JP6102226B2 - 設計欠陥マスクの製造方法 - Google Patents
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Description
第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記黒欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とするものである。
以下、第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法について、工程ごとに説明する。
第一実施態様における第一マスク形成工程は、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する工程である。
第一実施態様における第二マスク形成工程は、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する工程である。
第一実施態様においては、第二マスク形成工程の後に、上記第二マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第三マスクを形成する第三マスク形成工程を有していても良い。第三マスクの形成方法については、上述した第二マスクの形成方法と同様であるので、ここでの記載は省略する。さらに、第一実施態様においては、同様の形成方法により、インプリントを繰り返しても良い。
次に、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクについて説明する。図3は、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクの一例を示す概略平面図である。図3に示す設計欠陥マスク10は、設計欠陥パターン領域2A〜2Dを有する。なお、設計欠陥マスクは、通常、NIL用マスクが有するメインパターン(転写の目的となる主たるパターン)を有しない。
第二実施態様の設計欠陥マスクの製造方法は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記白欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とするものである。
以下、第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法について、工程ごとに説明する。
第二実施態様における第一マスク形成工程は、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する工程である。
第二実施態様における他の工程、および、第二実施態様により得られる設計欠陥マスクは、白欠陥部および黒欠陥部に関する事項が逆になること以外は、上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。
まず、図1(a)に示す基本マスクを作製した。具体的には、石英基板である透明基板21上に、Cr酸化膜であるハードマスク22が形成されたブランクを準備した(図2(a))。次に、ハードマスク22上に電子線レジスト膜23aを形成して、電子線描画および現像を行った(図2(b))。これにより、レジストパターン23bを形成した(図2(c))。次に、塩素と酸素の混合ガスでドライエッチングして透明基板21を露出させ(図2(d))、さらに、フッ素ガスでドライエッチングして透明基板21をエッチングした(図2(e))。その後、ウェットエッチングでハードマスク22を除去することにより、基本マスク100を得た(図2(f))。得られた基本マスク100の基本パターンはL&Sであり、図4におけるW1〜W3は、それぞれ10nmであった。
Claims (5)
- ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、
基本パターンを有する基本マスクを準備し、前記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで白欠陥部を形成し、当該白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、前記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、
前記黒欠陥部が前記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法。 - ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、
基本パターンを有する基本マスクを準備し、前記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで黒欠陥部を形成し、当該黒欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、前記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、
前記白欠陥部が前記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法。 - 前記設計欠陥部は規則的に形成されている複数の設計欠陥部であり、前記複数の設計欠陥部の長さは連続的に変化することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の設計欠陥マスクの製造方法。
- 前記基本パターンのハーフピッチは50nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の設計欠陥マスクの製造方法。
- 前記基本パターンの形状は、ライン・アンド・スペース、ドット、ホール、アイソレート−スペース、アイソレート−ライン、ピラー、レンズ、または段差であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の設計欠陥マスクの製造方法。
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