層の厚さが厚すぎると、ハードマスク層をエッチングする際にハードマスク層の開口部の平面視の大きさが第１テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の大きさよりも大きくなりすぎて、検査用基板に凹凸パターンを形成することが困難になる場合や、ハードマスク層のエッチング時間が長くなりすぎて、製造効率が悪くなる場合がある。
また、例えば上記第２エッチング工程にて樹脂層およびハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純にハードマスク層のエッチング時間を長くしてもよい。
上述のエッチング時間を長くする方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。
（ｂ）電子線または紫外線の照射
上記転写工程中または上記転写工程後に樹脂層に電子線または紫外線を照射する方法では、例えば図８（ａ）〜（ｂ）に示すように樹脂層１７に電子線または紫外線（図示なし）を照射することで収縮させることができる。これにより、図８（ｃ）に示すように第１エッチング工程にて樹脂層１７の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができ、図８（ｄ）に示すように第２エッチング工程にてハードマスク層１６の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。これより、図８（ｇ）に示すように検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくすることができる。
なお、図８（ａ）〜（ｇ）に示す工程は上述の図５（ｃ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）と同様である。
上記転写工程中または上記転写工程後に樹脂層に電子線または紫外線を照射する方法では、例えば図８（ａ）〜（ｂ）に示すように樹脂層１７に電子線または紫外線（図示なし）を照射することで収縮させることができる。これにより、図８（ｃ）に示すように第１エッチング工程にて樹脂層１７の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができ、図８（ｄ）に示すように第２エッチング工程にてハードマスク層１６の開口部の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさよりも大きくすることができる。これより、図８（ｇ）に示すように検査用テンプレート１０の白欠陥部１５の平面視の大きさを第１テンプレート１の黒欠陥部５の平面視の大きさ（図中の破線）よりも大きくすることができる。
なお、図８（ａ）〜（ｇ）に示す工程は上述の図５（ｃ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）と同様である。
樹脂層に電子線を照射する場合には、例えば図８（ｂ）に示すように樹脂層１７から第１テンプレート１を剥離した後に、すなわち転写工程後に電子線を照射することができる。転写工程にて硬化した樹脂層に電子線を照射することで、樹脂層を収縮させることができる。
一方、樹脂層に紫外線を照射する場合、例えば図８（ａ）に示すように樹脂層１７に第１テンプレート１を密着させ、樹脂層１７を硬化させる際に、すなわち転写工程中に紫外線を照射してもよく、図８（ｂ）に示すように樹脂層１７から第１テンプレート１を剥離した後に、すなわち転写工程後に紫外線を照射してもよい。樹脂層に紫外線硬化性樹脂を用いる場合には、樹脂層に第１テンプレートを密着させ、樹脂層を紫外線により硬化させる際に同時に収縮させることができる。また、転写工程にて硬化した樹脂層に紫外線を照射することで、樹脂層を収縮させることもできる。
一般に使用される紫外線の波長帯としては、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。
紫外線または電子線の照射量としては、硬化性樹脂を収縮させることができる量であれば特に限定されるものではない。
紫外線または電子線の照射量としては、硬化性樹脂を収縮させることができる量であれば特に限定されるものではない。
（ｃ）その他
上述の白欠陥部を強調させる方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。
上述の白欠陥部を強調させる方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。
３．検査用テンプレート検査工程
本発明における検査用テンプレート検査工程では、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する。
本発明における検査用テンプレート検査工程では、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する。
検査用テンプレートの白欠陥部の検査方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して白欠陥部を検査する方法を挙げることができる。
荷電ビームとしては、白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ感度が高く、またイオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため検査用テンプレートへのダメージが少ないという利点を有する。電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
一方、光としては、白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば樹脂層の硬化に使用される光を挙げることができ、具体的には紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。より具体的には、高感度であることから、短波長の光、例えば１９３ｎｍの光を用いることができる。
中でも、光検査が好ましい。電子ビーム検査は、感度は高いものの、検査速度が非常に遅く検査に甚大な時間を費やすため効率が悪い。これに対し、光検査では、感度は低いものの、検査速度が早くスループットを向上させることができる。本発明においては、感度良く白欠陥部を検出することができるため、光検査も使用可能であり、高速かつ高感度の検査を実現することができる。
荷電ビームとしては、白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ感度が高く、またイオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため検査用テンプレートへのダメージが少ないという利点を有する。電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
一方、光としては、白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば樹脂層の硬化に使用される光を挙げることができ、具体的には紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。より具体的には、高感度であることから、短波長の光、例えば１９３ｎｍの光を用いることができる。
中でも、光検査が好ましい。電子ビーム検査は、感度は高いものの、検査速度が非常に遅く検査に甚大な時間を費やすため効率が悪い。これに対し、光検査では、感度は低いものの、検査速度が早くスループットを向上させることができる。本発明においては、感度良く白欠陥部を検出することができるため、光検査も使用可能であり、高速かつ高感度の検査を実現することができる。
また、検査用テンプレートの白欠陥部の検査は、上記欠陥用テンプレート作製工程における上記ハードマスク層除去工程後に行ってもよく、上記第３エッチング工程後に行ってもよく、上記第２エッチング工程後に行ってもよく、検査方法に応じて適宜選択される。例えば、光検査の場合、階調差が大きくなることから、上記第３エッチング工程後にハードマスク層が残っている状態で光検査を行うことが好ましい。また、光検査の場合には、ハードマスク層の厚みが比較的厚い場合には、上記第２エッチング工程後に光検査を行うこともできる。一方、電子ビーム検査の場合、電子ビーム検査をハードマスク層が残っている状態で行ってもよく、ハードマスク層が除去された状態で行ってもよい。
検査用テンプレートの白欠陥部を検査する際には、通常、検査用テンプレート全体を検査する。
４．第１テンプレート欠陥確認工程
本発明における第１テンプレート欠陥確認工程では、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記白欠陥部を転写した上記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する。
本発明における第１テンプレート欠陥確認工程では、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記白欠陥部を転写した上記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する。
第１テンプレートの黒欠陥部の確認方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して黒欠陥部を確認する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第１テンプレート欠陥確認工程では、上記検査用テンプレート検査工程にて検出された白欠陥部に対応する黒欠陥部を確認する。
第１テンプレートの黒欠陥部を確認する際には、黒欠陥部の近傍のみを検査してもよく、第１テンプレート全体を検査してもよいが、通常は黒欠陥部の近傍のみを検査すればよい。
第１テンプレートの黒欠陥部を確認する際には、黒欠陥部の近傍のみを検査してもよく、第１テンプレート全体を検査してもよいが、通常は黒欠陥部の近傍のみを検査すればよい。
