KR102102019B1 - 포토마스크 결함의 변화 모니터링 - Google Patents

Abstract

사양 내에 있는 레티클은 레티클의 각각의 특이 레티클 피처의 위치 및 크기 값을 표시하는 베이스라인 이벤트를 발생하기 위해 검사된다. 포토리소그래피에서 레티클을 사용한 후에, 레티클은 각각의 특이 레티클 피처의 위치 및 크기 값을 표시하는 현재 이벤트를 발생하기 위해 검사된다. 후보 결함 및 이들의 이미지의 검사 보고서는 상기 후보 결함들이 현재 이벤트 및 이들의 대응하는 후보 결함 이미지의 제1 부분집합을 포함하고 현재 이벤트 및 이들의 대응하는 배제된 이미지의 제2 부분집합을 배제하도록 생성된다. 상기 제1의 포함된 이벤트는 각각 임의의 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭되지 않는 위치 및 크기 값을 갖고, 상기 배제된 제2 이벤트는 각각 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭되는 위치 및 크기 값을 갖는다.

Description

포토마스크 결함의 변화 모니터링{MONITORING CHANGES IN PHOTOMASK DEFECTIVITY}

관련 출원에 대한 교차 참조

이 출원은 춘 구안(Chun Guan) 등이 "포토마스크 결함의 변화 모니터링 방법"의 명칭으로 2013년 7월 29일자 출원한 미국 가특허 출원 제61/859,670호를 35 U.S.C. §119 하에서 우선권 주장하며, 이 우선권 출원은 인용에 의해 모든 목적으로 그 전부가 본원에 통합된다.

발명의 기술분야

본 발명은 일반적으로 레티클 검사(reticle inspection) 분야에 관한 것이다. 특히 본 발명은 집적회로(IC) 제조 환경에서 싱글 다이 레티클을 재적격화(requilify)하는 기술에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 산업은 기판 위에서 층을 이루고 패턴화되는 실리콘 등의 반도체 물질을 이용하여 집적회로를 제조하는 고도로 복잡한 기술을 수반한다. 회로 집적의 대규모화 및 반도체 소자의 크기 감소에 기인하여, 제조된 소자는 점차적으로 결함에 민감하게 되고 있다. 즉, 소자에서 오류를 일으키는 결함들이 점차적으로 더 작아지고 있다. 소자는 최종 사용자 또는 소비자에게 출하되기 전에 무결함이다.

집적회로는 전형적으로 복수의 레티클로부터 제조된다. 레티클의 생성 및 이러한 레티클의 후속적인 광학 검사는 반도체 생산에 있어서 표준 단계로 되었다. 초기에, 회로 설계자는 특수한 집적회로(IC) 설계를 묘사하는 회로 패턴 데이터를 레티클 생산 시스템 또는 레티클 라이터(writer)에게 제공한다. 회로 패턴 데이터는 전형적으로 제조된 IC 소자의 물리적 계층의 대표적 레이아웃의 형태를 갖는다. 대표적 레이아웃은 IC 소자의 각각의 물리 계층에 대한 대표 계층(예를 들면, 게이트 산화물, 폴리실리콘, 금속화 등)을 포함하고, 상기 각각의 대표 계층은 특정 IC 소자의 계층 패터닝을 규정하는 복수의 다각형으로 구성된다.

레티클 라이터는 상기 회로 패턴 데이터를 이용하여 특정 IC 설계를 제조하기 위해 나중에 사용되는 복수의 레티클을 기록한다(예를 들면, 전형적으로 전자 빔 라이터 또는 레이저 스캐너는 레티클 패턴을 노출시키기 위해 사용된다). 그 다음에 레티클 검사 시스템은 레티클의 생산 중에 발생될 수 있는 결함이 있는지 레티클을 검사할 수 있다.

레티클 또는 포토마스크는 적어도 투명 영역과 불투명 영역, 및 가끔은 반투명 영역과 위상 편이 영역을 내포한 광학 요소이고, 이들은 함께 집적회로와 같은 전자 소자에서 공면 피처(feature)의 패턴을 규정한다. 레티클은 에칭, 이온 주입 또는 다른 제조 공정을 위해 반도체 웨이퍼의 특정 영역을 규정하도록 포토리소그래피 중에 사용된다.

각각의 레티클 또는 레티클 그룹을 제조한 후에, 각각의 새로운 레티클은 전형적으로 결함 또는 열화가 없다. 그러나, 레티클은 사용 후에 결함이 있을 수 있다. 따라서, 특히 싱글 다이(single-die) 레티클에서 개선된 레티클 검사 기술에 대한 꾸준한 수요가 있다.

이하에서는 발명의 소정 실시형태의 기본적인 이해를 제공하기 위해 발명의 단순화한 요약을 제시한다. 이 요약은 발명의 외연적 개관이 아니고 발명의 핵심적/임계적 요소를 식별하거나 발명의 범위를 기술하지 않는다. 그 유일한 목적은 여기에서 설명하는 일부 개념을 뒤에서 제시되는 더 구체적인 설명에 대한 전조로서 간단한 형태로 제시하기 위한 것이다.

일 실시형태로서 포토리소그래피 레티클을 검사하는 방법이 개시된다. 레티클 검사 도구는 레티클의 복수의 특이한 베이스라인 피처들에 대응하는 복수의 베이스라인 이벤트를 생성하도록 사양(specification) 내에 있는 것으로 식별된 레티클의 제1의 싱글 다이 검사를 수행하기 위해 사용되고, 각각의 베이스라인 이벤트는 대응하는 특이한 베이스라인 피처의 위치 및 크기 값을 표시한다. 대안적으로, 베이스라인 이벤트는 레티클의 설계 데이터베이스로부터 시뮬레이트되는 레티클의 이미지에 기초하여 생성된다. 주기적으로, 레티클을 이용한 많은 노출이 있은 후마다, 레티클은 후속 검사를 수행함으로써 재적격화된다. 각각의 후속 검사는 레티클에서 복수의 현재 특이 피처들에 대응하는 복수의 현재 이벤트를 생성하고, 각각의 현재 이벤트는 대응하는 현재의 특이 피처에 대한 위치 및 크기 값을 표시한다.

후속 검사 중에, 미리 규정된 위치 및 크기 공차 내의 베이스라인 이벤트와 매칭되는 임의의 현재의 특이 이벤트는 관심없는 결함 또는 허위 결함으로 간주되어 버려진다. 베이스라인 이벤트 매칭이 없는 현재의 특이 이벤트만이 추가의 처리를 위해 유지된다. 모든 처리 단계에서 잔존하는 이벤트들은 재검토 가능한 결함으로 간주된다. 재검토 가능한 결함들은 적절히 배치될 수 있도록 충분한 정보와 함께 보고된다. 허위 및 관심없는 이벤트들을 조기에 버림으로써 사용자는 그 결함들을 재검토할 필요가 없고, 일부 처리 시간 및 비용을 절약하며, 검사 보고서의 데이터 분량이 최소화된다.

소정의 실시형태에 있어서, 현재의 특이 이벤트와 베이스라인 현재 이벤트 간의 매칭은 특이 이벤트의 부분집합에 대한 참조 이미지와 그들의 대응하는 테스트 이미지를 먼저 찾음으로써 발견된다. 후보 결함은 각각의 참조 이미지와 테스트 이미지 간의 비교에 기초하여 발견된다. 하나 이상의 현재 후보 결함은 참조 이미지를 가진 각각의 특이 이벤트에 대하여 발견되고, 각각의 하나 이상의 현재 후보 결함의 위치 및 크기가 베이스라인 후보 결함의 베이스라인 위치 및 크기에 매칭될 수 있는지 결정할 수 있다.

검사 구동형 베이스라인 또는 데이터베이스 구동형 베이스라인의 실시형태에 있어서, 베이스라인 생성은 적당한 참조(reference)가 실행 시간(run time)에 발견 또는 합성될 수 없는 패턴의 모든 선택에 대하여 패턴 데이터를 또한 세이브하기 위해 증대될 수 있다. 이 방식으로, 후속 검사는 모든 패턴이 참조될 수 있도록 상기 발견되고 합성된 참조를 증대시키기 위해 상기 베이스라인에서 세이브된 패턴 데이터를 이용할 수 있다. 이 베이스라인은 모든 후속 싱글 다이 검사 중에 비교 기법을 이용하여 100% 커버리지를 가능하게 할 수 있다.

특정 실시형태에 있어서, 복수의 후보 레티클 결함 및 그들의 이미지에 대한 검사 보고서는 후보 결함들이 현재 이벤트 및 이들의 대응하는 복수의 후보 결함 이미지의 제1 부분집합을 포함하고 현재 이벤트 및 이들의 대응하는 복수의 배제된 이미지의 제2 부분집합을 배제하도록 생성된다. 검사 보고서에 포함된 이벤트들의 제1 부분집합들은 각각 미리 정해진 양만큼 임의의 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭되지 않은 위치 및 크기 값을 갖고, 검사 보고서에서 배제된 이벤트들의 제2 부분집합들은 각각 미리 정해진 양만큼 임의의 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭하는 위치 및 크기 값을 갖는다.

일 양태에 있어서, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC) 장식을 추가하여 레티클 피처들이 더 이상 동일하지 않도록 레티클 피처에서 OPC 처리를 구현하기 전에 동일하도록 설계된 복수의 레티클 피처에 대응한다. 다른 양태에 있어서, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 그러한 레티클에 대한 최초 설계의 일부가 아니고 그러한 레티클을 이용한 웨이퍼 수율을 제한하지 않도록 결정된 레티클 피처에 대응한다. 또 다른 양태에 있어서, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 레티클을 이용한 포토리소그래피 처리 중에 웨이퍼에 프린트하지 않도록 결정된 레티클 피처에 대응한다. 또 다른 양태에 있어서, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 레티클에서의 결함을 보정하기 위한 보수 피처(repair feature)들에 대응한다.

일 예에 있어서, 상기 제1 및 제2 싱글 다이 검사는 레티클의 어떤 피처들이 비정형적인지 그 피처들의 관계에 기초하여 결정한다. 추가의 양태에 있어서, 상기 제1 및 제2 싱글 다이 검사는 템플릿 매칭을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 방법은 베이스라인 이벤트에 대한 복수의 베이스라인 이미지를 버리는 단계와 후보 이벤트의 대응하는 이미지의 제2 부분집합을 버리는 단계를 포함한다. 다른 예에 있어서, 각각의 베이스라인 이벤트는 채널을 추가로 표시하고, 검사 보고서에서 배제된 이벤트들의 제2 부분집합은 각각 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 이벤트의 채널과 위치 및 크기 값과 매칭하는 채널과 위치 및 크기 값을 갖는다.

대안적인 실시형태에 있어서, 후보 결함 및 이들의 이미지의 검사 보고서를 생성하는 단계는, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭하지 않는 위치 및 크기 값을 가진 각각의 현재 이벤트에 대하여, 제2 싱글 다이 검사보다 덜 엄격한 역치 또는 알고리즘을 가진 제3의 싱글 다이 검사를 수행함으로써 상기 현재 이벤트가 후보 결함인지 결정하는 단계를 포함한다. 다른 양태에 있어서, 후보 결함 이미지 및 배제된 이미지는 반사 이미지, 투과 이미지, 또는 반사와 투과의 혼합 이미지 중의 하나 이상의 조합을 포함한다. 일 예로서, 후보 결함들은 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 이벤트의 위치 및 크기 값과 매칭하는 위치 및 크기 값을 각각 가지며 보수 위치로서 각각 식별되는 현재 이벤트의 제3 부분집합을 추가로 포함한다.

소정의 실시형태에 있어서, 본 발명은 포토리소그래피 레티클을 검사하는 시스템과 관련된다. 이 시스템은 전술한 동작들 중 적어도 일부를 수행하도록 구성된 적어도 하나의 프로세서 및 적어도 하나의 메모리를 포함한다. 다른 실시형태에 있어서, 본 발명은 전술한 동작들 중 적어도 일부를 수행하기 위한 명령어가 저장된 컴퓨터 판독가능 매체와 관련된다.

본 발명의 상기 및 다른 양태들은 도면을 참조하면서 뒤에서 더 자세히 설명된다.

도 1A는 동일한 형상 및 크기를 가진 2개의 프리-OPC 피처를 구비한 레티클 부분의 개략적 상면도이다.
도 1B는 도 1A에 도시된 2개의 동일한 패턴에 OPC 장식을 추가한 것을 보인 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 후보 이벤트의 베이스라인을 생성하는 처리를 보인 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 특정 구현예에 따른 검사 보고서를 생성하기 위한 검사 절차를 보인 흐름도이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 검사 및 결함 재검토 절차의 개관을 보인 도이다.
도 5는 본 발명의 기술이 구현될 수 있는 예시적인 검사 시스템의 개략적 표시도이다.
도 6A는 소정 실시형태에 따른, 포토마스크로부터 웨이퍼에 마스크 패턴을 전사하는 리소그래픽 시스템의 단순화한 개략적 표시도이다.
도 6B는 소정 실시형태에 따른 포토마스크 검사 장치의 개략적 표시도이다.

이하의 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 특정의 세부들이 설명된다. 본 발명은 그러한 특정 세부의 일부 또는 전부가 없이 실시될 수 있다. 다른 예로서, 잘 알려진 처리 동작들은 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하지 않도록 구체적으로 설명하지 않는다. 비록 본 발명이 특정 실시형태와 관련하여 설명되지만, 이 설명은 본 발명을 그 실시형태로 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것을 이해하여야 한다.

싱글 다이 레티클은 아주 좋은 규칙적인 유즈케이스에 대한 특수한 검사 난제(challenge)를 제시한다. 멀티 다이 레티클은 제1 다이로부터 획득된 이미지를 제2 다이로부터 획득된 이미지와 비교하는 기술을 이용하여 검사될 수 있다. 대안적으로, 싱글 다이 레티클과 멀티 다이 레티클은 둘 다 레티클로부터 획득된 이미지를 포스트-OPC(광 근접 보정) 데이터베이스로부터 연출된 이미지와 비교하는 기술을 이용하여 검사될 수 있다. 상기 제2 기술은 포스트-OPC 데이터베이스에 접근할 필요가 있고 전형적으로 레티클의 제조 재적격화를 위해 실용되기에는 너무 고가이고 및/또는 너무 복잡한 것으로 간주된다. 그러나, 레티클의 패턴 충실도는 마스크 숍 또는 후속되는 품질 제어 검사에 의해 이미 검증되었다. 재적격화 검사는 레티클 사용 중에 추가된 결함들만을 찾을 필요가 있다. 그러나, 제2 다이 제공형 참조 또는 데이터베이스 제공형 참조 없이, 싱글 다이 레티클에서 이러한 결함들을 찾는 것은 난제일 수 있다.

징후들이 무결함 레티클에서는 나타날 것으로 기대되지 않는 결함들을 찾기 위해 소정의 무비교 기술을 사용할 수 있다. 그러나, 싱글 다이 레티클의 경우에도, 관심있는 대부분의 결함들을 찾기 위해 일부 비교 기술을 여전히 사용할 수 있다. 패턴들의 섹션이 반복되거나 자기 참조되기에 충분히 단순하면, 참조 패턴은 발견 또는 합성될 수 있다. 이러한 발견 또는 합성된 참조에 대한 비교는 결함을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 싱글 다이 레티클의 검사를 위해 상기 비교 기술을 이용할 때 2가지의 중요한 단점이 있다. 첫째로, 커버리지의 문제가 있다. 적당한 참조는 모든 패턴 섹션에 대하여 발견 또는 합성될 수 없다. 둘째로, 허위 검출의 문제가 있다. 일부 검출은 패턴의 특이하지만 고의적인 변동에 의해 트리거될 수 있다. 이들은 OPC 변동 때문에 매우 빈번하다.

포토리소그래피 마스크 또는 레티클은 회로 및 레이아웃 설계자 및/또는 합성 도구에 의해 생성되는 소자 설계 데이터를 포함할 수 있다. 프리-OPC 설계 데이터는 일반적으로 임의의 OPC 구조물이 설계 데이터에 추가되기 전에 특정 레티클에 대하여 설계자 또는 합성 도구에 의해 생성된 다각형을 포함한다. 프리-OPC 설계 데이터는 설계자의 의지를 표시한다고 말할 수 있고, 일반적으로 레티클 설계 데이터를 이용하여 만들어진 레티클로 제조되는 최종 웨이퍼를 닮을 것이다. 도 1A는 동일한 형상 및 크기를 가진 2개의 프리-OPC 피처(102a, 102b)를 구비한 레티클 부분(100)의 개략적 상면도이다.

레티클 설계 데이터는 프리-OPC 레티클 설계 데이터에 추가되는 OPC 장식을 포함할 수 있다. 일반적으로, OPC 소프트웨어는 레티클 설계를 분석하고 그 분석에 기초하여 레티클 설계에 OPC 장식을 추가하기 위해 사용된다. OPC 장식은 레티클의 제조를 향상시킨다. 예를 들면, 더 선명한 이미지는 소정의 OPC 증진(enhancement)이 설계 데이터의 코너 부근에 추가되면 상기 코너에서 획득될 수 있다.

하나 이상의 OPC 생성 모델이 프리-OPC 설계에 적용되어 OPC 구조물이 그러한 모델에 기초하여 생성될 수 있다. 상기 모델들은 실험 및/또는 시뮬레이션 결과에 기초를 둘 수 있다. 일반적으로, 용어 OPC, SRAF, 얇은 선(thin-line), 및 프린트불능 구조물은 여기에서 상호교환적으로 사용된다.

OPC 소프트웨어의 한가지 특수한 부작용은 동일한 설계 패턴과 관련하여 배치되는 OPC 장식의 불일치성 레벨이 높다는 것이다. 도 1B는 도 1A에 도시된 2개의 동일한 패턴(102a, 102b)에 상이한 OPC 장식을 추가한 예를 보인 도이다. 도시된 것처럼, OPC 소프트웨어는 장식(104a~c)을 제1 L자형 패턴에 추가하고 OPC 장식(104d~f)을 동일한 L자형의 제2 패턴(102b)에 추가한다. 이 예에서, 패턴(102a)의 장식(104a, 104c)은 패턴(102b)의 장식(104d, 104e)과 동일한 형상 및 위치를 갖는다. 이와 대조적으로 제2 패턴(102b)은 추가의 OPC 장식(104f)을 갖고, 제1 패턴(102a)은 L자 형상의 "굴곡부"(crook)에 제거된 노치부(104b) 형태의 장식(104b)을 가지며, L자형 패턴(102b)은 이 동일한 영역에서 본래대로 유지된다.

OPC 장식을 추가하기 위한 OPC 소프트웨어는 동일한 프리-OPC 레이아웃에서 실행되어 각종의 이유로 상이한 OPC 장식을 야기할 수 있다. 예를 들면, 주어진 피처에 대한 OPC 장식의 유형 및 수는 그러한 특정의 피처가 다른 피처와 관련하여 분석되는 순서에 의존할 수 있다. 게다가, 피처 어레이의 테두리 피처는 동일한 어레이의 동일한 중심 피처와 상이한 OPC 장식이 주어질 수 있다. OPC 소프트웨어는 상이한 전후관계 피처(contextual feature) 또는 배경을 가진 동일한 피처에 상이한 OPC 장식을 추가할 수 있다. 동일한 전후관계를 가진 피처에도 상이한 피처들 간의 그리드 스냅(grid snap) 차에 기초하여 상이한 OPC 장식이 주어질 수 있다.

비록 동일한 검사 처리가 가변 OPC 장식을 가진 레티클에 대하여 잘 작동되지만, 동일 피처에 대한 많은 가변 OPC 장식을 가진 레티클의 일부 검사는 후보 이벤트의 관리 불가능한 집합을 야기하는 경향이 있다. 일 예로서, 싱글 다이 검사는 하부의 설계 피처(예를 들면, 프리-OPC 피처)에 대하여 상이한 OPC 장식을 포함하는 경향이 있는 특이 이벤트를 식별하기 위해 레티클의 이미지 피처를 분석하는 알고리즘을 포함한다. 예를 들면, 싱글 다이 검사 처리는 상이한 장식(패턴 102a의 104b, 패턴 102b의 104f)을 특이 이벤트 또는 후보 이벤트로서 규정할 수 있다. OPC 소프트웨어는 많은 수의 가변 OPC 장식을 야기하는 경향이 있기 때문에, 많은 수의 후보 이벤트는 전형적으로 그러한 레티클 패턴의 싱글 다이 검사 중에 플래그된다.

게다가, 레티클은 레티클 설계 패턴의 일부가 되는 것으로 설계자에 의해 의도되지 않은 아티팩트(예를 들면, 여분의 물질 또는 누락 물질)를 포함할 수 있다. 그러나, 소정의 비의도적 아티팩트는 그러한 레티클로 생성되는 웨이퍼의 수율을 제한하지 않는 것으로 결정될 수 있다. 싱글 다이 검사는 또한 프린트불능 이벤트 또는 수율 비제한 특이 이벤트를 후보 결함으로서 식별할 수 있다.

본 발명의 소정의 실시형태는 사양 내에 있는 것으로 알려진 때 레티클에 대하여 현재 검사에서 발견되고 이전 검사에서도 역시 발견된 결함있는 후보 이벤트를 검사 보고서로부터 필터링하는 단계를 포함한다. 필터링된 후보 이벤트 및 그들의 이미지 데이터는 시스템 메모리로부터 제거되고, 예를 들면 결함 재검토 처리에서 추가로 분석되지 않는다.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 후보 이벤트의 베이스라인을 생성하는 처리(200)를 보인 흐름도이다. 초기에, 수용 가능한 것으로 간주된 레티클이 동작 202에서 획득될 수 있다. 이 레티클은 미리 정해진 사양들의 집합에 부합하는 것으로 밝혀졌다. 예를 들면, 레티클은 임의의 적당한 검사 기술을 이용하여 미리 검사되었을 수 있고, 수율에 영향을 주거나 웨이퍼에서 프린트 가능한 에러를 야기하는 임의의 결함을 내포하지 않는 것으로 간주될 수 있다. 레티클은 임의의 적당한 방법으로 열화 또는 결함이 실질적으로 없는 것으로 검증 또는 규정될 수 있다. 예를 들면, 새로 제조된 레티클의 구매자는 레티클이 결함 및 열화가 없는 것으로 제조자에 의해 검증되었다고 추정할 수 있다. 대안적으로, 레티클은 레티클에서 임의의 CD 균일성 결함이 있는지 또는 레티클이 열화되었는지를 예를 들면 다이 대 데이터베이스 검사를 수행함으로써 결정하기 위해 광학 또는 스캐닝 전자 현미경으로 검사될 수 있다. 레티클은 흐림(haze)뿐만 아니라 다른 유형의 열화 및 결함을 제거하기 위한 세척 후에 유사하게 검사될 수 있다.

이러한 양호한 것으로 알려진 레티클은 OPC 장식의 배치 전에 동일하게 되도록 설계된 설계 패턴을 포함한다. 즉, 프리-OPC 설계 데이터는 임의 수 및 임의 유형의 동일한 패턴을 내포한다. 상기 양호한 것으로 알려진 레티클은 또한 적어도 일부의 동일한 설계 패턴과 관련하여 형성된 상이한 OPC 장식을 포함한다. 예를 들면, OPC 소프트웨어는 동일하지 않은 OPC 장식 패턴을 생성하기 위해 이전의 동일한 설계 패턴에 상이한 OPC 장식을 포함하도록 프리-OPC 설계 데이터를 변경하게끔 OPC 데이터를 추가하였다.

상기 양호한 것으로 알려진 레티클은 또한 본래 레티클에 대한 보수(repair)를 내포할 수 있고, 이러한 보수는 미리 정해진 사양들의 집합에 부합하는 레티클을 생성하도록 결정되었다. 예를 들면, 레티클 패턴의 일부로서 의도되지 않은 여분의 물질은 제거될 수 있다. 다른 예로서, (예를 들면, 의도된 설계 패턴과 비교해서) 누락 물질인 레티클의 영역이 그 영역에 물질을 추가하도록 보수되었을 수 있다.

그 다음에, 싱글 다이 검사가 특이 이벤트를 식별하기 위해 레티클에서 수행될 수 있다(동작 204). 일 유형의 검사는 특이 이벤트를 찾기 위해 다이의 이미지 피처에서 통계 분석을 수행하는 단계를 포함한 싱글 다이 검사이고, 이것은 각각 하나 이상의 "후보 이벤트 또는 결함"에 대응할 수 있다. 싱글 다이 검사 처리는 후보 이벤트를 식별하기 위해 이미지 피처를 처리하기 위한 임의의 적당한 동작을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이미지 처리 기술의 임의의 적당한 조합을 이용하여 이미지 피처를 분석하고, 어떤 피처들이 그 피처들의 전후관계에서 비정형적인지 결정할 수 있다. 단순한 일 예로서, 만일 대부분 동일한 막대들의 어레이가 측면에 노치가 형성된 단일 막대를 포함하면, 상기 노치는 후보 결함으로 간주될 수 있다.

일부 예시적인 싱글 다이 접근법은 템플릿 매칭 및 주성분 분석을 포함한다. 템플릿 매칭은 특이 피처를 찾기 위한 참조로서 공통의 템플릿 피처를 이용하는 이미지 처리 기술이다. 예를 들면, 제1 이미지 피처를 붙잡아서 다른 피처와 비교 또는 매칭시킨다. 상기 제1 이미지 피처는 만일 제1 이미지 피처와 매칭되는 다른 피처가 없다면(또는 대수롭지 않은 수의 피처가 있다면) 특이 이벤트 또는 후보 이벤트로서 규정된다. 총망라적(exhaustive) 템플릿 매칭 접근법은 각각의 이미지 피처를 붙잡아서 다른 피처와 비교하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 특이한 피처들을 더 지능적으로 및 더 효율적으로 찾기 위해 다른 처리가 또한 구현될 수 있다. 예를 들면, 공통 피처 템플릿의 집합이 레티클 이미지의 분석 전에 초기에 규정될 수 있다. 템플릿 이미지 피처는 다른 피처 벡터와 비교하기 위한 피처 벡터로 변환될 수 있다. 게다가, 소정의 피처들은 복수의 유사한 이벤트가 있는 경우에도 특이 이벤트로서 규정될 수 있다. 예를 들면, 다른 경우에 0D 또는 1D 패턴으로 나타나는 작은 피처들은 특이 이벤트로서 식별될 수 있다.

하나 이상의 후보 결함에 대응하는 각각의 식별된 특이 이벤트에 대하여, 각각의 후보 결함의 위치 및 강도는 이미지와 같이 결함 재검토 데이터를 세이브하지 않고 세이브될 수 있다(동작 206). 다시 말해서, 이미지 및 배제하는 베이스라인 이벤트 데이터와 같은 결함 재검토 데이터는 버려진다(동작 208). 베이스라인 이벤트 데이터는 실질적으로 동일한 설계 패턴에 대한 OPC 장식 변동에 의해 야기되는 특이 이벤트와 같이 고의적인 특이 이벤트와 관련된다. 즉, 베이스라인 이벤트의 적어도 일부는 레티클 피처에서 OPC 처리를 구현하여 상기 레티클 피처가 더 이상 동일하지 않도록 OPC 장식을 추가하기 전에는 동일하게 되도록 설계된 레티클 피처에 대체로 대응할 것이다. 그러한 베이스라인 이벤트 데이터는 실제 결함이 아니고 수율 문제를 야기하지 않는 것으로 간주되는 비의도적 또는 대수롭지 않은 이벤트와 또한 관련될 수 있다.

베이스라인 이벤트 데이터는 나중에 레티클의 후속 싱글 다이 검사에서 동일한 이벤트를 식별하기 위한 최소 데이터 집합을 내포한다. 예시된 실시형태에 있어서, 각 후보 결함의 베이스라인 이벤트 데이터는 레티클에서의 원점 포지션과 관련하여 x 및 y 좌표와 같은 위치를 포함한다. 레티클에서의 원점 포지션은 레티클에서의 하나 이상의 원점 X 및/또는 Y 마킹에 의한 것과 같은 임의의 적당한 방식으로 식별될 수 있다. 예를 들면, 십자형 마킹은 검사 도구가 그러한 마킹의 중앙부와 관련하여 각각의 레티클 XY 포지션의 위치를 참조하게 할 수 있다. 다른 식별하는 베이스라인 이벤트 데이터는 강도 값뿐만 아니라, 이벤트 데이터의 강도 값이 어느 채널에서 획득되었는지(예를 들면, 투과 채널 또는 반사 채널)를 포함할 수 있다.

하나 이상의 후보 결함은 각각의 특이 이벤트에 대한 참조를 먼저 찾음으로써 각각의 특이 이벤트에 대하여 발견될 수 있다. 후보 결함은 또한 여기에서 특이 이벤트로 인용될 수 있다. 각각의 독특한 영역은 여유량만큼 사방으로 넓어질 수 있다. 주문 크기의 직사각형 클립 또는 템플릿이 그 다음에 본래 이미지로부터 수집될 수 있다. 이 클립은 넓어진 독특한 영역 내의 픽셀에 대응하는 본래 이미지 픽셀들을 내포한다.

가중치(weight)의 2D 어레이가 상기 직사각형 클립과 동일 크기로 되도록 설정될 수 있다. 이러한 가중치는 참조 영역에 대한 가중된 정상화 교차 상관 검색을 구동하기 위해 사용될 수 있다. 상기 가중치는 매칭 패턴을 찾는 확률이 낮은 경우에는 낮게 설정될 수 있다. 상기 가중치는 매칭 패턴을 찾는 확률이 증가하는 경우에 증가할 수 있다. 독특한 영역을 구성하는 독특한 클립의 중심 부근에 독특한 무엇인가가 있기 때문에, 이러한 템플릿 중심 부근에서 매칭 패턴을 찾는 확률은 낮다. 매칭 패턴을 찾는 확률은 이러한 중심들로부터의 거리에 따라 증가하고, 추가된 독특하지 않은 여유(margin)에서 가장 높다. 가중치는 이러한 추세를 따르도록 설정될 수 있다. 가중치는 패턴 내의 테두리가 평평한 영역에 비하여 강조되도록 추가로 조정될 수 있다. 경계 사각형 내에 있지만 상기 여유의 외부에 있는 임의의 픽셀들의 가중치는 0으로 설정될 수 있다.

가중치의 설정으로, 레티클 이미지는 가중된 정상화 교차 상관(normalized cross correlation, NCC) 스코어를 최대화하는 동일 크기의 패치에 대하여 검색될 수 있다. 온그리드(on-grid) 패치가 가중 NCC 스코어에서 피크를 생성할 때, 이 스코어를 최대화하는 정교한 정렬을 찾기 위해 보간을 사용할 수 있다. 레티클 이미지를 검색한 후에, 최고 스코어를 가진 정렬된 패치가 참조로서 선택될 수 있다. 만일 최상의 가중 NCC 스코어가 최소 역치를 초과하지 않으면, 적당한 참조는 발견되지 않는다.

주로 0D 또는 1D인 영역에 있어서, 참조는 레티클 이미지에서 찾는 대신에 합성될 수 있다. 만일 영역의 중심 부근에서 약한(및 강한) 축 경사를 제외하고 전체 영역이 0D로 표시되었으면, 0D 참조가 합성될 수 있다. 합성 참조 내의 모든 픽셀들은 테스트 영역의 여유 픽셀들의 평균으로 설정될 수 있다. 이 기술은 테스트 영역의 여유 픽셀에 최상으로 맞는 순전히 0D 참조를 구축할 수 있다. 만일 특이한 테스트 영역의 중심 부근에서의 약한 축 경사를 제외하고 전체 영역이 1D로 표시되었으면, 1D 참조가 합성될 수 있다. 수평 패턴의 경우에, 합성 참조에서 픽셀들의 각 행은 그 행에 대하여 테스트 영역 여유 픽셀들의 평균으로 설정될 수 있다. 수직 패턴의 경우에, 합성 참조에서 픽셀들의 각 열은 그 열에 대하여 테스트 영역 여유 픽셀들의 평균으로 설정될 수 있다. 대각선 패턴의 경우에, 상기 개념은 동일할 수 있다(예를 들면, 테스트 영역의 여유 픽셀에 최상으로 맞는 순전히 1D 합성 참조를 구축한다).

만일 참조가 발견되지 않거나 합성할 수 없으면, 특수한 "테스트" 또는 특이 영역이 비검사라고 표시되고 그 영역에서 추가의 처리가 행하여지지 않을 수 있다. 만일 참조가 발견되면, 참조 클립이 수집되어 보상된다. 수집은 정밀한 정렬 오프셋을 통합하기 위해 보간을 이용할 수 있다. 보상은 보정항을 계산하기 위해 가중 피팅 함수를 이용할 수 있다. 더 가벼운 가중치는 상기 영역에서의 피팅을 완화하기 위해 상기 영역의 불특정 영역에서 사용될 수 있다. 상기 보정이 계산되면, 보정들은 참조 클립에 적용된다.

각각의 특이 이벤트의 테스트 이미지는 대응하는 참조 이미지(만일 발견되면)와 비교될 수 있다. 만일 참조 이미지의 특정 영역과 테스트 이미지 간의 차가 미리 정해진 역치 이상이면, 그러한 영역(예를 들면, 각각의 피크)은 후보 결함으로서 식별될 수 있다.

참조 이미지가 발견될 수 없는 각각의 특이 이벤트의 경우에, 특이 이벤트의 이미지는 뒤에서 자세히 설명하는 바와 같이 동일 영역에서의 후속되는 재적격화 검사를 위한 참조 이미지로서 저장될 수 있다(동작 207). 그러한 이벤트는 검사 불능으로 간주될 수 있다.

베이스라인 이벤트 데이터는 그 다음에 여기에서 자세히 설명하는 바와 같이 레티클의 후속 재?격화 검사에서 사용될 수 있다. 도 3은 본 발명의 특정 실시형태에 따라 검사 보고서를 생성하는 검사 절차(300)를 보인 흐름도이다. 레티클은 하나 이상의 웨이퍼를 제조하기 위해 하나 이상의 포토리소그래피 처리에서 사용될 수 있다(동작 302).

그 다음에, 동작 304에서, 특이 이벤트를 식별하기 위해 싱글 다이 검사가 레티클에서 수행될 수 있다. 베이스라인 레티클에 대한 전술한 검사와 유사한 싱글 다이 검사가 수행될 수 있다. 그러나, 만일 특정의 특이 이벤트에 대하여 참조 이미지가 발견 또는 합성 불능이면, 이전에 저장된 베이스라인 이미지의 동일 위치에 대한 참조 이미지가 획득되고 후보 결함에 대응하는 특이 이벤트를 찾기 위해 사용될 수 있다.

그 다음에, 동작 306에서 최초 이벤트가 획득되고, 동작 308에서 이 현재 이벤트가 베이스라인 이벤트와 매칭하는지 판단한다. 예를 들면, 현재 이벤트가 베이스라인 이벤트와 실질적으로 유사한 위치 및 강도(및 아마도 채널)를 갖는지 판단할 수 있다. 비록 이 처리가 한번에 하나씩 이벤트를 분석하는 것으로서 설명되지만, 이 예시된 처리는 설명을 쉽게 하기 위해 이러한 방식으로 설명된다. 이벤트는 여기에서 자세히 설명하는 것처럼 이벤트들이 병렬로 처리되는 이미지에서 식별되기 때문에 병렬로 분석될 가능성이 더 높다.

만일 현재 검사로부터의 이벤트가 베이스라인 이벤트와 매칭하지 않는 것으로 결정되면, 임의의 적당한 유형의 다른 결함 분석을 수행할 수 있다. 예를 들면, 현재 이벤트에서 디센스(desense) 처리를 선택적으로 수행하여 현재 이벤트가 후보 결함인지를 결정할 수 있다(동작 310). 일반적으로, 임의의 처리를 이용하여 현재 이벤트가 후보 결함인지 결정할 수 있다(동작 312). 예를 들면, 이벤트를 특이 이벤트로 식별하기 위해 사용된 역치 또는 알고리즘에 비하여 덜 엄격한(또는 다른) 역치 또는 알고리즘을 이용하여, 현재 이벤트가 특이 이벤트/아티팩트에 대하여 덜 민감한 것으로 식별된 레티클의 피처 유형 또는 특정의 미리 규정된 영역에 대한 후보 결함인지 결정할 수 있다. 즉, 사용자는 다른 유형의 피처(예를 들면, 테두리 등)를 다른 방식으로 분석하도록 레시피를 구성할 수 있다.

만일 현재 이벤트가 후보 결함이라고 결정되면, 결함 이미지를 포함한 현재 후보 이벤트의 결함 재검토 데이터가 검사 보고서에 기록될 수 있다(동작 314). 대안적으로, 현재 이벤트는 추가의 결함 분석 없이 단순히 검사 보고서에 기록될 수 있다.

특이 이벤트에 대한 다른 사후 처리는 검사 보고서를 위한 후보 결함 이벤트로서 세이브하기 위해 이벤트를 준비하는 단계를 포함할 수 있다. 이전의 베이스라인 이벤트와 매칭되지 않는 각각의 후보 이벤트에 대하여, 검사 보고서는 임의의 적당한 결함 재검토 데이터를 내포할 수 있다. 예를 들면, 결함 재검토 데이터는 반사(R) 및 투과(T) 채널 이미지, R 이미지와 T 이미지 간의 차 이미지, 참조 R 및 T 이미지(싱글 다이 처리로부터 생성된 것), 섬네일 이미지, 후보 이벤트를 찾기 위한 중간 계산 등을 포함할 수 있다.

이와 대조적으로, 만일 현재 이벤트가 베이스라인 이벤트와 매칭하지 않으면, 추가의 결함 분석을 건너뛸 수 있다. 게다가, 현재 이벤트의 재검토 데이터가 검사 보고서에 기록되지 않는다(즉, 동작 314를 건너뛴다). 많은 이미지를 포함한 결함 재검토 데이터가 검사 보고서에서 엔트리로서 세이브되지 않기 때문에, 검사 보고서는 데이터 크기 한계에 도달할 가능성이 적다. 일부 검사에서, 그러한 이벤트를 필터링하기 전에 모든 특이 이벤트에 대한 데이터 파이프라인은 검사 보고서용으로 궁극적으로 세이브되는 결함 재검토 데이터보다 100배 더 클 수 있다. 베이스라인 이벤트와 유사한 이벤트들을 제외한 검사 보고서용의 데이터 세이브는 상당히 많을 수 있다.

베이스라인 이벤트 및 현재 이벤트는 만일 이들의 위치가 레티클 원점에 대하여 동일 위치에 있거나 서로 미리 정해진 거리 내, 예를 들면 서로 0.5㎛의 거리 내에 있으면 매칭된다고 결정할 수 있고, 베이스라인 이벤트와 현재 이벤트는 만일 크기 값이 동일하거나 서로 30% 이내에 있으면 유사한 크기를 갖는다. 그렇지 않으면 현재 이벤트는 새로운 이벤트로 간주되고 검사 보고서용으로 유지된다.

현재 이벤트가 처리된 후에, 이 이벤트가 최종 이벤트인지 결정할 수 있다(동작 316). 만일 이 이벤트가 최종 이벤트가 아니면, 다음 이벤트를 획득하여 처리한다. 그렇지 않으면 검사 보고서 발생 처리가 종료한다.

도 4는 일 실시형태에 따른 검사 및 결함 재검토 절차(400)의 개관을 보인 도이다. 도시된 바와 같이, 베이스라인 이벤트 데이터는 수용 가능한 수율을 발생하는 공지의 양호한 레티클로부터 발생될 수 있다(동작 402). 베이스라인 이벤트 데이터는 도 1의 베이스라인 이벤트 생성 절차에 의해 획득될 수 있다. 공지의 양호한 레티클로부터의 이미지는 임의의 적당한 검사 도구를 이용하여 획득될 수 있다. 대안적으로, 이미지는 OPC 장식을 포함한 설계 데이터베이스에 기초하여 시뮬레이트될 수 있다. 예컨대 레티클 제조 처리는 설계 데이터와 관련하여 시뮬레이트될 수 있다. 레티클 이미지는 그 다음에 예를 들면 공지의 양호한 레티클의 베이스라인 이벤트 리스트를 발생하기 위해 싱글 다이 처리에 의해 분석된다.

임의의 베이스라인 이벤트와 실질적으로 매칭하는 이벤트를 배제하고 후보 결함 및 이들의 관련된 결함 재검토 데이터의 검사 보고서가 그 다음에 발생될 수 있다(동작 404). 예컨대, 도 2의 검사 보고서 생성 처리를 구현하여 상기 공지의 양호한 레티클로부터의 베이스라인 이벤트와 매칭하는 이벤트들을 포함하지 않는 현재 레티클로부터 후보 결함 이벤트의 리스트를 발생할 수 있다.

그 다음에, 검사 보고서로부터의 나머지 후보 이벤트 및 이들의 재검토 데이터가 재검토될 수 있다(동작 406). 예를 들면, 운용자는 각 결함의 이미지를 재검토하여 각각의 결함이 수율을 제한하는 중요한 또는 실제 결함에 대응하는지 결정할 수 있다. 게다가, 상기 나머지 결함들은 결함들을 복수의 분류로 분류하는 분류기 도구에 의해 분석되어 각 분류의 부분집합이 모든 후보 결함들을 재검토하는 것과는 대조적으로 운용자에 의해 효율적으로 재검토될 수 있다.

그 다음에, 상기 맵에 기초하여 레티클이 검사를 통과하였는지 결정할 수 있다(동작 408). 예를 들면, 이벤트의 크기 값이 미리 규정된 역치 이상인지를 결정할 수 있다. 만일 크기가 미리 규정된 역치 이상이면, 대응하는 레티클 부분을 더 주의깊게 재검토하여 레티클이 결함있는 것인지 및 더 이상 사용될 수 없는 것인지 결정할 수 있다.

만일 레티클이 통과하지 못하였으면, 그 레티클은 보수되거나 버려지고(동작 410) 검사가 종료한다. 그러나, 만일 레티클이 통과하였으면, 그 레티클에 대하여 이벤트의 다른 베이스라인이 다시 발생될 수 있다(동작 402). 즉, 레티클은 사양 내에 있는 것으로 결정되고, 베이스라인 이벤트의 새로운 집합이 상기 공지의 양호한 레티클용으로 결정될 수 있다. 마찬가지로, 보수 후에, 베이스라인 이벤트 리스트가 또한 보수된 레티클용으로 결정될 수 있다.

레티클(보수된 레티클 또는 통과한 레티클)이 재사용된 후에, 레티클은 이벤트의 새로운 또는 이전 베이스라인에 기초하여 새로운 이벤트에 대하여 다시 검사될 수 있다. 보수된 레티클에 대한 대안적인 실시형태에 있어서, 이벤트의 이전 베이스라인 및 보수 위치의 리스트는 보수된 레티클의 후속 검사를 위해 사용될 수 있다. 즉, 만일 후속 검사가 현재 베이스라인 집합의 위치와 매칭되지 않는, 또는 보수 위치에 대응하지 않는 추가의 이벤트를 발생하면, 이들 새로운 이벤트들만이 보수된 레티클에 대한 검사 보고서에 포함될 수 있다.

본 발명의 소정의 실시형태는 일반적으로 최소량의 데이터를 포함시킴으로써, 예를 들면, 특이 이벤트에 대한 이미지를 포함시키지 않음으로써, 파일 크기를 최소화하는 방식으로 공지의 양호한 레티클에 대한 특이 이벤트와 통신하는 기술을 제공한다. 예를 들면, 이벤트의 베이스라인은 일부 경우에 공지의 양호한 레티클의 각각의 검출된 특이 이벤트에 대한 위치 및 크기 데이터(및 아마도 어떤 채널이 사용되었는지에 대한 표시)만을 포함할 수 있다. 베이스라인 데이터는 검사 도구와 무관한 경향이 있기 때문에, 베이스라인 데이터는 다른 검사 도구에서 레티클의 후속 검사에 사용될 수 있다. 즉, 위치 및 크기는 상이한 검사 도구에 대하여 안정된다.

싱글 다이 레티클의 이미지는 임의의 적당한 방식으로 구성된 광학 검사 시스템과 같은 임의의 검사 도구를 이용하여 획득될 수 있다. 검사 시스템은 일반적으로 동작 파라미터의 집합 또는 "레시피"로 구성된다. 레시피 설정은 특정 패턴의 레티클을 스캔하기 위한 설정, 픽셀 크기, 단일 신호로부터 인접 신호들을 그룹화하기 위한 설정, 포커스 설정, 조명 또는 검출 개구 설정, 입사빔 각 및 파장 설정, 검출기 설정, 반사광 또는 투과광의 양에 대한 설정, 공기 모델링 파라미터 설정 등 중의 하나 이상을 포함할 수 있다. 동일하거나 상이한 레시피 또는 동일하거나 상이한 검사 도구를 이용하여 베이스라인 및 하나 이상의 후속되는 재적격화 검사를 위해 동일한 레티클을 검사할 수 있다.

일부 실시형태에 있어서, 다른 검사용의 싱글 다이의 이미지는 다른 검사로부터의 이미지된 패턴의 크기 및 위치가 서로 비교될 수 있도록 동일한 정렬을 갖는다. 임의의 적당한 접근법을 이용하여 이미지를 검사 중에 동일한 좌표계 또는 원점에 정렬시킬 수 있다. 예를 들면, 각각의 검사는 이미지가 레티클에서 동일 원점과 관련하여 획득되도록 레티클을 정렬할 수 있다. 레티클 원점은 레티클을 정렬하기 위한 하나 이상의 참조 마크의 형태를 취할 수 있다.

검사 도구는 일반적으로 그러한 검출된 광을 강도 값에 대응하는 검출된 신호로 변환하도록 동작할 수 있다. 검출된 신호는 레티클의 다른 위치에서 다른 강도 값에 대응하는 진폭 값을 가진 전자기 파형의 형태를 취할 수 있다. 검출된 신호는 또한 강도 값의 단순 리스트 및 관련 레티클 포인트 좌표의 형태를 취할 수 있다. 검출된 신호는 레티클 위의 다른 포지션 또는 스캔 지점에 대응하는 다른 강도 값을 가진 이미지의 형태를 또한 취할 수 있다. 레티클 이미지는 레티클의 모든 포지션이 스캔되고 피검출 신호로 변환된 후에 발생될 수 있고, 또는 레티클 이미지의 각 부분은 각각의 레티클 부분이 전체 레티클이 스캔된 후에 완료되는 최종 레티클 이미지로 스캔될 때 발생될 수 있다.

입사광 또는 검출된 광은 임의의 적당한 공간 개구를 통과하여 임의의 적당한 입사각으로 임의의 입사 또는 검출 광 프로파일을 생성할 수 있다. 예로서, 프로그램 가능한 조명 또는 검출 개구는 쌍극자, 사극자, 준성(quasar), 환형 등과 같은 특수한 빔 프로파일을 생성하기 위해 활용될 수 있다. 구체적인 예로서, 소스 마스크 최적화(Source Mask Optimization, SMO) 또는 임의의 픽셀 조명 기술이 구현될 수 있다.

하나 이상의 레티클 부분 또는 "패치"의 각 집합에 대한 검출 신호의 데이터는 병렬 패치 프로세서에 보내질 수 있다. 예를 들면, 제1 패치의 강도 값은 제1 프로세서에 보내지고, 제2 패치의 강도 값은 제2 프로세서에 보내질 수 있다. 대안적으로, 미리 규정된 수의 패치의 데이터가 개개의 패치 프로세서에 보내질 수 있댜.

본 발명의 기술은 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 임의의 적당한 조합으로 구현될 수 있다. 도 5는 본 발명의 기술이 구현되는 예시적인 검사 시스템(500)의 도식적 표시도이다. 검사 시스템(500)은 검사 도구 또는 스캐너(도시 생략됨)로부터 입력(502)을 수신할 수 있다. 검사 시스템은 또한 수신된 입력(502)을 분배하기 위한 데이터 분배 시스템(예를 들면, 504a, 504b), 수신된 입력(502)의 특정 부분/패치를 처리하기 위한 강도 신호(또는 패치) 처리 시스템(예를 들면, 패치 프로세서 및 메모리(506a, 506b)), 베이스라인 이벤트를 발생하는 베이스라인 발생기 시스템(예를 들면, 베이스라인 발생기 프로세서 및 메모리(512)), 검사 시스템 컴포넌트들 간의 통신을 가능하게 하는 네트워크(예를 들면, 교환식 네트워크(508)), 선택사양인 대용량 기억 장치(516), 및 후보 결함을 재검토하기 위한 하나 이상의 검사 제어 및/또는 재검토 스테이션(예를 들면, 510)을 포함할 수 있다. 검사 시스템(500)의 각 프로세서는 전형적으로 하나 이상의 마이크로프로세서 집적회로를 포함할 수 있고, 인터페이스 및/또는 메모리 집적회로를 또한 내포할 수 있으며, 추가로 하나 이상의 공유형 및/또는 글로벌 메모리 장치에 결합될 수 있다.

입력 데이터(502)를 발생하는 스캐너 또는 데이터 획득 시스템(도시 생략됨)은 레티클(또는 다른 시료)의 강도 신호 또는 이미지를 획득하기 위한 임의의 적당한 기구(예를 들면, 여기에서 구체적으로 설명되는 것)의 형태를 취할 수 있다. 예를 들면, 스캐너는 하나 이상의 광 센서로 반사된, 투과된 또는 다른 방식으로 지향된 검출 광 부분에 기초하여 레티클의 일부의 강도 값을 발생하거나 광 이미지를 구성할 수 있다. 스캐너는 그 다음에 강도 값을 출력할 수 있고, 또는 이미지가 스캐너로부터 출력될 수 있다.

강도 또는 이미지 데이터(502)는 네트워크(508)를 통하여 데이터 분배 시스템에 의해 수신될 수 있다. 데이터 분배 시스템은 수신된 데이터(502)의 적어도 일부를 홀드하기 위해 RAM 버퍼와 같은 하나 이상의 메모리 장치와 연관될 수 있다. 바람직하게, 총 메모리는 적어도 데이터의 전체 스와쓰(swath)를 홀드할 정도로 충분히 크다. 예를 들면, 1 기가바이트의 메모리는 일백만×1000 픽셀 또는 포인트인 패치의 레티클 스와쓰에 대하여 잘 동작한다.

데이터 분배 시스템(예를 들면, 504a, 504b)은 또한 프로세서(예를 들면, 506a, 506b)에 대한 상기 수신된 입력 데이터(502)의 일부의 분배를 제어할 수 있다. 예를 들면, 데이터 분배 시스템은 제1 패치의 데이터를 제1 패치 프로세서(506a)에 라우팅하고 제2 패치의 데이터를 제2 패치 프로세서(506b)에 라우팅할 수 있다. 복수 패치용의 복수의 데이터 집합이 또한 각각의 패치 프로세서에 라우팅될 수 있다.

패치 프로세서는 적어도 레티클의 일부 또는 패치에 대응하는 강도 값 또는 이미지를 수신할 수 있다. 패치 프로세서는 또한 수신된 데이터 부분을 홀드하는 것과 같은 로컬 메모리 기능을 제공하는 DRAM 장치와 같은 하나 이상의 메모리 장치(도시 생략됨)에 각각 결합되거나 상기 메모리 장치와 함께 집적될 수 있다. 바람직하게, 메모리는 레티클의 패치에 대응하는 데이터를 홀드하도록 충분히 크다. 예를 들면, 8 메가바이트의 메모리는 512×1024 픽셀인 패치에 대응하는 이미지 또는 강도 값에 대하여 잘 동작한다. 대안적으로, 패치 프로세서는 메모리를 공유할 수 있다.

각각의 입력 데이터(502) 집합은 레티클의 스와쓰에 대응할 수 있다. 하나 이상의 데이터 집합은 데이터 분배 시스템의 메모리에 저장될 수 있다. 이 메모리는 데이터 분배 시스템 내의 하나 이상의 프로세서에 의해 제어될 수 있고, 메모리는 복수의 구획으로 나누어질 수 있다. 예를 들면, 데이터 분배 시스템은 스와쓰의 일부에 대응하는 데이터를 제1 메모리 구획(도시 생략됨)에 수신하고, 데이터 분배 시스템은 다른 스와쓰에 대응하는 다른 데이터를 제2 메모리 구획(도시 생략됨)에 수신할 수 있다. 바람직하게, 데이터 분배 시스템의 각각의 메모리 구획은 그 메모리 구획과 연관된 프로세서에 라우팅되는 데이터 부분만을 홀드한다. 예를 들면, 데이터 분배 시스템의 제1 메모리 구획은 제1 데이터를 홀드하고 패치 프로세서(506a)에 라우팅하며, 제2 메모리 구획은 제2 데이터를 홀드하고 패치 프로세서(506b)에 라우팅할 수 있다.

데이터 분배 시스템은 데이터의 임의의 적당한 파라미터에 기초한 데이터의 각각의 데이터 집합을 규정 및 분배할 수 있다. 예를 들면, 데이터는 레티클에서 패치의 대응하는 포지션에 기초하여 규정 및 분배될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 각 스와쓰는 스와쓰 내의 픽셀들의 수평 포지션에 대응하는 열(column) 포지션의 범위와 연관된다. 예를 들면, 스와쓰의 열 0~256은 제1 패치에 대응하고 이 열들의 픽셀들은 하나 이상의 패치 프로세서에 라우팅되는 제1 이미지 또는 강도 값들의 집합을 포함할 것이다. 유사하게, 스와쓰의 열 257~512는 제2 패치에 대응하고 이 열들의 픽셀들은 다른 패치 프로세서에 라우팅되는 제2 이미지 또는 강도 값들의 집합을 포함할 것이다.

도 6A는 소정의 실시형태에 따라서 마스크 패턴을 포토마스크(M)로부터 웨이퍼(W)로 전사하기 위해 사용할 수 있는 전형적인 리소그래피 시스템(600)의 단순화한 개략 표시도이다. 이러한 시스템의 예는 스캐너 및 스테퍼, 더 구체적으로는 네덜란드 벨트호벤에 소재하는 ASML로부터 입수 가능한 PAS 5500 시스템을 포함한다. 일반적으로, 조명원(603)은 광빔을 조명 광학계(607)(예를 들면, 렌즈(605))를 통하여 마스크 평면(602)에 위치된 포토마스크(M)에 지향시킨다. 조명 렌즈(605)는 마스크 평면(602)에서 소정의 개구수(601)를 갖는다. 개구수(601)의 값은 포토마스크상의 어떤 결함이 리소그래피적으로 중요한 결함이고 어떤 결함이 아닌지에 영향을 준다. 포토마스크(M)를 통과한 빔 부분은 패턴 전사를 개시하기 위해 이미징 광학계(613)를 통하여 웨이퍼(W)로 지향되는 패턴화 광학 신호를 형성한다.

도 6B는 소정의 실시형태에 따른, 레티클 평면(652)에서 비교적 큰 개구수(651b)를 가진 이미징 렌즈를 구비한 조명 광학계(651a)를 포함한 예시적인 검사 시스템(650)의 개략적 표시도이다. 도시된 검사 시스템(650)은 검사를 향상시키기 위해 예를 들면 60-200X 배율을 제공하도록 설계된 현미경 확대 광학계를 포함한 검출 광학계(653a, 653b)를 포함한다. 예를 들면, 검사 시스템의 레티클 평면(652)에서의 개구수(651b)는 리소그래피 시스템(600)의 레티클 평면(602)에서의 개구수(601)보다 상당히 더 클 수 있고, 이것은 테스트 검사 이미지와 실제 프린트된 이미지 간에 차이를 야기할 수 있다.

여기에서 설명하는 검사 기술은 도 6B에 개략적으로 도시된 것과 같은 각종의 특수하게 구성된 검사 시스템에서 구현될 수 있다. 예시된 시스템(650)은 조명 광학계(651a)를 통하여 레티클 평면(652)의 포토마스크(M)에 지향되는 광빔을 생성하는 조명원(660)을 포함한다. 전술한 바와 같이, 검사 시스템(650)은 대응하는 리소그래피 시스템의 레티클 평면 개구수(예를 들면, 도 6A의 요소(601))보다 더 큰 레티클 평면(652)에서의 개구수(651b)를 가질 수 있다. 검사 대상의 포토마스크(M)는 레티클 평면(652)에서의 마스크 스테이지에 배치되어 조명원에 노출된다.

마스크(M)로부터의 패턴화 이미지는 센서(654a)에 패턴화 이미지를 투사하는 광학 요소(653a)들의 집합을 통하여 지향된다. 반사 시스템에 있어서, 광학 요소(예를 들면, 빔 스플리터(676) 및 검출 렌즈(678))는 반사광을 포착하여 센서(654b)에 지향시킨다. 적당한 센서는 전하 결합 소자(CCD), CCD 어레이, 시간 지연 집적(TDI) 센서, TDI 센서 어레이, 광전자 증배관(PMT) 및 기타의 센서들을 포함한다.

조명 광학계 열은 마스크 스테이지와 관련하여 이동될 수 있고 및/또는 상기 스테이지는 레티클의 패치를 스캔하기 위해 임의의 적당한 메카니즘에 의해 검출기 또는 카메라와 관련하여 이동될 수 있다. 예를 들면, 모터 메카니즘을 이용하여 상기 스테이지를 이동시킬 수 있다. 모터 메카니즘은 예를 들면 스크류 드라이브 및 스테퍼 모터, 피드백 포지션을 가진 선형 드라이브, 또는 밴드 액추에이터 및 스테퍼 모터로 형성될 수 있다.

각각의 센서(예를 들면, 654a 및/또는 654b)에 의해 포착된 신호는 컴퓨터 시스템(673)에 의해, 또는 더 일반적으로 하나 이상의 신호 처리 장치에 의해 처리될 수 있고, 각각의 신호 처리 장치는 각각의 센서로부터의 아날로그 신호를 처리를 위해 디지털 신호로 변환하도록 구성된 아날로그-디지털 컨버터를 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(673)은 전형적으로 적당한 버스 또는 다른 통신 메카니즘을 통해 입력/출력 포트에 결합된 하나 이상의 프로세서 및 하나 이상의 메모리를 구비한다.

컴퓨터 시스템(673)은 포커스 및 다른 검사 레시피 파라미터를 변경하는 것과 같은 사용자 입력을 제공하기 위한 하나 이상의 입력 장치(예를 들면, 키보드, 마우스, 조이스틱)를 또한 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(673)은 또한 예를 들면 샘플 포지션(예를 들면, 포커싱 및 스캐닝)을 제어하는 스테이지에 접속되고, 다른 검사 시스템 컴포넌트의 다른 검사 파라미터 및 구성을 제어하기 위해 상기 다른 검사 시스템 컴포넌트에 접속될 수 있다.

컴퓨터 시스템(673)은 결과적인 강도 값, 이미지 및 다른 검사 결과를 디스플레이하기 위한 사용자 인터페이스(예를 들면, 컴퓨터 화면)를 제공하도록 (예를 들면, 프로그래밍 명령어와 함께) 구성될 수 있다. 컴퓨터 시스템(673)은 반사 및/또는 투과된 감지 광빔의 강도, 위상 및/또는 다른 특성을 분석하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 시스템(673)은 결과적인 강도 값, 이미지 및 다른 검사 특성들을 디스플레이하기 위한 사용자 인터페이스(예를 들면, 컴퓨터 화면에서)를 제공하도록 (예를 들면, 프로그래밍 명령어와 함께) 구성될 수 있다. 소정의 실시형태에 있어서, 컴퓨터 시스템(673)은 전술한 검사 기술을 실행하도록 구성된다.

상기 정보 및 프로그램 명령어는 특수하게 구성된 컴퓨터 시스템에서 구현될 수 있기 때문에, 이러한 시스템은 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 저장될 수 있는, 여기에서 설명한 각종 동작을 수행하기 위한 프로그램 명령어/컴퓨터 코드를 포함한다. 기계 판독가능 매체의 비제한적인 예로는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프 등의 자기 매체; CD-ROM 디스크 등의 광학 매체; 광 디스크 등의 자기-광학 매체; 및 읽기 전용 메모리 소자(ROM) 및 랜덤 액세스 메모리(RAM)와 같은, 프로그램 명령어를 저장 및 수행하도록 특수하게 구성된 하드웨어 장치가 있다. 프로그램 명령어의 예로는 컴파일러에 의해 생성된 것과 같은 기계 코드, 및 인터프리터를 이용하여 컴퓨터에 의해 실행될 수 있는 상위 레벨 코드를 내포한 파일이 있다.

소정의 실시형태에 있어서, 포토마스크를 검사하기 위한 시스템은 여기에서 설명한 기술을 수행하도록 구성된 적어도 하나의 프로세서 및 적어도 하나의 메모리를 포함한다. 검사 시스템의 일 예는 캘리포니아주 밀피타스에 소재하는 케이엘에이 텐코(KLA-Tencor)로부터 입수 가능한 특수하게 구성된 테라스캔(TeraScan™) DUV 검사 시스템을 포함한다.

비록 지금까지 본 발명을 이해의 명확성을 목적으로 상세히 설명하였지만, 첨부된 특허 청구범위 내에서 소정의 변경 및 수정이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본 발명의 공정, 시스템 및 장치를 구현하는 많은 대안적인 방법이 있다는 점에 주목하여야 한다. 따라서, 본 실시형태는 예시를 위한 것이지 한정하는 것이 아니고 본 발명은 여기에서 주어진 세부로 제한되는 것이 아니라고 해석되어야 한다.

Claims (28)

1. 포토리소그래픽 레티클(photolithographic reticle)을 검사하는 방법에 있어서,
   복수의 베이스라인(baseline) 후보 결함과 그의 위치 및 크기를 생성하도록 사양(specification) 내에 있는 것으로 식별된 레티클의 제1 검사를 수행하는 단계;
   상기 제1 검사 후 하나 이상의 포토리소그래피 처리에서 상기 레티클을 사용한 후에, 복수의 현재 후보 결함과 그의 위치 및 크기 값을 생성하도록 상기 레티클의 제2 검사를 레티클 검사 도구를 통해 수행하는 단계; 및
   복수의 필터링된 후보 결함 및 그의 이미지의 검사 보고서를 생성하는 단계로서, 상기 필터링된 후보 결함은, 상기 현재 후보 결함의 제1 부분집합 및 그의 대응하는 복수의 후보 결함 이미지를 포함하고 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합 및 그의 대응하는 복수의 배제된 이미지를 배제하고, 상기 검사 보고서에 포함된 상기 현재 후보 결함의 제1 부분집합의 각각은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭(match)되지 않는 위치 및 크기 값을 가지며, 상기 검사 보고서로부터 배제된 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 각각은, 상기 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되는 위치 및 크기 값을 갖는 것인, 상기 검사 보고서를 생성하는 단계
   를 포함하는 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 레티클 피처들이 더 이상 동일하지 않도록 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC) 데코레이션을 추가하기 위해 상기 레티클 피처들에 OPC 처리가 구현되기 전에, 동일하도록 설계된 복수의 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클에 대한 최초 설계의 일부가 아니며 상기 레티클을 이용하여 웨이퍼 수율을 제한하지 않기로 결정된 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클을 이용한 포토리소그래피 처리 중에 웨이퍼에 프린트하지 않기로 결정된 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클 상의 결함을 보정하기 위한 보수(repair) 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 검사는, 피처들의 컨텍스트(context)에 기초하여 상기 레티클의 어떤 피처들이 비정형적(atypical)인지 그리고 각각 베이스라인 후보 결함 및 현재 후보 결함에 대응하는지 결정하고,
   상기 제1 및 제2 검사는 템플릿 매칭을 포함하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함에 대한 복수의 베이스라인 이미지를 버리는(discard) 단계와, 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 대응하는 이미지를 버리는 단계를 더 포함한, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
8. 제1항에 있어서, 각각의 베이스라인 후보 결함은 채널을 더 표시하고,
   상기 검사 보고서에서 배제된 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 각각은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 채널과 위치 및 크기 값과 매칭되는 채널과 위치 및 크기 값을 갖는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 필터링된 후보 결함 및 그의 이미지의 검사 보고서를 생성하는 단계는,
   미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되지 않는 위치 및 크기 값을 갖는 각각의 현재 후보 결함에 대하여, 상기 제2 검사보다 덜 엄격한 역치 또는 알고리즘을 가진 제3 검사를 수행함으로써 이러한 현재 후보 결함이 현재 후보 결함으로 남아있는지 여부를 결정하는 단계를 포함하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
10. 제1항에 있어서, 상기 필터링된 후보 결함은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되는 위치 및 크기 값을 각각 가지며 보수 위치로서 식별되는, 현재 후보 결함의 제3 부분집합을 더 포함한 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 제1 검사는, 레티클 검사 도구를 이용하여 수행되는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 제1 검사는, 설계 데이터베이스로부터 생성된 레티클 이미지에 대해 수행되는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
13. 제1항에 있어서, 상기 레티클은 EUV 레티클인 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
14. 제1항에 있어서, 상기 현재 후보 결함은 상기 레티클 상의 파티클을 포함하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 방법.
15. 포토리소그래픽 레티클을 검사하는 검사 시스템에 있어서,
    적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 메모리 및 상기 적어도 하나의 프로세서는,
    레티클에 대하여, 사양 내에 있는 것으로 식별된 제1 검사에서 생성된 복수의 베이스라인 후보 결함과 그의 위치 및 크기를 획득하는 동작;
    상기 제1 검사 후 하나 이상의 포토리소그래피 처리에서 상기 레티클을 사용한 후에, 복수의 현재 후보 결함과 그의 위치 및 크기 값을 생성하도록 상기 레티클의 제2 검사를, 레티클 검사 도구를 통해 수행하는 동작; 및
    복수의 필터링된 후보 결함 및 그의 이미지의 검사 보고서를 생성하는 동작으로서, 상기 필터링된 후보 결함은, 상기 현재 후보 결함의 제1 부분집합 및 그의 대응하는 복수의 후보 결함 이미지를 포함하고 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합 및 그의 대응하는 복수의 배제된 이미지를 배제하고, 상기 검사 보고서에 포함된 상기 현재 후보 결함의 제1 부분집합의 각각은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되지 않는 위치 및 크기 값을 가지며, 상기 검사 보고서로부터 배제된 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 각각은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되는 위치 및 크기 값을 갖는 것인, 상기 검사 보고서를 생성하는 동작
    을 수행하도록 구성된 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
16. 제15항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 레티클 피처들이 더 이상 동일하지 않도록 광 근접 보정(optical proximity correction, OPC) 데코레이션을 추가하기 위해 상기 레티클 피처들에 OPC 처리가 구현되기 전에, 동일하도록 설계된 복수의 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
17. 제15항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클에 대한 최초 설계의 일부가 아니며 상기 레티클을 이용하여 웨이퍼 수율을 제한하지 않기로 결정된 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
18. 제15항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클을 이용한 포토리소그래피 처리 중에 웨이퍼에 프린트하지 않기로 결정된 레티클 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
19. 제15항에 있어서, 상기 베이스라인 후보 결함의 적어도 일부는, 상기 레티클 상의 결함을 보정하기 위한 보수 피처들에 대응하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
20. 제15항에 있어서, 상기 제1 및 제2 검사는, 피처들의 컨텍스트에 기초하여 상기 레티클의 어떤 피처들이 비정형적인지 그리고 각각 베이스 라인 후보 결함 및 현재 후보 결함에 대응하는지 결정하고,
    상기 제1 및 제2 검사는 템플릿 매칭을 포함하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
21. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 메모리 및 적어도 하나의 프로세서는 또한, 상기 베이스라인 후보 결함에 대한 복수의 베이스라인 이미지를 버리고, 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 대응하는 이미지를 버리도록 구성된 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
22. 제15항에 있어서, 각각의 베이스라인 후보 결함은 채널을 더 표시하고,
    상기 검사 보고서에서 배제된 상기 현재 후보 결함의 제2 부분집합의 각각은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 채널과 위치 및 크기 값과 매칭되는 채널과 위치 및 크기 값을 갖는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
23. 제15항에 있어서, 상기 필터링된 후보 결함 및 그의 이미지의 검사 보고서를 생성하는 동작은,
    미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되지 않는 위치 및 크기 값을 가진 각각의 현재 후보 결함에 대하여, 상기 제2 검사보다 덜 엄격한 역치 또는 알고리즘을 가진 제3 검사를 수행함으로써 이러한 현재 후보 결함이 현재 후보 결함으로 남아있는지 여부를 결정하는 동작을 포함한 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
24. 제15항에 있어서, 상기 필터링된 후보 결함은, 미리 규정된 양만큼 임의의 베이스라인 후보 결함의 위치 및 크기 값과 매칭되는 위치 및 크기 값을 각각 가지며 보수 위치로서 식별되는, 현재 후보 결함의 제3 부분집합을 더 포함한 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
25. 제15항에 있어서, 상기 제1 검사는, 상기 검사 시스템을 이용하여 수행되는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
26. 제15항에 있어서, 상기 제1 검사는, 설계 데이터베이스로부터 생성된 레티클 이미지에 대해 수행되는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
27. 제15항에 있어서, 상기 레티클은 EUV 레티클인 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.
28. 제15항에 있어서, 상기 현재 후보 결함은 상기 레티클 상의 파티클을 포함하는 것인, 포토리소그래픽 레티클 검사 시스템.

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