JP2003248295A - 露光マスク、露光マスクの製造方法、および露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスク上の欠陥に起因するウエーハ上の欠陥
の低減が可能な露光マスク、露光マスクの製造方法、お
よび露光方法を提供する。 【解決手段】 露光マスクに、実デバイス形成用の設計
パタン３と共に、許容範囲を越える最小の欠陥サイズを
有する欠陥、さらには欠陥検査装置による検出が可能で
かつ許容範囲内の欠陥サイズを有する欠陥を備えたモニ
タパタンとを設ける。そして、欠陥検査装置を用いて設
計パタン３の欠陥検査およびモニタパタン５の欠陥検査
を行い、欠陥検査装置によってモニタパタン５の欠陥が
検出可能であることを確認した後、欠陥検査において検
出された設計パタン３の欠陥を修正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程等で用いられるような微細な露光パタンが形成され
た露光マスク、および露光マスクの製造方法、さらには
露光マスクを用いた露光方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】リソグラフィの際に用いる露光マスクの
品質保証のうち、露光マスク上の欠陥に関しては、マス
ク欠陥検査装置を使用し、マスク１枚毎にマスク作製に
使用されたパタンデータとマスク上パタンとを比較、ま
たはマスク上に複数配置されたチップ同士を比較して、
相違箇所を欠陥パタンとして検出している。マスク上で
検出される最小の欠陥サイズは、欠陥検査装置の欠陥検
出感度に依存するが、通常、欠陥検査装置の欠陥検出感
度は、基準となるマスク（基準マスク）を日毎、週毎の
ように定期的に検査することで確認し、検出感度が変動
していなければ、マスクの品質保証に必要な各種の欠陥
が指定どおりに検出されていると判断している。

【０００３】また、以上のようにして欠陥検出感度が変
動していないとして保証された欠陥検査装置を用いて露
光マスクの欠陥検査を行い、その結果として、露光マス
ク上に欠陥パタンが検出された場合には、検出された欠
陥パタンを修正することで、欠陥のない、すなわち欠陥
保証された露光マスクを作製している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにして欠陥保証された露光マスクを作製する方法
では、基準マスクの検査において欠陥検出装置の欠陥検
出感度の変動が検出された場合に、前回の基準マスクで
の欠陥検出感度確認後、いつの時点で欠陥検出感度が変
動したのかを判断することは困難である。このため、定
期的な基準マスクの検査の間で突発的に欠陥検出感度が
変動した場合には、それを検出することができない。し
たがって、前回の基準マスクを用いた検査以降に、この
欠陥検出装置を用いて欠陥検査が行われた全ての露光マ
スクについて、欠陥検査が正常に行われていたことを保
証することができないのである。

【０００５】また、近年、半導体装置におけるデバイス
構造の微細化に伴い、露光マスク上において保証すべき
欠陥サイズも小さくなってきている。しかし、欠陥検査
装置の欠陥検出感度は、このような微細化に対して十分
に追従して向上しているとは言い難い。このため、露光
マスク上には、欠陥検査装置では検出されない多数の微
細な欠陥が残されていると考えられる。このような微細
な欠陥は、露光マスク上においては許容範囲内の欠陥サ
イズであっても、この露光マスクを用いたパタン露光に
おけるプロセス条件が変動した場合には、ウエーハ上に
形成される設計パタンに対して影響を及ぼす程度に拡大
された欠陥パタンとして形成される懸念がある。この場
合、このように拡大された欠陥パタンによって、設計パ
タンの短絡や断線が引き起こされる。

【０００６】そこで本発明は、１枚毎に確実な欠陥検査
を行うことが可能な露光マスク、および１枚毎に確実に
欠陥保証された露光マスクを得ることが可能な露光マス
クの製造方法、さらにはマスク上の欠陥に起因するウエ
ーハ上の欠陥の低減が可能な露光方法と、この露光方法
に用いる露光マスクを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の第１の露光マスクは、実デバイス形成
用の設計パタンと、許容範囲を越える最小の欠陥サイズ
を有する欠陥を備えたモニタパタンとを設けてなること
を特徴としている。

【０００８】このような第１の露光マスクでは、欠陥検
出装置を用いてモニタパタンの欠陥検査を行うことで、
このモニタパタンが設けられている当該露光マスクにお
いての許容範囲を越える最小の欠陥サイズを確実に検出
可能な程度に、欠陥検出装置の欠陥検出感度が保持され
ていることが確認される。そして、感度が保証された欠
陥検出装置によって、当該マスクの設計パタンの欠陥検
査を行うことで、上述した許容範囲を越える欠陥サイズ
の欠陥が確実に検出される。

【０００９】また、本発明の露光マスクの製造方法は、
次の手順で行うことを特徴としている。先ず、前述した
第１の露光マスクを作製し、欠陥検査装置を用いて設計
パタンおよびモニタパタンの欠陥検査を行う。そして、
欠陥検査装置によってモニタパタンの欠陥が検出可能で
あることを確認した後、欠陥検査において検出された設
計パタンの欠陥を修正することによって欠陥保証された
露光マスクを得る。

【００１０】このような露光マスクの製造方法では、モ
ニタパタンが有する欠陥を検出可能であることを確認す
ることで、このモニタパタンが設けられている当該露光
マスクにおいて許容範囲を越える最小の欠陥サイズを確
実に検出可能な程度に、欠陥検出装置の欠陥検出感度が
保持されていることが確認される。そして、その後、設
計パタンについて検出された欠陥が修正されるため、欠
陥検出感度が保証された欠陥検査装置で検出された欠陥
について、修正がなされることになる。したがって、許
容範囲を越える欠陥サイズの欠陥が確実に修正された露
光マスクが得られる。

【００１１】また、本発明の第２の露光マスクは、実デ
バイス形成用の設計パタンと、欠陥検査装置による検出
が可能でかつ許容範囲内の欠陥サイズを有する欠陥を備
えたモニタパタンとを設けてなることを特徴としてい
る。

【００１２】さらに、本発明の露光方法は、前述した第
２の露光マスクを用いた露光方法であり、モニタパタン
の転写パタンに生じる欠陥が所定の許容範囲の欠陥サイ
ズとなる条件で、この露光マスクを用いた実デバイス形
成のためのパタン露光を行う。

【００１３】このような露光マスクおよび露光方法にお
いては、露光マスク上において許容範囲内の欠陥サイズ
の欠陥が、露光によって形成された投影パタンに所定の
許容範囲の欠陥サイズで形成されるように露光条件が選
択される。このため、モニタパタンが有する欠陥よりも
小さく、かつ欠陥検査装置の欠陥検出感度よりも小さい
欠陥サイズの欠陥が設計パタンに発生していたとして
も、この設計パタンの投影パタンに生じる欠陥が、十分
に小さく抑えられる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、露
光マスク、露光マスクの製造方法、露光方法の順に図面
に基づいて説明する。尚ここでは、一例として、半導体
装置の製造に本発明を適用した実施形態を説明する。

【００１５】＜露光マスク＞図１には、実施形態の露光
マスクの一例を示す。この図に示す露光マスク１には、
半導体装置の回路パタンの設計原図に基づいて設計パタ
ン３が形成されている。この設計パタン３は、露光マス
ク１におけるチップ領域１ａに配置されている。このチ
ップ領域１ａは、例えば遮光帯４で囲まれており、これ
によって周辺領域と分離されている。また、この露光マ
スク１には、チップ領域１ａの外側の四隅に、本実施形
態に特徴的なモニタパタン５が設けられている。このモ
ニタパタン５は、図示したような位置への配置に限ら
ず、その後の半導体装置の製造に影響が無ければ、チッ
プ領域１ａ内の空き領域に配置されていても良く、また
周辺領域におけるその他の空き領域に配置されていても
良い。

【００１６】次に、モニタパタン５の詳しい構成を説明
する。図２に示すように、このモニタパタン５は、例え
ばラインアンドスペース状の主パタン５ａに、所定の欠
陥サイズの欠陥５０１〜５０８を意図的に設けた構成に
となっている。この欠陥は、露光マスク１において保証
すべき種類の欠陥であることとする。ここでは、このよ
うな一例として、図２には、主パタン５ａの設計にはな
いパタン部分が発生しているタイプの欠陥５０１，５０
２，５０５，５０６、パタンの抜け部分が生じているタ
イプの欠陥５０３，５０４，５０７，５０８を意図的に
発生させたモニタパタン５を示した。

【００１７】モニタパタン５に発生させる欠陥は、各タ
イプの欠陥において、許容範囲を越える最小の欠陥サイ
ズを有する欠陥（以下、最小ＮＧ欠陥と記す）５０５〜
５０８と、欠陥検査装置による検出が可能でかつ許容範
囲内の欠陥サイズを有する欠陥（以下、ＯＫ欠陥と記
す）５０１〜５０４であることとする。尚、許容範囲と
は、この露光マスク１に存在していても良い欠陥サイズ
の範囲であることとする。また、欠陥検査装置とは、次
の露光マスクの製造方法において露光マスク１の欠陥検
査に用いる欠陥検査装置であることとする。

【００１８】このような各欠陥サイズの欠陥５０１〜５
０８の一例として、主パタン５ａを幅０．６μｍで形成
した場合、最小ＮＧ欠陥５０５〜５０８を０．３μｍ×
０．３μｍ、ＯＫ欠陥５０１〜５０４を０．２μｍ×
０．２μｍで構成する。

【００１９】さらに、通常、各欠陥は、その発生場所に
よって、欠陥サイズの許容範囲が異なると共に、欠陥検
査装置の検出感度も異なる。このため、主パタン５ａと
の相対的な位置関係を変えて、それぞれの位置に対応す
る欠陥サイズの各欠陥５０１〜５０８（最小ＮＧ欠陥と
ＯＫ欠陥）とを形成することとする。ここでは、例えば
主パタン５の頂部間のエッジに接する位置と、中心位置
を０．６μｍ間隔にして主パタン５に対して孤立した状
態とに、各欠陥５０１〜５０８を配置する。

【００２０】以上に例示した数値はあくまでも一例であ
り、露光マスク１において欠陥保証すべき欠陥サイズに
応じて任意に選択されることとする。

【００２１】また、モニタパタン５に発生させる欠陥
は、上述したようなタイプに限定されず、以下に示すよ
うな各種のタイプがある。

【００２２】先ず、図３（１）に示す欠陥は、主パタン
５ａに対して孤立した状態で、主パタン５ａ内にパタン
の抜け部分が内在しているタイプの欠陥５１１ａ〜５１
１ｃであり、欠陥の大きさが欠陥サイズとなる。また、
図３（２）に示す欠陥は、主パタン５ａに対して孤立し
た状態で、主パタン５ａの外側にパタンが発生している
タイプの欠陥５１２ａ〜５１３ａであり、欠陥の大きさ
が欠陥サイズとなる。

【００２３】さらに、図３（３）に示す欠陥は、主パタ
ン５ａの頂部に接してパタンの抜け部分が内在している
タイプの欠陥５１３ａ〜５１３ｃであり、欠陥の大きさ
が欠陥サイズとなる。また、図３（４）に示す欠陥は、
主パタン５ａの頂部に接してパタンが発生しているタイ
プの欠陥５１４ａ〜５１４ａであり、欠陥の大きさが欠
陥サイズとなる。

【００２４】そして、図４（１）に示す欠陥は、主パタ
ン５ａの頂部間のエッジに接してパタンの抜け部分が内
在しているタイプの欠陥５１５ａ〜５１５ｃであり、欠
陥の大きさが欠陥サイズとなる。また、図４（２）に示
す欠陥は、主パタン５ａの頂部間のエッジに接してパタ
ンが発生しているタイプの欠陥５１６ａ〜５１６ｃであ
り、欠陥の大きさが欠陥サイズとなる。

【００２５】以上の各欠陥は、上述したように、欠陥の
配置位置によっても、許容範囲が異なる。このため、こ
れらの欠陥をモニタパタン５内に発生させる場合には、
各パタンのタイプとその発生位置とによって、適する欠
陥サイズのＯＫ欠陥と最小ＮＧ欠陥とを形成することと
する。

【００２６】また、図５（１）に示す欠陥は、主パタン
５ａ自体の大きさが設計値と異なるタイプの欠陥５１
７，５１８であり、例えば図中破線で示す設計値の大き
さの主パタン５ａに対して、拡大された欠陥５１７と縮
小された欠陥５１８とがある。このタイプの欠陥５１
７，５１８の欠陥サイズは、拡大率または縮小率とな
る。

【００２７】さらに、図５（２）に示す欠陥は、主パタ
ン５ａの形成位置が設計位置と異なるタイプの欠陥５１
９，５２０，５２１であり、例えばｘ方向にずれた欠陥
５１９、ｘｙ方向にずれた欠陥５２０、ｙ方向にずれた
欠陥５２１等がある。これらのタイプの欠陥５１９，５
２０，５２１は、図中破線で示す設計位置に対するずれ
量が欠陥サイズとなる。

【００２８】また、図５（３）に示す欠陥は、主パタン
５ａを構成する遮光膜の光透過率が大きいタイプの欠陥
５２２ａ〜５２２ｄであり、光透過率が欠陥サイズとな
る。

【００２９】以上の他にも、光透過部における光透過
率、遮光膜の膜厚や反射率等を段階的に変えた欠陥、こ
れらを任意に組合わせた欠陥等を設けても良い。また、
alternating位相シフトマスク（レベンソン型位相シフ
トマスク）では、位相差を変えたものを欠陥として使用
しても良い。また、ハーフトーン位相シフトマスクの場
合には、位相差の他に、光半透過部の透過率を変えたも
のを欠陥として使用しても良い。

【００３０】何れのタイプの欠陥であっても、それらの
欠陥をモニタパタン５内に発生させる場合には、各パタ
ンのタイプによって適する欠陥サイズのＯＫ欠陥と最小
ＮＧ欠陥とを形成することとする。

【００３１】そして、図１に示した露光マスク１上に
は、以上説明したような各タイプの欠陥のうち、その露
光マスクにおいて保証すべきタイプの欠陥を選択して発
生させたモニタパタン５を形成する。この場合、上述し
たように、欠陥のタイプ毎に、最小ＮＧ欠陥とＯＫ欠陥
となる欠陥サイズで欠陥を形成することとする。

【００３２】また、モニタパタン５を構成する主パタン
５ａの形状は、図２に示したように単純な矩形でもよい
が、マスク上のデバイスパタンの一部を抽出して使用し
てもよい。さらに、モニタパタン５に発生させる欠陥の
形状は、図２〜図５に例示したような単純な正方形でも
良いが、縦と横の寸法が異なる矩形でも良い。

【００３３】尚、これらの欠陥５０１〜５０８を意図的
に発生させたモニタパタン５は、露光マスク１を作製す
るための設計パタン３の描画に使用するパタンデータに
モニタパタン５用のデータを含ませておくことで、設計
パタン３と同一工程で形成しても良い。またこれに限ら
ず、設計パタン３とモニタパタン５の主パタン５ａのみ
を同一工程で形成し、欠陥５０１〜５０８のみを、例え
ばＦＩＢ（Focus IonBeam）や、レーザー等、遮光膜を
選択的に除去または成膜する装置を使用して主パタン５
ａ上に形成しても良い。

【００３４】以上説明した構成の露光マスク１によれ
ば、露光マスク１においての許容範囲を越える最小の欠
陥サイズの欠陥、すなわち最小ＮＧ欠陥を有するモニタ
パタン５を設けたことで、欠陥検出装置を用いてモニタ
パタン５の欠陥検査を行い、モニタパタン５に設けた最
小ＮＧ欠陥５０５〜５０８が検出可能であることを確認
することで、モニタパタン５が設けられている当該露光
マスクにおいての許容範囲を越える最小の欠陥サイズの
欠陥を確実に検出可能な程度に、欠陥検出装置の欠陥検
出感度が保持されていることを確認することができる。
つまり、各露光マスク１の欠陥検査の都度、欠陥検出感
度の保証（マスクの欠陥が仕様どおりに検出されている
ことの保証）が可能となり、マスク欠陥検査装置の検出
感度の変動を検出することが可能となる。またさらに、
感度が保証された欠陥検出装置によって、露光マスク１
の設計パタン３の欠陥検査を行うことで、設計パタン３
に許容範囲を越える欠陥サイズの欠陥が有る場合に、こ
れを確実に検出することができる。したがって、露光マ
スク１毎の欠陥検査の信頼性を確実にすることが可能に
なる。

【００３５】さらに、モニタパタン５に発生させる欠陥
として、その露光マスクにおいて保証すべきタイプの欠
陥を選択することで、確実に保証すべきタイプの欠陥を
検出することが可能になるのである。

【００３６】尚、以上のような効果を得るためには、露
光マスク１上のモニタパタン５には、最小ＮＧ欠陥５０
５〜５０８のみを発生させれば良いことになる。そし
て、欠陥検査装置の感度を確実に保証するためには、こ
の最小ＮＧ欠陥５０５〜５０８の欠陥サイズが、設定さ
れた欠陥サイズと一致しているか（許容範囲内で一致し
ているか）を確認すれば良い。

【００３７】＜露光マスクの製造方法＞次に、上述した
構成の露光マスク１を用い、露光マスク１の設計パタン
３に生じている欠陥を修正し、欠陥保証された露光マス
ク１’を得る方法を説明する。

【００３８】先ず、欠陥検査装置を用いて、露光マスク
１の設計パタン３およびモニタパタン５の欠陥検査を行
う。この際、設計パタン３の欠陥検査条件と同条件にて
モニタパタン５の欠陥検査を行う。また、設計パタン３
の欠陥検査では、半導体装置の回路パタンの設計原図に
基づく設計データに基づき、この設計データと異なる部
分を欠陥として検出する。一方、モニタパタン５の欠陥
検査では、主パタン５ａの設計データに基づき、主パタ
ン５ａの設計データと異なる部分を欠陥として検出す
る。

【００３９】次に、モニタパタン５の欠陥検査を行った
結果、モニタパタン５に発生させた最小ＮＧ欠陥５０５
〜５０８が検出可能であることを確認する。この際、さ
らに好ましくは、欠陥検査装置で検出されたモニタパタ
ン５の欠陥５０１〜５０８の欠陥サイズが、設定された
欠陥サイズと許容範囲を持って一致していることを確認
しても良い。このような確認を行うことで、欠陥検査装
置の欠陥検出感度を保証する。また、この欠陥検査装置
による設計パタンの欠陥検査が適正に行われたことを保
証する。

【００４０】尚、ここで、上述したような確認がなされ
なかた場合には、欠陥検査装置の欠陥検出感度が変動し
ていると見なし、欠陥検査装置の欠陥検出感度を調整す
る。その後、再度、モニタパタンおよび設計パタンの欠
陥検査を行うこととする。

【００４１】以上のようにして欠陥検査を行った後、設
計パタン３の欠陥検査で検出された欠陥を修正する。こ
の場合、ＦＩＢや、レーザー等、遮光膜を選択的に除去
または成膜する装置を使用して欠陥の修正を行う。尚、
欠陥修正の手段としては、これらに限定するものではな
く、その他の修正方法で行っても良い。これにより、欠
陥保証された露光マスク１’を得る。尚、この際、設計
パタン３の欠陥検査で検出された欠陥のうち、少なくと
も、この露光マスク１’に有ってはならない欠陥サイズ
の欠陥を修正することとする。しかし、好ましくは、設
計パタン３の欠陥検査で検出された欠陥の全てを修正す
ることとする。

【００４２】以上説明した露光マスク１’の製造方法に
よれば、先ず、モニタパタン５に設けられた最小ＮＧ欠
陥５０５〜５０８が検出可能であることを確認すること
で、露光マスク１において許容範囲を越える最小の欠陥
サイズを確実に検出可能な程度に、欠陥検出装置の欠陥
検出感度が保持されていることが確認される。そして、
この確認の後、この欠陥検査装置での欠陥検査によっ
て、設計パタン３について検出された欠陥が修正される
ため、欠陥検出感度が保証された欠陥検査装置で検出さ
れた欠陥について、修正がなされることになる。したが
って、許容範囲を越える欠陥サイズの欠陥が確実に修正
された設計パターン３を有する露光マスク１’を得るこ
とが可能になる。

【００４３】＜露光方法＞ここでは、上述したようにし
て欠陥保証された露光マスク１’を用いた露光方法を説
明する。

【００４４】先ず、上述した露光マスク１’の製造方法
におけるモニタパタン５の欠陥検査で検出された欠陥の
うち、ＯＫ欠陥５０１〜５０４およびこれよりも小さい
欠陥サイズの欠陥を残し、最小ＮＧ欠陥５０５〜５０８
およびこれよりも大きい欠陥サイズの欠陥を修正する。
これにより、モニタパタン５に、ＯＫ欠陥５０１〜５０
４およびこれよりも小さい欠陥サイズの欠陥のみを残
す。この工程は、露光マスク１’の製造工程において、
設計パタン３の欠陥修正と同一工程で行っても良い。こ
の場合、露光マスク１’は、モニタパタン５に対してこ
のような修正が既になされたものとなる。

【００４５】次に、ウエーハのリソグラフィ工程におい
て露光マスク１’上の設計パタン３をウエーハ上に投影
露光し、ウエーハ上に設計パタン３の転写パタンを形成
した場合に、露光マスク１’のモニタパタン５に残され
たＯＫ欠陥５０１〜５０４以下の欠陥サイズの欠陥が、
設計パタン３の転写パタンに対して影響を及ぼすことな
くウエーハ上の欠陥規格内になるように、露光条件を設
定する。

【００４６】ここでは、まず、露光マスク１’を用い、
露光条件（例えば露光時間、最適基準露光量、及びその
＋５％，−５％の露光時間等）を因子としたテスト露光
を行い、その後現像処理を行うことで、ウエーハ上に各
露光条件毎のモニタパタン５の転写パタンを形成する。
次いで、このテスト露光によって得られたモニタパタン
５の各転写パタンに発生している欠陥を検出してその欠
陥サイズを測定する。その後、検出された欠陥の欠陥サ
イズが、ウエーハ上における転写パタンの欠陥の許容範
囲（欠陥規格）内となっている転写パタンを選択し、こ
の転写パタンの形成に適用された露光条件を選択する。

【００４７】以上の様にして選択された露光条件にて、
露光マスク１’を用いたパタン露光を行い、その後現像
処理を行うことで、ウエーハ上に設計パタン３の転写パ
タンを形成する。

【００４８】以上説明した露光方法によれば、モニタパ
タン５に設けられたＯＫ欠陥５０１〜５０４が、露光に
よって形成された転写パタンに所定の許容範囲の欠陥サ
イズで形成されるように露光条件が選択される。このた
め、ＯＫ欠陥５０１〜５０４よりも小さく、かつ欠陥検
査装置の欠陥検出感度よりも小さい欠陥サイズの欠陥が
設計パタン５に発生していたとしても、この設計パタン
５の転写パタンに生じる欠陥を、十分に小さな欠陥サイ
ズ（許容範囲内の欠陥サイズであり、ウエーハ上規格内
の欠陥サイズ）に抑えることが可能になる。したがっ
て、短絡や断線のない、設計パタンに対して精度の良好
なウエーハ上パタン（転写パタン）の形成を行うことが
可能になる。

【００４９】尚、以上の露光方法においては、テスト露
光を行うのに先立ち、露光マスク１’におけるモニタパ
タン５の欠陥のうち、最小ＮＧ欠陥５０５〜５０８およ
びこれよりも大きい欠陥サイズの欠陥を修正することと
した。しかし、本発明の露光方法においては、必ずしも
モニタパタン５に対してこのような欠陥の修正を必要は
ない。モニタパタン５の欠陥を修正しない場合には、露
光条件を選択する際に、モニタパタン５の各転写パタン
に発生している欠陥のうち、ＯＫ欠陥５０１〜５０４ま
たはこれ以下の欠陥サイズの欠陥に関して測定された欠
陥サイズに基づいて、露光条件を選択するようにする。

【００５０】また、上述したような露光方法の効果を得
るためには、露光マスク１’上のモニタパタン５には、
ＯＫ欠陥５０１〜５０４のみが発生していれば良いこと
になる。このため、もともとＯＫ欠陥５０１〜５０４の
みを発生させたモニタパタン５を有する露光マスクを用
いて上述した露光方法を行っても、同様の効果を得るこ
とができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の露
光マスクによれば、許容範囲を越える最小の欠陥サイズ
の欠陥を有するモニタパタンを設けたことで、このモニ
タパタンを欠陥検出装置の欠陥検出感度保証用として用
いることができ、この欠陥を検出可能であることによっ
て感度が保証された欠陥検出装置によって、露光マスク
における設計パタンの欠陥検査を行い、露光マスク１毎
の欠陥検査の信頼性を確実にすることが可能になる。

【００５２】また、本発明の露光マスクの製造方法によ
れば、許容範囲を越える最小の欠陥サイズの欠陥を有す
るモニタパタンを露光マスクに設け、この欠陥を検出す
るｋとで露光検査装置の欠陥検出感度を保証した上で、
当該欠陥検査装置によって検出された欠陥を修正する構
成としたことで、許容範囲を越える欠陥サイズの欠陥が
確実に修正された露光マスクが得られる。

【００５３】さらに本発明の第２の露光マスクおよびこ
れを用いた露光方法によれば、欠陥検出可能でかつ許容
範囲内の欠陥サイズの欠陥を有するモニタパタンを露光
マスクに設け、転写パタンにおけるこの欠陥の欠陥サイ
ズが許容値となるように露光条件を設定するようにした
ことで、欠陥検出感度よりも小さい欠陥サイズの欠陥が
設計パタンに発生していたとしても、この設計パタンの
投影パタンに生じる欠陥を十分に小さく抑えることが可
能になる。この結果、マスク上の欠陥に起因するウエー
ハ上の欠陥の低減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態における露光マスクの一例を示す図で
ある。

【図２】実施形態における露光マスクに設けられるモニ
タパタンの一例を示す図である。

【図３】モニタパタンに発生させる欠陥パタンの一例を
示す図（その１）である。

【図４】モニタパタンに発生させる欠陥パタンの一例を
示す図（その２）である。

【図５】モニタパタンに発生させる欠陥パタンの一例を
示す図（その３）である。

【符号の説明】

１…露光マスク、１’…露光マスク（欠陥保証された露
光マスク）、３…設計パタン、５…モニタパタン、５０
１〜５０４…ＯＫ欠陥、５０５〜５０８…最小ＮＧ欠陥

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実デバイス形成用の設計パタンと、 許容範囲を越える最小の欠陥サイズを有する欠陥を備え
   たモニタパタンとを設けてなることを特徴とする露光マ
   スク。
2. 【請求項２】 実デバイス形成用の設計パタンと共に、
   許容範囲を越える最小の欠陥サイズの欠陥を備えたモニ
   タパタンが設けられた露光マスクを作製し、 欠陥検査装置を用いて前記設計パタンの欠陥検査および
   前記モニタパタンの欠陥検査を行い、 前記欠陥検査装置によって前記モニタパタンの欠陥が検
   出可能であることを確認した後、前記欠陥検査において
   検出された前記設計パタンの欠陥を修正することによっ
   て欠陥保証された露光マスクを得ることを特徴とする露
   光マスクの製造方法。
3. 【請求項３】 実デバイス形成用の設計パタンと、 欠陥検査装置による検出が可能でかつ許容範囲内の欠陥
   サイズを有する欠陥を備えたモニタパタンとを設けてな
   ることを特徴とする露光マスク。
4. 【請求項４】 実デバイス形成用の設計パタンと共に、
   欠陥検査装置による検出が可能でかつ許容範囲内の欠陥
   サイズを有する欠陥を備えたモニタパタンを設けてなる
   露光マスクを用いた露光方法であって、 前記モニタパタンの転写パタンに生じる欠陥が、転写パ
   タンについての許容範囲内の欠陥サイズとなる条件で、
   前記露光マスクを用いた実デバイス形成のためのパタン
   露光を行うことを特徴とする露光方法。