なお、検査用テンプレートの白欠陥部は、検査用テンプレート作製工程時に発生したものである場合がある。そのため、検査用テンプレートの白欠陥部に対応する黒欠陥部が第１テンプレートに存在しない場合もある。その場合には、検査用テンプレート検査工程にて白欠陥部が検出されたとしても、後述の第１テンプレート欠陥修正工程にて特に処置する必要はない。
５．第１テンプレート欠陥修正工程
本発明における第１テンプレート欠陥修正工程では、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記黒欠陥部を修正する。
本発明における第１テンプレート欠陥修正工程では、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記黒欠陥部を修正する。
黒欠陥部の修正方法としては、黒欠陥部にアシストガスを供給しながら荷電ビームを照射し、黒欠陥部をエッチングする方法が挙げられる。
荷電ビームとしては、黒欠陥部のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。中でも、電子ビームが好ましい。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ修正精度が高く、またイオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため第１テンプレートへのダメージが少ないからである。
アシストガスとしては、黒欠陥部をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではない。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種のガスを含む混合ガスであってもよい。例えば、電子ビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）、ヨウ素（Ｉ２）等が挙げられる。
また、アシストガスの供給方法としては、例えば、黒欠陥部にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、第１テンプレートをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
６．その他の工程
本発明においては、図９に例示するように、上記検査用テンプレート作製工程Ｓ２前に、上記第１テンプレートの欠陥部を検査する第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行ってもよく、また第１テンプレート検査工程Ｓ１１後に、上記第１テンプレートの欠陥部を修正する検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行ってもよい。第１テンプレート検査工程Ｓ１１および検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行う場合には、検査用テンプレートを用いなくても検出可能な第１テンプレートの欠陥部に対して検査および修正を行うことができる。一方、第１テンプレート検査工程Ｓ１１および検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わない場合には、検査用テンプレート検査工程Ｓ３、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４および第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５により、第１テンプレートの欠陥部を検査および修正することができる。また、図示しないが、第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行う場合、検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わずに、第１テンプレート検査工程Ｓ１１にて検出された欠陥部を、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４後の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５にて修正してもよい。
本発明においては、図９に例示するように、上記検査用テンプレート作製工程Ｓ２前に、上記第１テンプレートの欠陥部を検査する第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行ってもよく、また第１テンプレート検査工程Ｓ１１後に、上記第１テンプレートの欠陥部を修正する検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行ってもよい。第１テンプレート検査工程Ｓ１１および検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行う場合には、検査用テンプレートを用いなくても検出可能な第１テンプレートの欠陥部に対して検査および修正を行うことができる。一方、第１テンプレート検査工程Ｓ１１および検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わない場合には、検査用テンプレート検査工程Ｓ３、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４および第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５により、第１テンプレートの欠陥部を検査および修正することができる。また、図示しないが、第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行う場合、検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わずに、第１テンプレート検査工程Ｓ１１にて検出された欠陥部を、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４後の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５にて修正してもよい。
（１）第１テンプレート検査工程
第１テンプレート検査工程では、第１テンプレートの欠陥部を検査する。
第１テンプレートの欠陥部を検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して欠陥部を検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第１テンプレートの欠陥部を検査する際には、通常、第１テンプレート全体を検査する。
第１テンプレート検査工程では、第１テンプレートの欠陥部を検査する。
第１テンプレートの欠陥部を検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して欠陥部を検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第１テンプレートの欠陥部を検査する際には、通常、第１テンプレート全体を検査する。
（２）検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程
検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程では、黒欠陥部を修正してもよく、白欠陥部を修正してもよい。
なお、黒欠陥部の修正方法については、上記の第１テンプレート欠陥修正工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程では、黒欠陥部を修正してもよく、白欠陥部を修正してもよい。
なお、黒欠陥部の修正方法については、上記の第１テンプレート欠陥修正工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、白欠陥部の修正方法としては、白欠陥部にデポジション用ガスを供給しながら荷電ビームを照射し、修正膜を堆積する方法が挙げられる。
荷電ビームとしては、白欠陥部のみに局所的に修正膜を堆積できるものであれば特に限定されるものではなく、黒欠陥部の修正に用いられるものと同様とすることができる。
荷電ビームとしては、白欠陥部のみに局所的に修正膜を堆積できるものであれば特に限定されるものではなく、黒欠陥部の修正に用いられるものと同様とすることができる。
デポジション用ガスとしては、例えば荷電ビームを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。また、デポジション用ガスには、第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製する際に変形しない程度の硬さを有する修正膜を堆積可能であること、検査用テンプレートの作製に用いられる樹脂層等と反応しないことも求められる。例えば、電子ビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）、フッ化タングステン（ＷＦ６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。
また、デポジション用ガスの供給方法としては、例えば、白欠陥部にデポジション用ガスを局所的に吹き付ける方法、第１テンプレートをデポジション用ガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
Ｂ．テンプレートの検査方法
本発明におけるテンプレートの検査方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部を、上記検査用テンプレートの白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程が、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することを特徴としている。
本発明におけるテンプレートの検査方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部を、上記検査用テンプレートの白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程が、上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有することを特徴としている。
図１０は本発明のテンプレートの検査方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）〜（ｂ）、図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）〜（ｄ）、ならびに図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）は本発明における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。なお、図２（ａ）〜（ｂ）、図３（ａ）〜（ｅ）および図４（ａ）〜（ｄ）、ならびに図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｄ）については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明のテンプレートの検査方法においては、図１０に示すように、第１テンプレート準備工程Ｓ１、検査用テンプレート作製工程Ｓ２１、および検査用テンプレート検査工程Ｓ３の順に行う。検査用テンプレート作製工程Ｓ２１は白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有しており、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項で説明したように、第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさに対して、検査用テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることができる。
本発明のテンプレートの検査方法においては、図１０に示すように、第１テンプレート準備工程Ｓ１、検査用テンプレート作製工程Ｓ２１、および検査用テンプレート検査工程Ｓ３の順に行う。検査用テンプレート作製工程Ｓ２１は白欠陥部を強調させる欠陥強調工程を有しており、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項で説明したように、第１テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさに対して、検査用テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることができる。
本発明においては、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項で説明したように、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。
なお、テンプレートの検査方法における各工程については、上述のテンプレートの欠陥修正方法における各工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
Ｃ．テンプレートの製造方法
本発明のテンプレートの製造方法は、２つの実施態様を有する。以下、各実施態様に分けて説明する。
本発明のテンプレートの製造方法は、２つの実施態様を有する。以下、各実施態様に分けて説明する。
１．第１実施態様
本実施態様のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造する方法である。
本実施態様のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造する方法である。
本発明においては、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項で説明したように、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することができる。したがって、欠陥の無い第１テンプレートを得ることが可能である。
修正工程は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う工程である。なお、上述のテンプレートの欠陥修正方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
２．第２実施態様
本実施態様のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程と、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程とを有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造し、その第１テンプレートを用いて第２テンプレートを製造する方法である。
本実施態様のテンプレートの製造方法は、ＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程と、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程とを有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造し、その第１テンプレートを用いて第２テンプレートを製造する方法である。
図１１は本発明のテンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、第１テンプレート準備工程Ｓ１から第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５までは、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」と同様である。
第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５後は、第２テンプレート作製工程Ｓ６および第２テンプレート検査工程Ｓ７を順に行う。
第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ５後は、第２テンプレート作製工程Ｓ６および第２テンプレート検査工程Ｓ７を順に行う。
本発明においては、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項で説明したように、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部で検査することにより、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することができる。したがって、欠陥の無い第１テンプレートを得ることができる。これにより、欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。
以下、テンプレートの製造方法における各工程について説明する。
（１）修正工程
本実施態様における修正工程は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う工程である。なお、上述のテンプレートの欠陥修正方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
本実施態様における修正工程は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う工程である。なお、上述のテンプレートの欠陥修正方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
（２）第２テンプレート作製工程
第２テンプレート作製工程では、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する。
第２テンプレートの作製方法としては、第１テンプレートを用いたインプリント法であればよく、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができる。例えば、第２テンプレートの作製方法は、透明基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記透明基板が露出するまでエッチングする工程と、上記透明基板の露出部分をエッチングする工程と、上記ハードマスク層を除去する工程とを有する方法とすることができる。
第２テンプレート作製工程では、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する。
第２テンプレートの作製方法としては、第１テンプレートを用いたインプリント法であればよく、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができる。例えば、第２テンプレートの作製方法は、透明基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記透明基板が露出するまでエッチングする工程と、上記透明基板の露出部分をエッチングする工程と、上記ハードマスク層を除去する工程とを有する方法とすることができる。
（３）第２テンプレート検査工程
上記第２テンプレート作製工程後には、通常、第２テンプレートを検査する第２テンプレート検査工程が行われる。
第２テンプレートを検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第２テンプレートを検査する際には、通常、第２テンプレート全体を検査する。
上記第２テンプレート作製工程後には、通常、第２テンプレートを検査する第２テンプレート検査工程が行われる。
第２テンプレートを検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第２テンプレートを検査する際には、通常、第２テンプレート全体を検査する。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
（第１テンプレートの作製）
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に電子線レジスト膜を形成し、電子線描画および現像を行った。これにより、凹凸パターンに対応するレジストパターンを形成した。次に、塩素および酸素の混合ガスでＣｒ酸化膜の露出部分のドライエッチングを行って石英基板を露出させた。その後、レジストパターンを除去した。次に、フッ素ガスで石英基板の露出部分のドライエッチングを行った。その後、ウェットエッチングでハードマスク層を除去し、第１テンプレートを作製した。
図１２（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は８ｎｍであった。なお、ＳＥＭ写真において、白い部分は凸部であり、黒い部分は凹部である。
（第１テンプレートの作製）
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に電子線レジスト膜を形成し、電子線描画および現像を行った。これにより、凹凸パターンに対応するレジストパターンを形成した。次に、塩素および酸素の混合ガスでＣｒ酸化膜の露出部分のドライエッチングを行って石英基板を露出させた。その後、レジストパターンを除去した。次に、フッ素ガスで石英基板の露出部分のドライエッチングを行った。その後、ウェットエッチングでハードマスク層を除去し、第１テンプレートを作製した。
図１２（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は８ｎｍであった。なお、ＳＥＭ写真において、白い部分は凸部であり、黒い部分は凹部である。
（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。このとき、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を厚くした。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ７０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより所望の検査用テンプレートが作製できた。
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。このとき、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を厚くした。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ７０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより所望の検査用テンプレートが作製できた。
図１２（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはオープン欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２６ｎｍであった。
［実施例２］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１３（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１０ｎｍであった。
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１３（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１０ｎｍであった。
（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。このとき、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、ハードマスク層の厚さを厚くした。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ１０ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、上記樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは１５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスにより石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは８ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより所望の検査用テンプレートが作製できた。
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。このとき、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって第２テンプレートを作製するときよりも、ハードマスク層の厚さを厚くした。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ１０ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、上記樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは１５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスにより石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは８ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより所望の検査用テンプレートが作製できた。
図１３（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはオープン欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２６ｎｍであった。
［実施例３］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１４（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１４ｎｍであった。
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１４（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１４ｎｍであった。
（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて、実施例１と同様にして検査用テンプレートを作製した。
図１４（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２８ｎｍであった。
上記第１テンプレートを用いて、実施例１と同様にして検査用テンプレートを作製した。
図１４（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２８ｎｍであった。
［実施例４］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１５（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は３５ｎｍであった。
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１５（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は３５ｎｍであった。
（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、上記樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスに石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより検査用テンプレートが作製できた。
図１５（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は５５ｎｍであった。
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層形成し、樹脂層に上記第１テンプレートを密着させた。樹脂層に第１テンプレートを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、上記樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。第１テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ2ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ2とＯ2の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスに石英基板の露出部分をエッチングした。その際のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより検査用テンプレートが作製できた。
図１５（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。検査用テンプレートはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は５５ｎｍであった。
［実施例５］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１６（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１４ｎｍであった。
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図１６（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、凹部の深さが６０ｎｍ、凹部および凸部の幅が３０ｎｍであった。また、第１テンプレートはエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１４ｎｍであった。
（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて、実施例４と同様にして検査用テンプレートを作製した。
図１６（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートではエッジ欠陥の黒欠陥部であったが、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって検査用テンプレートでは欠陥部が拡大され、オープン欠陥の白欠陥部１５になり、感度良く検出することが可能になった。また、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２２ｎｍであった。
上記第１テンプレートを用いて、実施例４と同様にして検査用テンプレートを作製した。
図１６（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（３万倍）を示す。第１テンプレートではエッジ欠陥の黒欠陥部であったが、第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって検査用テンプレートでは欠陥部が拡大され、オープン欠陥の白欠陥部１５になり、感度良く検出することが可能になった。また、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２２ｎｍであった。
以上より、白欠陥部を強調させることができることが確認された。これにより、第１テンプレートの黒欠陥部を検査用テンプレートの白欠陥部によって感度良く検出することが可能となる。
１ …第１テンプレート
２ …凸部
３ …凹部
４ …凹凸パターン
５ …黒欠陥部
１０…検査用テンプレート
１０Ａ…検査用基板
１２…凸部
１３…凹部
１４…凹凸パターン
１５…白欠陥部
１６…ハードマスク層
１７…樹脂層
２２…凸部
２３…凹部
２４…凹凸パターン
２ …凸部
３ …凹部
４ …凹凸パターン
５ …黒欠陥部
１０…検査用テンプレート
１０Ａ…検査用基板
１２…凸部
１３…凹部
１４…凹凸パターン
１５…白欠陥部
１６…ハードマスク層
１７…樹脂層
２２…凸部
２３…凹部
２４…凹凸パターン
Claims (6)
- ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、
第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
前記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、
前記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と、
前記検査用テンプレートに前記白欠陥部が検出された場合に、前記白欠陥部を転写した前記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、
前記第１テンプレートに前記黒欠陥部が検出された場合に、前記黒欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、
検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
前記樹脂層に前記第１テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する転写工程と、
前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
前記ハードマスク層の露出部分を、前記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
前記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、
前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、前記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程をさらに有し、
前記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、前記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを０．１５〜０．７の範囲内とすることを特徴とするテンプレートの欠陥修正方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、
第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
前記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、
前記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と、
前記検査用テンプレートに前記白欠陥部が検出された場合に、前記白欠陥部を転写した前記第１テンプレートの黒欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、
前記第１テンプレートに前記黒欠陥部が検出された場合に、前記黒欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、
検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
前記樹脂層に前記第１テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する転写工程と、
前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
前記ハードマスク層の露出部分を、前記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
前記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、
前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、前記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程をさらに有し、
前記欠陥強調工程では、前記転写工程後に前記樹脂層に電子線または紫外線を照射することを特徴とするテンプレートの欠陥修正方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
前記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、
前記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部を、前記検査用テンプレートの白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
前記検査用テンプレート作製工程が、
検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
前記樹脂層に前記第１テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する転写工程と、
前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
前記ハードマスク層の露出部分を、前記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
前記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、
前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、前記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程をさらに有し、
前記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、前記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを０．１５〜０．７の範囲内とすることを特徴とするテンプレートの検査方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
前記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、検査用テンプレートを作製する検査用テンプレート作製工程と、
前記検査用テンプレートの白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部を、前記検査用テンプレートの白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
前記検査用テンプレート作製工程が、
検査用基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
前記樹脂層に前記第１テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する転写工程と、
前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
前記ハードマスク層の露出部分を、前記検査用基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
前記検査用基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と、
前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と
を有し、
前記検査用テンプレート作製工程が、前記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程をさらに有し、
前記欠陥強調工程では、前記転写工程後に前記樹脂層に電子線または紫外線を照射することを特徴とするテンプレートの検査方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、
請求項１または請求項２に記載のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、
請求項１または請求項２に記載のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程と、
前記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程と
を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013163454A JP6232820B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013163454A JP6232820B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015032792A JP2015032792A (ja) | 2015-02-16 |
| JP6232820B2 true JP6232820B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=52517843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013163454A Active JP6232820B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6232820B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6497107B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-04-10 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法、欠陥修正方法および製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480957A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Defect inspection method |
| JP5398502B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | パターン作成方法、プロセス決定方法およびデバイス製造方法 |
| JP5871324B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2016-03-01 | Hoya株式会社 | 密着補助層付き基板、モールドの製造方法及びマスターモールドの製造方法 |
| JP2012023109A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Toshiba Corp | テンプレートの欠陥修正方法、テンプレートの作成方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2012204429A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | インプリント用テンプレート、その製造方法及びパターン形成方法 |
| JP2012243799A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | インプリント方法及びテンプレートの欠陥検査方法 |
| WO2013111631A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | 旭硝子株式会社 | ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法 |
-
2013
- 2013-08-06 JP JP2013163454A patent/JP6232820B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015032792A (ja) | 2015-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7056013B2 (ja) | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート | |
| JP5581797B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| CA2525364A1 (en) | Nanoimprint lithograph for fabricating nanoadhesive | |
| JP2008132722A (ja) | ナノインプリント用モールドおよびその作成方法、ならびにデバイスの製造方法 | |
| JP2012023109A (ja) | テンプレートの欠陥修正方法、テンプレートの作成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP6380595B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法 | |
| JP5053030B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 | |
| JP2007258419A (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
| JP2014216365A (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JP6232820B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法、検査方法および製造方法 | |
| JP6229291B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JP6277588B2 (ja) | パターン形成方法及びナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
| JP2013089691A (ja) | 反射型マスクの欠陥修正方法および製造方法 | |
| JP6497107B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法、欠陥修正方法および製造方法 | |
| JP5962353B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
| JP5899931B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法 | |
| KR20080073824A (ko) | 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 | |
| JP6631271B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
| US20210096461A1 (en) | Defect repairing method and template manufacturing method | |
| JP6471447B2 (ja) | ワイヤーグリッド偏光子の製造用部材の修正方法とワイヤーグリッド偏光子の製造方法および露光方法 | |
| JP6020026B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
| JP6467862B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法およびナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JP6417728B2 (ja) | テンプレートの製造方法 | |
| JP6102226B2 (ja) | 設計欠陥マスクの製造方法 | |
| JP6957917B2 (ja) | インプリントモールド用マスクブランク及びその製造方法、インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170601 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171009 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6232820 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |