JP2016528497A - フォトマスク欠陥性における変化の監視 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 101
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 128
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 34
- 238000005034 decoration Methods 0.000 claims description 33
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000586 desensitisation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
仕様の範囲内であるレチクルは、各異常なレチクル特徴の場所及びサイズ値を示すベースライン事象を生成するために検査される。フォトリソグラフィにおいてレチクルを使用した後、レチクルは、異常なレチクル特徴の場所及びサイズ値を示す現在の事象を生成するために検査される。候補欠陥及びそれらの画像の検査報告は、これらの候補欠陥が、現在の事象の第１のサブセット及びそれらの対応する候補欠陥画像を含み、現在の事象の第２のサブセット及びそれらの対応する除外された画像を除外するように生成される。含まれた第１の事象のうちのそれぞれは、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、除外された第２の事象のうちのそれぞれは、ベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する。
Description
関連出願の相互参照
本出願は、２０１３年７月２９日に出願された、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｃｈａｎｇｅｓ ｉｎ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｄｅｆｅｃｔｉｖｉｔｙ」と題する、Ｃｈｕｎ Ｇｕａｎらによる、先行する米国仮出願番号第６１／８５９，６７０号の優先権を、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１１９の下で主張し、この出願の全体が、すべての目的のために本明細書に参照によって組み込まれる。
本出願は、２０１３年７月２９日に出願された、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｃｈａｎｇｅｓ ｉｎ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｄｅｆｅｃｔｉｖｉｔｙ」と題する、Ｃｈｕｎ Ｇｕａｎらによる、先行する米国仮出願番号第６１／８５９，６７０号の優先権を、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１１９の下で主張し、この出願の全体が、すべての目的のために本明細書に参照によって組み込まれる。
本発明は、一般的にレチクル検査の分野に関する。より具体的には、本発明は、ＩＣ（集積回路）製作状況において、単一ダイレチクルを再認定するための技術に関する。
一般的に、半導体製造の産業は、シリコンなどの基盤上に積層され、パターン形成される半導体材料を使用して、積分回路を製作するためのかなり複雑な技術に関与する。大規模な回路統合及び半導体装置の低下するサイズのために、制作された装置は、欠陥に対してより一層感受性が強くなっている。すなわち、装置において欠点を引き起こす欠陥は、より一層小さくなっている。装置は、エンドユーザまたは顧客への出荷前には欠点がない。
集積回路は、典型的に複数のレチクルから製作される。レチクルの生成及びそのようなレチクルの後続する光学的検査は、半導体の生産における標準ステップになっている。最初に、回路設計者は、特定の集積回路（ＩＣ）設計を記載する回路パターンデータを、レチクル生産システムまたはレチクル書き込み機に提供する。回路パターンデータは、典型的に製作されるＩＣ装置の物理層の代表レイアウトの形態である。代表レイアウトは、ＩＣ装置の各物理層（例えば、ゲート酸化膜、ポリシリコン、金属被覆など）の代表層を含み、各代表層は、特定のＩＣ装置の層のパターン化を定義する複数の多角形で構成される。
レチクル書き込み機は、回路パターンデータを使用して、後に特定のＩＣ設計を製作するために使用される複数のレチクルを書き込む（例えば、レチクルパターンを曝露するために、典型的に電子ビーム書き込み機またはレーザ走査機が使用される）。その後、レチクル検査システムは、レチクルの生産中に発生した可能性のある欠陥についてレチクルを検査し得る。
レチクルまたはフォトマスクは、ともに集積回路などの電子装置における共平面特徴のパターンを定義する、少なくとも透明の領域及び不透明の領域、ならびに時折半透明の領域及び位相変位領域を含む光学的要素である。レチクルは、エッチング、イオン注入、または他の製作プロセスのための半導体ウェハの特定の領域を定義するために、フォトリソグラフィ中に使用される。
各レチクルまたはレチクルの群の製作の後、新しい各レチクルは、典型的に欠点または劣化がない。しかしながら、レチクルは使用後に欠陥を有し得る。したがって、改善されたレチクル検査技術、特に単一ダイレチクル検査技術のための継続する必要性が存在する。
以下は、本発明の特定の実施形態についての基本的な理解を提供するために、本開示の簡易化された要約を提示する。本要約は本開示の広範な概要ではなく、それは本発明の重要な／決定的な要素を特定することも、または本発明の範囲を描写することもしない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な記載に対する前置きとして、本明細書に開示されるいくつかの概念を簡易化された形態で提示することである。
一実施形態において、フォトリソグラフィレチクルを検査する方法が開示される。レチクル検査治具は、仕様の範囲内であると特定されているレチクルの第１の単一ダイ検査を実行して、レチクルの複数の異常なベースライン特徴に対応する複数のベースライン事象を生成するために使用され、各ベースライン事象は対応する異常なベースライン特徴の場所及びサイズ値を示す。あるいは、ベースライン事象は、レチクルの設計データベースからシミュレーションされるレチクルの画像に基づいて生成される。レチクルを使用する多くの曝露の後毎、定期的に、レチクルは後続する検査を実行することによって再認定される。各後続する検査は、レチクル上の複数の現在の異常な特徴に対応する複数の現在の事象を生成し、各現在の事象は、対応する現在の異常な特徴の場所及びサイズ値を示す。
後続する検査中、規定された場所及びサイズ許容誤差内のベースライン事象と照合する任意の現在の異常な事象は、対象でない欠陥または偽の欠陥であると見なされ、破棄される。それらに対するベースライン事象照合の存在しない現在の異常な事象のみが、更なる処理のために保持される。すべての処理ステップを残存するこれらの事象は、再調査可能欠陥であると考えられる。再調査可能欠陥は、それらが適切に配列されることを可能にするための十分な情報とともに報告される。偽の事象及び対象でない事象を早期に破棄することによって、ユーザはそれらを再調査することを免れ、いくらかの処理時間及び費用が節約され、検査報告のデータ量が最小化される。
特定の実施形態において、現在の異常な事象とベースラインの現在の事象との間の照合は、異常な事象のサブセットの第１の発見参照画像及びそれらの対応する試験画像によって見出される。候補欠陥は、各参照画像と試験画像との比較に基づいて見出される。１つ以上の現在の候補欠陥が、参照画像を有する各異常な事象について見出され、各１つ以上の現在の候補欠陥の場所及びサイズが、ベースラインの候補欠陥のベースライン場所及びサイズと照合され得るかどうかが決定され得る。
検査駆動ベースラインまたはデータベース駆動ベースラインのいずれの実施形態においても、それに対する好適な参照が実行時間に見出され得ないか、または合成され得ない、パターンのすべての断片のパターンデータを保存するためにもまた、ベースライン生成は増大され得る。この方法において、後続する検査は、すべてのパターンが参照を有し得るように、ベースラインに保存されたパターンデータを使用して、見出された、及び合成された参照を増大させ得る。このベースラインは、すべての後続する単一ダイ検査中に比較技術を使用して、１００％の適用範囲を可能にし得る。
特定の一実施形態において、複数の候補レチクル欠陥及びそれらの画像の検査報告は、候補欠陥が現在の事象の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、現在の事象の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外するように生成される。検査報告に含まれた事象の第１のサブセットのうちのそれぞれは、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、検査報告から除外された第２のサブセットの事象のうちのそれぞれは、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する。
一態様において、ベースライン事象のうちの少なくともいくつかは、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）装飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に対応する。別の態様において、ベースライン事象のうちの少なくともいくつかは、そのようなレチクルの元の設計の一部ではなく、そのようなレチクルを使用するウェハ収率を制限しないと決定されたレチクル特徴に対応する。更に別の態様において、ベースライン事象のうちの少なくともいくつかは、レチクルを使用するフォトリソグラフィプロセス中に、ウェハ上に印刷されないと決定されているレチクル特徴に対応する。別の態様において、ベースライン事象のうちの少なくともいくつかは、レチクル上の欠陥を補正するための修復特徴に対応する。
一実施例において、第１及び第２の単一ダイ検査は、そのような特徴の状況に基づいて、レチクルのどの特徴が非典型的であるかを決定する。更なる一態様において、第１及び第２の単一ダイ検査はテンプレート照合を含む。一実装例において、方法は、ベースライン事象の複数のベースライン画像を破棄することと、第２のサブセット候補事象の対応する画像を破棄することと、を含む。別の実施例において、各ベースライン事象はチャネルを更に示し、検査報告から除外された第２のサブセットの事象のうちのそれぞれは、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象のチャネルならびに場所及びサイズ値と照合するチャネルならびに場所及びサイズ値を有する。
一代替実施形態において、候補欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することは、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有する各現在の事象について、第２の単一ダイ検査よりも厳密でない閾値またはアルゴリズムを有する第３の単一ダイ検査を実行することによって、そのような現在の事象が候補欠陥であるかどうかを決定することを含む。別の態様において、候補欠陥画像及び除外された画像は、反射画像、透過画像、または反射画像及び透過画像の組み合わせのうちの１つ以上の組み合わせを含む。一例において、候補欠陥は、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズと照合する場所及びサイズ値をそれぞれが有し、修復場所として特定される、現在の事象の第３のサブセットを更に含む。
特定の実施形態において、本発明は、フォトリソグラフィレチクルを検査するためのシステムに関係する。システムは、以上に記載される動作のうちの少なくともいくつかを実行するように構成される、少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサを含む。他の実施形態において、本発明は、以上に記載される動作のうちの少なくともいくつかを実行するための命令を記憶する、コンピュータ可読媒体に関係する。
本発明のこれらの及び他の態様を、図面への参照によって以下に更に記載する。
以下の記載において、本発明の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が説明される。本発明は、これらの具体的な詳細のうちのいくつかまたはすべてなしで、実行され得る。他の例において、本発明を不必要に不明瞭にしないために、既知のプロセス動作は詳細には記載されていない。本発明が特定の実施形態との組み合わせで記載されるものの、本発明を実施形態に制限することが意図されないことが理解される。
単一ダイレチクルは、製作再認定使用の場合の特定の検査課題を提示する。複数ダイレチクルは、１つのダイから取得された画像と第２のダイから取得された画像とを比較する技術を使用して検査され得る。あるいは、単一ダイ及び複数ダイレチクルの両方は、レチクルから取得された画像と、ＯＰＣ（光学的近接補正）後データベースからレンダリングされた画像とを比較する技術を使用して検査され得る。この第２の技術は、ＯＰＣ後データベースへのアクセスを必要とし、典型的にレチクルの製作再認定のために実用的であるためには、コストがかかりすぎる、及び／または複雑すぎると見なされる。結局のところ、レチクルのパターン忠実度は、マスクショップまたは次に来る品質管理検査によって既に確認されている。再認定検査は、レチクル使用中に付加される欠陥を見出すことのみを必要とする。しかしながら、第２のダイまたはデータベースによって提供される参照なしでは、単一ダイレチクル上のこれらの欠陥を見出すことは困難であり得る。
その痕跡が非欠陥レチクル上に現れることがまったく期待されていない欠陥を見出すために、特定の非比較技術が使用され得る。しかしながら、単一ダイレチクルについてですら、対象となる欠陥のうちのほとんどを見出すために、いくつかの比較技術が依然使用され得る。パターンの断片が反復されるか、または自己参照するのに十分単純である場合、参照パターンが見出され得るか、または合成され得る。これらの見出された、または合成された参照に対する比較は、欠陥を検出するために使用され得る。単一ダイレチクルの検査のためにそのような比較技術を使用する場合、２つの主要な欠陥が存在する。まず、適用範囲の問題が存在する。好適な参照は、パターンのすべての断片について見出され得ないか、または合成され得ない。次に、偽の検出についての問題が存在する。いくつかの検出は、パターンにおける異常な、しかし故意の変異によって誘発され得る。これらは大抵、ＯＰＣ変異による。
フォトリソグラフィマスクまたはレチクルは、回路及びレイアウト設計者ならびに／または合成治具によって生成される装置設計データを含み得る。ＯＰＣ前設計データは、一般的に、任意のＯＰＣ構造が設計データに追加される前に、特定レチクルについて設計者または合成治具によって生成される、多角形を含む。ＯＰＣ前設計データは設計者の意図を表現すると言うことができ、一般的に、該レチクル設計データを使用して作製されるレチクルで製作される最終ウェハに類似する。図１Ａは、同一の形状及びサイズを有する２つのＯＰＣ前特徴１０２ａ及び１０２ｂを有するレチクル部分１００の図表上面図である。
レチクル設計データは、ＯＰＣ前レチクル設計データに追加加されるＯＰＣ装飾を含み得る。一般的に、ＯＰＣソフトウェアは、レチクル設計を分析し、その後そのような分析に基づいてＯＰＣ装飾をレチクル設計に付加するために使用される。ＯＰＣ装飾は、レチクルの製作を改良する。例えば、特定のＯＰＣ改良が設計データ中のそのような角に近接して付加されると、角がより鮮明な画像が得られ得る。
ＯＰＣ構造が１つ以上のＯＰＣ生成モデルに基づいて生成されるように、そのようなモデルがＯＰＣ前設計に適用され得る。モデルは、実験的及び／またはシミュレーション結果に基づく。一般的に、用語ＯＰＣ、ＳＲＡＦ、細線、及び非印刷可能構造は、本明細書で互換的に使用される。
ＯＰＣソフトウェアの１つの具体的な副作用は、同一の設計パターンに関して定置されるＯＰＣ装飾の高レベルの不一致である。図１Ｂは、異なるＯＰＣ装飾を付加した、図１Ａの２つの同一パターン１０２ａ及び１０２ｂを図示する。示すように、ＯＰＣソフトウェアは、装飾１０４ａ〜ｃを第１のＬ形状パターンに付加する一方で、ＯＰＣ装飾１０４ｄ〜ｆを同一のＬ形状の第２のパターン１０２ｂに付加する。この実施例において、パターン１０２ａの装飾１０４ａ及び１０４ｃは、パターン１０２ｂの装飾１０４ｄ及び１０４ｅと同一の形状及び場所を有する。対照的に、第２のパターン１０２ｂは、追加のＯＰＣ装飾１０４ｆを有する一方で、第１のパターン１０２ａは、Ｌ形状の「屈曲」における除去されたノッチ部分１０４ｂの形態の装飾１０４ｂを有する一方で、Ｌ形状パターン１０２ｂはこの同一の区域においてそのまま残る。
ＯＰＣ装飾を付加するためのＯＰＣソフトウェアは、同一のＯＰＣ前レイアウトに実行され、様々な理由のために異なるＯＰＣ装飾に至り得る。例えば、所与の特徴のＯＰＣ装飾の種類及び数は、そのような特定の特徴が他の特徴に関して分析される順序に依存し得る。更に、特徴アレイのエッジ特徴は、同一のアレイ中の同一の中心特徴とは異なるＯＰＣ装飾を与えられ得る。ＯＰＣソフトウェアは、異なる状況の特徴または背景を有する同一の特徴に対して、異なるＯＰＣ装飾を付加し得る。同一の状況を有する特徴ですら、異なる特徴間のグリッドスナップ差異に基づいて異なるＯＰＣ装飾を与えられ得る。
いくつかの検査プロセスは、可変のＯＰＣ装飾を有するレチクルにとって良好に機能しているものの、同一の特徴について多数及び可変のＯＰＣ装飾を有するレチクルのいくつかの検査は、管理不能な候補事象のセットに至る傾向がある。一実施例において、単一ダイ検査は、レチクルの画像特徴を分析して異常な事象を特定するためのアルゴリズムを含み、これは、根底にある設計特徴（例えば、ＯＰＣ前特徴）のための異なるＯＰＣ装飾を含む傾向がある。例えば、単一ダイ検査プロセスは、異なる装飾（パターン１０２ａの１０４ｂ、パターン１０２ｂの１０４ｆ）を異常な事象または候補事象として定義し得る。ＯＰＣソフトウェアは多数の可変のＯＰＣ装飾に至る傾向があるため、多数の候補事象は、典型的にそのようなレチクルパターンの単一ダイ検査中にフラグ付けされる。
更に、レチクルは、設計者によってレチクル設計パターンの一部であると意図されなかった人為産物（例えば、追加の、または欠損している材料）を含み得る。しかしながら、特定の非意図的な人為産物は、そのようなレチクルで生産されるウェハの収率を制限しないと決定され得る。単一ダイ検査はまた、非収率制限的な異常な事象を候補欠陥として特定し得る。
本発明の特定の実施形態は、現在の検査において見出され、レチクルが使用の範囲内であることが既知であったときの、それに対する以前の検査においてもまた見出された欠陥候補事象を、検査報告から選別することを含む。例えば、選別された候補事象及びそれらの画像データは、システムのメモリから除去され、欠陥再調査プロセスにおいて更に分析されない。
図２は、本発明の一実施形態に従う、候補事象のベースラインを生成するためのプロセス２００を図示するフローチャートである。最初に、許容されると見なされているレチクルが、動作２０２において得られ得る。このレチクルは、所定の仕様のセットを満たすと見出されている。例えば、レチクルは、任意の好適な検査技術を使用して既に検査され、収率に影響を与えるか、またはウェハ上に印刷可能な誤差を引き起こす、いかなる欠陥も含まないと見なされていてもよい。レチクルは、任意の好適な様式によって実質的に劣化または欠陥を有さないと確認または定義され得る。例えば、新規製造されたレチクルの購入者は、レチクルが製造者によって、欠陥または劣化がないと確認されていることを想定し得る。あるいは、レチクルは、例えば、ダイ対データベース検査を実行することによって、レチクル上に任意のＣＤ均一性が存在するどうか、またはレチクルが劣化しているかどうかを決定するために、光学または走査電子顕微鏡で検査され得る。レチクルは、曇り、ならびに他の種類の劣化及び欠陥を除去するための清掃後に同様に検査され得る。
この良好既知のレチクルは、ＯＰＣ装飾の定置前に同一であるように設計された設計パターンを含む。すなわち、ＯＰＣ前設計データは、任意の数及び種類の同一のパターンを含む。良好既知のレチクルはまた、少なくともいくつかの同一の設計パターンに関して形成された、異なるＯＰＣ装飾を含む。例えば、ＯＰＣソフトウェアはＯＰＣ装飾を付加して、ＯＰＣ前設計データが以前の同様の設計パターン上の異なるＯＰＣ装飾を含むように変更して、非同一のＯＰＣ装飾パターンを生成している。
良好既知のレチクルはまた、元のレチクルに対する修復をも含み、これらの修復は、所定の仕様のセットを満たすレチクルに至ると決定されている。例えば、レチクルパターンの一部であると意図されなかった追加の材料は除去されていてもよい。別の実施例において、欠損している材料であった（例えば、意図される設計パターンと比較して）レチクルの区域は、材料をそのような区域に付加するように修復されていてもよい。
その後、動作２０４において単一ダイ検査がレチクルに対して実行されて、異常な事象を特定し得る。１つの種類の検査は、ダイの画像特徴上に統計分析を実装して、そのそれぞれが１つ以上の「候補事象または欠陥」に対応し得る異常な事象の場所を示すことを含む、単一ダイ検査である。単一ダイ検査プロセスは、画像特徴を処理して、候補事象を特定するための任意の好適な動作を含み得る。例えば、画像処理技術の任意の好適な組み合わせが、画像特徴を分析し、そのような特徴の状況を考慮して、どの特徴が非典型的であるのかを決定するために使用され得る。単純な一実施例において、ほとんど同一のバーのアレイが、側面に形成されたノッチを有する単一のバーを含む場合、該ノッチは候補欠陥と見なされ得る。
いくつかの例示的な単一ダイアプローチは、テンプレート照合及び主成分分析を含む。テンプレート照合は、異常な特徴の場所を示すための参照として、共通テンプレート特徴を使用するための画像処理技術である。例えば、第１の画像特徴が掴まれ、比較されるか、または他の特徴に対して照合される。第１の画像特徴と照合する別の特徴が存在しない（またはわずかな数の特徴）場合、第１の画像特徴は、異常なまたは候補事象として定義される。徹底的テンプレート照合アプローチは、各画像特徴を捉え、他の特徴に対して比較するために使用され得る。あるいは、より知的に及び効率的に異常な特徴の場所を示すために、他のプロセスがまた、実装され得る。例えば、共通特徴テンプレートのセットは、レチクル画像が分析される前に最初に定義され得る。テンプレート画像特徴は、他の特徴ベクトルに対する比較のための特徴ベクトルに変換され得る。更に、特定の特徴は、複数の類似する事象が存在する場合ですら、異常な事象として定義され得る。例えば、さもなければ０次元または１次元パターンであるパターン中に現れる小さい特徴は、異常な事象として特定され得る。
動作２０６において、１つ以上の候補欠陥に対応する特定される各異常な事象について、画像などの欠陥再調査データを保存せずに、各候補欠陥の場所及び強度が保存され得る。換言すると、画像及び除外ベースライン事象データなどの欠陥再調査データは、動作２０８で破棄される。ベースライン事象データは、実質的に同一な設計パターンのＯＰＣ装飾変異によって引き起こされる異常な事象などの、意図的な異常な事象に関係し得る。すなわち、ベースライン事象のうちの少なくともいくつかは、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）修飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に一般的に対応する。そのようなベースライン事象データはまた、実際の欠陥である、または収率問題を引き起こすものではないと見なされる、故意ではない、またはわずかな事象に関係する。
ベースライン事象データは、後のレチクルの後続する単一ダイ検査において、同一の事象を特定するためのデータの最小セットを含む。説明される実施形態において、各候補欠陥のベースライン事象データは、レチクル上の起点配置に関する、ｘ及びｙ座標などの場所を含む。レチクル上の起点配置は、レチクル上の１つ以上の起点Ｘ及び／またはＹマーキングによってなどの任意の好適な様式で特定され得る。例えば、十字形状マーキングは、そのようなマーキングの中心部分に関して、検査治具が各レチクルのＸＹ配置の場所を参照することを可能にし得る。他の特定するベースライン事象は、強度値、及び事象データの強度値がどのチャネル上で得られたか（例えば、透過または反射チャネル）を含み得る。
まず各異常な事象について参照を見出すことによって、各異常な事象について１つ以上の候補欠陥が見出され得る。候補欠陥もまた、本明細書で異常な事象と呼ばれ得る。各特有な領域は、周縁部の量だけ全面的に拡張され得る。その後、カスタムサイズ化された矩形クリップまたはテンプレートが、元の画像から収集され得る。このクリップは、拡張された特有な領域内の画素に対応する元の画像の画素を含む。
重量の２次元アレイは、矩形クリップと同一のサイズであるように設定され得る。これらの重量は、参照領域の加重正規化された相互相関検索を駆動するために使用され得る。照合パターンを見出す確率が低い場合、重量は低く設定され得る。照合パターンを見出す確率が増加するにつれて、重量は増加し得る。特有な領域を作製する特有なクリップの中心近くに特有なものが存在するため、これらのテンプレート中心近くで照合パターンを見出す確率は低い。照合パターンを見出す確率は、これらの中心からの距離とともに増加し、付加された非特有な周縁部で最も高い。重量は、これらの傾向に従うように設定され得る。重量は、パターン内のエッジが平坦な区域よりも強調されるように、更に調節され得る。周縁部の外側であるが、バウンディング矩形の内側の任意の画素の重量は、ゼロに設定され得る。
重量が設定されると、レチクル画像は、加重ＮＣＣ（正規化された相互相関）点数を最大化する同一のサイズのパッチについて検索され得る。グリッド上パッチが加重ＮＣＣ点数におけるピークを生産するとき、点数を最大化する精細整列を見出すために、補間が使用され得る。レチクル画像を検索した後、最も高い点数を有する整列されたパッチが参照として選択され得る。最高の加重ＮＣＣ点数が最小閾値を超えないと、好適な参照は見出されない。
主に０次元または１次元である領域について、参照は、レチクル画像中に見出される代わりに合成され得る。全領域が０次元と標識化されることができた場合、領域の中心の弱い（及び強い）軸勾配を除いて、０次元の参照が合成され得る。合成参照内のすべての画素は、試験領域の周縁部画素の平均に設定され得る。この技術は、試験領域の周縁部画素に最良に適合する純粋に０次元の参照を構築し得る。全領域が１次元と標識化されることができた場合、異常な試験領域の中心に近い弱い軸勾配を除いて、１次元の参照が合成され得る。水平パターンについて、合成参照における画素の各行は、その行の試験領域の周縁部画素の平均に設定され得る。垂直パターンについて、合成参照における画素の各列は、その列の試験領域の周縁部画素の平均に設定され得る。対角パターンについて、概念は同一であり得る（例えば、試験領域の周縁部画素に最良に適合する純粋に１次元の合成参照を構築する）。
参照が見出されないか、または合成可能でない場合、特定の「試験」または異常な領域は未検査と標識化され得、その領域上には更なる処理が行われない。参照が見出される場合、参照クリップが収集され、補填される。収集は、補間を使用して、精細整列オフセットを組み込み得る。補填は、加重適合関数を使用して、補正項を算出し得る。領域の不確定の区域において、それらの区域における適合を緩和するように、より軽い重量が使用され得る。補正が算出されると、それらは、参照クリップに適用される。
各異常な事象の試験画像は、（見出される場合）対応する参照画像に比較され得る。参照の特定の区域と試験画像との間の差異が所定の閾値を超える場合、そのような区域（例えば、各ピーク）は候補欠陥として特定され得る。
それについての参照画像が見出され得ない各異常な事象について、異常な事象の画像は、以下に更に記載するように、同一の区域上の後続する再認定検査のための参照画像として記憶され得る（動作２０７）。そのような事象は、検査不能と見なされ得る。
その後、本明細書において更に記載されるように、ベースライン事象データはレチクルの後続する再認定検査において使用され得る。図３は、本発明の特定の一実装例に従う、検査報告を生成するための検査手順３００を図示するフローチャートである。レチクルは、動作３０２において１つ以上のウェハを製作するために、１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて使用され得る。
その後、動作３０４において、単一ダイ検査がレチクル上に実行されて、異常な事象を特定し得る。ベースラインレチクルのための以上に記載される検査に類似する単一ダイ検査が、実行され得る。しかしながら、特定の異常な事象について参照画像が見出されないか、または合成可能でない場合、既に記憶されたベースライン画像中の同一の場所の参照画像が得られ、候補欠陥に対応し得る異常な事象を見出すために使用され得る。
その後、動作３０６において第１の事象が得られ得、動作３０８において、この現在の事象がベースライン事象と照合するかどうかが決定され得る。例えば、現在の事象が、ベースライン事象として実質的に類似する場所及び強度値（及びもしかするとチャネル）を有するかどうかが決定される。このプロセスは一度に１つずつ事象を分析するものとして記載されるものの、この説明されるプロセスは、議論の容易さのためにこの方法で記載される。事象は、本明細書において更に記載するように、平行して処理されている画像中で事象が特定されるにつれて、平行して分析される可能性がより高い。
現在の検査からの事象がベースライン事象と照合しないことが決定される場合、任意の好適な種類の更なる欠陥分析が実行され得る。例えば、動作３１０において、現在の事象上に減感処理が任意で実行されて、現在の事象が候補欠陥であるかどうかを決定し得る。一般的に、動作３１２において、任意のプロセスが使用されて、現在の事象が候補欠陥であるかどうかを決定し得る。例えば、事象を異常な事象として特定するために使用された閾値またはアルゴリズムと比較して、より厳密でない（もしくは異なる）閾値またはアルゴリズムは、現在の事象が、異常な事象／人為産物に対してより感受性が弱いと特定されているレチクルの、特定の事前に定義された区域または特徴の種類の候補欠陥であるかどうかを決定するために使用され得る。すなわち、ユーザは、異なる種類の特徴（例えば、エッジなど）を異なる様式で分析するためのレシピを設定し得る。
現在の事象が候補欠陥であることが決定される場合、動作３１４において、欠陥画像を含む現在の候補事象の欠陥再調査データが検査報告に書き込まれ得る。あるいは、現在の事象は、更なる欠陥分析なしで単に検査報告に書き込まれ得る。
異常な事象のための他の後処理は、検査報告の候補欠陥エントリとしての保存のために事象を準備することを含み得る。以前のベースライン事象と照合されない各候補事象について、検査報告は任意の好適な欠陥再調査データを含み得る。例えば、欠陥再調査データは、反射（Ｒ）及び透過（Ｔ）チャネル画像の両方、Ｒ画像とＴ画像との間の差異画像、参照Ｒ及びＴ画像（単一ダイプロセスから生成される）、サムネイル画像、候補事象を見出すための中間算出などを含み得る。
対照的に、現在の事象がベースライン事象と照合しない場合、更なる欠陥分析は省略され得る。更に、現在の事象の再調査データは検査報告に書き込まれない（すなわち、動作３１４は省略される）。多数の画像を含む欠陥再調査データが検査報告においてエントリとして保存されないため、検査報告はデータサイズ制限に達する可能性が低い。いくつかの検査において、そのような事象を選別する前の、全ての異常な事象のデータパイプラインは、検査報告のために最終的に保存される欠陥再調査データよりも１００倍大きくなり得る。ベースライン事象に類似する事象を除外する検査報告のためのデータ保存は、重要であり得る。
ベースライン事象及び現在の事象は、それらの場所がレチクル起点に対して同一の場所にあるか、または互いの所定の距離以内（互いの０．５μｍ距離以内など）にある場合、照合することが決定され得、ベースライン及び現在の事象は、サイズ値が等しいか、または互いの３０％以内である場合、類似するサイズを有する。さもなければ、現在の事象は新規の事象と見なされ、検査報告のために保持される。
現在の事象が処理される後、動作３１６において、それは、これが最終事象であるかどうかが決定され得る。これが最終事象ではない場合、次の事象が得られ、処理され得る。さもなければ、検査報告生成プロセスは終了する。
図４は、一実施形態に従う、検査及び欠陥再調査手順４００の概略図を図示する。示すように、動作４０２において、ベースライン事象データは、許容される収率につながる良好既知のレチクルから生成され得る。ベースライン事象データは、図１のベースライン事象生成手順によって得られ得る。良好既知のレチクルからの画像は、任意の好適な検査治具を使用して得られ得る。あるいは、画像は、ＯＰＣ装飾を含む設計データベースに基づいてシミュレーションされ得る。例えば、レチクル製作プロセスは、設計データに関してシミュレーションされ得る。その後、レチクル画像は、例えば、単一ダイプロセスによって分析されて、良好既知のレチクルのベースライン事象リストを生成する。
その後、動作４０４において、任意のベースライン事象と実質的に照合する事象を除外する、候補欠陥及びそれらの関連する欠陥再調査データの検査報告が生成され得る。例えば、図２の検査報告生成プロセスが実装されて、良好既知のレチクルからのベースライン事象と照合する事象を含まない、現在のレチクルから候補欠陥事象のリストを生成し得る。
その後、動作４０６において、検査報告からの残存する候補事象及びそれらの再調査データが再調査され得る。例えば、動作者は、各欠陥の画像を再調査して、各欠陥が、収率を制限する重要なまたは実際の欠陥に対応するかどうかを決定し得る。更に、すべての候補欠陥を再調査することと対照的に、各クラスのサブセットが動作者によって効率的に再調査され得るように、残存する欠陥は、欠陥をクラスに分類する分類治具によって分析され得る。
その後、動作４０８におけるそのようなマップに基づいて、レチクルが検査に合格するかどうかが決定され得る。例えば、事象のサイズ値が事前に定義された閾値を超えるどうかが決定され得る。サイズが事前に定義された閾値を超える場合、対応するレチクル部分はより慎重に再調査されて、レチクルが欠陥を有して、もはや使用され得ないかどうかを決定し得る。
レチクルが合格しない場合、動作４１０において、レチクルは修復されるか、または破棄されるかのどちらかになり得、検査は終了する。しかしながら、レチクルが合格する場合、動作４０２において、事象の別のベースラインがレチクルのために再度生成され得る。すなわち、レチクルが仕様の範囲内であるかどうかが決定され得、その後、そのような良好既知のレチクルのためにベースライン事象の新規のセットが決定され得る。同様に、修復の後、ベースライン事象リストもまた、修復されたレチクルのために決定され得る。
レチクル（修復されたレチクルまたは合格のレチクル）が再度使用された後、レチクルは、事象の新規または以前のベースラインに基づいて、新規の事象について再度検査され得る。修復されたレチクルのための一代替実施形態において、事象の以前のベースライン及び修復場所のリストは、修復されたレチクルの後続する検査のために使用され得る。すなわち、後続する検査結果が現在のベースラインセットの場所と照合しないか、または修復場所に対応しない追加事象につながる場合、これらの新規の事象のみが、修復されたレチクルの検査報告に含まれ得る。
本発明の特定の実施形態は、一般的に、最小量のデータを含むことによって、例えば、そのような事象の画像を含めないことによって、ファイルサイズを最小化する様式で、良好既知のレチクルの異常な事象を通信するための技術を提供する。例えば、いくつかの場合、事象のベースラインは、良好既知のレチクルの検出された各異常な事象の場所及びサイズデータ（及びもしかするとどのチャネルが使用されたかに関する表示）のみを含み得る。ベースラインデータは検査治具から独立している傾向があるため、ベースラインデータは異なる検査治具上でのレチクルの後続する検査において使用され得る。すなわち、場所及びサイズは、異なる検査治具にわたって安定する。
単一ダイレチクルの画像は、任意の好適な様式に設定される光学的検査システムなどの任意の検査治具を使用して得られ得る。検査システムは、一般的に、動作パラメータのセット、または「レシピ」によって設定される。レシピ設定は、以下の設定、レチクルを特定のパターンで走査する設定、画素サイズ、単一信号からの隣接する信号を群化する設定、焦点設定、照明または検出開口部設定、入射光線角度及び波長設定、検出器設定、反射または透過光の量の設定、空中モデル化パラメータなどのうちの１つ以上を含む。同一のもしくは異なるレシピ、または同一のもしくは異なる検査治具は、ベースラインの同一のレチクル、及び１つ以上の後続する再認定検査を検査するために使用され得る。
いくつかの実施形態において、異なる検査の単一ダイの画像は、異なる検査からの撮像されたパターンのサイズ及び場所が互いに比較され得るように、同一の整列を有する。同一の座標系または検査を通した起点に画像を整列させるために、任意の好適なアプローチが使用され得る。例えば、各検査は、レチクル上の同一の起点に対して画像が得られるようにレチクルを整列させ得る。レチクル起点は、レチクルを整列させるための１つ以上の参照マークの形態を取り得る。
検査治具は、一般的に、そのような検出された光を、強度値に対応する検出された信号に転換するように動作可能であり得る。検出された信号は、レチクルの異なる場所での異なる強度値に対応する振幅値を有する電磁波形の形態を取り得る。検出された信号はまた、強度値及び関連するレチクル点座標の単純なリストの形態を取り得る。検出された信号はまた、レチクル上の異なる配置または走査点に対応する異なる強度値を有する画像の形態を取り得る。レチクル画像は、レチクルのすべての配置が走査され、検出された信号に転換された後に生成され得るか、またはレチクル画像の部分は、各レチクル部分が走査されるにつれて生成され、全レチクルが走査された後に最終レチクル画像が完成され得る。
入射光または検出された光は、任意の好適な入射角で任意の入射光または検出された光のプロファイルを生産するために、任意の好適な空間開口部を通って通過され得る。例として、プログラム可能照明または検出開口部は、双極子、四極子、クエーサー、環形などの特定の光線プロファイルを生産するために利用され得る。具体的な一例において、光源マスク最適化（ＳＭＯ）または任意の画素化照明技術が実装され得る。
１つ以上のレチクル部分、または「パッチ」のうちの各セットの検出された信号のデータは、平行パッチプロセッサに送信され得る。例えば、第１のパッチの強度値は第１のプロセッサに送信され得、第２のパッチの強度値は第２のプロセッサに送信され得る。あるいは、事前に定義された数のパッチのデータは、個々のパッチプロセッサに送信され得る。
本発明の技術は、ハードウェア及び／またはソフトウェアの任意の好適な組み合わせで実装され得る。図５は、本発明の技術が実装され得る、例示的な検査システム５００の図表表現である。検査システム５００は、検査治具または走査器（図示せず）からの入力５０２を受信し得る。検査システムはまた、受信された入力５０２を分配するためのデータ分配システム（例えば、５０４ａ及び５０４ｂ）、受信された入力５０２の特定の部分／パッチを処理するための強度値信号（またはパッチ）処理システム（例えば、パッチプロセッサ及びメモリ５０６ａ及び５０６ｂ）、ベースライン事象を生成するためのベースライン生成システム（例えば、ベースライン生成プロセッサ及びメモリ５１２）、検査システム構成要素間の通信を可能にするためのネットワーク（例えば、交換ネットワーク５０８）、任意の大量記憶装置５１６、ならびに候補欠陥を再調査するための１つ以上の検査制御及び／または再調査ステーション（例えば、５１０）を含み得る。検査システム５００の各プロセッサは、典型的に１つ以上のマイクロプロセッサ集積回路を含み得、インターフェイス及び／またはメモリ集積回路もまた含み得、１つ以上の共有及び／またはグローバルメモリ装置に更に結合され得る。
入力データ５０２を生成するための走査器またはデータ取得システム（図示せず）は、レチクル（もしくは他の検体）の強度値信号または画像を得るための任意の好適な機器の形態（例えば、本明細書に更に記載されるようなもの）を取り得る。例えば、走査器は、反射、透過、または別の方法で１つ以上の光感知器に向けられる、検出された光の一部分に基づいて光学的画像を構築するか、またはレチクルの一部分の強度値を生成し得る。その後、走査器が強度値を出力し得るか、または画像が走査器から出力され得る。
強度値または画像データ５０２は、ネットワーク５０８を介してデータ分配システムによって受信され得る。データ分配システムは、受信されたデータ５０２のうちの少なくとも一部分を維持するための、ＲＡＭバッファなどの１つ以上のメモリ装置と関連付けられ得る。好ましくは、メモリ全体は少なくとも全スウォースのデータを維持するために十分に大きい。例えば、１ギガバイトのメモリは、１００万×１０００画素または点であるパッチのレチクルスウォースに対して良好に機能する。
データ分配システム（例えば、５０４ａ及び５０４ｂ）はまた、受信された入力データ５０２の部分のプロセッサ（例えば、５０６ａ及び５０６ｂ）への分配を制御し得る。例えば、データ分配システムは第１のパッチのデータを第１のパッチプロセッサ５０６ａにルーティングし得、第２のパッチのデータをパッチプロセッサ５０６ｂにルーティングし得る。複数のパッチのデータの複数のセットもまた、各パッチプロセッサにルーティングされ得る。
パッチプロセッサは、レチクルの少なくとも一部分またはパッチに対応する強度値または画像を受信し得る。パッチプロセッサはまた、受信されたデータ部分を維持することなどのローカルメモリ機能を提供する、ＤＲＡＭ装置などの１つ以上のメモリ装置（図示せず）にそれぞれ結合または統合され得る。好ましくは、メモリは、レチクルのパッチに対応するデータを維持するために十分に大きい。例えば、８メガバイトのメモリは、５１２×１０２４画素であるパッチに対応する強度値または画像に対して良好に機能する。あるいは、パッチプロセッサはメモリを共有し得る。
入力データ５０２の各セットは、レチクルのスウォースに対応し得る。データの１つ以上のセットは、データ分配システムのメモリ内に記憶され得る。このメモリはデータ分配システム内の１つ以上のプロセッサによって制御され得、メモリは複数の分割に分けられ得る。例えば、データ分配システムは、スウォースの一部分に対応するデータを第１のメモリ分割（図示せず）内に受信し得、データ分配システムは、別のスウォースに対応する別のデータを第２のメモリ分割（図示せず）内に受信し得る。好ましくは、データ分配システムのメモリ分割のうちのそれぞれは、そのようなメモリ分割に関連付けられるプロセッサにルーティングされるべきデータの部分のみを維持する。例えば、データ分配システムの第１のメモリ分割は第１のデータを維持し、パッチプロセッサ５０６ａにルーティングし得、第２のメモリ分割は第２のデータを維持し、パッチプロセッサ５０６ｂにルーティングし得る。
データ分配システムは、データの任意の好適なパラメータに基づくデータの各データのセットを定義し、分配し得る。例えば、データは、レチクル上のパッチの対応する配置に基づいて定義され、分配され得る。一実施形態において、各スウォースは、スウォース内の画素の水平配置に対応する様々な列配置に関連付けられる。例えば、スウォースの列０〜２５６までは第１のパッチに対応し得、これらの列内の画素は、１つ以上のパッチプロセッサにルーティングされる第１の画像または強度値のセットを含む。同様に、スウォースの列２５７〜５１２までは第２のパッチに対応し得、これらの列内の画素は、異なるパッチプロセッサ（複数可）にルーティングされる第２の画像または強度値のセットを含む。
図６Ａは、特定の実施形態に従う、フォトマスクＭからのマスクパターンをウェハＷ上に転写するために使用され得る、典型的なリソグラフィシステム６００の簡易模式表現である。そのようなシステムの例は、走査器及びステッパ、より具体的にはＶｅｌｄｈｏｖｅｎ，ＮｅｔｈｅｒｌａｎｄｓのＡＳＭＬから入手可能なＰＡＳ５５００システムを含む。一般的に、照明源６０３は、照明光学６０７（例えば、レンズ６０５）を通して、マスク平面６０２内に位置付けられるフォトマスクＭ上に光線を向ける。照明レンズ６０５は、その平面６０２に開口数６０１を有する。開口数６０１の値は、フォトマスク上のどの欠陥がリソグラフィにとって重要な欠陥であり、どの欠陥がそうでないのかに影響を与える。フォトマスクＭを通過する光線の一部分は、撮像光学６１３を通してウェハＷ上に向けられて、パターン転写を開始する、パターン化された光学的信号を形成する。
図６Ｂは、特定の実施形態に従う、レチクル平面６５２に比較的大きい開口数６５１ｂを有する撮像レンズを含む、照明光学６５１ａを有する、例示的な検査システム６５０の模式表現を提供する。描写される検査システム６５０は、例えば、改良された検査のために６０〜２００倍以上の拡大率を提供するように設計される顕微鏡拡大率光学を含む、検出光学６５３ａ及び６５３ｂを含む。例えば、検査システムのレチクル平面６５２の開口数６５１ｂは、リソグラフィシステム６００のレチクル平面６０２の開口数６０１よりもかなり大きくあり得、これは、試験検査画像と実際の印刷された画像との間の差異につながる。
本明細書に記載される検査技術は、図６Ｂに模式的に図示されるものなどの、様々な特別に構成される検査システム上に実装され得る。図示されるシステム６５０は、照明工学６５１ａを通して、レチクル平面６５２内のフォトマスクＭ上に向けられる光線を生産する照明源６６０を含む。以上に説明するように、検査システム６５０は、レチクル平面６５２に、対応するリソグラフィシステムのレチクル平面開口数（例えば、図６Ａの要素６０１）よりも大きくあり得る開口数６５１ｂを有し得る。検査されるべきフォトマスクＭは、レチクル平面６５２のマスクステージ上に定置され、源に曝露される。
マスクＭからのパターン化された画像は、パターン化された画像を感知器６５４ａ上に投射する、光学的要素６５３ａの収集を通して向けられる。反射システムにおいて、光学的要素（例えば、光線スプリッタ６７６及び検出レンズ６７８）は、反射光を感知器６５４ａ上に向け、捕捉する。好適な感知器は、電荷結合素子（ＣＣＤ）、ＣＣＤアレイ、時間遅延統合（ＴＤＩ）感知器、ＴＤＩ感知器アレイ、光電子増倍管（ＰＭＴ）、及び他の感知器を含む。
照明光学カラムは、レチクルのパッチを走査するために、任意の好適な機構によって、マスクステージに関して移動されるか、検出器またはカメラに対して移動され得る。例えば、ステージを移動するためにモータ機構が利用され得る。例として、モータ機構は、スクリュー駆動及びステッパモータ、フィードバック配置を有するリニア駆動、またはバンドアクチュエータ及びステッパモータから形成され得る。
各感知器（例えば、６５４ａ及び／または６５４ｂ）によって捕捉される信号は、コンピュータシステム６７３によって、またはより一般的には、各感知器からのアナログ信号を、処理のためにデジタル信号に転換するように構成された、アナログ対デジタル転換器を含み得る１つ以上の信号処理装置によって処理され得る。コンピュータシステム６７３は、典型的に、適切なバスまたは他の通信機構を介して、入力／出力ポート及び１つ以上のメモリに結合された１つ以上のプロセッサを有する。
コンピュータシステム６７３はまた、変化する焦点または他の検査レシピパラメータなどのユーザ入力を提供するための１つ以上の入力装置（例えば、キーボード、マウス、操作レバー）を含み得る。コンピュータシステム６７３はまた、例えば、試料配置（例えば、焦点または走査）を制御するためにステージに接続され、他の検査パラメータ及びそのような検査システム構成要素の構成を制御するために他の検査システム構成要素に接続され得る。
コンピュータシステム６７３は、結果としての強度値、画像、及び他の検査結果を表示するためのユーザインターフェイス（例えば、コンピュータ画面）を提供するために（例えば、プログラム化命令によって）構成され得る。コンピュータシステム６７３は、反射及び／または透過された感知された光線の強度、相、及び／または他の特性を分析するように構成され得る。コンピュータシステム６７３は、結果としての強度値、画像、及び他の検査特性を表示するためのユーザインターフェイス（例えば、コンピュータ画面上）を提供するために（例えば、プログラム化命令によって）構成され得る。特定の実施形態において、コンピュータシステム６７３は、以上に詳説される検査技術を実行するように構成される。
そのような情報及びプログラム命令は特別に構成されたコンピュータシステム上で実装され得るため、そのようなシステムは、非一時的なコンピュータ可読媒体上に記憶され得る、本明細書に記載される様々な動作を実行するためのプログラム命令／コンピュータコードを含む。機械可読媒体の例は、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、及び磁気テープなどの磁気媒体；ＣＤ−ＲＯＭディスクなどの光学的媒体；光学ディスクなどの磁気−光学媒体；ならびにプログラム命令を記憶し、実行するように特別に構成された、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などのハードウェア装置を含むが、これに限定されない。プログラム命令の例は、コンパイラによって生産されるものなどの機械コード、及び解釈プログラムを使用してコンピュータによって実行され得る、より高レベルのコードを含むファイルの両方を含む。
特定の実施形態において、フォトマスクを検査するためのシステムは、本明細書に記載される技術を実行するように構成される、少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサを含む。検査システムの一例は、Ｍｉｌｐｉｔａｓ，ＣａｌｉｆｏｒｎｉａのＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから入手可能な、特別に構成されたＴｅｒａＳｃａｎ（商標）ＤＵＶ検査システムを含む。
前述の発明が、理解の明確さの目的のためにいくらか詳細に記載されているものの、添付の特許請求の範囲の範囲内で特定の変更及び修正が実行され得ることは明らかである。本発明のプロセス、システム、及び器具を実装する多くの代替的な方法が存在することが留意されるべきである。したがって、本実施形態は制限的ではなく図示的であると考えられるべきであり、本発明は本明細書に与えられる詳細によって制限されるべきではない。
Claims (28)
- フォトリソグラフィレチクルを検査する方法であって、
仕様の範囲内であると特定されているレチクルの第１の単一ダイ検査を実行して、前記レチクルの複数の異常なベースライン特徴に対応する複数のベースライン事象を生成することであって、各ベースライン事象が対応する異常なベースライン特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用した後、レチクル検査治具を介して前記レチクルの第２の単一ダイ検査を実行して、前記レチクルの複数の現在の異常な特徴に対応する複数の現在の事象を生成することであって、各現在の事象が対応する現在の異常な特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
複数の候補レチクル欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することであって、前記候補欠陥が前記現在の事象の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、前記現在の事象の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外し、前記検査報告に含まれる事象の前記第１のサブセットの事象のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの事象のうちのそれぞれが、前記事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する、生成することと、を含む、方法。 - 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）装飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、そのようなレチクルの元の設計の一部ではなく、そのようなレチクルを使用するウェハ収率を制限しないと決定されたレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、前記レチクルを使用するフォトリソグラフィプロセス中に、ウェハ上に印刷されないと決定されているレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、前記レチクル上の欠陥を補正するための修復特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
- 前記第１及び第２の単一ダイ検査が、そのような特徴の状況に基づいて、前記レチクルのどの特徴が非典型的であるかを決定する、請求項１に記載の方法。
- 前記第１及び第２の単一ダイ検査がテンプレート照合を含む、請求項６に記載の方法。
- 前記ベースライン事象の複数のベースライン画像を破棄することと、前記第２のサブセット候補事象の対応する画像を破棄することと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
- 各ベースライン事象がチャネルを更に示し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの事象のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象のチャネルならびに場所及びサイズ値と照合するチャネルならびに場所及びサイズ値を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記候補欠陥及びそれらの画像の前記検査報告を生成することが、
事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有する各現在の事象について、前記第２の単一ダイ検査よりも厳密でない閾値またはアルゴリズムを有する第３の単一ダイ検査を実行することによって、そのような現在の事象が候補欠陥であるかどうかを決定することを含む、請求項１に記載の方法。 - 前記候補欠陥画像及び前記除外された画像が、反射画像、透過画像、または反射画像及び透過画像の組み合わせのうちの１つ以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記候補欠陥が、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズと照合する場所及びサイズ値をそれぞれが有し、修復場所として特定される、現在の事象の第３のサブセットを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 前記第１の単一ダイ検査がレチクル検査治具を使用して実行される、請求項１に記載の方法。
- 前記第１の単一ダイ検査が、設計データベースから生成されたレチクル画像上に実行される、請求項１に記載の方法。
- 前記現在の異常な事象とベースラインの現在の事象との間の照合が、
前記現在及びベースラインの異常な事象のサブセットのための参照画像ならびにそれらの対応する試験画像を見出すことと、
前記現在及びベースラインの異常な事象のサブセットについて、参照画像とそれらの対応する試験画像との比較に基づいて、現在及びベースラインの候補欠陥を見出すことと、
任意の現在の候補欠陥とベースラインの候補欠陥との間の照合が存在するかどうかを決定し、照合を有さない１つ以上の候補欠陥にのみ更なる処理を実行することであって、前記参照画像の少なくとも一部が、対応する参照画像が見出されなかったベースラインの異常な事象のベースライン画像である、実行することと、によって見出される、請求項１に記載の方法。 - フォトリソグラフィレチクルを検査するための検査システムであって、以下の動作、
仕様の範囲内であると特定されているレチクルの第１の単一ダイ検査において、前記レチクルの複数の異常なベースライン特徴に対応する複数のベースライン事象を生成することであって、各ベースライン事象が対応する異常なベースライン特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用した後、前記レチクルの第２の単一ダイ検査を実行して、前記レチクルの複数の現在の異常な特徴に対応する複数の現在の事象を生成することであって、各現在の事象が対応する現在の異常な特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
複数の候補レチクル欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することであって、前記候補欠陥が前記現在の事象の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、前記現在の事象の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外し、前記検査報告に含まれる前記第１のサブセットの事象のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの事象のうちのそれぞれが、前記事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する、生成することと、を実行するように構成される、少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサを備える、システム。 - 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）装飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に対応する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、そのようなレチクルの元の設計の一部ではなく、そのようなレチクルを使用するウェハ収率を制限しないと決定されたレチクル特徴に対応する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、前記レチクルを使用するフォトリソグラフィプロセス中に、ウェハ上に印刷されないと決定されているレチクル特徴に対応する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記ベースライン事象のうちの少なくともいくつかが、前記レチクル上の欠陥を補正するための修復特徴に対応する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記第１及び第２の単一ダイ検査が、そのような特徴の状況に基づいて、前記レチクルのどの特徴が非典型的であるかを決定する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記第１及び第２の単一ダイ検査がテンプレート照合を含む、請求項２１に記載のシステム。
- 前記ベースライン事象の複数のベースライン画像を破棄し、前記第２のサブセットの候補事象の対応する画像を破棄するように更に構成される、前記少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサである、請求項１６に記載のシステム。
- 各ベースライン事象がチャネルを更に示し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの事象のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象のチャネルならびに場所及びサイズ値と照合するチャネルならびに場所及びサイズ値を有する、請求項１６に記載のシステム。
- 前記候補欠陥及びそれらの画像の前記検査報告を生成することが、
事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有する各現在の事象について、前記第２の単一ダイ検査よりも厳密でない閾値またはアルゴリズムを有する第３の単一ダイ検査を実行することによって、そのような現在の事象が候補欠陥であるかどうかを決定することを含む、請求項１６に記載のシステム。 - 前記候補欠陥画像及び前記除外された画像が、反射画像、透過画像、または反射画像及び透過画像の組み合わせのうちの１つ以上の組み合わせを含む、請求項１６に記載のシステム。
- 前記候補欠陥が、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズと照合する場所及びサイズ値をそれぞれが有し、修復場所として特定される、現在の事象の第３のサブセットを更に含む、請求項１６に記載のシステム。
- 以下の動作、
仕様の範囲内であると特定されているレチクルの第１の単一ダイ検査を実行して、前記レチクルの複数の異常なベースライン特徴に対応する複数のベースライン事象を生成することであって、各ベースライン事象が対応する異常なベースライン特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用した後、光学的レチクル検査治具を介して前記レチクルの第２の単一ダイ検査を実行して、前記レチクルの複数の現在の異常な特徴に対応する複数の現在の事象を生成することであって、各現在の事象が対応する現在の異常な特徴の場所及びサイズ値を示す、生成することと、
複数の候補レチクル欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することであって、前記候補欠陥が前記現在の事象の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、前記現在の事象の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外し、前記検査報告に含まれる事象の前記第１のサブセットのうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの事象のうちのそれぞれが、前記事前に定義された量だけ、任意のベースライン事象の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する、生成することと、を実行するための命令をその上に記憶するコンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361859670P | 2013-07-29 | 2013-07-29 | |
| US61/859,670 | 2013-07-29 | ||
| US14/278,277 | 2014-05-15 | ||
| US14/278,277 US9518935B2 (en) | 2013-07-29 | 2014-05-15 | Monitoring changes in photomask defectivity |
| PCT/US2014/048720 WO2015017453A1 (en) | 2013-07-29 | 2014-07-29 | Monitoring changes in photomask defectivity |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016528497A true JP2016528497A (ja) | 2016-09-15 |
| JP2016528497A5 JP2016528497A5 (ja) | 2017-09-14 |
| JP6472447B2 JP6472447B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=52390256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016531834A Active JP6472447B2 (ja) | 2013-07-29 | 2014-07-29 | フォトマスク欠陥性における変化の監視 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9518935B2 (ja) |
| JP (1) | JP6472447B2 (ja) |
| KR (1) | KR102102019B1 (ja) |
| CN (2) | CN109659245B (ja) |
| TW (1) | TWI623812B (ja) |
| WO (1) | WO2015017453A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2020510864A (ja) * | 2017-02-21 | 2020-04-09 | ケーエルエー コーポレイション | ２つのフォトマスクを比較することによるフォトマスクの検査 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9518935B2 (en) | 2013-07-29 | 2016-12-13 | Kla-Tencor Corporation | Monitoring changes in photomask defectivity |
| US10395358B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | High sensitivity repeater defect detection |
| DE102018105322A1 (de) | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer industriellen Maschine |
| US10866197B2 (en) * | 2018-09-20 | 2020-12-15 | KLA Corp. | Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks |
| CN112955926A (zh) | 2018-10-23 | 2021-06-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于自适应对准的方法和装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008020374A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| US7873204B2 (en) | 2007-01-11 | 2011-01-18 | Kla-Tencor Corporation | Method for detecting lithographically significant defects on reticles |
| US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
| JP5229575B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2013-07-03 | ソニー株式会社 | 画像処理装置および方法、並びにプログラム |
| CN102792297A (zh) * | 2010-03-01 | 2012-11-21 | 日本电气株式会社 | 模式匹配装置、模式匹配方法和模式匹配系统 |
| JP2011247957A (ja) | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | パターン検査方法および半導体装置の製造方法 |
| US9518935B2 (en) | 2013-07-29 | 2016-12-13 | Kla-Tencor Corporation | Monitoring changes in photomask defectivity |
-
2014
- 2014-05-15 US US14/278,277 patent/US9518935B2/en active Active
- 2014-07-29 CN CN201811100685.1A patent/CN109659245B/zh active Active
- 2014-07-29 KR KR1020167004810A patent/KR102102019B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-29 CN CN201480049582.0A patent/CN105531807B/zh active Active
- 2014-07-29 WO PCT/US2014/048720 patent/WO2015017453A1/en active Application Filing
- 2014-07-29 TW TW103125901A patent/TWI623812B/zh active
- 2014-07-29 JP JP2016531834A patent/JP6472447B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-07 US US15/344,788 patent/US9892503B2/en active Active
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| TWI760437B (zh) * | 2017-02-21 | 2022-04-11 | 美商克萊譚克公司 | 檢測一光微影倍縮光罩之方法及系統，以及電腦可讀媒體 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160039642A (ko) | 2016-04-11 |
| US20150029498A1 (en) | 2015-01-29 |
| CN109659245B (zh) | 2020-08-04 |
| US9518935B2 (en) | 2016-12-13 |
| US20170053395A1 (en) | 2017-02-23 |
| TWI623812B (zh) | 2018-05-11 |
| KR102102019B1 (ko) | 2020-04-17 |
| CN105531807B (zh) | 2018-10-19 |
| CN105531807A (zh) | 2016-04-27 |
| US9892503B2 (en) | 2018-02-13 |
| TW201514616A (zh) | 2015-04-16 |
| WO2015017453A1 (en) | 2015-02-05 |
| JP6472447B2 (ja) | 2019-02-20 |
| CN109659245A (zh) | 2019-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170726 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170726 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190122 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6472447 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |