KR102329153B1 - 두 개의 포토마스크의 비교에 의한 포토마스크의 검사 - Google Patents

두 개의 포토마스크의 비교에 의한 포토마스크의 검사 Download PDF

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Abstract

포토리소그래피 레티클을 검사하기 위한 방법 및 시스템이 개시된다. 동일한 설계로 제조된 제1 및 제2 레티클이 획득된다. 제1 및 제2 레티클의 제1 및 제2 레티클 이미지가 또한 획득된다. 제1 레티클 이미지는 제2 레티클 이미지와 비교되어 제1 또는 제2 레티클 중 어느 하나의 후보 결함에 대응하는 복수의 차이 이벤트를 갖는 차이 이미지를 출력한다. 그런 다음, 후보 결함에 대한 검사 보고가 생성된다.

Description

두 개의 포토마스크의 비교에 의한 포토마스크의 검사
본 발명은 일반적으로 레티클 검사 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 IC(integrated circuit) 제조 상황에서 레티클을 적격화(qualify) 또는 재적격화(requalify)하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 산업은 실리콘과 같은 기판 상에 적층되고 패터닝된 반도체 재료를 사용하여 집적 회로를 제조하기 위한 매우 복잡한 기술을 포함한다. 대규모 회로 통합 및 반도체 디바이스의 크기 감소로 인해, 제조된 디바이스는 점점 결함에 민감해지고 있다. 즉, 디바이스의 고장을 일으키는 결함이 점점 더 작아지고 있다. 최종 사용자 또는 고객에게 배송하기 전에 디바이스에 결함이 없어야 한다.
집적 회로는 전형적으로 복수의 레티클("포토마스크" 또는 "마스크"라고도 함)로부터 제조된다. 레티클의 생성 및 그러한 레티클의 후속 검사는 반도체 생산에서 표준 단계가 되었다. 초기에 회로 설계자는 특정 집적 회로(IC) 설계를 설명하는 회로 패턴 데이터를 레티클 생산 시스템 또는 레티클 라이터(writer)에 제공한다. 회로 패턴 데이터는 일반적으로 제조된 IC 디바이스 또는 다이의 물리 계층의 표현(representational) 레이아웃 형태이다. 표현 레이아웃은 IC 디바이스의 각 물리 계층(예를 들어, 게이트 산화물, 폴리실리콘, 금속 배선 등)에 대한 표현 층을 포함하며, 각 표현 층은 특정 IC 디바이스의 층의 패터닝을 정의하는 복수의 다각형으로 구성된다.
레티클 라이터는 회로 패턴 데이터를 사용하여 나중에 특정 IC 설계를 제조하는데 사용될 복수의 레티클에 기록한다. 예를 들어, 전자 빔 라이터 또는 레이저 스캐너가 레티클 패턴을 노출시키는 데 사용될 수 있다. 완성된 레티클 또는 포토마스크는 전형적으로 적어도 투명 및 불투명 영역, 및 때로는 반투명 및 위상 시프 팅 영역을 가지며, 이들은 함께 집적 회로와 같은 전자 디바이스에서 공면(coplanar) 피처의 패턴을 정의한다. 레티클은 포토리소그래피 동안 에칭, 이온 주입 또는 다른 제조 공정을 위한 반도체 웨이퍼의 특정 영역을 정의하기 위하여 사용된다.
각각의 레티클 또는 레티클 그룹의 제조 후에, 각각의 새로운 레티클은 전형적으로 결함 또는 열화가 없지만, 때때로 제조 동안 도입된 결함을 갖는다. 그러면, 레티클 검사 시스템을 사용하여 레티클을 제조하는 동안 발생할 수 있었던 결함이 있는지 레티클을 검사할 수 있다. 그러나 사용 후에 레티클에 결함이 생길 수 있다. 따라서, 개선된 레티클 검사 기술 및 장치에 대한 필요성이 계속되고 있다.
다음은 본 발명의 특정 실시 예에 대한 기본적인 이해를 제공하기 위하여 본 개시의 간략화된 요약을 제공한다. 이 요약은 본 개시의 포괄적인 개요가 아니며 본 발명의 핵심/중요한 요소를 식별하거나 본 발명의 범위를 기술하지 않는다. 그것의 유일한 목적은 본 명세서에 개시된 일부 개념을 이후에 제시되는 보다 상세한 설명에 대한 서두로서 간략화된 형태로 제시하는 것이다.
일 실시 예에서, 포토리소그래피 레티클을 검사하는 방법이 개시된다. 동일한 설계로 제조된 제1 및 제2 레티클이 획득된다. 제1 및 제2 레티클의 제1 및 제2 레티클 이미지가 또한 획득된다. 제1 레티클 이미지는 제2 레티클 이미지와 비교되어, 제1 또는 제2 레티클 상의 후보 결함에 대응하는 복수의 차이 이벤트를 갖는 차이 이미지를 출력한다. 그런 다음 후보 결함에 대한 검사 보고가 생성된다.
특정 구현에서, 제1 및 제2 레티클 이미지는 제1 및 제2 레티클을 그러한 검사 툴에 함께 로딩함으로써 동일한 검사 툴에서 획득된다. 추가의 양태에서, 제1 및 제2 레티클 이미지는 또한 그러한 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 제1 및 제2 레티클 모두에서 동일한 위치의 초점 차이 및/또는 광 레벨 차이에 대하여 보정된다. 다른 양태에서, 제1 및 제2 레티클 이미지는 제1 및 제2 레티클을 차례로 그러한 검사 툴에 연속적으로 로딩함으로써 동일한 검사 툴에서 획득된다. 추가의 양태에서, 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에, 제1 및 제2 레티클 이미지는 제1 및 제2 레티클 모두에서 동일한 위치에 대한 초점 차이 및/또는 광 레벨 차이에 대하여 보정된다.
다른 실시 예에서, 제1 및 제2 레티클 이미지는 상이한 검사 툴에 의해 획득되고, 방법은 그러한 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 제1 및 제2 레티클 이미지의 동일한 위치에 영향을 미치는 툴 파라미터 차이에 대하여 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하는 단계를 더 포함한다. 다른 예에서, 차이 이미지를 출력하기 위하여 제1 레티클 이미지와 제2 레티클 이미지를 비교하는 단계는 (i) 제1 및 제2 레티클 이미지 각각의 복수의 패치 각각에 대하여, 각 패치에서 복수의 위치에 대하여 애버리지(average) 또는 평균(mean) 강도 값을 결정하는 단계, 및 (ii) 제1 레티클 이미지로부터의 각각의 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값을 제2 레티클의 동일한 위치에서 해당 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값 중 대응하는 것과 비교하여, 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 얻는 단계를 포함하고, 이는 그러한 차이 애버리지 또는 평균 강도 값이 후보 결함으로서 정의되어야 하는지 여부를 결정하기 위하여 분석된다. 다른 양태에서, 차이 애버리지 또는 평균 강도 값은 임계 치수(critical dimension, CD) 변동과 상관된다. 다른 실시 예에서, 제1 및 제2 레티클은 각각 단일-다이를 포함한다. 다른 예에서, 제1 레티클 이미지를 제2 레티클 이미지와 비교하는 것은 그러한 제1 및 제2 레티클 이미지 사이에 최대 매칭 정렬을 갖도록 제1 및 제2 레티클 이미지를 서로 정렬하는 것을 포함한다.
대안적인 실시 예에서, 상기 방법은 (i) 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 제1 레티클 이미지에 대한 셀-대-셀 검사를 수행하는 단계, 및 (ii) 상기 셀-대-셀 검사를 통과한 제1 및 제2 레티클 이미지의 영역을, 서로 비교되는 것으로부터 제거하는 단계를 더 포함한다. 다른 예에서, 제1 레티클은 새로 제조되어, 포토리소그래피 공정에 사용되지 않았으며, 제2 레티클은 포토리소그래피 공정에 사용되었다. 다른 양태에서, 제1 및 제2 레티클은 모두 새로운 것이고 포토리소그래피 공정에서 사용되지 않았으며, 제1 및 제2 레티클이 새로운 것일 때 제1 및 제2 레티클에 대하여 발견된 후보 결함은 베이스라인(baseline) 이벤트로서 정의된다. 이 양태에서, 베이스라인 이벤트가 정의된 후, 제1 및 제2 레티클 중 하나 또는 둘 모두가 포토리소그래피 공정에 사용된다. 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하고 그러한 제1 및 제2 이미지를 비교하는 동작은 베이스라인 이벤트와 매칭되는 임의의 결과적인 차이 이벤트를 검사 보고로부터 배제함으로써 제1 또는 제2 레티클이 사용된 후에 반복된다.
특정 실시 예에서, 본 발명은 포토리소그래피 레티클을 검사하기 위한 시스템에 관한 것이다. 시스템은 전술한 동작 중 적어도 일부를 수행하도록 구성된 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함한다. 다른 실시 예들에서, 본 발명은 전술한 동작들 중 적어도 일부를 수행하기 위하여 명령어들이 저장된 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다.
본 발명의 이들 및 다른 측면은 도면을 참조하여 아래에 더 설명된다.
도 1a는 동일한 형상 및 크기를 갖는 2개의 사전-OPC 피처(pre-OPC feature)를 갖는 레티클 부분의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 OPC 데코레이션을 추가한 도 1a의 2개의 동일한 패턴을 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따라 동일한 툴에서 2개의 레티클을 검사하는 공정을 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 대안적인 실시 예에 따라 동일한 툴에서 연속적으로 이미징되는 2개의 레티클을 사용하여 결함을 검출하기 위한 검사 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 대안적인 실시 예에 따라 2개의 상이한 툴에서 2개의 레티클을 사용하여 결함을 검출하기 위한 검사 공정을 도시한 흐름도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 검사 기술이 구현될 수 있는 동일하게 설계된 복수의 다이를 갖는 2개의 예시적인 레티클의 개략적인 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 2개의 레티클의 컨텍스트에서 다이-등가(die-equivalent) 패치 이미지를 이용하는 검사 절차를 도시한 흐름도이다.
도 6a는 본 발명의 실시 예에 따른 레티클 부분의 복수의 스캔/이미징된 "스와스(swath)"의 개략적인 평면도이다.
도 6b는 특정 구현에 따라 패치들로 분할되는 레티클 스와스에 대응하는 강도 데이터 세트의 개략도이다.
도 6c는 본 발명의 제2 구현에 따라 하나가 넘는 스와스에 다이-등가 패치 이미지를 갖도록 배열된 복수의 스캔된 스와스를 도시한다.
도 6d는 다른 구현에 따른 레티클의 스와스의 각 패치의 다수의 로컬 영역에 대응하는 다수의 강도 데이터 세트의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 특정 구현에 따른 다수의 스캔된 스와스에 걸쳐 다이-등가 패치 이미지를 달성하기 위한 스와스 관리 절차를 도시한 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 구현에 따른 검사 툴에 대하여 범위(extent), 오프셋 및 어레이 크기가 정의된 다이 어레이를 갖는 레티클을 도시한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 필터링을 통한 검사 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 검사 및 결함 검토 절차(1000)의 개요를 도시한다.
도 11은 본 발명의 기술이 구현될 수 있는 예시적인 검사 시스템의 개략도이다.
도 12a는 특정 실시 예에 따라 포토마스크로부터 웨이퍼로 마스크 패턴을 전사하기 위한 리소그래피 시스템의 간략화된 개략도이다.
도 12b는 특정 실시 예에 따른 포토마스크 검사 장치의 개략도를 제공한다.
다음의 설명에서, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위하여 다수의 특정 세부 사항이 설명된다. 본 발명은 이들 특정 세부 사항의 일부 또는 전부 없이 실시될 수 있다. 다른 경우에, 잘 알려진 공정 동작들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위하여 상세히 설명되지 않았다. 본 발명은 특정 실시 예와 관련하여 설명될 것이지만, 본 발명을 실시 예로 제한하려는 것이 아님을 이해할 것이다.
"레티클(reticle)"은 일반적으로 유리, 붕규산 유리, 석영, 또는 그 위에 불투명 물질 층이 형성된 용융 실리카와 같은 투명 기판을 포함한다. 불투명한(또는 실질적으로 불투명한) 물질은 완전히 또는 부분적으로 포토리소그래픽 광(photolithogrphic light)(예를 들어, 심자외선)을 차단하는 임의의 적절한 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 물질은 크롬, 몰리브덴 실리사이드(MoSi), 탄탈륨 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, OMOG(opaque MoSi on glass) 등을 포함한다. 폴리실리콘 막은 또한 불투명 층과 투명 기판 사이에 추가되어 접착을 향상시킬 수 있다. 몰리브덴 옥사이드(MoO2), 텅스텐 옥사이드(WO2), 티타늄 옥사이드(TiO2) 또는 크롬 옥사이드(CrO2)와 같은 저 반사 막이 불투명 물질 위에 형성될 수 있다.
레티클이라는 용어는 클리어-필드(clear-field) 레티클, 다크-필드(dark-field) 레티클, 이진 레티클, 위상 시프트 마스크(phase-shift mask, PSM), 교번 PSM, 감쇠형(attenuated) 또는 하프톤(halftone) PSM, 3진 감쇠형(ternary attenuated) PSM 및 크롬리스 위상 리소그래피 PSM를 포함하는(이에 제한되지 않음) 상이한 유형의 레티클을 지칭한다. 클리어-필드 레티클은 투명한 필드 또는 배경 영역을 가지고, 다크-필드 레티클은 불투명한 필드 또는 배경 영역을 가진다. 이진 레티클은 투명하거나 불투명한 패터닝된 영역을 갖는 레티클이다. 예를 들어, 크롬 금속 흡착 막에 의해 정의된 패턴을 갖는 투명한 용융 실리카 블랭크로 제조된 포토마스크가 사용될 수 있다. 이진 레티클은 위상 시프트 마스크(PSM)와 상이하며, 그 중 하나의 유형은 빛을 부분적으로만 투과시키는 막을 포함할 수 있으며, 그러한 레티클은 일반적으로 하프톤 또는 EPSM(embedded phase-shift mask)으로 지칭될 수 있다. 위상 시프트 물질이 레티클의 교호적 클리어 공간 상에 배치되면, 레티클은 교번 PSM, ALT PSM 또는 레벤슨(Levenson) PSM이라고 지칭된다. 임의의 레이아웃 패턴에 적용되는 한 유형의 위상 시프트 물질은 감쇠형 또는 하프톤 PSM으로 지칭되며, 이는 불투명한 재료를 부분적 투과성 또는 "하프톤" 막으로 대체함으로써 제조될 수 있다. 3진 감쇠형 PSM은 또한 완전히 불투명한 피처를 포함하는 감쇠형 PSM이다.
제조된 디바이스의 수율에 영향을 줄 수 있는 결함에 대하여 레티클을 검사하는 다양한 방법이 있다. 예시적인 기술은 다이-대-다이(die-to-die) 검사, 셀-대-셀(cell-to-cell) 검사 및 다이-대-데이터베이스(die-to-database) 검사를 포함한다. 다이-대-다이 접근법에서, 하나의 다이로부터 획득된 이미지와 제2 다이로부터 획득된 이미지를 비교하는 기술을 사용하여 멀티-다이 레티클을 검사할 수 있다. 셀-대-셀 검사는 일반적으로 동일하게 설계된 다이의 셀 부분들로부터의 이미지들을 비교하는 것을 포함한다. 다이-대-데이터베이스 접근법은 다이로부터 획득된 이미지를 설계 데이터베이스에 기술된 바와 같은 대응하는 다이로부터 렌더링되는 이미지와 비교하는 것을 포함한다.
이들 검사 기술은 특정 애플리케이션에서 잘 작동하지만, 각각의 접근법은 부정확하거나 비효율적으로 얻어지는 결과를 초래할 수 있는 약점을 갖는다. 다이-대-다이 접근법은 단일-다이 레티클에는 작동하지 않을 것이다. 패턴의 섹션이 반복되거나 자체 참조하기에 충분히 간단한 경우, 기준 패턴(reference pattern)을 찾거나 합성할 수 있다. 발견되거나 합성된 기준과의 비교를 사용하여 결함을 검출할 수 있다. 그러나 패턴의 모든 섹션에 대하여 적합한 기준을 찾거나 합성할 수 없다. 예를 들어, 일반적인 다이의 넓은 영역에는 반복되지 않는 논리 패턴이 포함되어 있으며, 이는 셀-대-셀 검사로는 검사할 수 없다. 또한, 동일 셀이 동일하게 설계되더라도 광 근접 보정(optical proximity correciton, OPC) 구조의 고의적인 변동으로 인해 전형적으로 이용 가능하지 않기 때문에, 셀-대-셀 검사를 수행하는 것이 종종 어렵다. 일반적으로, 용어 OPC, SRAF, 가는 라인(thin-line) 및 인쇄 불가능한 구조는 본 명세서에서 호환적으로 사용된다.
포토리소그래피 마스크 또는 레티클은 회로 및 레이아웃 설계자 및/또는 합성 툴에 의해 생성되는 디바이스 설계 데이터를 포함할 수 있다. 사전 OPC 설계 데이터는 일반적으로 설계 데이터에 임의의 OPC 구조를 추가하기 전에 레티클에 대하여 설계자 또는 합성 툴에 의해 생성된 다각형을 포함한다. 사전 OPC 설계 데이터는 설계자의 의도를 나타내는 것으로 말할 수 있고, 일반적으로 웨이퍼 상의 최종 패턴과 유사할 것이며, 이는 레티클 설계 데이터를 사용하여 만들어진 레티클로 제조될 것이다. 멀티-패터닝 경우에, 사전 OPC는 웨이퍼 상의 최종 패턴을 나타내지 않을 수 있는 것으로 이해된다. 도 1a는 동일한 형상 및 크기를 갖는 2개의 사전 OPC 피처(102a 및 102b)를 갖는 레티클 부분(100)의 개략적인 평면도이다.
레티클 설계 데이터는 사전 OPC 레티클 설계 데이터에 추가된 OPC 데코레이션을 포함할 수 있다. 일반적으로 OPC 소프트웨어는 레티클 설계를 분석한 다음 그러한 분석을 기반으로 레티클 설계에 OPC 데코레이션을 추가하는 데 사용된다. 하나 이상의 OPC 생성 모델이 OPC 사전 설계에 적용되어, OPC 구조가 그러한 모델에 기초하여 생성될 수 있다. 모델은 실험 및/또는 시뮬레이션 결과에 기초할 수 있다. OPC 데코레이션은 레티클의 제조를 향상시키는 데 사용된다. 예를 들어, 특정 OPC 향상이 설계 데이터에서 그러한 모서리에 근접하여 추가되면, 모서리에서 더 선명한 이미지를 얻을 수 있다.
OPC 소프트웨어의 하나의 부작용은 동일한 설계 패턴에 대하여 배치되는 OPC 데코레이션의 높은 수준의 불일치이다. 도 1b는 상이한 OPC 데코레이션을 추가한 도 1a의 2개의 동일한 패턴(102a 및 102b)을 도시한다. 도시된 바와 같이, OPC 소프트웨어는 제1 L자형 패턴(102a)에 데코레이션(104a~c)을 추가하는 반면, 동일한 L자형 제2 패턴(102b)에 OPC 데코레이션(104d~f)을 추가한다. 이 예에서, 패턴(102a)의 데코레이션(104a 및 104c)은 패턴(102b)의 데코레이션(104d 및 104e)과 동일한 형상 및 위치를 갖는다. 대조적으로, 제2 패턴(102b)은 추가적인 OPC 데코레이션(104f)을 갖는 반면, 제1 패턴(102a)은 L자형의 "꼬임(crook)"에서 제거된 노치 부분(104b) 형태의 데코레이션(104b)을 갖는 반면, L자형 패턴(102b)은 동일한 영역에서 그대로 유지된다.
OPC 데코레이션을 추가하기 위한 OPC 소프트웨어는 동일한 사전 OPC 레이아웃에서 실행될 수 있고 다양한 이유로 상이한 OPC 데코레이션을 야기할 수 있다. 예를 들어, 주어진 피처에 대한 OPC 데코레이션의 유형 및 개수는 그러한 피처가 다른 피처들에 대하여 분석되는 순서에 의존할 수 있다. 또한, 피처 어레이의 에지 피처에는 동일한 어레이의 동일한 중심 피처와는 상이한 OPC 데코레이션이 제공될 수 있다. OPC 소프트웨어는 상이한 컨텍스트에 맞는(contextual) 피처 또는 배경을 갖는 동일한 피처에 상이한 OPC 데코레이션을 추가할 수 있다. 동일한 컨텍스트를 갖는 피처들조차도 상이한 피처들 사이의 그리드 스냅 차이에 기초하여 상이한 OPC 데코레이션이 제공될 수 있다. 따라서, 동일하게 설계된 다이조차도 셀-대-셀 검사로 많은 수의 잘못된 후보 결함을 생성하게 하는 수많은 가변 OPC 구조를 가질 수 있다.
다른 예에서, 단일-다이 검사는 레티클의 이미지 피처를 분석하여 비정상(unusual) 이벤트를 식별하기 위한 알고리즘을 포함하며, 이는 기본 설계 피처(예를 들어, 사전 OPC 피처)에 대한 상이한 OPC 데코레이션을 포함하는 경향이 있다. 예를 들어, 단일-다이 검사 공정은 상이한 데코레이션(패턴 102a의 104b, 패턴 102b의 104f)을 비정상 또는 후보 이벤트로서 정의할 수 있다. OPC 소프트웨어는 많은 수의 가변 OPC 데코레이션을 야기하는 경향이 있기 때문에, 통상적으로 그러한 레티클 패턴의 종래의 단일-다이 검사 동안 많은 수의 후보 이벤트가 플래그된다. 이벤트는 그러한 다른 동일한 다이의 동일한 위치에 있는 다른 동일한 다이 또는 다이 부분에 존재하지 않는 임의의 피처, 다른 동일한 다이에 존재하는 피처의 부재 등을 포함할 수 있다. 이들 OPC-origin 후보 이벤트는 "실제(real)" 인쇄 가능한 결함을 찾기 위하여 상당한 양의 잡음을 나타낼 수 있다.
또한, 레티클은 설계자가 레티클 설계 패턴의 일부가 되도록 의도하지 않은 아티팩트(예를 들어, 여분의 또는 누락된 재료)를 포함할 수 있다. 그러나, 특정한 의도하지 않은 아티팩트는 그러한 레티클로 제조된 웨이퍼의 수율을 제한하지 않는 것으로 결정될 수 있다. 단일-다이 검사는 또한 비-인쇄 또는 비-수율-제한 비정상 이벤트를 후보 결함으로서 식별할 수 있다.
단일-다이 및 멀티-다이 레티클은 레티클로부터 획득된 이미지를 사후 OPC(post-OPC) 데이터베이스로부터 렌더링된 이미지와 비교하는 기술을 사용하여 검사될 수 있다. 이 기술은 사후 OPC 데이터베이스에 대한 액세스를 필요로 하며, 일반적으로 레티클의 재자격화(requalification)을 위하여 실현 가능하기에는 너무 비용이 많이 들고 복잡하다고 생각된다. 결국, 레티클의 패턴 충실도(fidelity)는 마스크 숍(mask shop) 또는 도입 품질 관리 검사에 의해 이미 검증되었다. 재자격화 검사는 레티클 사용 동안에 추가된 결함만 찾으면 된다. 그러나 제2 다이 또는 데이터베이스 제공 기준이 없으면, 단일-다이 레티클 상에서 그러한 결함을 찾는 것이 어려울 수 있다.
본 발명의 특정 실시 예는 레티클의 둘 이상의 카피가 종종 웨이퍼 제조를 위하여 제조된다는 사실을 이용한다. 보다 구체적으로, 2개 이상의 동일한 레티클은 동일한 설계의 2개의 레티클을 서로 비교할 수 있는 기회를 제공할 수 있다. 두 레티클은 함께 또는 연달아(in quick succession) 이미징될 수 있으므로, 툴-대-툴 및 장기간 툴 변형이 필요 없다. 일 실시 예에서, 레티클은 동일한 툴에서 함께 이미징된다. 다른 실시 예에서, 각각의 레티클은 동일한 툴에 개별적으로 로딩되고 연달아 이미징된다. 다른 실시 예에서, 각각의 레티클은 상이한 검사 툴에 로딩되고 이미징된다. 이하의 예들이 2개의 레티클에 대하여 설명되었지만, 2개보다 많은 레티클이 검사될 수 있다. 다음의 예시적인 실시 예가 레티클에 관해 설명되었지만, 임의의 적합한 유형의 샘플이 그러한 기술 또는 시스템을 사용하여 모니터링될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따라 동일한 툴에서 2개의 레티클을 검사하기 위한 공정(200)을 도시한 흐름도이다. 초기에, OPC 구조를 포함하여 동일한 설계로 제조된 2개의 레티클이 동작(202)에서 획득될 수 있다. 일반적으로, 2개의 레티클에 대한 레티클 이미지는 임의의 적절한 방식으로 획득될 수 있다. 도시된 실시 예에서, 레티클은 동작(204)에서 동일한 검사 툴로 함께 로딩된다. 각각의 레티클의 이미지는 또한 동작(204)에서 획득 및 저장될 수 있다. 특정 구현에서, 검사 툴의 스테이지는 2개 이상의 레티클을 수용할 만큼 충분히 크다. 레티클은 이어서 2개 이상의 조명 및 수집 채널에 의해 동시에 이미징될 수 있다. 대안적으로, 레티클은 각각 동일한 조명 및 수집 채널에 의해 연속하여(sequentially) 이미징될 수 있다. 예를 들어, 스테이지 상의 제1 레티클이 이미징되고, 그 후 동일한 스테이지 상의 제2 레티클이 제1 레티클 직후에 이미징된다.
레티클 이미지가 어떻게 획득되는지에 관계 없이, 이미지는 그 후 동작(205)에서 서로 정렬될 수 있다. 이미지는 아래에 더 설명되는 바와 같이 임의의 적절한 방식으로 정렬될 수 있다. 부가적으로, 2개의 레티클 이미지들 사이의 초점 및/또는 광 레벨 차이는 후술하는 바와 같이 동작(205)에서 보정될 수 있다.
정렬된 레티클 이미지들은 이후 동작(206)에서 차이 이벤트들을 갖는 차이 이미지를 출력하기 위하여 서로 비교될 수 있다. 예를 들어, 하나의 레티클 이미지의 이미지가 다른 레티클의 이미지로부터 감산되어 차이 이미지를 획득할 수 있다. 예를 들어, 각각의 동일한 레티클 이미지 픽셀로부터의 강도 값이 감산될 수 있다. 다른 예에서, 다수의 픽셀을 나타내는 각 레티클 이미지 부분 쌍의 픽셀에 대한 2개의 강도 애버리지(average)가 아래에서 더 설명되는 바와 같이 비교되거나 감산된다. 차이 값은 모두 본 명세서에서 "이벤트"로서 지칭된다.
그 후, 동작(208)에서 이벤트가 하나 이상의 임계치(들)에 기초하여 후보 결함인지 여부를 결정할 수 있다. 후보 결함을 검출하기 위하여 임의의 적합한 유형 및 수의 결함 분석이 이벤트에 대하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 디센스(desense) 처리는 각 이벤트에 대하여 선택적으로 수행될 수 있다. 디센스 공정에서, 각 이벤트가 거짓 결함(false defect)에 더 민감한 다른 영역 또는 피처 유형과 비교하여 거짓 결함/아티팩트에 덜 민감한 것으로 식별된 레티클의 하나 이상의 미리 정의된 영역 또는 피처 유형에 대한 결함인지 여부를 결정하기 위하여 덜 엄격한(또는 상이한) 임계치 또는 알고리즘이 사용될 수 있다. 일례에서, 사용자는 상이한 임계치를 사용하는 것과 같이 상이한 방식으로 상이한 레티클 영역 또는 피처의 유형(예를 들어, 에지 등)을 분석하기 위하여 레시피를 셋업했을 수 있다.
동작(210)에서 후보 결함에 대한 결함 보고(defect report)가 출력될 수 있다. 결함 보고는 임의의 적합한 포맷일 수 있다. 일 구현에서, 결함 보고는 각각의 후보 결함에 대한 이미지 및 위치(location)에 대한 참조를 포함할 수 있다. 각각의 후보 결함은 레티클 이미지들 사이의 차이에 대응하며, 이는 레티클 이미지들 중 하나 또는 둘 모두로부터의 후보 결함 이미지 부분 또는 영역에 대응한다. 각 후보 결함 영역의 이미지는 추후 검토를 위하여 저장될 수 있다. 다른 예에서, 결함 보고는 잠재적 결함으로서 정의되거나 플래그된 강도 차이로 구성된 이미지이다. 보고는 후술하는 바와 같이 후보 결함에 대한 다양한 강도 또는 애버리지 강도 차이에 대응하는 다양한 색상을 갖는 결함 맵의 형태일 수 있다.
다른 실시 예에서, 2개의 레티클은 동일한 툴에서 하나 직후에 또 하나 연속하여 검사된다. 일부 상황에서는 레티클을 동시에 사용할 수 없거나 두 레티클을 나란히 수용할 수 있는 충분히 큰 스테이지를 가진 툴을 사용할 수 없다. 필요하지 않지만, 레티클은 바람직하게는 서로 약 1 주일 이내에, 더욱 바람직하게는 서로 몇 시간 내에 검사된다. 그러나, 레티클은 서로 4 주 이상(예를 들어, 심지어 1 년 이상) 내에 검사될 수 있다. 거의 동일한 광학 조건을 보장하기 위하여 이 두 가지 검사 사이에 검사 툴에서 동작 파라미터의 예방 유지 보수 또는 변경이 발생하지 않아야 한다고 이해된다.
도 3은 본 발명의 대안적인 실시 예에 따라 동일한 툴에서 연속적으로(successively) 이미징되는 2개의 레티클을 사용하여 결함을 검출하기 위한 검사 공정(300)을 도시한 흐름도이다. 동작(302)에서 처음에 제1 레티클이 획득되고, 그러한 제1 레티클이 이미징되고 결과적인 제1 레티클 이미지가 저장된다. 다음 동작(304)에서, 제2 레티클이 획득되고, 그러한 제2 레티클이 이미징되고 결과적인 제2 레티클 이미지가 저장된다. 도 2의 다른 동작 및 동일하게 레이블된 동작이 유사하게 수행될 수 있다. 그러나, 동일한 툴을 사용하여 2개의 레티클을 한번에 검사하면 2개의 레티클을 연속하여 이미징하는 것과는 상이한 양의 보정이 필요할 수 있음을 인식하고 있다. 또한, 여기에 더 설명된 바와 같이, 임의의 적절한 보정 공정이 각각의 애플리케이션에 이용될 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 레티클은 2개의 상이한 검사 툴에 의해 검사되고 이미징된다. 도 4는 본 발명의 또 다른 대안적인 실시 예에 따라 2개의 상이한 툴에서 2개의 레티클을 사용하여 결함을 검출하기 위한 검사 공정(400)을 도시한 흐름도이다. 제1 동작(302)은 제1 레티클이 제1 툴로 획득되고 이미징되고 결과적인 제1 레티클 이미지가 저장된다는 점에서, 도 3의 동일하게 레이블된 동작과 유사하다. OPC를 포함하며 제1 레티클과 동일한 설계로 제조된 제2 레티클은 또한 동작(404)에서 상이한 제2 툴에서 획득되고 이미징된다. 그 후, 이미지는 정렬되고, 동작(405)에서의 툴 차이에 대하여 보정된다. 2개의 레티클 이미지의 동일한 위치에 영향을 주는 임의의 툴 차이(예를 들어, 초점, 광 레벨, 광학 수차 등)은 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이 보정될 수 있다. 나머지 동작들은 도 2의 동일하게 레이블된 동작과 유사하다.
다른 실시 예들에서, 2개의 레티클들 사이의 강도 값 또는 강도 변화의 비교는 또한 임계 치수(CD)의 변화와 상관될 수 있다. 일 구현에서, 2개의 레티클로부터 대응하는 멀티-픽셀 영역에 대한 애버리지 강도 값이 분석된다. 레티클을 검사하기 위한 기술 및 시스템은 레티클 피처의 임계 치수(CD)의 결함 또는 변동 등을 검출하는데 사용될 수 있다. 본 명세서에 설명된 임의의 예시적인 기술이 CD 변동 또는 균일성(CD variation or uniformity, CDU)을 검출하는데 적용될 수 있지만, 이러한 예시적인 구현 중 임의의 것이 CD 변동 외에 다른 샘플 특성의 모니터링에 적용될 수 있다.
일반적으로, 불투명, 흡수성, 부분적 불투명 위상-시프트 재료는 임계 치수(CD) 폭으로 설계되고 형성되는 패턴 구조로 형성되며, 이는 또한 CD를 갖는 구조들 사이에 명확한 공간을 야기한다. 특정 CD 값은 일반적으로 포토리소그래피 공정에서 특정 레티클 피처가 어떻게 웨이퍼로 전사되는지에 영향을 줄 수 있으며 그러한 CD는 이 전사 공정을 최적화하도록 선택된다. 다른 방식으로 말하면, 특정 레티클 피처의 CD 값이 지정된 CD 범위 내에 있는 경우, 그러한 CD 값은 회로 설계자가 의도한 바와 같이 결과적인 집적 회로의 적절한 동작을 가능하게 하는 대응하는 웨이퍼 피처의 제조를 초래한다. 피처는 일반적으로 통합된 칩 영역을 보존하기 위하여 동작 회로를 생성하는 최소 치수로 형성된다.
새로 제조된 레티클은 CD(또는 다른 막 또는 패턴 특성) 결함 문제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 레티클는 마스크 라이터 스와스 오류(mask-writer swath-error)와 같은 결함 CD 영역을 가질 수 있다. 레티클은 또한 여러 가지 상이한 방식으로 시간이 지남에 따라 손상될 수 있다. 제1 열화(degradation) 예에서, 포토리소그래피 노광 공정은 레티클의 불투명 재료의 물리적 열화를 초래할 수 있다. 예를 들어, 레티클 상에 사용되는 193 nm의 고출력 심자외선(deep UV) 빔과 같은 고출력 빔은 레티클 상의 불투명 물질에 물리적으로 손상을 줄 수 있다. 248nm UV 빔과 같은 다른 파장으로 인해 손상이 발생할 수도 있다. 실제로, UV 빔은 불투명한 피처로부터 코너를 블라스팅(blasting)하고 피처를 평평하게 함으로써 레티클 상의 불투명한 패턴을 물리적으로 떨어뜨릴 수 있다(slump). 결과적으로, 불투명한 피처는 원래 CD 너비와 비교하여 CD 너비가 상당히 더 클 수 있지만, 그러한 불투명한 피처 사이의 간격은 원래 CD 너비와 비교하여 CD 너비가 훨씬 더 작을 수 있다. 이러한 유형의 문제는 일반적으로 크롬 유형 레티클에서 발생하기 때문에 이런 유형의 열화를 "크롬" 열화라고 한다. 다른 유형의 CD 열화는 레티클 피처(MoSi)와 노출 광 사이의 화학 반응, 세정 공정, 오염 등으로 인해 발생할 수 있다. 이러한 물리적 효과는 또한 시간이 지남에 따라 레티클의 임계 치수(CD)에 부정적인 영향을 줄 수 있다. 이러한 열화의 결과로, 피처 CD 값은 웨이퍼 수율에 영향을 주기 위하여 크게 변경되었을 수 있다. 예를 들어, 마스크 피처 너비는 원래 선 너비 CD보다 상당히 더 클 수 있다.
다음의 애버리지 강도 구현은 단일-다이 또는 멀티 다이 레티클에 사용될 수 있다. 그러나, 멀티 다이 예가 먼저 설명된다. 도 5a는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 검사 기술이 구현될 수 있는 동일하게 설계된 복수의 다이를 갖는 2개의 예시적인 레티클(500 및 520)의 개략적인 평면도이다. 도시된 바와 같이, 각각의 레티클은 행 및 열로 지정된 6×4 어레이의 다이를 포함한다. 예를 들어, 레티클(500 및 520) 각각의 맨 윗 행의 다이(512a~512f 및 522a~522f)는 제일 왼쪽의 열로부터 제일 오른 쪽의 열까지 각각 (1,1), (1,2), (1,3), (1,4), (1,5) 및 (1,6)로 지정된다. 마찬가지로, 마지막 행의 다이는 각 특정 행 및 열에 대하여 (4,1), (4,2), (4,3), (4,4), (4,5) 및 (4,6)으로 지정된다.
다이는 반복 메모리 패턴과 달리 로직 패턴을 포함할 수 있지만, 다이는 서로 동일하게 설계된다. 따라서, 두 레티클 중 하나로부터 특정 다이의 각각의 다이 부분("패치"로 지칭됨)은 두 레티클 각각의 다른 다이 각각으로부터의 적어도 하나의 다른 패치와 동일할 것으로 예상된다. 동일하게 설계된, 동일하거나 상이한 레티클 내의 상이한 다이로부터의 상이한 패치는 본 명세서에서 "다이-등가(die-equivalent)"로 지칭된다. 예를 들어, 레티클(500)의 다이(502b)의 패치(504b)는 레티클(500)로부터의 다른 다이(예를 들어, 502a, 502c, 502d, 502e, 및 502f)에서 다이-등가 패치(504a, 504c, 504d, 504e 및 504f)를 가지며, 레티클(520)로부터의 다른 다이(예를 들어, 522a, 522c, 522d, 522e, 및 522f)에서 다이-등가 패치(524a, 524b, 524c, 524d, 524e, 524f)를 가진다.
검사 동안, 검사 툴을 사용하여 다이를 포함하는 각각의 레티클의 패치의 복수의 패치 이미지가 획득될 수 있다. 이미지 획득 동안, 각각의 다이에 대하여 다수의 패치 이미지가 획득된다. 예를 들어, 이미지 패치는 다이(502a)의 패치(504a 및 504g)에 대하여 획득된다. 본 발명의 특정 실시 예에서, 이미지 패치는 각각의 레티클(또는 적어도 하나의 레티클)의 다이에 걸쳐 다이-등가 패치를 생성하도록 얻어지고, 다이-등가 패치는 CD 결함 또는 CD 변동과 같은 결함을 검출하기 위하여 처리된다.
특정 실시 예에서, 각각의 테스트 패치에 대한 애버리지 강도 값은 하나의 레티클에 걸쳐 또는 2개의 레티클 사이의 CD 변동과 관련된 델타 맵을 얻기 위하여 테스트 패치의 대응 다이-등가 패치의 애버리지 강도와 비교된다. 각 패치의 강도 값은 패치의 픽셀의 반사 및/또는 투과된 강도 값을 애버리지함으로써 획득될 수 있다. 다이-등가 패치의 레티클 패턴이 동일하고 CD(또는 임의의 다른 패턴 특성)에서 변하지 않으면, 다이-등가 패치로부터의 투과 또는 반사된 광은 동일할 것으로 예상된다. 특정 패치에 대한 반사 또는 투과 강도가 다른 다이-등가 패치와 상이한 경우, 변화하는 패치의 패턴은 대응 다이-등가 패치와 비교하여 CD 변동을 갖는 것으로 추론될 수 있다. 예를 들어, 투과 강도의 증가는 불투명 레티클 패턴의 CD가 감소하였고 클리어 레티클 영역의 CD가 증가하였다고 추정한다.
도 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 2개의 레티클의 컨텍스트에서 다이-등가 패치 이미지를 이용하는 검사 절차(550)를 도시한 흐름도이다. 다음의 검사 공정(550)은 제조된 결함 영역을 검출하기 위하여 2개의 새로 제조된 레티클에 대하여 수행되거나, 열화를 검출하기 위하여 포토리소그래피 공정에서 1 회 이상 사용된 2개의 레티클에 대하여 수행될 수 있다. 대안적으로, 이 절차는 하나의 레티클이 새로 제조 및/또는 사용되지 않고 나머지 레티클은 사용되는, 2개의 레티클에 사용될 수 있다. 이 경우, 새로운 레티클은 결함이 없는 것으로 간주될 수 있고, 두 레티클 사이에 상당한 양의 CD 변동이 존재하면 사용된 레티클은 결함이 있는 것으로 간주될 것이다. 그러나 결함을 추가 검토한 후, 사용된 레티클 대신 새로운 레티클에 결함이 있는 것으로 간주되는 것이 가능할 수 있다.
이 공정에서, 다이-등가 패치의 이미지는 아래에 더 설명되는 바와 같이 임의의 적절한 방식으로 레티클로부터 획득될 수 있다. 예를 들어, 동일한 검사 툴에서 두 레티클을 나란히 스캔할 수 있으므로, 스캔 동안에 다이-등가 패치를 정렬할 수 있다. 대안적으로, 각각의 레티클은 동일한 또는 상이한 시간에 동일한 툴 또는 상이한 툴에서 연속하여 이미징될 수 있다. 도 5b의 예는 병렬 구현을 예시한다. 도시된 바와 같이, 2개의 동일하게 설계된 레티클로부터의 다이 세트의 각각의 다이의 패치 영역의 이미지가 동작(552)에서 획득된다. 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이, 이미지는 이미지가 획득되고 있는 동안 또는 후에 정렬될 수 있다.
제1 구현에서, 각각의 다이-등가 패치 세트는 패치의 동일한 스캔된 스와스로부터 획득된다. 도 6a는 본 발명의 실시 예에 따라 제1 레티클 부분(600a) 및 제2 레티클 부분(600b)을 모두 거치는(go through) 복수의 스캔/이미징된 "스와스"(예를 들어, 604a~604n)의 개략도이다. 즉, 각 다이-등가 강도 데이터 세트는 제1 레티클 부분(600a) 및 제2 레티클 부분(600b)을 모두 거치는 "스와스"에 대응할 수 있다. 각 다이-등가 강도 데이터 세트는 구불구불한(serpentine) 패턴 또는 래스터(raster) 패턴으로 레티클(600a, 600b)로부터 스와스를 연속하여 스캔함으로써 획득될 수 있다. 예를 들어, 제1 스와스(604a)는 제1 강도 데이터 세트를 얻기 위하여 광학 검사 시스템의 광학 빔에 의해 왼쪽에서 오른쪽으로 스캔된다. 이어서, 제2 스와스(604b)는 제2 강도 데이터 세트를 얻기 위하여 오른쪽에서 왼쪽으로 스캔된다. 스와스는 두 레티클의 다이의 맨 아래 행(예를 들어, 602a, 602b, 602c, 602d)으로부터 두 레티클의 다이의 맨 윗 행(예를 들어, 602e, 602f, 602g, 602h)을 거쳐 연속하여 스캔된다.
각각의 스캔된 스와스는 스와스가 획득되는 대응하는 다이 내 또는 근처에서 동일한 기준 위치에 대하여 각각 위치된 다이-등가 패치를 포함할 것이다. 도시된 바와 같이, 스와스(604a) 및 그 패치는 각 패치의 각각의 다이의 하부 에지(예를 들어, 다이(602a~602d)의 하부 에지(606a~606d))에 대하여 위치된다. 하부 에지는 스와스(604a) 및 그 패치에 대한 기준 위치로서 볼 수 있다.
이러한 제1 구현에서, 단지 단일 스와스의 다이-등가 패치가 함께 처리된다. 도 6b는 스와스(604a)에 대응하는 강도 데이터 세트의 개략도이다. 스와스(604a)에 대한 강도 데이터는 또한 복수의 패치(예를 들어, 652a, 652b, 652c 및 652d)에 대응하는 복수의 강도 데이터 세트로 분할된다. 각 스와스의 각 패치에서 다수의 포인트에 대한 강도 데이터가 수집될 수 있다.
각각의 행 또는 스와스로부터의 패치가 이미징된 후, 스캔된 스와스의 각각의 이미징된 다이-등가 패치 세트에 대하여 도 5b의 이미지 분석 동작이 반복될 수 있다. 대안적으로, 각 패치 행을 개별적으로 분석하기(예를 들어, 각 스와스의 패치 이미지를 함께 분석하기) 전에 전체 레티클에 대한 이미지 스와스를 수집할 수 있다.
제2 구현에서, 동일하게 설계된 모든 다이에 대한 전체 세트의 스캔된 스와스의 다이-등가 패치는 레티클이 이미징된 후에 함께 정렬되고 처리된다. 이러한 제2 구현은 아래에 추가로 설명되는 바와 같이 단일 스와스 다이-등가 패치에 대한 제1 구현에 비해 개선된 결과를 제공하지만, 이러한 제2 구현은 스와스 스캔을 다이에 대하여 조심스럽게 위치시키는 기술을 포함할 필요가 있다. 다이-등가 스와스를 정렬하기 위한 하나의 예시적인 구현이 도 6c와 관련하여 설명되며, 이는 하나보다 많은 스와스에서 다이-등가 패치 이미지를 갖도록 배열된 복수의 스캔된 스와스를 도시한다. 도시된 바와 같이, 스캔된 스와스는 다이에 대하여 위치되어 다이-등가 패치 이미지가 다수의 스와스에 걸쳐 달성된다. 예를 들어, 스와스(692a 및 604a)는 다이(예를 들어, 602a~602h)에 대한 제1 다이-등가 패치 이미지 세트를 포함하는 반면, 스와스(692b 및 604b)는 다이(예를 들어, 602a~602h)에 대한 제2 다이-등가 패치 이미지 세트를 포함한다.
도 7은 본 발명의 특정 구현에 따라 다수의 스캔된 스와스에 걸쳐 다이-등가 패치 이미지를 달성하기 위한 스와스 관리 절차를 도시한 흐름도이다. 이 예에서, 각각의 레티클의 각각의 동일한 다이의 제1 및 제2 대향 에지의 위치는 동작(702)에서 정의될 수 있다. 일반적으로, 검사 툴은 각각의 다이의 범위, 다이 오프셋 및 어레이 크기에 관한 정보로 셋업될 수 있다.
도 8은 본 발명의 하나의 예시적인 구현에 따라 검사 툴에 대하여 범위(extent), 오프셋 및 어레이 크기가 정의되는 다이 어레이(예를 들어, 802a~h)를 갖는 레티클(800)을 도시한다. 특정 구현에서, 검사 툴을 위한 셋업 공정은 먼저 툴에서 각각의 레티클을 정렬하기 위한 메커니즘을 포함할 수 있다. 각각의 레티클은 레티클을 정렬하고 스캔을 위한 특정 좌표계를 정의하기 위하여 각각의 레티클 상에 임의의 적절한 수 및 유형의 정렬 마크, 예컨대 806a~806c에 대하여 사용자에 의해 위치될 수 있다. 정렬 마크는 각각의 레티클 상의 다이 패턴과 함께 인쇄되기 때문에, 정렬 마크는 각 레티클의 다이에 대하여 동일한 위치를 가질 것이다.
검사 툴에 대한 셋업 공정을 통해, 사용자는 각각의 레티클의 어레이에서 제1 다이(802a) 및 다른 모든 다이의 범위를 정의하기 위하여 포인트(804a 및 804b)를 선택할 수 있다. 각각의 레티클에서, 사용자는 또한 포인트(804c)를 선택하여 제1 다이(802a) 및 다른 다이(802f)에 대한 x 및 y 오프셋을 정의함으로써 인접한 다이들 사이의 오프셋을 정의할 수 있다. 범위 및 오프셋을 정의하기 위하여 다른 포인트들(미도시)이 선택될 수도 있다. 어레이 크기는 사용자에 의해 검사 툴에 입력될 수 있다.
검사 툴은 각각의 스와스 위치를 자동으로 정의하기 위하여 정의된 다이 범위, 다이 오프셋 및 어레이 크기를 사용할 수 있다. 도 7을 다시 참조하면, 제1 다이 세트의 제1 에지에 대한 제1 스와스의 상대적 위치는 제1 스와스가 동작(703)에서 제1 다이 세트의 제1 에지를 포함하도록 정의될 수 있다. 도 6c의 예에서, 제1 스와스(604a)는 2개의 레티클(600a 및 600b)로부터의 제1 다이 세트(예를 들어, 602a~602d)의 하부 에지(예를 들어, 606a~606d)에 대하여 정의된다. 제1 스와스는 또한 제1 다이 세트의 임의의 다른 동등한 위치에 대하여 정의될 수 있다. 스와스는 일반적으로 특정 스와스 위치에서 스캔을 자동으로 시작하는 검사 툴에 의해 특정 다이 위치에 대하여 정의될 수 있다.
동작(704)에서 검사 툴의 입사 빔은 제1 스와스를 가로 질러 스캔되어, 제1 스와스의 복수의 패치의 이미지를 획득할 수 있다. 일 예에서, 광학 빔은 2개의 레티클을 가로 질러 스캔할 수 있고, 그러한 빔이 각 패치를 가로 질러 스캔함에 따라 강도 값은 제1 스와스의 각 패치의 각 픽셀 또는 포인트에 대하여 수집될 수 있다. 다른 방식으로 말하면, 검사 툴은 입사 광학 빔이 제1 스와스의 각각의 패치를 가로 질러 스캔함에 따라, 연속하여 스캔된 다이로부터 반사 및/또는 투과된 광을 검출 및 수집하도록 동작 가능할 수 있다. 이 입사 빔에 응답하여 제1 스와스의 각 패치의 복수의 포인트 또는 서브 영역으로부터 광이 수집된다.
도 6c의 예에서, 제1 스와스(604a)는 다이(602a)의 제1 에지(606a), 다이(602b)의 제1 에지(606b), 다이(602c)의 제1 에지(606c) 및 다이(602d)의 제1 에지(606d)를 포함한다. 각각의 다이는 또한 제2 대향 에지(예를 들어, 608a)를 갖는다. 제1 스와스가 스캔된 후에, 다음 인접 스와스가 동작(706)에서 제2 다이 세트의 제1 에지를 포함하는지 여부가 결정될 수 있다. 제2 다이 세트의 제1 에지가 아직 도달하지 않은 경우, 다음 스와스의 위치는 동작(710)에서 다음 스와스가 이전에 스캔된 스와스와 인접하거나 또는 이전에 스캔된 스와스와 겹치도록 정의될 수 있다. 입사 빔은 또한 이 정의된 다음 스와스를 가로 질러 스캔되어, 동작(712)에서 다음 스와스의 복수의 패치의 이미지를 획득한다. 동작(714)에서 모든 다이가 스캔되었는지의 여부가 결정될 수 있다. 그렇지 않으면, 두 레티클의 모든 다이가 스캔되고 스캔이 완료될 때까지 다음 스와스가 계속 정의되고 스캔된다.
도 6c에서 제1 스와스(604a) 이후에 정의되고 스캔되는 다음의 인접 스와스는 스와스(604b)이며, 이는 제2 다이 세트(602e~602h)의 제1 에지(606e~606h)에 도달하지 않았다. 이 예시에서, 다음 스와스(604b)는 제1 스와스(604a)에 인접하여 위치된다. 스와스(604c~604f)는 그 후 다음 스와스로서 연속하여 정의되고 스캔되고, 이들은 각각 이전에 스캔된 스와스에 인접하여 위치되고, 이 다음 스와스는 패치 이미지를 얻기 위하여 검사 툴의 빔으로 연속하여 스캔된다.
스와스가 연속하여 인접한 스와스-대-스와스 스캔 패턴으로 계속 스캔될 것이라면, 다이의 상이한 행의 스와스는 도 6a의 제1 구현에서 도시된 바와 같이 각 스와스에서 상이한 다이 부분을 가질 수 있다. 예를 들어, 후속 다이 세트(예를 들어, 602e~602h)의 패치 이미지는 제1 다이 세트(예를 들어, 602a~602d)와 다이-등가되지 않을 것이다. 예를 들어, 스와스(604g)의 패치 이미지는 제1 스와스(604a)의 패치 이미지가 제1 다이 세트(602a~602d)의 제1 에지에 정렬되는 것과 동일한 방식으로 제2 다이 세트(602e~602h)의 제1 에지에 정렬되지 않는다. 이 제1 구현은 다이(602e~602h)로부터의 스와스와 별도로 다이(602a~602d)로부터의 스와스를 처리하기 위하여 동작할 수 있다.
그러나, 스와스가 얻어지고, 두 레티클의 모든 다이에 걸쳐 동등한 다이를 포함하도록 위치될 수 있다. 모든 다이에 걸쳐 다이-등가 패치를 달성하기 위하여, 도 6c 및 도 7의 예시된 제2 구현은 새로운 다이 세트에 도달할 때 다음 스캔의 재배치를 포함한다. 도 7의 동작(708)에 설명된 바와 같이 제2 다이 세트의 제1 에지가 다음 스캔에서 도달될 경우, 다음 스와스의 상대적 위치는 제2 다이 세트의 제1 에지에 대하여, 그 대응 다이 세트에 대하여 제1 스와스의 상대적 위치와 동일하도록 정의된다. 다이의 각 행은 동일한 상대적 다이 위치(예를 들어, 행에서 다이의 하부(bottom))와 정렬되는 동일한 제1 스와스를 가질 것이다. 도시된 예에서, 다이(602e~602h)에 대하여 스캔될 제1 스와스는 제1 스와스가 제1 다이 세트(602a~602d)의 제1 에지(606a~606d)와 정렬되는 동일한 방식으로, 제2 다이 세트(602e~602h)의 제1 에지(606e~606h)에 정렬되는 스와스(692a)(도 6c)로서 정의될 수 있다. 절차(700)는 마지막 다이 세트(예를 들어, 602e~602h)에 대한 마지막 스와스가 스캔될 때까지 반복된다.
스와스 관리 공정(700)은 나란히 스캔되고 있는 2개의 레티클의 모든 다이로부터 다이-등가 패치를 정의하는데 사용될 수 있다. 그러나, 2개의 레티클이 개별적으로 이미징되는 경우, 결과적인 2개의 레티클 이미지를 정렬하기 위하여 임의의 공정이 사용될 수 있다. 예를 들어, 2개의 레티클 이미지는 2개의 레티클 이미지 사이에서 최대 매칭 정렬이 얻어질 때까지 오버레이되고 점진적으로 이동될 수 있다. 스와스가 각각의 레티클 다이 세트와의 정렬에 대하여 동일한 방식으로 획득되지 않으면 두 레티클에 대하여 스와스가 재정의될 수 있고, 두 레티클로부터의 다이-등가 패치가 모두 함께 분석될 수 있다. 대안적으로, 레티클 패치의 각 쌍은 개별적으로 분석될 수 있다.
정렬 기술에 관계없이, 두 레티클로부터의 패치는 그 후 예를 들어 도 5b에 기술된 바와 같이 처리될 수 있다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 각각의 패치(또는 다수의 패치)의 서브-부분의 강도와 같은 이미지 특성에 대한 적분 값(integrated value)이 동작(554)에서 결정될 수 있다. 도 6d는 레티클의 스와스의 패치의 다수의 로컬 영역 또는 서브 부분(예를 들어, 672a~672f)에 대응하는 다수의 강도 데이터 세트의 개략도이다. 특정 구현들에서, 애버리지 또는 중앙(median) 강도 값은 각각의 패치 또는 둘 이상의 패치 세트에 대하여 결정될 수 있다. 도시된 바와 같이, 다수의 강도 값(예를 들어, 672a, 672b, 672c, 672d, 672e 및 672f)은 레티클의 특정 스와스의 특정 패치(652a)의 다수의 픽셀 또는 포인트에 대응한다. 예를 들어, 레티클의 패치에 대응하는 강도 데이터 세트(652a)는 강도 값(26, 25, 25, 25, 24, 25 등)을 포함할 수 있다. 각 패치(또는 패치 세트)에 대한 모든 강도 값은 그러한 패치(또는 패치 세트)에 대한 애버리지 강도 값(예를 들어, 25)을 결정하기 위하여 함께 애버리지될 수 있다.
패치 부분은 특정 시스템 및 애플리케이션 요건에 따라 임의의 크기 및 형상일 수 있다. 스와스 스캔 방향에 수직으로 정렬된 직사각형 스와스를 가로 질러 연속하여 스캔하는 것을 참조하여 특정 실시 예가 설명되었지만, 레티클은 임의의 적절한 방식으로 스캔될 수 있다. 대안적으로, 스와스가 다이-등가 패치 이미지를 달성하도록 위치되는 한, 상이한 형상의 스와스를 갖는 원형 또는 나선형 패턴과 같은 래스터링(rastering)과는 상이한 패턴으로 레티클을 스캔함으로써 이미지를 얻을 수 있다. 물론, 센서는 각각의 레티클로부터 원형 또는 나선형 형상을 스캔하기 위하여 상이하게(예를 들어, 원형 패턴으로) 배열되어야 할 수 있고/있거나 레티클이 스캔 동안 상이하게 이동(예를 들어, 회전)될 수 있다.
레티클이 검사 툴의 센서를 지나 이동함에 따라, 레티클의 직사각형 영역 또는 "스와스"로부터 광이 검출되고, 그러한 검출된 광은 각각의 패치에서 다수의 포인트에서 다수의 강도 값으로 변환된다. 이 실시 예에서, 스캐너의 센서는 레티클로부터 반사 및/또는 투과되는 광을 수신하고 레티클의 패치의 스와스에 대응하는 강도 데이터 세트를 그로부터 생성하기 위하여 직사각형 패턴으로 배열된다. 특정 예에서, 각각의 레티클 스와스는 폭이 약 백만 픽셀이고 높이가 약 1000 내지 2000 픽셀일 수 있는 반면, 각각의 패치는 폭이 약 2000 픽셀이고 높이가 1000 픽셀일 수 있다.
각각의 패치(또는 패치 세트)에 대하여, 이미지 특성에 대한 기준 적분 값(reference integrated value)은 동작(556)에서 하나 이상의 다이-등가 패치로부터 결정된다. 각각의 특정 패치에 대한 기준 적분 값은 테스트 패치 위치와 동일한 다이 위치에서 두 레티클로부터의 다른 모든 다이-등가 패치, 두 레티클로부터의 다이-등가 패치의 서브 부분, 또는 단일 다이-등가 패치의 애버리지일 수 있다. 그 후 각각의 패치(또는 패치 세트)에 대하여, 그러한 패치(또는 패치 세트)의 적분 값과 대응하는 기준 적분 값 사이의 차이 적분 강도 값이 동작(558)에서 결정될 수 있다. 물론 애버리지(average) 또는 평균(mean)이 결정되는 패치의 수는 샘플링 세분성(granularity)에 영향을 미친다. 즉, 더 많은 수의 패치가 각각의 애버리지 또는 평균(mean)을 계산하는 데 사용될 수 있고, 각각의 계산에 대하여 더 많은 수의 패치가 더 적은 샘플링 수와 관련된다. 그러나 각 애버리지 또는 평균 값을 결정하기 위하여 더 많은 패치가 사용되므로 잡음이 줄어든다. 다른 실시 예에서, 각각의 프로세서는 두 레티클의 상이한 패치 부분을 비교할 수 있다.
동작(560)에서 패치 이미지들에 대하여 결정된 차이 적분 값들에 기초하여 델타 맵이 생성될 수 있다. 델타 맵은 특정 패치의 패턴 특성, 및 이상치(outlier) 패치를 선택적으로 제외한 두 레티클로부터의 특정 패치의 다이-등가 패치의 기준 애버리지 또는 중앙 값 패턴 특성 사이의 임의의 변동을 나타내는 경향이 있을 것이다.
델타 맵의 실시 예는 임의의 적합한 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 델타 맵은 레티클의 각 패치에 대한 차이 또는 "델타" 값의 목록으로 텍스트로 표현될 수 있다. 각각의 델타 값은 대응하는 레티클 패치 좌표와 함께 나열될 수 있다. 맵은 선택적으로 또는 부가적으로 차이 적분 강도 값의 표준 편차 또는 분산과 같은 메트릭으로 표현될 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 델타 맵은 시각적으로 표현될 수 있어서, 상이한 델타 값 또는 범위가 상이한 컬러 레티클 패치, 상이한 막대 그래프 높이, 상이한 그래프 값, 또는 3 차원 표현 등과 같은 상이한 시각적 방식으로 도시된다. 델타 값도 또한 정규화될 수 있다.
단일 스와스(또는 소수의 패치)로부터의 다이-등가 패치가 델타 맵을 형성하도록 처리될 때, 결함 패치로부터 결함이 없는 패치에서 "거짓(false)" 에코 효과가 생성될 수 있다. 예를 들어, 결함이 있는 단일 패치의 강도 값이 다른 결함이 없는 패치의 애버리지와 상이한 경우, 결함이 없는 패치 이미지 각각이 다이-등가의 다른 결함이 없는 패치 이미지 및 결함이 있는 패치 이미지와 관련하여 평가되고 있을 때, 결함이 있는 패치는 결함이 없는 패치 이미지의 부분 집합의 애버리지가 소량 증가하거나 감소하게 한다. 이 기준 값의 작은 증가 또는 감소는 각각의 결함이 없는 패치 이미지의 차이 값에 영향을 준다. 물론, 결함이 있는 패치 이미지는 다른 결함이 없는 패치 이미지의 에코 효과 차이와 반대되는 부호를 가진 더 큰 차이를 가질 것이다. 다른 패치 이미지가 비교적 큰 분산을 가질 때 이러한 에코 효과가 크게 문제가 되지는 않지만, 델타 맵에는 상당한 에코 관련 잡음이 포함될 수 있다.
에코 효과에 대한 하나의 해결책 및 다른 이상치 문제는, 다이-등가 패치의 기준 값을 결정할 때, 다이-등가 패치의 특정한 이상치 적분 강도 값을 배제하거나 다운웨이트(down weight)하는 것이다. 각각의 기준 값 계산으로부터 이상치 값을 배제하거나 다운웨이트하기 위하여 임의의 적절한 기술이 사용될 수 있다. 특정 예에서, (애버리지 값 대신) 다른 다이-등가 패치의 중앙 값(median value)이 기준 값으로서 사용된다. 중앙 값은 하나 이상의 결함 영역의 이상치 값에 의해 영향을 덜 받을 것이기 때문에 애버리지 값보다 하나 이상의 결함 영역에 의한 기준 값의 손상이 적을 것이다.
유사하게, 이상치 패치 이미지의 적분 강도 값은 각각의 기준 값을 결정하기 위한 계산에서 자동으로 제외될 수 있다. 하나의 방법은 미리 정의된 임계 값을 초과하는 값을 갖는 각 패치의 기준 값 계산으로부터 적분된 강도 값을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 예에서, 다이-등가 값의 애버리지부터 사전 정의된 수의 표준 편차보다 큰 적분 강도 값이 각각의 기준 값 결정으로부터 제외될 수 있다. 일례에서, 임의의 적분 값이 5 시그마 표준 편차를 초과하면 기준 값 계산에서 제외될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 3 시그마 또는 4 시그마 강도 값들은 기준 값 결정에서 제외될 수 있다.
에코 효과는 1/N과 관련하여 감소 및 축소(scale down)될 수 있으며, 여기서 N은 각각의 기준 값을 결정하는데 사용되는 다이의 수이다. 일부 구현들에서, 다이의 단일 행 또는 스와스 대신에, 두 레티클들 상의 다른 모든 다이들을 사용함으로써 에코 효과가 현저하게 감소되어, 더 많은 다이들이 함께 애버리지되도록 기준 값을 얻을 수 있다. 레티클 상의 다른 모든 다이가 기준 값을 결정하는 데 사용되는 경우에도, 다이 수가 적은 레티클은 다이 수가 많은 레티클보다 에코 효과가 더 작을 것이다.
일반적으로, 반사된 광에 대응하는 상이한 영역들(예컨대, 패치의 픽셀들)에 대한 강도 값은 또한 각각의 패치에 대한 애버리지 강도 값을 결정하기 전 또는 후에 투과된 광에 대한 강도 값과 결합될 수 있다. 예를 들어, 반사 및 투과된 강도 값의 애버리지는 각각의 포인트 또는 픽셀에 대하여 결정될 수 있다. 대안적으로, 애버리지는 패치의 반사 및 투과 강도 값에 대하여 별도로 계산될 수 있다. 각각의 패치에 대하여 별도로 계산된 반사 애버리지 및 투과 애버리지는 또한 조합되거나 애버리지될 수 있다. 일 예시적인 구현에서, 상이한 영역의 반사(R) 및 투과(T) 값은 (T-R)/2에 의해 결합될 수 있다.
반사광은 일반적으로 투과된 광과 잡음원에 상이하게 응답한다. 예를 들어, 표면 거칠기는 투과된 광이 아니라 반사된 광에 영향을 준다. 일반적으로 투과 및 반사 광 모드는 모두 CD 신호를 포함하지만 상이한(상관되지 않은) 잡음원을 가지고 있다. 따라서 두 모드를 결합하여, 어느 한 모드를 개별적으로 달성하는 것보다 잠재적으로 더 높은 신호 대 잡음비를 달성할 수 있다. 일부 경우에, 특정 영역에 대한 R 및 T 신호는 반대 부호 대신 동일한 부호를 가질 수 있는데, 이는 결과가 관련 영역에서 일치하지 않고 신뢰할 수 없음을 나타낼 수 있다. 따라서, R 및 T의 조합은 불충분하게 신뢰할 수 있는 경우 그러한 영역에서 다운웨이트되거나 계산으로부터 제거될 수 있다.
다른 실시 예에서, 반사 델타 맵(reflected delta map)은 반사 강도 값을 사용하여 생성될 수 있고, 투과 델타 맵(transmitted delta map)은 투과 강도 값을 사용하여 생성될 수 있다. 특정 기술에서, 반사 및 투과 델타 맵은 함께 애버리지되어 결합된 반사 및 투과 델타 맵을 형성한다. 예를 들어, 각 패치의 반사 차이 값(R) 및 투과 차이 값(T)은 함께 애버리지될 수 있다. R 및 T 델타 값이 반대 부호를 갖기 때문에, 애버지리는 식 (T-R)/2에 의해 수행되므로 R 및 T 델타 값은 서로 상쇄되지 않는다. 즉, 두 맵을 빼면 신호가 효과적으로 함께 더해진다.
잡음원은 T 및 R에 대하여 상이하기 때문에, 잡음은 결합된 신호로부터 애버리지되는 경향이 있을 수 있다. 다른 실시 예에서, 특정 잡음원은 R 또는 T 델타 맵 중 하나에 훨씬 더 큰 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 시간이 지남에 따라 헤이즈(haze)가 레티클 위에 형성될 때, R 델타 맵은 크게 영향을 받는 반면, T 델타 맵은 그렇지 않을 것이다. 따라서, R 및 T 델타 맵이 단순히 함께 애버리지된다면, 헤이즈에 의해 야기된 강도 변화는 결합된 델타 맵에서 제외(factor)되지 않을 것이다. 다른 기술에서, 반사 델타 값은 패치의 강도 값이 다이-등가 패치의 애버리지와 얼마나 다른지와 같은 임의의 적절한 잡음 표시자에 기초하여 투과 델타 값과 상이하게 가중될 수 있다. 특정 구현에서, 결합된 델타 맵은 역 분산 가중을 사용하여 형성될 수 있다. 결합된 반사 및 투과 델타 맵을 결정하기 위하여 다음 방정식이 사용될 수 있다.
(1 /(σT2 + σR2))(σT2ΔIR/IR - σR2ΔIT/IT)
ΔIR/IR은 백분율 변화로 표현된 반사 델타 값이고; ΔIT/IT는 백분율 변화로 표현된 투과 델타 값이고; σR과 σT는 각각 다이-등가 패치의 애버리지 반사 및 투과 강도로부터의 표준 편차이다.
하나 이상의 잡음 팩터(필 팩터(fill factor), 광 캘리브레이션 등)에 기초한 가중치와 반사 및 투과 적분 값의 다른 조합이 사용될 수 있다. 잡음 팩터는 별도로 가중되거나 결합될 수 있다. 필 팩터는 패턴 밀도에 해당한다. 패턴 에지는 신호에 영향을 미치므로 많은 에지가 있는 경우 R 또는 T 신호가 더 강할 수 있으며 그 반대도 마찬가지이다. 마찬가지로, R 또는 T 신호는 광 캘리브레이션 레벨에 따라 상이하게 영향을 받을 수 있다.
이어서, 동작(562)에서 델타 맵 또는 통계 맵에 기초하여 결함이 보고될 수 있다. 예를 들어, 임의의 차이 강도 값 또는 델타 값이 미리 정의된 임계 값을 초과하는지 여부가 결정될 수 있다. CD 결함을 검출하기 위하여 절대 임계 값을 사용하는 대신, 임계 값은 애버리지로부터의 분산 양을 기반으로 할 수 있다. 예를 들어, 애버리지로부터 특정 백분율을 초과하여 벗어나는 델타 값은 결함으로서 정의된다. 예를 들어, 대응하는 다이-등가 패치의 강도 평균(mean)이 100 그레이 스케일이면, 1 그레이 스케일의 델타 강도는 결함으로서 정의될 수 있다. 특정 수의 표준 편차를 초과하여 변하는 델타 강도 값도 결함으로서 정의될 수 있다.
검사 효율을 개선하기 위한 하나 이상의 추가 방법이 본 명세서에 기술된 임의의 본 발명의 기술과 함께 구현될 수 있다. 예를 들어, 제1 레티클의 셀-대-셀 검사는 검사를 요구하는 것으로부터 제2 레티클의 영역을 필터링하는데 사용될 수 있다. 도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 필터링을 통한 검사 공정을 나타내는 흐름도이다. 초기에, 동작(902)에서 비정상 이벤트를 식별하기 위하여 제1 레티클에 대한 검사가 수행될 수 있다. 하나의 간단한 예에서, 셀-대-셀 검사가 제1 레티클에 구현된다. 즉, 동일하게 설계된 각 다이의 이미지 부분이 서로 비교되어 차이를 발견한다. 레티클이 다수의 다이를 포함하는 다른 예에서, 제1 레티클의 다이는 서로 비교된다.
다른 유형의 검사는, 하나 이상의 "후보 이벤트 또는 결함"에 각각 대응할 수 있는 비정상 이벤트의 위치를 찾기 위하여 다이의 이미지 피처에 대한 통계적 분석을 구현하는 것을 포함하는 단일-다이 검사이다. 단일-다이 검사 공정은 후보 이벤트를 식별하기 위하여 이미지 피처를 처리하기 위한 임의의 적절한 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이미지 처리 기술의 임의의 적절한 조합이 이미지 피처를 분석하고 그러한 피처의 컨텍스트가 주어졌을 때 어느 피처가 이례적인지 결정하는데 사용될 수 있다. 간단한 일 예에서, 대부분 동일한 바(bar)의 어레이가 측면에 노치가 형성된 단일 바를 포함하는 경우, 노치는 후보 결함으로서 간주될 수 있다.
비정상 이벤트 및 후보 결함의 위치를 찾기 위한 하나의 접근법은 2016년 12월 13일 Chun Guan 등의 미국 특허 제9,518,935호에 추가로 기술되어 있으며, 이 문헌은 그 전문이 본 명세서에 참조로 포함된다. 단일-다이 접근법의 일부 예는 템플릿 매칭 및 주요 컴포넌트 분석을 포함한다. 템플릿 매칭은 일반적인 템플릿 피처를 참조로 사용하여 비정상 피처의 위치를 찾기 위한 이미지 처리 기술이다. 예를 들어, 제1 이미지 피처가 그랩(grab)되어, 다른 피처들과 비교되거나 매칭된다. 제1 이미지 피처는 제1 이미지 피처와 매칭되는 다른 피처(또는 사소한 수의 피처)가 없다면, 비정상 또는 후보 이벤트로서 정의된다. 철저한 템플릿 매칭 접근 방식을 사용하여 각 이미지 피처를 그랩하여, 다른 피처와 비교할 수 있다. 대안적으로, 다른 공정을 또한 구현하여 비정상 피처의 위치를 보다 지능적이고 효율적으로 찾을 수 있다. 예를 들어, 레티클 이미지를 분석하기 전에 공통 피처 템플릿 세트를 처음에 정의할 수 있다. 템플릿 이미지 피처는 다른 특징 벡터와 비교하기 위하여 피처 벡터로 변환될 수 있다. 또한 유사한 이벤트가 여러 개 있는 경우에도 특정 피처를 비정상 이벤트로서 정의할 수 있다. 예를 들어, 다른(otherwise) 0D 또는 1D 패턴으로 나타나는 작은 피처는 비정상 이벤트로서 식별될 수 있다.
적어도 하나의 후보 결함에 대응하는 각각의 식별된 비정상 이벤트에 대하여, 동작(904)에서 통과 및 검사되지 않은 레티클 영역을 주목할 뿐만 아니라 위치 및 후보 결함 이미지가 저장될 수 있다. 대안적인 실시 예에서, 각 후보 결함에 대하여 이미지와 같은 결함 검토 데이터를 저장하지 않고 위치 및 강도 값이 저장될 수 있다. 저장된 위치 및 이미지/강도 결함 데이터는 "베이스라인 이벤트 데이터"로 지칭될 수 있다. 베이스라인 이벤트 데이터는 실질적으로 동일한 설계 패턴에 대한 OPC 데코레이션 변형에 의해 야기되는 비정상 이벤트와 같은 계획적인(deliberate) 비정상 이벤트와 관련이 있을 수 있다. 즉, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 레티클 피처에 일반적으로 대응할 것이며, 이는 그러한 레티클 피처가 더 이상 동일하지 않도록, OPC 데코레이션을 추가하기 위하여 그러한 레티클 피처에 대하여 광학 근접 보정 공정(optical proximity correction process, OPC)이 구현되기 전에 동일하게 설계되었다. 그러한 베이스라인 이벤트 데이터는 또한 실제 결함이 아니거나 수율 문제를 일으키는 것으로 간주되는 의도하지 않은 또는 중요하지 않은 이벤트와 관련될 수 있다.
이미지 데이터가 아닌 강도만이 각 비정상 이벤트에 대하여 저장되는 구현에서, 베이스라인 이벤트 데이터는 나중에(예를 들어, 그러한 제1 레티클의 사용 후에) 제1 레티클 또는 제1 레티클과 동일하게 설계된 제2 레티클의 후속 검사에서 동일한 이벤트를 식별하기 위한 최소 데이터 세트를 포함한다. 후속 검사 예에서, 이 유형의 검사를 "델타 시간(delta time)" 검사라고 한다. 델타-시간 접근법의 몇몇 실시 예는 Carl E. Hess 등이 2013년 2월 1일 출원한 미국 출원번호 제13/757,103호에 추가로 기술되어 있으며, 이 출원은 본 명세서에 참조로 포함된다. 강도 이벤트 데이터 실시 예에서, 각각의 후보 결함에 대한 베이스라인 이벤트 데이터는 레티클 상의 원점 위치에 대한 x 및 y 좌표와 같은 위치를 포함한다. 레티클 상의 원점 위치는 레티클 상의 하나 이상의 원점 X 및/또는 Y 마킹(marking)과 같은 임의의 적절한 방식으로 식별될 수 있다. 예를 들어, 십자형 마킹은 검사 툴이 그러한 마킹의 중심 부분에 대한 각각의 레티클 XY 위치(position)의 위치(location)를 참조하게 할 수 있다. 다른 식별 베이스라인 이벤트 데이터는 강도 값뿐만 아니라 이벤트 데이터의 강도 값이 획득된 채널(예를 들어, 투과 또는 반사 채널)을 포함할 수 있다.
각각의 비정상 이벤트에 대한 기준을 먼저 찾음으로써 각각의 비정상 이벤트에 대하여 하나 이상의 후보 결함이 발견될 수 있다. 후보 결함은 본 명세서에서 비정상 이벤트로 지칭될 수도 있다. 각각의 고유한 영역은 마진 양만큼 확장(dilate)될 수 있다. 그런 다음, 커스텀(custom) 크기의 직사각형 클립 또는 템플릿을 원본 이미지로부터 수집할 수 있다. 이 클립에는 확장된 고유 영역 내의 픽셀에 해당하는 원본 이미지 픽셀이 포함된다.
가중치의 2D 어레이는 직사각형 클립과 동일한 크기로 설정될 수 있다. 이러한 가중치는 기준 영역에 대한 가중치 정규화된 상호 상관 검색을 구동하는 데 사용될 수 있다. 매칭 패턴을 찾을 확률이 낮은 경우 가중치는 낮게 설정될 수 있다. 매칭 패턴을 찾을 확률이 높을수록 가중치가 증가할 수 있다. 고유한 영역을 구성하는 고유한 클립의 중심 근처에 고유한 것이 있기 때문에, 그러한 템플릿 중심 근처에서 매칭 패턴을 찾을 확률이 낮다. 매칭 패턴을 찾을 확률은 이러한 중심에서 멀어질수록 증가하며, 추가된 고유하지 않은 마진에서 가장 높다. 가중치는 이러한 추세를 따르도록 설정될 수 있다. 가중치는 패턴 내의 에지가 평평한 영역에 걸쳐 강조되도록 추가로 조정될 수 있다. 마진 외부이지만 경계 사각형 내부의 임의의 픽셀에 대한 가중치는 제로로 설정될 수 있다.
가중치가 설정되면, 레티클 이미지는 가중 NCC(normalized cross correlation) 스코어를 최대화하는 동일한 크기의 패치에 대하여 검색될 수 있다. 온-그리드(on-grid) 패치가 가중 NCC 스코어에서 피크를 생성할 때, 보간을 사용하여 이 스코어를 최대화하는 미세한 정렬을 찾을 수 있다. 레티클 이미지를 검색한 후에, 가장 높은 스코어를 갖는 정렬된 패치가 기준으로서 선택될 수 있다. 가장 가중치가 높은 NCC 스코어가 최소 임계 값을 초과하지 않으면 적절한 기준이 발견되지 않는다.
주로 0D 또는 1D인 영역의 경우, 레티클 이미지에서 발견되는 대신 기준이 합성될 수 있다. 영역 중심 근처의 약한 (그리고 강한) 축 그라디언트를 제외하고 전체 영역에 0D라는 레이블이 붙을 수 있었다면, 0D 기준을 합성할 수 있다. 합성 기준 내의 모든 픽셀은 테스트 영역의 마진 픽셀의 평균(mean)으로 설정될 수 있다. 이 기술은 테스트 영역의 마진 픽셀에 가장 잘 피팅되는 순수 0D 기준을 구축할 수 있다. 비정상 테스트 영역의 중심 근처에서 약한 축 기울기를 제외하고 전체 영역에 1D라는 레이블이 붙을 수 있었다면, 1D 기준을 합성할 수 있다. 가로 패턴의 경우, 합성 기준의 픽셀의 각 행을 해당 행에 대한 테스트 영역의 마진 픽셀의 평균으로 설정할 수 있다. 수직 패턴의 경우, 합성 기준의 픽셀의 각 열을 해당 열에 대한 테스트 영역의 마진 픽셀의 평균으로 설정할 수 있다. 대각선 패턴의 경우, 개념은 동일할 수 있다(예를 들어, 테스트 영역의 마진 픽셀에 가장 잘 피팅되는 순수 1D 합성 기준을 구축할 수 있다).
기준이 발견되지 않거나 합성 가능한 것이 없다면, 특정 비정상 영역은 검사되지 않은 것으로 라벨링될 수 있고 그 영역에 대한 추가 처리는 수행되지 않는다. 기준이 발견되면 기준 클립(reference clip)이 수집되고 보정된다. 수집은 보간을 사용하여 미세 정렬 오프셋을 통합할 수 있다. 보상은 가중 피팅 함수(weighted fitting function)를 사용하여 보정 항을 계산할 수 있다. 지역의 불확실한 영역에서는 더 가벼운 가중치를 사용하여, 해당 영역의 피팅을 완화할 수 있다. 보정이 일단 계산되면, 이들은 기준 클립에 적용된다.
각각의 비정상 이벤트의 테스트 이미지는 차이 값을 결정하기 위하여 대응하는 기준 이미지(찾을 수 있는 경우)와 비교될 수 있다. 차이 값이 미리 결정된 임계치를 초과하면, 그러한 차이(예를 들어, 각각의 피크)는 후보 결함으로서 식별될 수 있다.
기준 이미지를 찾을 수 없는 각각의 비정상 이벤트에 대하여, 비정상 이벤트의 이미지는 동일한 영역에서 후속 재자격화 검사를 위한 기준 이미지로서 저장될 수 있다. 그러한 이벤트는 검사할 수 없는 것으로 간주될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 레티클의 저장된 후보 결함 이미지(또는 강도)는 동작(906)에서 제2 레티클 상의 대응 위치에서 이미지(또는 강도 값)와 비교될 수 있다. 제2 레티클은 제1 레티클과 동일하게 설계된다. 2-레티클 비교는 제1 레티클의 통과(passing) 레티클 영역과 제2 레티클의 대응 영역을 비교하지 않고 후보 결함을 검출하게 한다. 예를 들어, 제1 레티클의 셀-대-셀 영역을 제2 레티클에 매칭시키기 위하여 또는 그 반대의 경우에 이미지 비교가 수행되지 않는다.
제1 레티클의 검사되지 않은 영역에 대하여, 그러한 영역의 이미지(또는 강도 값)는 동작(908)에서 후보 결함을 검출하기 위하여 제2 레티클의 대응하는 영역의 이미지(또는 강도 값)와 비교될 수 있다. 이러한 검사되지 않은 영역은 셀-대-셀 검사에 사용될 수 있는 대응하는 동일 영역을 가지고 있지 않다. 2개의 레티클의 2개의 대응하는 위치로부터의 각각의 이미지 부분(또는 강도 값)에 대하여, 후보 결함을 찾기 위한 임의의 적절한 비교 분석이 수행될 수 있다. 예를 들어, 후보 결함이 발견되었는지 여부를 결정하기 위하여 각각의 언매칭 이미지/강도 쌍에 대하여 선택적으로 디센스 처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 이벤트를 비정상 이벤트로 식별하는 데 사용된 임계치 또는 알고리즘과 비교하여 덜 엄격한(또는 상이한) 임계치 또는 알고리즘을 사용하여, 현재 이벤트가 특정 사전 정의된 영역에 대한 후보 결함 또는 비정상 이벤트/아티팩트에 덜 민감한 것으로 식별된 레티클의 피처 유형인지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 사용자는 상이한 방식으로 상이한 유형의 피처(예를 들어, 에지 등)를 분석하기 위하여 레시피를 셋업했을 수 있다.
이어서, 결함 보고가 동작(910)에서 출력될 수 있다. 이 결함 보고는 결함 이미지 또는 강도 값 및 그 위치를 포함할 수 있고, 그런 다음 그러한 데이터는 예를 들어 고해상도 이미징 툴로 그러한 결함 위치를 보다 신중하게 검사하기 위하여 사용될 수 있다. 대안적으로, 결함 데이터는 추가 결함 분석 없이 간단히 검사 보고에 기록될 수 있다.
검사 보고는 임의의 적절한 결함 검토 데이터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 결함 검토 데이터는 반사(R) 및 투과(T) 채널 이미지 모두, R과 T 이미지 사이의 차이 이미지, (단일-다이 공정으로부터 생성된) 기준 R과 T 이미지, 썸네일 이미지, 후보 결함 등을 찾기 위한 중간 계산을 포함할 수 있다.
반대로, 제1 레티클로부터의 베이스라인 이벤트가 제2 레티클에서 매칭 이벤트를 갖는 경우(또는 그 반대의 경우), 추가 결함 분석은 생략될 수 있다. 또한 이벤트의 검토 데이터는 검사 보고에 기록되지 않는다. 수많은 이미지를 포함한 결함 검토 데이터는 검사 보고에 항목(entry)으로서 저장되지 않으므로, 검사 보고는 데이터 크기 제한에 도달할 것 같지 않다. 일부 검사에서 그러한 이벤트를 필터링하기 전에 모든 비정상 이벤트에 대한 데이터 파이프 라인은 검사 보고를 위하여 결과적으로 저장되는 결함 검토 데이터보다 100배 더 클 수 있다. 베이스라인 이벤트와 유사한 이벤트를 제외하는 검사 보고에 대한 데이터 절약은 상당할 수 있다.
제2 레티클로부터의 베이스라인 이벤트 및 대응하는 이벤트는 그들의 위치가 레티클 원점에 대하여 동일한 위치에 있거나 (다이 위치에 대하여) 서로의 미리 결정된 거리 내에, 예컨대 서로 0.5um 거리 내에 있는 경우에 매칭되도록 결정될 수 있고, 크기 값이 동일하거나 서로의 30 % 내인 경우 이벤트는 유사한 크기를 가진다. 그렇지 않으면 이벤트는 새로운 이벤트로 간주되어, 검사 보고를 위하여 보관된다.
2개의 레티클에 대한 검사 방법에 관계 없이, 레티클 이미지의 각각의 세트는 일반적으로 검사 툴의 동작 차이와 결과 이미지 사이의 차이에 미치는 영향으로 인한 레티클 이미지의 차이를 최소화하도록 조정된다. 특정 예에서, 초점 차이로 인한 이미지 차이가 최소화된다. 예를 들어, 라인-스페이스-라인 피처는 라인 위치에서 피크 및 공간 위치에서 최소값을 갖는 파형을 갖는 이미지를 초래할 수 있다.한 이미지의 초점이 맞지 않으면(out-of-focus), 이 파형의 위와 아래가 평평하게 보일 수 있다. 이 경우, 초점이 맞는(in-focus) 파형은 초점이 맞지 않는 파형과 매칭되도록 평탄화될 수 있다. 투과된 이미지와 반사된 이미지를 동시에 활용함으로써 모델 기반의 초점 보정 방법을 적용할 수도 있다.
다른 예에서, 검사 광 레벨은 각각의 레티클에 걸쳐 적절하게 캘리브레이션되고 보상된다. (T는 동일하게 유지될 수 있는 반면) 두 마스크는 상이한 R 속성을 가질 수 있다. 예를 들어, 2개의 레티클 블랭크는 상이한 배치(batch)일 수 있고 상이한 제조 공정을 경험할 수 있다. 공정 툴이 상이하면 레티클의 동일한 영역을 통해 상이한 T 또는 R 값을 볼 수도 있다. 상이한 레티클을 검사하기 위하여 상이한 검사 툴을 사용하는 경우, 두 레티클 이미지도 툴 간의 수차(aberration) 차이를 설명하도록 조정된다. 그러한 방법 중 하나는 툴 수차의 영향을 포함하는 복구된 마스크 패턴으로 시작한 다음, 그러한 수차가 없는 마스크 패턴으로부터 생성된 예측된 T(투과) 이미지 및 측정된 T 이미지 사이의 오차를 최소화함으로써 그러한 영향이 없는 마스크 패턴을 반복적으로 도출하는 것이다. 마스크 패턴을 복구하기 위한 몇 가지 기술은 Mark J. Wihl 등의 미국 특허 제7,873,204호에 추가로 기술되어 있으며, 이는 그 전문이 본 명세서에 참조로 포함된다.
본 발명의 특정 실시 예는 동일한 설계를 갖는 2개의 레티클을 효율적으로 이용한다. 동일하게 만들어진 두 개의 상이한 레티클은 일반적으로 설계로 프로그래밍되지 않는 한, 동일한 결함을 갖지 않을 것이다. 따라서, 하나의 레티클 상에 있고 다른 레티클에 없는 결함은 레티클 이미지(또는 강도 값)의 비교에 의해 효율적으로 위치를 찾을 수 있다. 이러한 기술은 단일-다이 레티클에도 사용될 수 있다. 또한 설계 데이터베이스를 사용하지 않고도 검사를 수행할 수 있으며, 이는 시간, 비용 및 모델링 문제로 인해 비용이 많이 드는 경향이 있다. 예를 들어, 데이터베이스 검사를 수행할 수 있는 검사 툴은 비교 유형 검사를 사용하는 툴보다 훨씬 비쌀 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따른 검사 및 결함 검토 절차(1000)의 개요를 도시한다. 도시된 바와 같이, 결함 보고가 동작(1002)에서 수신된다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 임의의 검사 공정은 두 레티클로부터 후보 결함 이벤트의 리스트를 생성하도록 구현될 수 있다. 각각의 레티클에 대한 결함 보고는 개별적으로 또는 함께 분석될 수 있다.
그 후, 검사 보고로부터의 후보 결함 및 그들의 검토 데이터는 동작(1006)에서 검토될 수 있다. 예를 들어, 오퍼레이터는 각 결함의 이미지를 검토하여, 각각의 결함이 중대한 결함인지 또는 실제 결함인지를 결정하여 수율을 제한할 수 있다. 또한, 나머지 결함은 결함을 클래스로 분류하는 분류기(classifier) 툴에 의해 분석될 수 있어서, 모든 후보 결함을 검토하는 것과 반대로, 각 클래스의 서브 세트가 오퍼레이터에 의해 효율적으로 검토될 수 있다.
그 후, 동작(1008)에서 레티클이 그러한 맵에 기초하여 검사를 통과하는지 여부가 결정될 수 있다. 예를 들어, 이미지(또는 강도) 차이가 사전 정의된 임계치를 초과하는지 여부가 결정될 수 있다. 이미지 차이 또는 강도 값 차이의 크기가 미리 정의된 임계치를 초과하면, 대응하는 레티클 부분이 더 세심하게 검토되어, 레티클에 결함이 있고 더 이상 사용될 수 없는지 여부를 결정할 수 있다.
델타-강도 맵이 생성되었다면, 레티클이 그러한 맵에 기초하여 검사를 통과하는지 여부가 결정될 수 있다. 강도 변동이 사전 정의된 또는 통계-기반 임계치를 초과하면, 대응하는 패치는 그 후 더 신중하게 검토되어, 레티클에 결함이 있고 더 이상 사용될 수 없는지의 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, SEM을 사용하여 결함 영역을 검토하여 임계 치수(CD)가 사양을 벗어났는지 여부를 결정할 수 있다. 이 검토 공정은 보고된 후보 결함 중 임의의 것에 대해 구현될 수 있다.
대안적인 구현에서, 델타 강도 맵에서의 특정 강도 변화는 특정 CD 변동과 관련될 수 있으며, 이는 이후 사양 내에 있거나 사양을 벗어난 것으로 결정될 수 있다. 예를 들어, 1 % 강도 변동은 1 % CD 변동과 상관될 수 있다. 특정 강도 변화는 상이한 CD 변화 사이의 강도 차이를 결정하기 위하여 측정될 수 있는 다수의 공지된 CD 값을 갖는 패턴 영역을 갖는 캘리브레이션 레티클을 통하여 특정 CD 변화와 관련될 수 있다. 사양을 벗어난 CD 변동은 레티클이 검사를 통과하지 못하게 한다.
구현되는 검사 방법에 관계 없이, 레티클이 검토를 통과하지 않으면, 대응하는 레티클은 동작(1010)에서 수리(repair) 또는 폐기될 수 있고 검사가 종료된다. 예를 들어 레티클로부터 특정 결함을 세정(clean)할 수 있다. 포토리소그래피 공정은 또한 델타 맵에 기초하여 조정될 수 있다. 일 구현에서, 델타 값(ΔI/I)은 ΔI/I = -ΔD/D에 의하여 부분 도즈 보정(fractional dose correction)(ΔD/D)과 관련된다. 강도 변동에 기초한 도즈 보정은 네덜란드 벨트호벤(Veldhoven)의 ASML에서 이용 가능한 DoseMapperTM 방법 또는 독일의 Zeiss에서 이용 가능한 CDC 보정 방법에 의해 결정될 수 있다.
레티클이 통과하면, 레티클을 폐기하거나 수리하지 않고 검토 공정이 종료될 수 있다. 통과 레티클은 웨이퍼를 제조하는데 사용될 수 있다. 레티클(수리된 또는 통과된 레티클)이 다시 사용된 후, 레티클은 제1 레티클과 동일하게 설계된 대응하는 다른 레티클과 비교함으로써 다시 검사될 수 있다.
대안적인 실시 예에서, 레티클이 검사를 통과하면, 모든 후보 결함이 "허용 가능한 차이(acceptable differences)"로 간주될 수 있고, 그러한 허용 가능한 차이 값이 저장되고 나중에 재사용되어 그러한 레티클이 사용된 후 하나 또는 두 레티클을 신속하게 재적격화할 수 있다. 이 예에서 "허용 가능한 차이"는 베이스라인 이벤트의 세트로서 사용된다. 그러한 베이스라인 이벤트가 사용된 레티클에 존재하는 경우, 그러한 베이스라인 이벤트는 허용 가능한 것으로 간주되어 후보 결함으로서 보고되지 않는다. 베이스라인 이벤트가 검출된 이후에 발생한 차이점만이 후보 결함인 것으로 결정되고 결함 검토 대상이 된다.
본 발명의 기술은 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 임의의 적절한 조합으로 구현될 수 있다. 도 11은 본 발명의 기술이 구현될 수 있는 예시적인 검사 시스템(1100)의 개략도이다. 검사 시스템(1100)은 검사 툴 또는 스캐너(도시되지 않음)로부터 입력(1102)을 수신할 수 있다. 각각의 레티클에 대한 강도 값 또는 이미지는 임의의 적절한 방식으로 셋업되는 검사 툴을 사용하여 획득될 수 있다. 툴은 일반적으로 동작 파라미터의 세트 또는 "레시피"로 셋업된다. 레시피 설정(setting)은 다음 설정들, 즉 다이 범위, 다이 어레이 크기, 다이 오프셋, 특정 패턴으로 레티클을 스캔하기 위한 설정, 픽셀 크기, 단일 신호로부터 인접 신호를 그룹화하기 위한 설정, 임계 값, 포커스 설정, 조명 또는 검출 애퍼처 설정, 입사 빔 각도 및 파장 설정, 검출기 설정, 반사 또는 투과 광량 설정, 에어리얼 모델링 파라미터 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
검사 툴은 일반적으로 검출된 광을 강도 값에 대응하는 검출된 신호로 변환하도록 동작 가능할 수 있다. 검출된 신호는 레티클의 상이한 위치에서 상이한 강도 값에 대응하는 진폭 값을 갖는 전자기 파형의 형태를 취할 수 있다. 검출된 신호는 또한 간단한 강도 값 리스트 및 관련된 레티클 포인트 좌표의 형태를 취할 수 있다. 검출된 신호는 또한 레티클 상의 상이한 위치 또는 스캔 포인트에 대응하는 상이한 강도 값을 갖는 이미지의 형태를 취할 수 있다. 검출된 신호는 또한 주사 전자 현미경(scanning electron microscope) 이미지 또는 임의의 다른 적절한 유형의 이미지의 형태를 취할 수 있다. 레티클의 모든 위치가 스캔되고 검출된 신호로 변환된 후에 레티클 이미지가 또한 생성될 수 있거나, 각 레티클 부분이 스캔됨에 따라 레티클 이미지의 부분들이 생성되어 전체 레티클이 스캔된 후 최종 레티클 이미지가 완성될 수 있다.
검사 툴은 고해상도 이미징 모드 또는 에어리얼 이미징 모드에서 셋업될 수 있다. 즉, 검출된 신호는 고해상도 이미지 또는 저해상도 에어리얼 이미지의 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, 포토리소그래피 툴의 광학은 레티클로부터 검출된 신호에 기초하여 에어리얼 이미지를 생성하도록 에뮬레이션된다. 예를 들어, 고해상도 모드에 대한 NA(numerical aperture)는 일반적으로 약 0.5와 0.9 사이인 반면, 에어리얼 이미징(저해상도) 모드에 대한 NA는 일반적으로 약 0.1과 0.35 사이이다.
네덜란드 벨트호벤의 ASML로부터 입수 가능한 DoseMapperTM 방법 및 독일 Zeiss로부터 입수 가능한 CDC 보정 방법론과 같은 CD 보정 방법에 대한 델타 맵 구현의 보다 정확한 사용을 위하여 에어리얼 이미징 모드에서 작동하는 것에 대한 이점이 있을 수 있다. 델타 값 ΔI/I는 ΔI/I = -ΔD/D에 의한 부분 도즈 보정 ΔD/D와 관련이 있다. 이 관계는 고해상도 모드보다 에어리얼 검사 모드에서 더 정확하게 옳을 수 있지만, 두 모드 모두에서 충분할 수 있다.
입사광 또는 검출된 광은 임의의 적절한 입사각에서 임의의 입사 또는 검출된 광 프로파일을 생성하기 위하여 임의의 적절한 공간 애퍼처를 통과할 수 있다. 예로서, 프로그램 가능한 조명 또는 검출 애퍼처는 쌍극자, 사중 극자, 퀘이사, 고리(annulus) 등과 같은 특정 빔 프로파일을 생성하는데 이용될 수 있다. 특정 예에서, SMO(Source Mask Optimization) 또는 임의의 픽셀화된 조명 기술이 구현될 수 있다.
하나 이상의 패치의 각각의 세트에 대한 검출된 신호에 대한 데이터는 병렬 패치 프로세서로 전송될 수 있다. 예를 들어, 도 11의 검사 시스템(1100)은 또한 수신된 입력(1102)을 분배하기 위한 데이터 분배 시스템(예를 들어, 1104a 및 1104b), 수신된 입력(1102)의 특정 부분/패치를 처리하기 위한 강도/이미지 신호 처리 시스템(예를 들어, 패치 프로세서 및 메모리(1106a 및 1106b)), 여기에 기술된 2개의 레티클 공정 중 임의의 것을 관리하기 위한 2-레티클 관리 시스템(예를 들어, 1112), 검사 시스템 컴포넌트 사이의 통신을 허용하기 위한 네트워크(예를 들어, 교환 네트워크(1108)), 선택적인 대용량 저장 디바이스(1116) 및 후보 결함을 검토하기 위한 하나 이상의 검사 제어 및/또는 검토 스테이션(예를 들어, 1110)을 포함할 수 있다. 대용량 저장 디바이스(1116)는 또한 제1 레티클로부터의 이미지를 저장하는데 사용되고, 제1 레티클로부터의 이미지는 그 후 "재생(played back)"되어 제2 레티클로부터 수신된 이미지와 비교된다. 검사 시스템(1100)의 각각의 프로세서는 전형적으로 하나 이상의 마이크로 프로세서 집적 회로를 포함할 수 있고, 또한 인터페이스 및/또는 메모리 집적 회로를 포함할 수 있고, 하나 이상의 공유 및/또는 글로벌 메모리 디바이스에 추가로 결합될 수 있다.
입력 데이터(1102)를 생성하기 위한 스캐너 또는 데이터 획득 시스템(도시되지 않음)은 (예를 들어, 여기에 더 설명된 바와 같이) 레티클(또는 다른 표본)의 강도 신호 또는 이미지를 획득하기 위한 임의의 적절한 수단의 형태를 취할 수 있다. 예를 들어, 스캐너는 하나 이상의 광 센서로 반사, 투과 또는 아니면 지향되는 검출된 광의 일부에 기초하여 광학 이미지를 구성하거나 레티클의 일부의 강도 값을 생성할 수 있다. 스캐너는 그 후 스캐너로부터 강도 값 또는 이미지를 출력할 수 있다.
강도 또는 이미지 데이터(1102)는 네트워크(1108)를 통해 데이터 분배 시스템에 의해 수신될 수 있다. 데이터 분배 시스템은 수신된 데이터(1102)의 적어도 일부를 유지하기 위하여 RAM 버퍼와 같은 하나 이상의 메모리 디바이스와 연관될 수 있다. 바람직하게는, 총 메모리는 적어도 데이터의 전체 스와스를 보유할 만큼 충분히 크다. 예를 들어, 1 기가 바이트의 메모리는 1백만 × 1000 픽셀 또는 포인트의 패치의 스와스에 잘 작동한다.
데이터 분배 시스템(예를 들어, 1104a 및 1104b)은 또한 수신된 입력 데이터(1102)의 일부를 프로세서(예를 들어, 1106a 및 1106b)에 분배하는 것을 제어할 수 있다. 예를 들어, 데이터 분배 시스템은 제1 패치에 대한 데이터를 제1 패치 프로세서(1106a)로 라우팅하고, 제2 패치에 대한 데이터를 패치 프로세서(1106b)에 라우팅할 수 있다. 여러 패치에 대한 여러 데이터 세트가 각 패치 프로세서로 라우팅될 수도 있다.
패치 프로세서는 레티클의 적어도 일부 또는 패치에 대응하는 강도 값 또는 이미지를 수신할 수 있다. 패치 프로세서들은 또한 수신된 데이터 부분을 유지하는 것과 같은 로컬 메모리 기능들을 제공하는 DRAM 디바이스들과 같은 하나 이상의 메모리 디바이스들(도시되지 않음)에 각각 결합되거나 통합될 수 있다.
각각의 입력 데이터 세트(1102)는 레티클의 스와스에 대응할 수 있다. 하나 이상의 데이터 세트가 데이터 분배 시스템의 메모리에 저장될 수 있다. 이 메모리는 데이터 분배 시스템 내의 하나 이상의 프로세서에 의해 제어될 수 있고, 메모리는 복수의 파티션으로 분할될 수 있다. 예를 들어, 데이터 분배 시스템은 스와스의 일부에 대응하는 데이터를 제1 메모리 파티션(미도시)으로 수신할 수 있고, 데이터 분배 시스템은 다른 스와스에 대응하는 다른 데이터를 제2 메모리 파티션(미도시)으로 수신할 수 있다. 바람직하게는, 데이터 분배 시스템의 각각의 메모리 파티션은 그러한 메모리 파티션과 연관된 프로세서로 라우팅될 데이터의 부분만을 보유한다. 예를 들어, 데이터 분배 시스템의 제1 메모리 파티션은 제1 데이터를 유지하고 패치 프로세서(1106a)로 라우팅할 수 있고, 제2 메모리 파티션은 제2 데이터를 유지하고 패치 프로세서(1106b)로 라우팅할 수 있다.
데이터 분배 시스템은 데이터의 임의의 적절한 파라미터에 기초하여 데이터의 각 데이터 세트를 정의 및 분배할 수 있다. 예를 들어, 데이터는 레티클 상의 패치의 대응하는 위치에 기초하여 정의되고 분배될 수 있다. 일 실시 예에서, 각각의 스와스는 스와스 내의 픽셀의 수평 위치에 대응하는 열 위치의 범위와 관련된다. 예를 들어, 스와스의 0 내지 256 열은 제1 패치에 대응할 수 있고, 이 열 내의 픽셀은 제1 이미지 또는 강도 값 세트를 포함할 것이며, 이는 하나 이상의 패치 프로세서로 라우팅된다. 마찬가지로, 스와스의 257 내지 512 열은 제2 패치에 대응할 수 있고, 이 열의 픽셀은 제2 이미지 또는 강도 값의 세트를 포함할 것이고, 이는 상이한 패치 프로세서(들)로 라우팅된다. 물론, 두 레티클 이미지로부터의 2개의 첫 번째 패치는 함께 분석하기 위하여 각각의 프로세서로 라우팅될 수 있다.
도 12a는 특정 실시 예에 따라 포토마스크(M)로부터 웨이퍼(W)로 마스크 패턴을 전사하는데 사용될 수 있는 전형적인 리소그래피 시스템(1200)의 단순화된 개략도이다. 그러한 시스템의 예로는 스캐너 및 스테퍼(stepper), 보다 구체적으로는 네덜란드 벨트호벤의 ASML로부터 입수 가능한 PAS 5500 시스템이 포함된다. 일반적으로, 조명원(1203)은 조명 광학 기기(1207)(예를 들어, 렌즈(1205))를 통해 광빔을 마스크 평면(1202)에 위치한 포토마스크(M)로 지향시킨다. 조명 렌즈(1205)는 그 평면(1202)에서 개구 수(numeric aperture)(1201)를 갖는다. 개구 수(1201)의 값은 포토마스크 상의 어느 결함이 리소그래피 중대한 결함이고 어떤 결함이 아닌지에 영향을 준다. 포토마스크(M)를 통과하는 빔의 일부는 패턴 전사를 개시하기 위하여 이미징 광학 기기(1213)를 통해 웨이퍼(W) 상으로 향하는 패터닝된 광학 신호를 형성한다.
도 12b는 특정 실시 예에 따라 조명 광학 기기(1251a)가 레티클 평면(1252)에서 비교적 큰 개구 수(1251b)를 갖는 이미징 렌즈를 포함하는 예시적인 검사 시스템(1250)의 개략도를 제공한다. 예를 들어, 검사 시스템의 레티클 평면(1252)의 개구 수(1251b)는 리소그래피 시스템(1200)의 레티클 평면(1202)의 개구 수(1201)보다 상당히 클 수 있으며, 이는 테스트 검사 이미지와 실제 인쇄 이미지 사이의 차이를 초래할 수 있다.
도시된 검사 시스템(1250)은 예를 들어, 강화된 검사를 위하여 60-200X 배율 이상을 제공하도록 설계된 미세한 확대 광학 기기를 포함하는 검출 광학 기기(1253a 및 1253b)를 포함한다. 본 명세서에 설명된 검사 기술은 도 12b에 개략적으로 도시된 것과 같은 다양한 특수하게 구성된 검사 시스템에서 구현될 수 있다. 도시된 시스템(1250)은 조명 광학 기기(1251a)를 통해 레티클 평면(1252)에서 포토마스크(M) 상으로 지향되는 광빔을 생성하는 조명원(1260)을 포함한다. 위에서 설명된 바와 같이, 검사 시스템(1250)은 대응하는 리소그래피 시스템의 레티클 평면 개구 수(예를 들어, 도 12a의 요소(1201))보다 더 클 수 있는, 레티클 평면(1252)에서의 개구 수(1251b)를 가질 수 있다. 검사될 포토마스크(M)는 레티클 평면(1252)에서 마스크 스테이지 상에 배치되고 조명원에 노출된다.
마스크(M)로부터의 패터닝된 이미지는 센서(1254a) 상으로 패터닝된 이미지를 투영하는 광학 요소들의 집합(1253a)을 통과하여 지향된다. 반사 시스템에서, 광학 요소들(예를 들어, 빔 스플리터(1276) 및 검출 렌즈(1278))은 반사된 광을 센서(1254b) 상으로 지향 및 포착한다. 적합한 센서는 CCD(charged coupled device), CCD 어레이, TDI(time delay integration) 센서, TDI 센서 어레이, PMT(photomultiplier tube) 및 기타 센서를 포함한다.
조명 광학 기기 열은 레티클의 패치를 스캔하도록 임의의 적절한 메커니즘에 의해 마스크 스테이지에 대하여 이동될 수 있고/있거나 스테이지가 검출기 또는 카메라에 대하여 이동될 수 있다. 예를 들어, 스테이지를 이동시키기 위하여 모터 메커니즘이 이용될 수 있다. 모터 메커니즘은 예로서 스크류 드라이브 및 스테퍼 모터, 피드백 위치를 갖는 선형 드라이브, 또는 밴드 액츄에이터 및 스테퍼 모터로 형성될 수 있다.
각각의 센서(예를 들어, 1254a 및/또는 1254b)에 의해 캡처된 신호는 컴퓨터 시스템(1327) 또는 보다 일반적으로 하나 이상의 신호 처리 디바이스에 의해 처리될 수 있으며, 이들은 각각 각 센서로부터의 아날로그 신호를 처리를 위하여 디지털 신호로 변환하도록 구성되는 아날로그-디지털 변환기를 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1273)은 전형적으로 입력/출력 포트에 연결된 하나 이상의 프로세서, 및 적절한 버스 또는 다른 통신 메커니즘을 통한 하나 이상의 메모리를 갖는다.
컴퓨터 시스템(1273)은 또한 초점 변경 및 다른 검사 레시피 파라미터와 같은 사용자 입력을 제공하기 위한 하나 이상의 입력 디바이스(예를 들어, 키보드, 마우스, 조이스틱)를 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1327)은 또한 예를 들어 샘플 위치(예를 들어, 포커싱 및 스캔)를 제어하기 위한 스테이지에 연결될 수 있고, 그러한 검사 시스템 컴포넌트의 다른 검사 파라미터 및 구성을 제어하기 위한 다른 검사 시스템 컴포넌트에 연결될 수 있다.
컴퓨터 시스템(1273)은 결과 강도 값, 이미지 및 다른 검사 결과를 디스플레이하기 위한 사용자 인터페이스(예를 들어, 컴퓨터 스크린)를 제공하도록 (예를 들어, 프로그래밍 명령어들로) 구성될 수 있다. 컴퓨터 시스템(1273)은 반사 및/또는 투과 감지된 광 빔의 강도, 위상 및/또는 다른 특성을 분석하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 시스템(1273)은 결과 강도 값, 이미지 및 다른 검사 특성을 디스플레이하기 위한 (예를 들어, 컴퓨터 화면 상의) 사용자 인터페이스를 제공하도록 (예를 들어, 프로그래밍 명령어들로) 구성될 수 있다. 특정 실시 예에서, 컴퓨터 시스템(1273)은 위에서 상세히 설명된 검사 기술을 수행하도록 구성된다.
그러한 정보 및 프로그램 명령어들은 특별히 구성된 컴퓨터 시스템에서 구현될 수 있기 때문에, 그러한 시스템은 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장될 수 있는 본 명세서에 설명된 다양한 동작을 수행하기 위한 프로그램 명령어들/컴퓨터 코드를 포함한다. 머신 판독 가능 매체의 예는 하드 디스크, 플래시 드라이브 및 자기 테이프와 같은 자기 매체; CD-ROM 디스크와 같은 광학 매체; 광 디스크와 같은 광 자기 매체; 및 ROM(read-only memory device) 및 RAM(random access memory)과 같이 프로그램 명령어들을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 디바이스를 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다. 프로그램 명령어들의 예는 컴파일러에 의해 생성되는 것과 같은 머신 코드 및 인터프리터를 사용하여 컴퓨터에 의해 실행될 수 있는 상위(higher) 레벨 코드를 포함하는 파일을 모두 포함한다.
특정 실시 예에서, 포토마스크를 검사하기 위한 시스템은 본 명세서에 설명된 기술을 수행하도록 구성된 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함한다. 검사 시스템의 한 예는 캘리포니아주 밀피타스의 KLA-Tencor에서 입수 가능한 특별히 구성된 TheronTM 6XX DUV 검사 시스템을 포함한다.
전술한 실시 예들 중 임의의 것에 대하여, 임의의 적절한 검사 툴을 사용하여 동일한 설계 레티클 중 하나 또는 둘 모두의 이미지를 얻을 수 있다. 예로서, 다음 툴들, 즉, 임의의 유형의 하전 입자 빔 툴(예를 들어, 이미징 전자 현미경, 주사 전자 또는 이온 현미경, 예컨대 헬륨 이온 현미경), 전자기 검사 또는 코히어런트 회절 이미징 툴, EUV 검사 툴, 스캔 터널링 현미경(scanning tunneling microscope, STM), 원자력 현미경(atomic force microscope, AFM), 화학 현미경 등 중 하나 이상이 사용될 수 있다. 이러한 툴 중 임의의 것은 다수의 레티클의 다수의 이미지를 효율적으로 얻기 위하여 둘 이상의 빔이 동시에 두 개 이상의 레티클에 충돌할 수 있도록, 하나 이상의 입사 및 수집 채널을 포함할 수 있다.
전술한 발명이 이해의 명확성을 위하여 일부 상세하게 설명되었지만, 특정 변경 및 수정이 첨부된 청구범위의 범주 내에서 실시될 수 있음이 명백할 것이다. 본 발명의 공정, 시스템 및 장치를 구현하는 많은 대안적인 방법이 있음에 유의해야 한다. 따라서, 본 실시 예는 예시적이고 비제한적인 것으로 간주되어야 하며, 본 발명은 여기에 주어진 세부 사항으로 제한되지 않아야 한다.

Claims (28)

  1. 포토리소그래피 레티클을 검사하는 방법에 있어서,
    하나 이상의 검사 툴에, 동일한 설계로 제조된 제1 및 제2 레티클을 로딩(loading)하는 단계;
    상기 하나 이상의 검사 툴을 이용하여, 상기 하나 이상의 검사 툴에 로딩된 동안 상기 제1 및 제2 레티클로부터 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하는 단계;
    상기 제1 또는 제2 레티클 상의 후보 결함에 대응하는 복수의 차이 이벤트를 갖는 차이 이미지를 출력하기 위하여 상기 제1 레티클 이미지와 상기 제2 레티클 이미지를 비교하는 단계; 및
    상기 후보 결함의 검사 보고를 생성하는 단계를 포함하고,
    상기 차이 이미지를 출력하기 위하여 상기 제1 레티클 이미지와 상기 제2 레티클 이미지를 비교하는 단계는,
    각각의 제1 및 제2 레티클 이미지의 복수의 패치 각각에 대하여, 각각의 패치 내의 복수의 위치에 대한 애버리지(average) 또는 평균(mean) 강도 값을 결정하는 단계; 및
    상기 제1 레티클 이미지로부터의 각각의 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값을 상기 제2 레티클 내의 동일한 위치에서 상기 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값 중 대응하는 것과 비교하여 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 획득하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값은 상기 차이 애버리지 또는 평균 강도 값이 후보 결함으로서 정의되어야 하는지 여부를 결정하기 위하여 분석되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 동일한 검사 툴에서, 상기 제1 및 제2 레티클을 상기 검사 툴에 함께 로딩함으로써 획득되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 및 제2 레티클 둘 다에서 동일한 위치의 초점 차이 및 광 레벨 차이 중 적어도 하나에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 동일한 검사 툴에서, 상기 제1 및 제2 레티클을 차례로 상기 검사 툴에 연속적으로(successively) 로딩함으로써 획득되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 및 제2 레티클 둘 다에서 동일한 위치에 대한 초점 차이 및 광 레벨 차이 중 적어도 하나에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 상이한 검사 툴에 의해 획득되고, 상기 방법은, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 및 제2 레티클 이미지의 동일한 위치에 영향을 미치는 툴 파라미터 차이에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 임계 치수(critical dimension, CD) 변동에 상관시키는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클은 각각 단일 다이를 포함하는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 레티클 이미지에 대하여 셀-대-셀(cell-to-cell) 검사를 수행하는 단계; 및
    상기 셀-대-셀 검사를 통과한 제1 및 제2 레티클 이미지의 영역을, 서로 비교되는 것으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 레티클은 새로 제조되고 포토리소그래피 공정에 사용되지 않았으며, 상기 제2 레티클은 포토리소그래피 공정에 사용된 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클은 둘 다 새로운(new) 것이고 포토리소그래피 공정에서 사용되지 않았으며, 상기 제1 및 제2 레티클이 새로운 것일 때 상기 제1 및 제2 레티클에 대하여 발견된 후보 결함은 베이스라인 이벤트로서 정의되고, 상기 방법은,
    상기 베이스라인 이벤트가 정의된 후, 포토리소그래피 공정에서 상기 제1 및 제2 레티클 중 하나 또는 둘 모두를 사용하는 단계; 및
    상기 베이스라인 이벤트에 매칭되는 임의의 결과적인 차이 이벤트를 상기 검사 보고로부터 배제함으로써, 상기 제1 또는 제2 레티클이 사용된 후에, 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하고 상기 제1 및 제2 이미지를 비교하는 동작을 반복하는 단계를 더 포함하는, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 각각은 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC) 구조를 갖는 복수의 다이들을 포함하고, 상기 OPC 구조는 상기 다이들의 적어도 일부 사이에 상이한 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 방법.
  14. 동작들을 수행하도록 구성된 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고 포토리소그래피 레티클을 검사하기 위한 검사 시스템에 있어서,
    상기 동작들은,
    상기 검사 시스템의 하나 이상의 검사 툴에, 동일한 설계로 제조된 제1 및 제2 레티클을 수용하는 동작;
    상기 하나 이상의 검사 툴을 이용하여, 상기 하나 이상의 검사 툴에 로딩된 동안 상기 제1 및 제2 레티클로부터 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하는 동작;
    상기 제1 또는 제2 레티클 상의 후보 결함에 대응하는 복수의 차이 이벤트를 갖는 차이 이미지를 출력하기 위하여 상기 제1 레티클 이미지와 상기 제2 레티클 이미지를 비교하는 동작; 및
    상기 후보 결함의 검사 보고를 생성하는 동작을 포함하고,
    상기 차이 이미지를 출력하기 위하여 상기 제1 레티클 이미지와 상기 제2 레티클 이미지를 비교하는 동작은,
    각각의 제1 및 제2 레티클 이미지의 복수의 패치 각각에 대하여, 각각의 패치 내의 복수의 위치에 대한 애버리지 또는 평균 강도 값을 결정하는 동작; 및
    복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 획득하기 위하여, 상기 제1 레티클 이미지로부터의 각각의 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값을 상기 제2 레티클 내의 동일한 위치에서 상기 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값 중 대응하는 것과 비교하는 동작을 포함하고,
    상기 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값은 상기 차이 애버리지 또는 평균 강도 값이 후보 결함으로서 정의되어야 하는지 여부를 결정하기 위하여 분석되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 검사 시스템은 단일 검사 툴을 포함하고, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 상기 단일 검사 툴에서, 상기 제1 및 제2 레티클을 상기 검사 툴에 함께 로딩함으로써 획득되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에, 상기 제1 및 제2 레티클 모두에서 동일한 위치의 초점 차이 및 광 레벨 차이 중 적어도 하나에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하도록 구성되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  17. 제14항에 있어서, 적어도 하나의 저장 디바이스를 더 포함하고, 상기 검사 시스템은 단일 검사 툴을 포함하고, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 상기 단일 검사 툴에서, 상기 제1 및 제2 레티클을 차례로 상기 검사 툴에 연속적으로 로딩함으로써 획득되고, 상기 제1 레티클 이미지는 상기 비교 동작 동안 상기 적어도 하나의 저장 디바이스에 저장되고 상기 적어도 하나의 저장 디바이스로부터 재생되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 및 제2 레티클 둘 다에서 동일한 위치에 대한 초점 차이 및 광 레벨 차이 중 적어도 하나에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하도록 구성되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  19. 제14항에 있어서, 상기 검사 시스템은 상이한 검사 툴들 및 적어도 하나의 저장 디바이스를 포함하고, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지는 상기 상이한 검사 툴들에 의해 획득되며, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 및 제2 레티클 이미지의 동일한 위치에 영향을 미치는 툴 파라미터 차이에 대하여 상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 보정하도록 구성되고, 상기 제1 레티클 이미지는 상기 비교 동작 동안에 상기 적어도 하나의 저장 디바이스에 저장되고 상기 적어도 하나의 저장 디바이스로부터 재생되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  20. 삭제
  21. 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 상기 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 임계 치수(CD) 변동과 상관시키도록 구성되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  22. 동작들을 수행하도록 구성된 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고 포토리소그래피 레티클을 검사하기 위한 검사 시스템에 있어서,
    상기 동작들은,
    상기 검사 시스템의 하나 이상의 검사 툴에, 동일한 설계로 제조된 제1 및 제2 레티클을 수용하는 동작;
    상기 하나 이상의 검사 툴을 이용하여, 상기 하나 이상의 검사 툴에 로딩된 동안 상기 제1 및 제2 레티클로부터 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하는 동작;
    상기 제1 또는 제2 레티클 상의 후보 결함에 대응하는 복수의 차이 이벤트를 갖는 차이 이미지를 출력하기 위하여 상기 제1 레티클 이미지와 상기 제2 레티클 이미지를 비교하는 동작; 및
    상기 후보 결함의 검사 보고를 생성하는 동작을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값을 획득하기 위하여, 상기 제1 레티클 이미지로부터의 각각의 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값을 상기 제1 레티클 및 상기 제2 레티클의 동일한 위치에서 상기 패치의 애버리지 또는 평균 강도 값 중 복수의 대응하는 것과 비교하도록 구성되고,
    상기 복수의 차이 애버리지 또는 평균 강도 값은 상기 차이 애버리지 또는 평균 강도 값이 후보 결함으로서 정의되어야 하는지 여부를 결정하기 위하여 분석되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  23. 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클은 각각 단일 다이를 포함하는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  24. 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 제1 및 제2 레티클 이미지를 비교하기 전에 상기 제1 레티클 이미지에 대하여 셀-대-셀 검사를 수행하고;
    상기 셀-대-셀 검사를 통과한 제1 및 제2 레티클 이미지의 영역을, 서로 비교되는 것으로부터 제거하도록 구성되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  25. 제14항에 있어서, 상기 제1 레티클은 새로 제조되고 포토리소그래피 공정에 사용되지 않았으며, 상기 제2 레티클은 포토리소그래피 공정에 사용된 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  26. 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클은 둘 다 새로운 것이고 포토리소그래피 공정에서 사용되지 않았으며, 상기 제1 및 제2 레티클이 새로운 것일 때 상기 제1 및 제2 레티클에 대하여 발견된 후보 결함은 베이스라인 이벤트로서 정의되고,
    상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한,
    상기 베이스라인 이벤트가 정의된 후에, 그리고 그 후 포토리소그래피 공정에서 상기 제1 및 제2 레티클 중 하나 또는 둘 모두를 사용한 후에,
    상기 베이스라인 이벤트에 매칭되는 임의의 결과적인 차이 이벤트를 상기 검사 보고로부터 배제함으로써, 상기 제1 또는 제2 레티클이 사용된 후에, 제1 및 제2 레티클 이미지를 획득하고 상기 제1 및 제2 이미지를 비교하는 동작을 반복하도록 구성되는 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  27. 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레티클 각각은 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC) 구조를 갖는 복수의 다이들을 포함하고, 상기 OPC 구조는 상기 다이들의 적어도 일부 사이에 상이한 것인, 포토리소그래피 레티클의 검사 시스템.
  28. 제1항 내지 제6항 및 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항의 포토리소그래피 레티클의 검사 방법의 각 단계를 수행하기 위한 명령어들이 저장된 컴퓨터 판독 가능 매체.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018180578A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 富士通株式会社 設計支援プログラム、情報処理装置、および設計支援方法
JP2018180875A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 富士通株式会社 判定装置、判定方法および判定プログラム
US10755405B2 (en) 2017-11-24 2020-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for diagnosing a semiconductor wafer
US10866197B2 (en) * 2018-09-20 2020-12-15 KLA Corp. Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks
WO2020079567A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-23 3M Innovative Properties Company Automated inspection for sheet parts of arbitrary shape from manufactured film
WO2020083612A1 (en) * 2018-10-23 2020-04-30 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for adaptive alignment
US11079672B2 (en) * 2018-10-31 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method and system for layout enhancement based on inter-cell correlation
US10545099B1 (en) * 2018-11-07 2020-01-28 Kla-Tencor Corporation Ultra-high sensitivity hybrid inspection with full wafer coverage capability
JP2020148615A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 参照画像生成方法およびパターン検査方法
WO2021071631A1 (en) * 2019-10-11 2021-04-15 Applied Materials, Inc. Die system and method of comparing alignment vectors
US11442021B2 (en) 2019-10-11 2022-09-13 Kla Corporation Broadband light interferometry for focal-map generation in photomask inspection
CN110992322A (zh) * 2019-11-25 2020-04-10 创新奇智(青岛)科技有限公司 基于卷积神经网络的贴片掩膜检测系统及检测方法
US11293970B2 (en) * 2020-01-12 2022-04-05 Kla Corporation Advanced in-line part average testing
US11379972B2 (en) * 2020-06-03 2022-07-05 Applied Materials Israel Ltd. Detecting defects in semiconductor specimens using weak labeling
KR102425392B1 (ko) * 2020-06-17 2022-07-28 주식회사 앤에이치씨 블랭크 마스크의 재활용 가능 여부를 판단하기 위한 블랭크 마스크 장치 및 방법
US11636587B2 (en) * 2020-12-30 2023-04-25 Applied Materials Israel Ltd. Inspection of a semiconductor specimen
WO2023110907A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Overlay metrology based on template matching with adaptive weighting
WO2024123370A1 (en) * 2022-12-08 2024-06-13 Leia Inc. Mehtod of large-format imprint lithography and imprint lithography mold

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008039533A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びその装置
US20080187842A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and System For Wafer Inspection
US20130111417A1 (en) * 2011-04-26 2013-05-02 Kla-Tencor Corporation Database-Driven Cell-to-Cell Reticle Inspection
US20150029498A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Kla-Tencor Corporation Monitoring changes in photomask defectivity

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419664A (en) 1977-07-15 1979-02-14 Nippon Jidoseigyo Ltd Device for inspecting fault of pattern
DE69208413T2 (de) * 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
JP3639079B2 (ja) * 1996-03-13 2005-04-13 富士通株式会社 パターン検査方法と検査装置
US6064484A (en) 1996-03-13 2000-05-16 Fujitsu Limited Pattern inspection method and system
JP3865156B2 (ja) * 1997-04-24 2007-01-10 株式会社ニコン 画像比較装置およびこれを用いたウエハ検査装置とウエハ検査システム
US6516085B1 (en) 1999-05-03 2003-02-04 Kla-Tencor Apparatus and methods for collecting global data during a reticle inspection
JP4663214B2 (ja) * 2001-03-20 2011-04-06 シノプシイス インコーポレイテッド マスク欠陥のプリンタビリティ解析を提供するシステム及び方法
JP2004317975A (ja) 2003-04-18 2004-11-11 Toshiba Corp フォトマスク及びこのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
US7251033B1 (en) 2004-06-02 2007-07-31 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ reticle contamination detection system at exposure wavelength
US7873204B2 (en) 2007-01-11 2011-01-18 Kla-Tencor Corporation Method for detecting lithographically significant defects on reticles
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
KR20090074554A (ko) * 2008-01-02 2009-07-07 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 결함 수정 방법
JP5229575B2 (ja) 2009-05-08 2013-07-03 ソニー株式会社 画像処理装置および方法、並びにプログラム
WO2011108619A1 (ja) 2010-03-01 2011-09-09 日本電気株式会社 パターンマッチング装置、パターンマッチング方法及びパターンマッチングシステム
JP4988000B2 (ja) * 2010-03-17 2012-08-01 株式会社東芝 パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2011247957A (ja) 2010-05-24 2011-12-08 Toshiba Corp パターン検査方法および半導体装置の製造方法
US8818072B2 (en) * 2010-08-25 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rendered database image-to-inspection image optimization for inspection
JP6041865B2 (ja) 2011-04-26 2016-12-14 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ハイブリッドレチクル検査のための方法及びシステム
US10401305B2 (en) * 2012-02-15 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Time-varying intensity map generation for reticles
JP6236216B2 (ja) * 2013-04-16 2017-11-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP6364193B2 (ja) * 2014-01-23 2018-07-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 焦点位置調整方法および検査方法
JP2015145922A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置及びマスク検査方法
JP6307367B2 (ja) * 2014-06-26 2018-04-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム
JP6251647B2 (ja) * 2014-07-15 2017-12-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置及びマスク検査方法
JP6373119B2 (ja) * 2014-08-08 2018-08-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置及びマスク検査方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008039533A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びその装置
US20080187842A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and System For Wafer Inspection
US20130111417A1 (en) * 2011-04-26 2013-05-02 Kla-Tencor Corporation Database-Driven Cell-to-Cell Reticle Inspection
US20150029498A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Kla-Tencor Corporation Monitoring changes in photomask defectivity

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