KR20190142418A - 리피터 분석을 위한 높은 정확도의 상대적 결함 위치 - Google Patents

Abstract

웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 멀티 다이 레티클의 제1 인스턴스에서의 제1 다이에서의 제1 스와스에서의 제1 프레임에 대한 검사 서브시스템의 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 다른 레티클 인스턴스에서의 대응하는 프레임, 스와스, 및 다이에 대한 출력으로 정렬하는 것을 포함한다. 방법은 또한, 프레임 및 그에 정렬되는 대응하는 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표에 기초하여 다른 레티클 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 것 및 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를, 결함이 검출되는 다른 레티클 인스턴스에 기초하여 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에 적용하고, 그에 의해, 결함에 대한 스와스 좌표를, 다른 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터 제1 레티클 인스턴스로 변환하는 것을 포함한다.

Description

리피터 분석을 위한 높은 정확도의 상대적 결함 위치

발명의 배경

1. 발명의 분야

본 발명은 일반적으로 리피터 분석을 위한 상대적으로 높은 정확도를 갖는 상대적 결함 위치를 결정하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.

2. 관련 기술의 설명

다음의 설명 및 예는, 이 섹션에서의 그들의 포함 덕분에 종래 기술인 것으로 인정되는 것은 아니다.

로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은, 통상적으로, 다양한 피쳐 및 다수의 레벨의 반도체 디바이스를 형성하기 위한 아주 많은 수의 반도체 제조 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 프로세싱하는 것을 포함한다. 예를 들면, 리소그래피는, 레티클로부터의 패턴을 반도체 웨이퍼 상에 배치되는 레지스트로 전사하는 것을 수반하는 반도체 제조 프로세스이다. 반도체 제조 프로세스의 추가적인 예는, 화학적 기계적 연마(chemical-mechanical polishing; CMP), 에칭, 퇴적(deposition), 및 이온 주입을 포함하지만, 그러나 이들로 제한되는 것은 아니다. 다수의 반도체 디바이스는 단일의 반도체 웨이퍼 상에서 한 배열(arrangement)로 제조될 수도 있고, 그 다음 개개의 반도체 디바이스로 분리될 수도 있다.

웨이퍼 상의 결함을 검출하여 제조 프로세스에서 더 높은 수율을, 따라서, 더 높은 이익을 촉진시키기 위해, 반도체 제조 프로세스 동안 다양한 단계에서 검사 프로세스가 사용된다. 검사는, 항상, IC와 같은 반도체 디바이스 제조의 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 조건에 맞는 반도체 디바이스의 성공적인 제조를 위해 검사는 더욱 중요하게 되었는데, 그 이유는 더 작은 결함이 디바이스의 고장을 야기할 수 있기 때문이다.

몇몇 현재의 검사 방법은 웨이퍼 상에서 리피터 결함(repeater defect)을 검출하여, 그에 의해, 레티클 상의 결함을 검출하게 된다. 예를 들면, 레티클은 상이한 영역에서 웨이퍼 상에 반복적으로 인쇄되어, 그에 의해, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스를 생성한다. 그와 같이, 레티클 상의 동일한 위치에 대응하는 웨이퍼 상의 다수의 위치에서 결함이 반복적으로 검출되면("리피터 결함"), 그 결함은 레티클 그 자체에 의해 야기될 수도 있다. 따라서, 리피터 결함이, 어떤 다른 원인보다는, 레티클 결함에 의해 야기되는지를 결정하기 위해, 그들은 분석될 수도 있다. 단일 다이 레티클(single-die reticle)은, 하나의 다이로만 구성되는 레티클로서 일반적으로 정의된다. 멀티 다이 레티클(multi-die reticle)은, 다수의 다이로 구성되는 레티클이다.

일반적으로, 리피터 결함 검출(repeater defect detection; RDD)은 웨이퍼 사후 프로세싱(post-processing; PP) 동작으로서 수행된다. 예를 들면, 검사 툴은 정상적인 다이 대 다이(die-to-die) 결함 검출(defect detection; DD)을 수행할 수도 있고, 모든 웨이퍼 결함이 보고된 이후, RDD는, 웨이퍼가 스캐닝되고 있는 상이한 컴퓨터 컴포넌트에서 수행되기 보다는, 사후 프로세싱 단계에서 수행될 수도 있다. 리피터 결함은 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 몇몇 인스턴스에서 동일한 상대적 레티클 위치(소정의 공차(tolerance) 이내)에 배치되는 결함으로서 정의된다.

웨이퍼 상에 인쇄된 멀티 다이 레티클에 대해 수행되는 것과 같은 몇몇 현재 사용되는 리피터 결함 검출 방법 및 시스템에서, 결함은 스와스 단위로(swath-by-swath) 검출되고 결함 위치는 다이 또는 레티클과 관련하여 보고된다. 그러한 방법 및 시스템은 각각의 스와스(swath) 내에서 양호한 결함 위치를 생성하는데, 그 이유는, 프리맵(premap) 및 런타임 정렬(run-time alignment; RTA)이 다이를 동일한 스와스 또는 레티클 행에서 정렬하기 때문이다. 그러나 레티클 행에 걸친 스와스 사이에서 레티클 인스턴스를 정렬하기 위한 어떠한 메커니즘도 없다. 상이한 레티클 인스턴스 상의 스와스 사이의 리피터 결함 위치는, 스와스 위치 정확도의 2 배만큼 클 수 있는데, 예를 들면, 약 300 mm 또는 약 10 픽셀일 수 있다. 이상적으로는, 리피터 공차는 모든 리피터 인스턴스를 찾기 위해 300 nm 이상으로 설정되어야 한다. 상대적으로 큰 리피터 공차는 더 많은 랜덤 결함이 리피터로서 검출되게 한다.

따라서, 상기에서 설명되는 단점 중 하나 이상의 단점을 갖지 않는 리피터 분석을 위한 상대적으로 높은 정확도를 가지고 상대적 결함 위치를 결정하기 위한 시스템 및/또는 방법을 개발하는 것이 유리할 것이다.

다양한 실시형태의 하기의 설명은, 첨부된 청구범위의 주제를 어떤 식으로든 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

하나의 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은, 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템을 포함한다. 에너지 소스는 웨이퍼로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성된다. 검출기는 웨이퍼로부터 에너지를 검출하도록 그리고 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성된다. 출력은 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스의 프레임의 출력을 포함하고, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 다수의 다이의 적어도 두 개의 인스턴스를 포함한다.

시스템은 또한 검출기에 의해 생성되는 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 단일 다이 레티클의 경우, 리피터 결함은 다이 대 다이 비교를 갖는 어떠한 접근법에 의해서도 검출될 수 없는데, 그 이유는, 리피터 결함 신호가 그러한 비교에 의해 상쇄되기 때문이다. 단일 다이 레티클에 대한 결함 검출을 위해서는 상이한 접근법이 사용될 수 있다. 이것은 본원에서 설명되는 실시형태의 주제는 아니다. 멀티 다이 레티클의 경우, 리피터 결함은 바로 이웃하는 다이에서 나타나지 않으며, 따라서 다이 대 다이 비교가 사용될 수 있다. 결함의 위치는 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고된다.

하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 다이 중 제1 다이에서의 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 다수의 다이 중 대응하는 다이에서의 다수의 스와스 중 대응하는 스와스에서의 프레임 중 대응하는 프레임에 대한 출력에 정렬하도록 구성된다. 게다가, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표와 정렬 단계에서 그와 정렬되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하도록 구성된다. 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하도록 구성되는데, 여기서 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 결함이 검출된 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표를, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환하게 된다. 시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

다른 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 상기에서 설명되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 기능의 각각에 대한 단계를 포함한다. 방법의 단계는, 상기에서 설명되는 바와 같이 구성되는 검사 서브시스템에 커플링되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다. 방법은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 게다가, 방법은, 본원에서 설명되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 더구나, 방법은 본원에서 설명되는 시스템 중 임의의 것에 의해 수행될 수도 있다.

추가적인 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 구현 방법은 상기에서 설명되는 방법의 단계를 포함한다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다. 컴퓨터 구현 방법의 단계는 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 게다가, 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 본원에서 설명되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다.

본 발명의 다른 목적 및 이점은, 하기의 상세한 설명을 판독하면 그리고 첨부의 도면을 참조하면 명확해질 것인데, 첨부의 도면에서:
도 1 및 도 2는, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성되는 시스템의 실시형태의 측면도를 예시하는 개략도이다;
도 3은 결함 위치가 상이한 결함 위치 정확도를 가지고 결정된 결함에 대해 생성되는 상이한 리피터 결함 검출 결과의 예의 레티클 스택 뷰(reticle stack view)를 예시하는 개략도이다;
도 4는 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 인스턴스의 하나의 예의 평면도 및 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 개개의 인스턴스의, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 제1 인스턴스로의 결함 좌표 변환의 하나의 실시형태를 예시하는 개략도이다;
도 5 및 도 7은 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 인스턴스의 하나의 예의 평면도 및 본원에 설명되는 실시형태에서 사용하기 위해 레티클 인스턴스 중 하나의 인스턴스의 다수의 스와스에서 정렬 타겟을 선택하는 실시형태를 예시하는 개략도이다;
도 6 및 도 8은 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 인스턴스의 하나의 예의 평면도 및 웨이퍼 상에서 검출되는 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표를, 결함이 검출된 레티클의 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 인스턴스 중 제1 인스턴스의 스와스 좌표로 변환하는 실시형태를 예시하는 개략도이다;
도 9는, 본원에서 설명되는 컴퓨터 구현 방법 중 하나 이상을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 하나의 실시형태를 예시하는 블록도이다.
본 발명이 다양한 수정예 및 대안적인 형태를 허용하지만, 그 특정한 실시형태가 예로서 도면에서 도시되며 본원에서 상세히 설명될 것이다. 그러나, 도면 및 도면에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시되는 특정한 형태로 제한하도록 의도되는 것은 아니며, 오히려, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 취지와 범위 내에 속하는 모든 수정예, 등가예 및 대안예를 포괄할 것이다는 것이 이해되어야 한다.

이제, 도면을 참조하면, 도면은 일정한 비율로 묘사되지 않는다는 것을 유의한다. 특히, 도면의 엘리먼트 중 몇몇의 스케일은 그 엘리먼트의 특성을 강조하기 위해 크게 과장된다. 도면은 동일한 비율로 묘사되지 않는다는 것을 또한 유의한다. 유사하게 구성될 수도 있는 하나보다 많은 도면에서 도시되는 엘리먼트는, 동일한 참조 부호를 사용하여 나타내어진다. 본원에서 그렇지 않다고 언급되지 않는 한, 설명되고 도시되는 엘리먼트 중 임의의 것은 임의의 적절한 상업적으로 이용 가능한 엘리먼트를 포함할 수도 있다.

하나의 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 본원에서 설명되는 실시형태는, 웨이퍼 상에 인쇄되는 멀티 다이 레티클에 의해 야기되는 웨이퍼 상의 리피터 결함을 검출하는 데 특히 적합하다. 멀티 다이 레티클의 경우, 다이 및 레티클 좌표 변환은 알려져 있으며 모든 다이 행에 대해 고정된다. 결함 다이 위치가 결정되면, 그것의 레티클 위치가 계산될 수 있다. 일반적으로, 본원에서 설명되는 실시형태는, 리피터 분석을 위한 정확한(또는 실질적으로 정확한) 상대적 결함 위치를 결정하도록 구성된다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시형태는 일반적으로 검사 동안 결함 위치를 웨이퍼 상에 인쇄되는 모든 레티클 인스턴스로부터 공통 좌표로 변환하고 상대적 결함 위치 정확도를 상당히 증가시킨다. 본원에서 설명되는 실시형태는 리피터 분석을 위한 잘못된 리피터 결함 카운트를 감소시키는 것을 도울 수 있다. 멀티 다이 레티클은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 멀티 다이 레티클일 수 있다. 웨이퍼는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 웨이퍼를 포함할 수도 있다.

그러한 시스템의 하나의 실시형태는 도 1에서 도시된다. 시스템은, 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템을 포함한다. 에너지 소스는 웨이퍼로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성된다. 검출기는 웨이퍼로부터 에너지를 검출하도록 그리고 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성된다.

하나의 실시형태에서, 웨이퍼로 지향되는 에너지는 광을 포함하고, 웨이퍼로부터 검출되는 에너지는 광을 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 시스템의 실시형태에서, 검사 서브시스템(10)은 광을 웨이퍼(14)로 지향시키도록 구성되는 조명 서브시스템을 포함한다. 조명 서브시스템은 적어도 하나의 광원을 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 바와 같이, 조명 서브시스템은 광원(16)을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 조명 서브시스템은 하나 이상의 입사각에서 광을 웨이퍼로 지향시키도록 구성되는데, 하나 이상의 입사각은, 하나 이상의 경사각(oblique angle) 및/또는 하나 이상의 수직각(normal angle)을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 바와 같이, 광원(16)으로부터의 광은 광학 엘리먼트(18) 및 그 다음 렌즈(20)를 통해 빔 스플리터(21)로 지향되는데, 빔 스플리터(21)는 수직의 입사각에서 광을 웨이퍼(14)로 지향시킨다. 입사각은 임의의 적절한 입사각을 포함할 수도 있는데, 임의의 적절한 입사각은, 예를 들면, 웨이퍼 및 웨이퍼 상에서 검출될 결함의 특성(characteristic)에 의존하여 변할 수도 있다.

조명 서브시스템은 상이한 시간에 상이한 입사각에서 광을 웨이퍼로 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 검사 서브시스템은, 도 1에서 도시되는 것과는 상이한 입사각에서 광이 웨이퍼로 지향될 수 있도록, 조명 서브시스템의 하나 이상의 엘리먼트의 하나 이상의 특성을 수정하도록 구성될 수도 있다. 하나의 그러한 예에서, 검사 서브시스템은, 광이 상이한 입사각에서 웨이퍼로 지향되도록, 광원(16), 광학 엘리먼트(18), 및 렌즈(20)를 이동시키게끔 구성될 수도 있다.

몇몇 경우에, 검사 서브시스템은 동시에 하나보다 많은 입사각에서 광을 웨이퍼로 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 조명 서브시스템은 하나보다 많은 조명 채널을 포함할 수도 있고, 조명 채널 중 하나는 도 1에서 도시되는 바와 같이 광원(16), 광학 엘리먼트(18), 및 렌즈(20)를 포함할 수도 있고, 조명 채널 중 다른 것(도시되지 않음)은, 상이하게 또는 동일하게 구성될 수도 있는 유사한 엘리먼트를 포함할 수도 있거나, 또는 적어도 광원 및 어쩌면 본원에서 추가로 설명되는 것과 같은 하나 이상의 다른 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 그러한 광이 다른 광과 동일한 시간에 웨이퍼로 지향되면, 상이한 입사각에서 웨이퍼로 지향되는 광의 하나 이상의 특성(예를 들면, 파장, 편광, 등등)은, 상이한 입사각에서 웨이퍼의 조명으로부터 유래하는 광이 검출기(들)에서 서로 구별될 수 있도록, 상이할 수도 있다.

다른 경우에, 조명 서브시스템은 단지 하나의 광원(예를 들면, 도 1에서 도시되는 소스(16))을 포함할 수도 있고, 광원으로부터의 광은 조명 서브시스템의 하나 이상의 광학 엘리먼트(도시되지 않음)에 의해 (예를 들면, 파장, 편광, 등등에 기초하여) 상이한 광학 경로로 분리될 수도 있다. 그 다음, 상이한 광학 경로의 각각에서의 광은 웨이퍼로 지향될 수도 있다. 동시에 또는 상이한 시간에(예를 들면, 웨이퍼를 순차적으로 조명하기 위해 상이한 조명 채널이 사용되는 경우) 광을 웨이퍼에 지향시키도록, 다수의 조명 채널이 구성될 수도 있다. 다른 경우에, 동일한 조명 채널은, 상이한 시간에 상이한 특성을 갖는 광을 웨이퍼로 지향시키도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 몇몇 경우에, 광학 엘리먼트(18)는 스펙트럼 필터로서 구성될 수도 있고, 스펙트럼 필터의 속성(property)은, 광의 상이한 파장이 상이한 시간에 웨이퍼로 지향될 수 있도록, 여러 가지 상이한 방식으로 (예를 들면, 스펙트럼 필터를 교환하는 것에 의해) 변경될 수 있다. 조명 서브시스템은, 상이한 또는 동일한 특성을 갖는 광을 상이한 또는 동일한 입사각에서 순차적으로 또는 동시적으로 웨이퍼로 지향시키기 위한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 구성을 구비할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 광원(16)은 광대역 플라즈마(broadband plasma; BBP) 광원을 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 광원에 의해 생성되며 웨이퍼로 지향되는 광은 광대역 광을 포함할 수도 있다. 그러나, 광원은 레이저와 같은 임의의 다른 적절한 광원을 포함할 수도 있다. 레이저는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 레이저를 포함할 수도 있고 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 파장 또는 파장들에서 광을 생성하도록 구성될 수도 있다. 게다가, 레이저는 단색성인(monochromatic) 또는 거의 단색성인 광을 생성하도록 구성될 수도 있다. 이 방식에서, 레이저는 협대역(narrowband) 레이저일 수도 있다. 광원은 또한, 다수의 별개의 파장 또는 파장 대역(waveband)에서 광을 생성하는 다색성 광원(polychromatic light source)을 포함할 수도 있다.

광학 엘리먼트(18)로부터의 광은 렌즈(20)에 의해 빔 스플리터(21)로 집광될 수도 있다. 비록 렌즈(20)가 도 1에서 단일의 굴절성 광학 엘리먼트로서 도시되지만, 렌즈(20)는, 실제로는, 조합하여 광학 엘리먼트로부터의 광을 웨이퍼로 집광시키는 다수의 굴절성 및/또는 반사성 광학 엘리먼트를 포함할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 도 1에서 도시되며 본원에서 설명되는 조명 서브시스템은 임의의 다른 적절한 광학 엘리먼트(도시되지 않음)를 포함할 수도 있다. 그러한 광학 엘리먼트의 예는, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 그러한 적절한 광학 엘리먼트를 포함할 수도 있는, 편광 컴포넌트(들), 스펙트럼 필터(들), 공간 필터(들), 반사성 광학 엘리먼트(들), 아포다이저(apodizer)(들), 빔 스플리터(들), 어퍼쳐(들), 및 등등을 포함하지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 게다가, 시스템은, 검사를 위해 사용될 조명의 타입에 기초하여 조명 서브시스템의 엘리먼트 중 하나 이상을 수정하도록 구성될 수도 있다.

검사 서브시스템은 또한, 광이 웨이퍼에 걸쳐 주사되게 하도록 구성되는 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 검사 서브시스템은, 검사 동안 웨이퍼(14)가 배치되는 스테이지(22)를 포함할 수도 있다. 스캐닝 서브시스템은, 광이 웨이퍼에 걸쳐 스캐닝될 수 있도록, 웨이퍼를 이동시키도록 구성될 수 있는 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇식 어셈블리(스테이지(22)를 포함함)를 포함할 수도 있다. 게다가, 또는 대안적으로, 검사 서브시스템은, 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 엘리먼트가 웨이퍼에 걸쳐 광의 어떤 스캐닝을 수행하도록 구성될 수도 있다. 광은 임의의 적절한 양식으로 웨이퍼에 걸쳐 스캐닝될 수도 있다.

검사 서브시스템은 하나 이상의 검출 채널을 더 포함한다. 하나 이상의 검출 채널 중 적어도 하나는, 검사 서브시스템에 의한 웨이퍼의 조명에 기인하여 웨이퍼로부터의 광을 검출하도록 그리고 검출된 광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성되는 검출기를 포함한다. 예를 들면, 도 1에서 도시되는 검사 서브시스템은 두 개의 검출 채널을 포함하는데, 하나는 콜렉터(collector)(24), 엘리먼트(26), 및 검출기(28)에 의해 형성되고 다른 하나는 콜렉터(30), 엘리먼트(32), 및 검출기(34)에 의해 형성된다. 도 1에서 도시되는 바와 같이, 두 개의 검출 채널은 상이한 수집각에서 광을 수집하고 검출하도록 구성된다. 몇몇 경우에, 하나의 검출 채널은 거울 반사된 광을 검출하도록 구성되고, 다른 검출 채널은 웨이퍼로부터 거울 반사되지 않는(예를 들면, 산란되는, 회절되는, 등등의) 광을 검출하도록 구성된다. 그러나, 검출 채널 중 두 개 이상은, 웨이퍼로부터 동일한 타입의 광(예를 들면, 거울 반사된 광)을 검출하도록 구성될 수도 있다. 비록 두 개의 검출 채널을 포함하는 검사 서브시스템의 한 실시형태를 도 1이 도시하지만, 검사 서브시스템은 상이한 수의 검출 채널(예를 들면, 단지 하나의 검출 채널 또는 두 개 이상의 검출 채널)을 포함할 수도 있다. 비록 콜렉터의 각각이 도 1에서 단일의 굴절성 광학 엘리먼트로서 도시되지만, 콜렉터의 각각은 하나 이상의 굴절성 광학 엘리먼트(들) 및/또는 하나 이상의 반사성 광학 엘리먼트(들)를 포함할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다.

하나 이상의 검출 채널은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 검출기를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 검출기는, 광 증배관(photo-multiplier tube; PMT), 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD) 및 시간 지연 통합(time delay integration; TDI) 카메라를 포함할 수도 있다. 검출기는 또한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 검출기를 포함할 수도 있다. 검출기는 또한, 비이미징(non-imaging) 검출기 또는 이미징(imaging) 검출기를 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 검출기가 비이미징 검출기이면, 검출기의 각각은, 세기(intensity)와 같은 산란된 광의 소정의 특성을 검출하도록 구성될 수도 있지만, 그러나 그러한 특성을 이미징 면 내에서의 위치의 함수로서 검출하도록 구성되지 않을 수도 있다. 그와 같이, 검사 서브시스템의 검출 채널의 각각에 포함되는 검출기의 각각에 의해 생성되는 출력은 신호 또는 데이터일 수도 있지만, 그러나 이미지 신호 또는 이미지 데이터는 아닐 수도 있다. 그러한 경우에, 시스템의 컴퓨터 서브시스템(36)과 같은 컴퓨터 서브시스템은, 검출기의 비이미징 출력으로부터 웨이퍼의 이미지를 생성하도록 구성될 수도 있다. 그러나, 다른 경우에, 검출기는, 이미징 신호 또는 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 이미징 검출기로서 구성될 수도 있다. 따라서, 시스템은 본원에서 설명되는 출력을 다수의 방식으로 생성하도록 구성될 수도 있다.

도 1은, 본원에서 설명되는 시스템 실시형태에 포함될 수도 있는 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 예시하기 위해 본원에서 제공된다는 것을 유의한다. 명백하게는, 본원에서 설명되는 검사 서브시스템 구성은 시스템의 성능을 최적화하도록 수정될 수도 있는데, 이러한 것은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 것이다. 게다가, 본원에서 설명되는 시스템은, KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 29xx/39xx 및 Puma(퓨마) 9xxx 시리즈의 툴과 같은 현존하는 검사 시스템을 사용하여 (예를 들면, 본원에서 설명되는 기능성을 현존하는 검사 시스템에 추가하는 것에 의해) 구현될 수도 있다. 몇몇 그러한 시스템의 경우, 본원에서 설명되는 방법은 시스템의 옵션의 기능성(optional functionality)으로서 (예를 들면, 시스템의 다른 기능성에 추가하여) 제공될 수도 있다. 대안적으로, 본원에서 설명되는 시스템은, 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수도 있다.

시스템의 컴퓨터 서브시스템(들)(36)은, 컴퓨터 서브시스템이 웨이퍼의 스캐닝 동안 검출기에 의해 생성되는 출력을 수신할 수 있도록, (예를 들면, "유선" 및/또는 "무선" 송신 매체를 포함할 수도 있는 하나 이상의 송신 매체를 통해) 임의의 적절한 방식으로 검사 서브시스템의 검출기에 커플링될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(36)은 본원에서 설명되는 바와 같은 검출기의 출력 및 본원에서 추가로 설명되는 임의의 다른 기능을 사용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수도 있다. 이 컴퓨터 서브시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

이 컴퓨터 서브시스템(뿐만 아니라 본원에서 설명되는 다른 컴퓨터 서브시스템)은 또한, 본원에서 컴퓨터 시스템(들)으로 칭해질 수도 있다. 본원에서 설명되는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)의 각각은, 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 임베딩된 시스템(embedded system), 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 어플라이언스, 인터넷 어플라이언스(appliance), 또는 다른 디바이스를 비롯한 다양한 형태를 취할 수도 있다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은, 메모리 매체로부터의 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 구비하는 임의의 디바이스를 포괄하도록 광의적으로 정의될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 또한, CPU 및 GPU와 같은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 프로세서를 포함할 수도 있다. 게다가, 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은, 고속 프로세싱 및 소프트웨어를, 독립형의 또는 네트워크화된 툴로서 갖는 컴퓨터 플랫폼을 포함할 수도 있다.

시스템이 하나보다 많은 컴퓨터 서브시스템을 포함하면, 상이한 컴퓨터 서브시스템은, 이미지, 데이터, 정보, 명령어, 등등이, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템 사이에서 전송될 수 있도록, 서로 커플링될 수도 있다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(36)은, 임의의 적절한 송신 매체에 의해 (도 1에서 점선에 의해 도시되는 바와 같이) 컴퓨터 서브시스템(들)(102)에 커플링될 수도 있는데, 임의의 적절한 송신 매체는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 송신 매체를 포함할 수도 있다. 이러한 컴퓨터 서브시스템 중 두 개 이상은 또한, 공유된 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(도시되지 않음)에 의해 효과적으로 커플링될 수도 있다.

비록 검사 서브시스템이 광학 또는 광 기반의 검사 서브시스템인 것으로 상기에서 설명되지만, 검사 서브시스템은 전자 빔 기반의 검사 서브시스템일 수도 있다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 웨이퍼로 지향되는 에너지는 전자를 포함하고, 웨이퍼로부터 검출되는 에너지는 전자를 포함한다. 이 방식에서, 에너지 소스는 전자 빔 소스일 수도 있다. 도 2에서 도시되는 하나의 그러한 실시형태에서, 검사 서브시스템은, 컴퓨터 서브시스템(들)(124)에 커플링되는 전자 칼럼(electron column)(122)을 포함한다.

또한 도 2에서 도시되는 바와 같이, 전자 칼럼은, 하나 이상의 엘리먼트(130)에 의해 웨이퍼(128)로 집속되는 전자를 생성하도록 구성되는 전자 빔 소스(126)를 포함한다. 전자 빔 소스는, 예를 들면, 캐소드 소스 또는 이미터 팁(emitter tip)을 포함할 수도 있고, 하나 이상의 엘리먼트(130)는, 예를 들면, 건 렌즈(gun lens), 애노드, 빔 제한용 어퍼쳐(beam limiting aperture), 게이트 밸브, 빔 전류 선택 어퍼쳐, 대물 렌즈, 및 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있는데, 이들 모두는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 이런 적절한 엘리먼트를 포함할 수도 있다.

웨이퍼로부터 되돌아오는 전자(예를 들면, 이차 전자)는 하나 이상의 엘리먼트(132)에 의해 검출기(134)로 집속될 수도 있다. 하나 이상의 엘리먼트(132)는, 예를 들면, 스캐닝 서브시스템을 포함할 수도 있는데, 스캐닝 서브시스템은 엘리먼트(들)(130)에 포함되는 동일한 스캐닝 서브시스템일 수도 있다.

전자 칼럼은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 엘리먼트를 포함할 수도 있다. 게다가, 전자 칼럼은 또한, Jiang 등등에게 2014년 4월 4일자로 발행된 미국 특허 제8,664,594호, Kojima 등등에게 2014년 4월 8일자로 발행된 미국 특허 제8,692,204호, Gubbens 등등에게 2014년 4월 15일자로 발행된 미국 특허 제8,698,093호, 및 MacDonald 등등에게 2014년 5월 6일자로 발행된 미국 특허 제8,716,662호에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있는데, 이들 특허는 참조에 의해, 마치 본원에서 완전히 기술되는 것처럼 통합된다.

비록 전자가 기울어진 입사각에서 웨이퍼로 지향되도록 그리고 다른 기울어진 각도에서 웨이퍼로부터 산란되도록 구성되는 것으로 전자 칼럼이 도 2에서 도시되지만, 전자 빔은 임의의 적절한 각도에서 웨이퍼로 지향될 수도 있고 웨이퍼로부터 산란될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 게다가, 전자 빔 기반의 서브시스템은, 웨이퍼의 이미지를 생성하기 위해 (예를 들면, 상이한 조명 각도, 수집 각도, 등등을 갖는) 다수의 모드를 사용하도록 구성될 수도 있다. 전자 빔 기반의 서브시스템의 다수의 모드는 서브시스템의 임의의 이미지 생성 파라미터에서 상이할 수도 있다.

컴퓨터 서브시스템(124)은 상기에서 설명되는 바와 같이 검출기(134)에 커플링될 수도 있다. 검출기는 웨이퍼의 표면으로부터 반환되는 전자를 검출할 수도 있고, 그에 의해, 웨이퍼의 전자 빔 이미지를 형성할 수도 있다. 전자 빔 이미지는 임의의 적절한 전자 빔 이미지를 포함할 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(124)은 전자 빔 이미지 및/또는 검출기의 출력을 사용하여 본원에서 설명되는 기능 중 임의의 것을 수행하도록 구성될 수도 있다. 컴퓨터 서브시스템(124)은 본원에서 설명되는 임의의 추가적인 단계(들)를 수행하도록 구성될 수도 있다. 도 2에서 도시되는 검사 서브시스템을 포함하는 시스템은 또한, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

도 2는, 본원에서 설명되는 실시형태에 포함될 수도 있는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 예시하기 위해 본원에서 제공된다는 것을 유의한다. 상기에서 설명되는 광학적 검사 서브시스템에서와 같이, 본원에서 설명되는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템 구성은, 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 바와 같이, 검사 서브시스템의 성능을 최적화하도록 수정될 수도 있다. 게다가, 본원에서 설명되는 시스템은, KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수가능한 eSxxx 시리즈의 툴과 같은 현존하는 검사 시스템을 사용하여 (예를 들면, 본원에서 설명되는 기능성을 현존하는 검사 시스템에 추가하는 것에 의해) 구현될 수도 있다. 몇몇 그러한 시스템의 경우, 본원에서 설명되는 방법은 시스템의 옵션의 기능성(optional functionality)으로서 (예를 들면, 시스템의 다른 기능성에 추가하여) 제공될 수도 있다. 대안적으로, 본원에서 설명되는 시스템은, 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수도 있다.

비록 검사 서브시스템이 광 기반의 또는 전자 빔 기반의 검사 서브시스템인 것으로 상기에서 설명되지만, 검사 서브시스템은 이온 빔 기반의 검사 서브시스템일 수도 있다. 그러한 검사 서브시스템은, 전자 빔 소스가 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 이온 빔 소스로 대체될 수도 있다는 점을 제외하면, 도 2에 도시되는 바와 같이 구성될 수도 있다. 게다가, 검사 서브시스템은 상업적으로 이용 가능한 집속 이온빔(focused ion beam; FIB) 시스템, 헬륨 이온 현미경 검사(helium ion microscopy; HIM) 시스템, 및 이차 이온 질량 분광법(secondary ion mass spectroscopy; SIMS) 시스템에 포함되는 것과 같은 임의의 다른 적절한 이온 빔 기반의 서브시스템일 수도 있다.

상기에서 언급되는 바와 같이, 광학 및 전자 빔 검사 서브시스템은, 웨이퍼의 물리적 버전으로 에너지(예를 들면, 광, 전자)를 지향시키고 및/또는 웨이퍼의 물리적 버전에 걸쳐 에너지를 주사하고 그에 의해 웨이퍼의 물리적 버전에 대한 실제(즉, 시뮬레이팅된 것이 아닌) 출력 및/또는 이미지를 생성하도록 구성될 수도 있다. 이러한 방식에서, 광학 및 전자 빔 검사 서브시스템은, "가상" 툴이 아닌, "실제" 툴로서 구성될 수도 있다. 그러나, 도 1에서 도시되는 컴퓨터 서브시스템(들)(102)은, 본원에서 추가로 설명되는 하나 이상의 기능 중 임의의 것을 포함할 수도 있는 하나 이상의 기능을, 웨이퍼에 대해 생성되는 실제 전자 빔 이미지 및/또는 실제 광학 이미지 중 적어도 일부를 사용하여, 수행하도록 구성되는 하나 이상의 "가상" 시스템(도시되지 않음)을 포함할 수도 있다.

하나 이상의 가상 시스템은 그 안에 웨이퍼가 배치될 수 없다. 특히, 가상 시스템(들)은 광학 검사 서브시스템(10) 또는 전자 빔 검사 서브시스템(122)의 일부가 아니며 웨이퍼의 물리적 버전을 핸들링하기 위한 어떠한 능력도 갖지 않는다. 다시 말하면, 가상 시스템으로서 구성되는 시스템에서, 그것의 하나 이상의 "검출기"의 출력은, 실제 검사 서브시스템의 하나 이상의 검출기에 의해 이전에 생성된 그리고 가상 시스템에 저장되어 있는 출력일 수도 있고, "이미징 및/또는 주사" 동안, 가상 시스템은, 마치 웨이퍼가 이미지화되고 있고 및/또는 주사되고 있는 것처럼, 저장된 출력을 재생할 수도 있다. 이러한 방식에서, 가상 시스템을 사용한 웨이퍼의 이미징 및/또는 주사는, 마치 물리적인 웨이퍼가 실제 시스템을 사용하여 이미지화되고 있고 및/또는 주사되고 있는 것과 동일하게 보일 수도 있지만, 실제로는 "이미징 및/또는 주사"는, 웨이퍼가 이미지화될 수도 있는 및/또는 주사될 수도 있는 것과 동일한 방식으로 웨이퍼에 대한 출력을 단순히 재생하는 것을 수반한다.

"가상" 검사 시스템으로서 구성되는 시스템 및 방법은, 공동 양도된, 2012년 2월 28일자로 발행된 Bhaskar 등등의 미국 특허 제8,126,255호 및 2015년 12월 29일자로 발행된 Duffy 등등의 미국 특허 제9,222,895호에서 설명되는데, 이들 특허 둘 모두는, 마치 본원에서 완전히 기술되는 것처럼 참조에 의해 통합된다. 본원에서 설명되는 실시형태는 또한, 이들 특허에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 이들 특허에서 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

본원에서 설명되는 검사 서브시스템은 다수의 모드 또는 "상이한 모달리티"를 사용하여 웨이퍼에 대한 출력을 생성하도록 구성될 수도 있다. 일반적으로, 검사 서브시스템의 "모드" 또는 "모달리티"(이들 용어는 본원에서 상호 교환 가능하게 사용됨)는 웨이퍼에 대한 출력 및/또는 이미지를 생성하기 위해 사용되는 검사 서브시스템의 파라미터 값에 의해 정의될 수 있다. 따라서, 상이한 모드는, 검사 서브시스템의 파라미터 중 적어도 하나에 대한 값에서 상이할 수도 있다. 이러한 방식으로, 몇몇 실시형태에서, 광학 이미지는 광학 검사 서브시스템의 파라미터의 두 개 이상의 상이한 값을 갖는 광학 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지를 포함한다. 예를 들면, 광학 기반의 검사 서브시스템의 하나의 실시형태에서, 다수 모드 중 적어도 하나는, 다수의 모드 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 조명용의 적어도 하나의 파장의 광과는 상이한 조명용의 적어도 하나의 파장의 광을 사용한다. 모드는 상이한 모드에 대해 (예를 들면, 상이한 광원, 상이한 스펙트럼 필터, 등등을 사용하는 것에 의해) 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 조명 파장에서 상이할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 다수의 모드 중 적어도 하나는, 다수의 모드 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 광학 검사 서브시스템의 조명 채널과는 상이한 광학 검사 서브시스템의 조명 채널을 사용한다. 예를 들면, 상기에서 언급되는 바와 같이, 광학 검사 서브시스템은 하나보다 더 많은 조명 채널을 포함할 수도 있다. 그와 같이, 상이한 조명 채널이 상이한 모드에 대해 사용될 수도 있다.

유사한 방식으로, 전자 빔 이미지는 전자 빔 검사 서브시스템의 파라미터의 두 개 이상의 상이한 값을 가지고 전자 빔 검사 서브시스템에 의해 생성되는 이미지를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 전자 빔 검사 서브시스템은 다수의 모드 또는 "상이한 모달리티"를 사용하여 웨이퍼에 대한 출력을 생성하도록 구성될 수도 있다. 전자 빔 검사 서브시스템의 다수의 모드 또는 상이한 모달리티는 웨이퍼에 대한 출력 및/또는 이미지를 생성하기 위해 사용되는 전자 빔 검사 서브시스템의 파라미터 값에 의해 정의될 수 있다. 따라서, 상이한 모드는 검사 서브시스템의 전자 빔 파라미터 중 적어도 하나에 대한 값에서 상이할 수도 있다. 예를 들면, 전자 빔 검사 서브시스템의 하나의 실시형태에서, 다수의 모드 중 적어도 하나는, 다수의 모드 중 적어도 하나의 다른 모드에 대해 사용되는 조명의 적어도 하나의 입사각과는 상이한 조명용의 적어도 하나의 각도를 사용한다.

웨이퍼에 대해 생성되는 검출기의 출력은 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스의 프레임의 출력을 포함하고, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 다수의 다이의 적어도 두 개의 인스턴스를 포함한다. 예를 들면, 검사 서브시스템의 검출기(들)가 신호 및/또는 이미지를 생성하는지에 무관하게, "프레임"은, 시스템에 의해 한 단위로서 집합적으로 프로세싱될 수 있는 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력(예를 들면, 신호 또는 이미지 일부분(예를 들면, 픽셀))의 상대적으로 작은 부분으로서 일반적으로 정의될 수도 있다. 따라서, 출력의 "프레임"은 검사 서브시스템 구성뿐만 아니라 검사 서브시스템에 의해 생성되는 출력의 핸들링 및/또는 프로세싱을 위한 시스템에 포함되는 임의의 컴포넌트의 구성에 따라 변할 수 있다. 웨이퍼에 대해 생성되는 스와스 또는 서브 스와스(sub-swath)의 출력은, 출력의 전체 스와스 또는 서브 스와스가 동시에 프로세싱되는 경우보다 프레임의 데이터 핸들링 및 프로세싱이 훨씬 더 쉽게 수행될 수 있도록, 다수의 프레임으로 분할될 수도 있다. 게다가, 검사는 웨이퍼 상에 인쇄되는 다이 또는 레티클 인스턴스를, 본원에서 추가로 설명되는 도면에서 도시되는 바와 같이 다수의 스와스로 수직으로 일반적으로 분할한다.

하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 검출기에 의해 생성되는 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된다. 결함 검출 방법은 임의의 적절한 방식으로 출력에 적용될 수도 있고, 결함 검출 방법은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 결함 검출 방법을 포함할 수도 있다. 결함 검출 방법은, 예를 들면, 출력을 임계치(결함 검출 임계치)에 비교하는 것을 포함할 수도 있고, 임계치를 초과하는 하나 이상의 값을 갖는 출력은 결함에 대응하도록 결정되고, 한편 임계치를 초과하는 하나 이상의 값을 갖지 않는 출력은 결함에 대응하도록 결정되지 않는다. 결함 검출 방법을 출력에 적용하는 것은 또한, 임의의 다른 결함 검출 방법 및/또는 알고리즘을 출력에 적용하는 것을 포함할 수도 있다.

결함의 위치는 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고된다. 예를 들면, 결함 검출 방법은 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 결과를 생성할 수도 있다. 결과는 적어도 각각의 결함의 위치 및 결함 ID, 결함 검출 방법에 의해 결정되는 결함 정보(예를 들면, 사이즈), 및 등등과 같은 임의의 다른 적절한 정보를 포함할 수도 있다. 결함 검출 방법은 결함 위치가 스와스 좌표로 보고되도록 구성될 수도 있다. 다시 말하면, 결함에 대해 보고되는 결함 위치는 스와스 내 위치(in-swath position) 또는 스와스 상대 위치일 수도 있다. 하나의 그러한 예에서, 결함에 대한 스와스 좌표는, 그들이 검출된 스와스의 원점(또는 다른 기준 지점)에 대해 결정될 수도 있다. 특정한 예에서, 각각의 스와스 이미지는 일반 이미지로서 보일 수 있다. 하나의 그러한 예에서, 정상 이미지의 좌측 상단 코너는 스와스의 원점으로서 사용될 수 있다. 그 다음, 결함의 스와스 좌표는 스와스의 좌측 상단 코너와 관련하여 결정될 수도 있다. 이러한 방식으로, 결함의 스와스 좌표는, 검사되고 있는 웨이퍼와 관련하여 결정되는 것이 아니라, 그들이 검출되는 스와스와 관련하여 결정된다. 웨이퍼에 대한 스와스 오프셋이 스테이지 불확실성에 기인하여 상이하기 때문에, 리피터의 결함의 위치는 상이한 스와스에서 상이할 수도 있다. 본원에서 설명되는 실시형태는 본원에서 추가로 설명되는 바와 같은 차이를 효과적으로 제거할 수 있다.

하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 다이 중 제1 다이에서의 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 다수의 다이 중 대응하는 다이에서의 다수의 스와스 중 대응하는 스와스에서의 프레임 중 대응하는 프레임에 대한 출력에 정렬하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 웨이퍼 상에 인쇄되는 상이한 레티클 인스턴스에서의 대응하는 다이에서의 대응하는 스와스의 대응하는 프레임에 대한 출력은 서로 정렬될 수도 있다. 다시 말하면, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 다이 중 제1 다이의 제1 스와스의 제1 프레임에 대한 출력은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 다른 레티클 인스턴스에서의 대응하는 다이의 대응하는 스와스의 대응하는 프레임에 대한 출력에 정렬될 수도 있다.

상기에서 설명되는 바와 같이 하나의 프레임에서의 출력을 다른 프레임에서의 대응하는 출력에 정렬하는 것은 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 정렬하는 것은, 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력 대 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력의 타겟 기반의 정렬(target-based alignment)을 포함한다. 하나의 그러한 예에서, 정렬하는 것은, 제1 프레임(이것은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 선택될 수도 있음)에서의 정렬 타겟(들) 및 대응하는 프레임에서의 대응하는 정렬 사이트를 사용하여 수행될 수도 있고, 정렬 사이트에 대한 출력을, 정렬 타겟에 대해 생성되는 출력에 정렬하는 것은, 패턴 매칭, 상이한 출력의 하나 이상의 특성(예를 들면, 질량 중심, 패턴 에지, 등등)을 매칭시키는 것, 등등을 포함할 수도 있다. 다시 말하면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 정렬 사이트 및 타겟에 대해 수행될 수도 있는 정렬에서 제한되지 않는다.

다른 실시형태에서, 정렬하는 것은, 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력 대 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력의 피쳐 기반의 정렬(feature-based alignment)을 포함한다. 이 정렬을 위해 사용되는 피쳐는, 웨이퍼에 대한 설계에서의 패턴화된 피쳐, 검사 서브시스템에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 이미지에서의 패턴화된 피쳐(이것은 웨이퍼 상의 피쳐에 대응할 수도 있거나 또는 대응하지 않을 수도 있음), 패턴의 에지, 질량 중심, 코너, 구조, 등등과 같은 웨이퍼 상의 패턴의 피쳐, 및 등등을 포함할 수도 있다. 그러한 정렬은 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있다. 예를 들면, 그러한 정렬은, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있는 피쳐 매칭(예를 들면, 에지 매칭)을 포함할 수도 있다.

추가적인 실시형태에서, 정렬하는 것은, 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력 대 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력의 정규화된 교차 상관(normalized cross correlation; NCC) 기반의 정렬을 포함한다. 정렬하는 것은, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 NCC 방법 및/또는 알고리즘을 사용하여 수행될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 정렬하는 것은, 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력 대 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력의 고속 푸리에 변환(Fast Fourier transform; FFT) 기반의 정렬을 포함한다. 정렬하는 것은, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 FFT 방법 및/또는 알고리즘을 사용하여 수행될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 정렬하는 것은, 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력 대 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력의 차 제곱의 합(sum of squared difference; SSD) 기반의 정렬을 포함한다. 정렬하는 것은 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 적절한 SSD 방법 및/또는 알고리즘을 사용하여 수행될 수도 있다.

하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표와 정렬 단계에서 그와 정렬되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 스와스 좌표 오프셋은, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 인스턴스의 각각에서의 다이의 각각에서의 각각의 프레임 및 각각의 스와스에 대해, 그것의 대응하는 프레임과 관련하여, 개별적으로 그리고 독립적으로 결정될 수도 있다. 스와스 좌표 오프셋은, 제1 프레임에 대한 출력에 정렬되는 프레임에서의 출력 및 그들의 대응하는 스와스 좌표에 각각 기초하여 임의의 적절한 방식으로 결정될 수도 있다. 스와스 좌표 오프셋은 임의의 적절한 포맷(예를 들면, 함수 또는 공식)을 가질 수도 있다. 게다가, 스와스 좌표 오프셋에 대한 정보는 본원에서 설명되는 임의의 적절한 저장 매체에 저장될 수도 있다. 더구나, 스와스 좌표 오프셋은 하나의 유일한 방향(예를 들면, x 또는 y 방향)에서 또는 두 개의 방향(예를 들면, x 및 y 방향)에서 결정될 수도 있다. 또한, 스와스 좌표 오프셋은 임의의 적절한 포맷을 갖는 스와스 좌표(예를 들면, 극좌표 및 데카르트 좌표)를 사용하여 결정될 수도 있다.

하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하도록 구성되는데, 여기서 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 결함이 검출된 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표를, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환하게 된다. 결함이 검출되는 프레임, 스와스, 다이, 및 레티클 인스턴스는, 결함에 대한 결함 검출 방법에 의해 결정되는 스와스 좌표에 기초하여 결정될 수도 있다. 결함이 검출되는 프레임, 스와스, 다이, 및 인쇄된 레티클 인스턴스에 기초하여, 대응하는 스와스 좌표 오프셋이 결정될 수도 있다(어떤 프레임, 스와스, 다이, 및 레티클 인스턴스에 대해 어떤 스와스 좌표 오프셋이 결정되었는지가 알려지기 때문에 그리고 각각의 결함이 어떤 레티클 인스턴스에서 검출되었는지가 알려지기 때문에, 그 지식은 결함의 스와스 좌표에 기초하여 적절한 스와스 좌표 오프셋을 결정하기 위해 사용될 수 있다). 그 식별된 스와스 좌표 오프셋은, 그 다음, 결함에 대해 결정되는 스와스 좌표에 적용될 수도 있고, 그에 의해, 결함의 스와스 좌표를, 결함이 검출된 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 제1 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환할 수도 있다. 이 스와스 좌표 변환 프로세스는 웨이퍼 상에서 검출되는 각각의 결함(또는 소망되는 만큼 많은 검출된 결함)에 대해 개별적으로 그리고 독립적으로 수행될 수도 있다. 스와스 좌표 오프셋은 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에 임의의 적절한 방식으로 적용될 수도 있다.

도 4는 상기에서 설명되는 변환 단계의 일반적인 개념을 예시한다. 특히, 도 4는 개개의 레티클 인스턴스 대 제1 검사된 레티클 인스턴스의 결함 스와스 좌표 변환을 도시한다. 이 경우, 웨이퍼(400)는, 그 상에 형성되며 레티클 인스턴스(402 및 404)를 포함하는 다수의 레티클 인스턴스를 포함한다. 도 4에서 도시되는 예에서, 레티클 인스턴스(404)는 제1 검사된 레티클 인스턴스로서 사용될 수도 있고, 레티클 인스턴스(402)에서 검출되는 결함의 위치는 레티클 인스턴스(404)의 스와스 좌표로 변환될 수도 있다. 특히, 상기에서 설명되는 바와 같이, 적용하는 단계는, 웨이퍼 상의 제1 레티클 인스턴스와 다른 레티클 인스턴스 사이에 스와스 좌표 변환을 적용하는 것에 의해, 결함 위치를 제1 레티클 인스턴스의 스와스 좌표에 매핑한다. 본원에서 설명되는 바와 같이 제1 레티클 인스턴스/스와스 좌표로 변환되는 모든 결함 위치는 실질적으로 정확하다. 그와 같이, 각각의 리피터에 대한 결함은, 이 피쳐 없이 수행되는 현재 사용되는 검사보다 훨씬 더 가깝다. 특히, 현재 사용되는 검사에서, 스와스가 서로 등록되거나 또는 정렬되지 않기 때문에, 하나의 리피터의 결함은 레티클 스택 상에서 서로로부터 상대적으로 멀 수 있다. 대조적으로, 본원에서 설명되는 실시형태에서, 모든 다른 레티클 인스턴스는 제1 레티클 인스턴스에 일치되고(registered) 그 다음 다른 레티클 인스턴스로부터의 결함 위치가 제1 레티클 인스턴스로 정확하게 매핑된다. 매핑이 실질적으로 정확하기 때문에, 하나의 리피터의 결함은 제1 레티클 인스턴스에 매핑되고 서로 실질적으로 가깝다.

비록 하나의 특정한 레티클 인스턴스(레티클 인스턴스(404))가 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로서 사용되는 것으로서 도 4(및 본원에서 설명되는 다른 도면)에서 도시되지만, 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로 사용되는 레티클 인스턴스는 본원에서 도시되는 것과는 상이할 수도 있다. 일반적으로, 검사 서브시스템에 의해 주사되는(그에 의해 레티클 인스턴스에 대한 출력을 생성하는) 웨이퍼 상의 임의의 레티클 인스턴스는 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로 사용될 수도 있다. 몇몇 경우에, 주사되는 제1 레티클 인스턴스를, 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로서 사용하는 것이 실용적일 수도 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 실시형태에 대한 제1 레티클 인스턴스로서, 임의의 적절한 레티클 인스턴스가 사용될 수도 있다.

이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태는 실질적으로 높은 정확도로 상대적 결함 위치(position)(또는 상대적 결함 위치(location))를 결정한다. 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 결함 위치는, 하나의 레티클 인스턴스의 스와스 좌표로부터 다른 레티클 인스턴스의 스와스 좌표로 변환된다. 따라서, 상대적 결함 위치는, 본원에서, 하나의 레티클 인스턴스에서의 상이한 스와스와 관련하여 결정된다. 그와 같이, 본원에서 설명되는 바와 같이 결정되는 상대적 결함 위치는, 웨이퍼 좌표에 대한 결함 위치로서 일반적으로 정의되는 절대 결함 위치와는 상이하다. 이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태의 상대적 결함 위치 정확도는 스와스 좌표에 대한 정확도이다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 디바이스에 대한 설계 정보가 웨이퍼 상에 형성되지 않은 상태에서, 상기에서 설명되는 정렬, 결정, 및 적용 단계를 수행하도록 구성된다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 임의의 멀티 다이 레티클 검사를 위한 설계 정보 없이도, 특정한 레티클 인스턴스(제1 레티클 인스턴스) 및 스와스에 대한 결함 위치 정확도를 향상시킨다. 멀티 다이 레티클과 관련하여, 레티클은 마스크이다. 다이는 칩이다. 마스크가 하나의 칩을 포함하는 경우, 그것은 단일 다이 레티클이다. 마스크가 다수의 칩, 예를 들면, 3 개의 칩을 포함하는 경우, 그것은 멀티 다이 레티클이다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 웨이퍼 상에 형성되고 있는 디바이스에 대한 설계 정보를 사용하여 임의의 단계를 수행하도록 구성되지는 않는다. 예를 들면, 상기에서 설명되는 바와 같이, 정렬, 결정 및 적용 단계는 하나의 실시형태에서 설계 정보 없이 수행된다. 게다가, 본원에서 설명되는 단계 중 어떤 다른 단계도 설계 정보를 사용하여 수행될 수 없을 수도 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는 본원에서 설명되는 시스템 및 방법에서의 사용에 설계 정보가 이용 가능한지 또는 그렇지 않은지의 여부에 무관하게 수행될 수 있다.

하나의 실시형태에서, 웨이퍼는 검출 이전에 멀티 다이 레티클로 인쇄된다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는 멀티 다이 레티클로 인쇄된 웨이퍼 상의 결함을 검출하고 그 다음 웨이퍼 상에서 검출되는 결함 중 어떤 것이 멀티 다이 레티클에 기인하는지를 결정하는 것에 의해, 멀티 다이 레티클 상의 결함을 검출하기 위해 사용될 수도 있다. 웨이퍼 상에서 검출되는 결함 중 어떤 것이 멀티 다이 레티클에 기인하는 지를 결정하는 것은, 웨이퍼 상의 반복 결함 또는 "리피터"를 식별하는 것에 의해 수행될 수도 있다. 이러한 방식으로, 웨이퍼를 인쇄하기 위해 사용되는 멀티 다이 레티클에 기인하는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함은 리피터 분석에 의해 식별될 수도 있는데, 이것은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 결함에 대한 변환된 스와스 좌표에 기초하여 결함이 리피터 결함인지를 결정하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태는 리피터 분석을 수행하여 결함 중 어떤 것이 리피터인지를 결정하도록 구성될 수도 있다. 리피터는, "동일한" 레티클 인스턴스 좌표(레티클 인스턴스 좌표가 정확히 동일한 또는 어떤 미리 결정된 허용 가능한 공차 내에서 동일한 경우 레티클 인스턴스 좌표는 "동일한"것으로 간주될 수 있음)에서 나타나는 결함의 세트(예를 들면, 두 개 이상)로서 일반적으로 정의된다. 게다가, 리피터의 결함은 고정된 스와스 주사에서 동일한 대응하는 스와스(다수의 레티클 인스턴스에서의 동일한 스와스) 상에 위치된다. (고정된 스와스 주사에서, 레티클 인스턴스 이미지는 다수의 서브 다이 이미지 또는 스와스 이미지의 주사에 의해 획득된다. 웨이퍼 상에는, 많은 다이 행이 있다. 대응하는 스와스 이미지의 위치는 각각의 다이 행에 대해 동일하다. 다시 말하면, 각각의 다이 행은 동일한 스와스 레이아웃을 사용하여 주사된다.) 모든 검출된 이벤트로부터 리피터를 찾기 위해 리피터 분석이 수행된다.

본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 결함 위치를, 결함이 검출된 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 웨이퍼 상의 레티클 인스턴스 중 단지 하나의 스와스 좌표로 변환하는 것에 의해, 특정한 레티클 인스턴스 및 스와스에 대한 결함 위치는 실질적으로 높은 정확도로 결정될 수 있다. 결함이 위치되는 스와스에 대한 결함 위치가 더 정확한 경우, 리피터 분석은 더 작은 리피터 공차를 사용할 수 있고, 그에 의해, 더 적은 잘못된 리피터를 생성할 수 있고 리피터 검출 시간을 감소시킬 수 있다. 그와 같이, 본원에서 설명되는 실시형태는 리피터 분석에서 리피터 검색 영역이 100 배 내지 10,000 배만큼 감소되는 것을 허용한다(또는 10 배만큼의 리피터 공차, 100 배 면적 감소의 경우 10 픽셀에서 1 픽셀, 10,000 배 면적 감소의 경우 10 픽셀에서 0.1 픽셀). "리피터 공차"는 그 용어가 본원에서 사용될 때 결함 위치에 중심을 둔 반경으로서 정의된다. 리피터 검색 범위는 대략 [-반경, +반경]일 것이다. 검색 영역은 반경의 제곱에 π를 곱한 값이다. 픽셀 단위의 가장 작은 검색 범위는, 식별될 수 있는 정렬 타겟의 수(또는 정렬 단계에서 수행되는 정렬의 정확도)에 따라 [-0.1, 0.1]에서부터 [-1, 1]까지이다. 가장 작은 검색 영역은, 314 픽셀 제곱과 비교하여, 0.0314 픽셀 제곱에서부터 3.14 픽셀 제곱까지이다. 이러한 방식으로 리피터 검색 영역을 감소시키는 것은, 잠재적으로 잘못된 리피터를 상당히 감소시킬 것이다.

도 3은, 리피터 검색 영역을 감소시키는 것이 잘못된 리피터 검출을 어떻게 감소시키는지를 예시한다. 일반적으로, 이 도면과 관련하여 설명되는 바와 같이, 결함 위치 정확도, 리피터 공차, 및 잘못된 리피터 검출 사이에는 관계가 있으며, 상대적 결함 위치 정확도는 리피터 검출에 영향을 끼친다. 리피터 공차는, 리피터 검색 영역을 결정하는 유저 정의 파라미터이다. 레티클 스택은, 함께 중첩되는 다수의 정렬된 레티클 인스턴스 상의 결함의 뷰이다. 레티클 스택 상의 리피터 검색 영역 내의 모든 결함은, 고유한 리피터에 속하는 리피터 결함으로 간주된다. 고유한 리피터는 그들의 레티클 좌표에 의해 구별된다. 하나의 그러한 예에서, 리피터 결함 검출 알고리즘은, 리피터 검색 영역 내의 적어도 세 개의 레티클 인스턴스에서 결함이 검출되면, 그들 세 개의 결함이 리피터로서 식별될 수도 있다는 것을 결정할 수도 있다.

도 3에서 도시되는 레티클 스택 뷰(300)에서, 결함(304 및 306)이 도시되어 있다. 결함(304)은 방해물 결함(nuisance defect)의 다수의 인스턴스이고, 결함(306)은 주목하는 결함(defects of interest; DOI)의 다수의 인스턴스(DOI)이다. 특히, 도 3에서 더 밝은 음영으로 도시되는 결함(304)은 반복하지 않는 결함인 것으로 알려지고, 도 3에서 더 어두운 음영으로 도시되는 결함(306)은 반복하는 결함인 것으로 알려진다. 도 3에서 도시되는 결함은, 임의의 실제 웨이퍼 상에서 검출되는 임의의 실제 결함을 나타내도록 의도되는 것은 아니다. 대신, 이들 결함은, 도 3에서, 본원에서 설명되는 실시형태의 이해를 돕기 위해 도시되는 것에 불과하다.

레티클 스택 뷰(300)는, 예를 들면, 웨이퍼 상에 인쇄되는 다수의 레티클 인스턴스에서 검출되는 결함에 대한 정보를 오버레이하는 것에 의해 임의의 적절한 방식으로 생성될 수 있다. 오버레이되는 정보는, 결함이 위치된 위치를 포함할 수도 있고, 결함은 레티클 스택 뷰에서의 그들의 위치에서 도 3에서 도시되는 음영 처리된 원과 같은 어떤 심볼에 의해 나타내어질 수도 있다. 이러한 방식으로, 다수의 레티클 인스턴스에서 서로 공간적 일치를 갖는 결함은 레티클 스택 뷰에서 식별될 수 있다. 다시 말하면, 다수의 레티클 인스턴스에서 동일한 또는 실질적으로 동일한 위치에서 검출되는 결함은 레티클 스택 뷰에서 식별될 수 있다.

리피터 검색 영역은 리피터에 대해 분석되고 있는 결함의 상대적 결함 위치 정확도에 기초하여 설정될 수도 있다. 특히, 상대적 결함 위치 정확도가 더 낮은 경우 더 큰 리피터 검색 영역이 사용될 수도 있고, 상대적 결함 위치 정확도가 더 높은 경우 더 작은 리피터 검색 영역이 사용될 수도 있다. 이러한 방식으로, 리피터가, 위치가 결정된 정확도에 무관하게, 식별될 수 있도록, 리피터 검색 영역은 상대적 결함 위치 정확도에 기초하여 상이할 수도 있다. 도 3에서 도시되는 바와 같이, 리피터 검색 영역(308)이 결함(306)을 리피터로서 정확하게 식별하도록 그것이 충분히 크게 설정되면, 동일한 리피터 검색 영역은 또한 결함(304) 중 일부를 리피터로서 부정확하게 식별할 것이다. 이러한 방식으로, 레티클 스택 뷰(300)에서 검출되는 결함의 상대적으로 불량한 상대적 결함 위치 정확도에 기인하여, 더 큰 리피터 공차가 사용되고 잘못된 리피터가 검출된다.

그러나, 결함 상대 위치 정확도가 더 높으면, 리피터 결함은 공간적으로 더 가깝고 비 리피터(non-repeater) 결함은 여전히 랜덤하게 분포된다. 반복하는 결함을 지금 그대로 여전히 정확하게 식별하면서 리피터 검색 영역은 감소될 수 있고, 그 다음, 리피터로서 부정확하게 식별되는 반복하지 않는 결함의 수는 감소될 수 있다. 예를 들면, 상기에서 설명되는 바와 같이 생성될 수 있는 레티클 스택 뷰(302)에서 도시되는 바와 같이, 결함(304 및 306)이 도시되어 있다. 레티클 스택 뷰(300)에서와 마찬가지로, 레티클 스택 뷰(302)에서, 결함(304)은 반복하지 않는 결함인 것으로 알려지고, 결함(306)은 반복적인 결함인 것으로 알려진다. 결함 위치 정확도가 더 높으면, 레티클 스택 뷰의 리피터 분석을 위해 더 작은 리피터 검색 영역이 사용될 수 있다. 리피터 검색 영역(308)보다 더 작은 영역을 갖는 리피터 검색 영역(310)이 레티클 스택 뷰(302)에서 사용될 수 있는 경우, 상대적 결함 위치가 본원에서 설명되는 바와 같이 더 큰 정확도로 결정되었기 때문에, 결함(304) 중 임의의 것을 반복하는 결함으로서 부정확하게 식별하지 않으면서, 결함(306)은 반복하는 결함으로서 정확하게 식별될 수 있다. 예를 들면, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 결함(304) 중 가장 밀접하게 이격된 세 개의 조차도 모두 리피터 검색 영역(310) 내에 있는 것은 아니며 따라서 리피터 결함으로서 식별되지 않을 것이다. 이러한 방식으로, 리피터 검색 영역을 감소시키는 것에 의해, 리피터인 것으로 부정확하게 결정되는 결함의 수는 감소될 수 있다.

본원에서 설명되는 실시형태와 대조적으로, 멀티 다이 레티클로 인쇄되는 웨이퍼의 검사한 현재 사용되는 방법 및 시스템은 스와스 단위로 결함을 검출하고 웨이퍼에 대한 결함 위치를 보고할 것이다. 프리맵 및 런타임 정렬(RTA)이 동일한 스와스 또는 레티클 행에서 레티클 인스턴스를 정렬하기 때문에, 이 접근법은 각각의 스와스 상에서 양호한 결함 위치를 생성한다. 그러나 레티클 행에 걸친 스와스 사이에서 레티클 인스턴스를 정렬하기 위한 어떠한 메커니즘도 없다. 상이한 레티클 인스턴스 상의 스와스 사이의 리피터 결함 위치는, 스와스 위치 정확도의 2 배만큼 클 수 있는데, 예를 들면, 약 300 mm 또는 약 10 픽셀일 수 있다. 이상적으로, 그러한 상황에서, 리피터 공차는 모든 리피터 인스턴스를 찾기 위해 300 nm 이상으로 설정되어야 한다. 그러나, 그러한 큰 리피터 공차는 더 많은 랜덤 결함이 리피터로서 검출되게 한다.

본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시형태는 실질적으로 높은 정확도로 상대적 결함 위치(position)(또는 상대적 결함 위치(location))를 결정한다. 대조적으로, 절대 결함 위치 정확도 또는 결함 위치 정확도(defect location accuracy; DLA)는, 그 용어가 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 바와 같이, 웨이퍼 좌표에 대한 정확도이다. 그러나 절대 DLA가 필요하지 않으며, 공통 레티클-스와스 좌표에 대한 결함 위치 정확도가 리피터 분석에 충분하다. 웨이퍼에 대한 레티클 위치가 고려되지 않는 레티클 스택에서 결함 위치가 더 정확한 경우, 더 많은 랜덤 이벤트가 제거될 수 있다(즉, 리피터 결함이 아닌 것으로 제거될 수 있다). 그들의 레티클 인스턴스 좌표에 대한 결함 위치가 더 정확하면, 리피터 분석은 더 작은 리피터 공차를 사용할 수 있고 잘못된 리피터를 더 적게 생성할 수 있다.

본원에서 설명되는 실시형태는, 실질적으로 높은 상대 위치 정확도로 결함을 검출하는 방법 및 시스템에 초점을 맞춘다는 것을 또한 유의한다. 리피터 분석은 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 수행될 수도 있거나 또는 수행되지 않을 수도 있다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 결정되는 결함 위치의 실질적으로 높은 상대 위치 정확도는, 그것이 어떻게 수행되는지에 무관하게, 리피터 검출을 위한 이점을 제공한다. 다시 말하면, 본원에서 설명되는 실시형태는 실질적으로 정확한 결함 상대 위치를 제공하는데, 그것은, 그 다음, 임의의 리피터 검출 프로세스에서 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태는, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 생성되는 변환된 상대적 결함 위치의 결과가 임의의 리피터 분석 방법 또는 시스템에 입력될 수 있다는 점에서, 임의의 리피터 분석 방법 또는 시스템과 함께 사용될 수 있다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 생성되는 실질적으로 높은 정확도의 상대적 결함 위치는, 리피터 분석이 어떻게 수행되는지에 무관하게, 리피터 분석을 위한 이점을 제공한다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 결함에 대한 변환된 스와스 좌표에 기초하여 웨이퍼 상에 패턴화된 피쳐를 인쇄하기 위해 사용되는 레티클에 의해 웨이퍼 상에서 결함이 야기하는지를 결정하도록 구성된다. 하나의 그러한 실시형태에서, 레티클은 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 레티클이다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 웨이퍼 생산 동안 주기적으로 리피터를 검출하기 위해 수행되는 EUV 마스크 모니터링을 위한 인쇄 검사를 위해 사용될 수 있다. 다시 말하면, 레티클에 의해 웨이퍼 상에서 결함이 야기되는지를 결정하는 것은, 상기에서 설명되는 바와 같은 리피터 분석을 수행하는 것 및, 그 다음, 어쩌면, 검출된 리피터를 검사하여 그들이 레티클 상의 몇몇 피쳐 또는 결함에 대응하는지를 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 실시형태는 멀티 다이 레티클로 인쇄되는 웨이퍼 상의 반복 결함의 검출에 특히 적합하다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시형태는 EUV 레티클(즉, EUV 광으로 수행되는 EUV 리소그래피에 사용되도록 설계된 레티클)에 의해 야기되는 웨이퍼 상의 반복 결함의 검출에 특히 적합하다. 그러한 레티클은 보호 펠리클을 포함하지 않기 때문에, 그들은 리소그래피 프로세스 동안 발생하는 오염에 더욱 취약하다. 그와 같이, 이들 레티클은, 그들이 리소그래피 프로세스에서 사용하기에 여전히 적절한지를 결정하기 위해 규칙적인 간격으로 검사될 필요가 있을 경향이 있다. 본원에서 설명되는 실시형태는, 이러한 레티클 검사에 특히 적절한 방법 및 시스템을 제공한다.

추가적인 실시형태에서, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력은 프레임 중 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력은 프레임 중 대응하는 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 컴퓨터 서브시스템(들)은 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록 구성되고, 정렬 타겟을 선택하는 것은 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 프레임의 각각에서 정렬 타겟 중 적어도 하나를 선택하는 것을 포함한다. 다시 말하면, 제1 레티클 인스턴스로서 사용될 레티클 인스턴스에서의 스와스에서의 프레임의 각각에서 적어도 하나의 정렬 타겟이 선택될 수도 있다. 그러한 정렬 타겟 선택은, 웨이퍼 상에서 주사될 각각의 스와스에 대해 수행될 수도 있다. 이러한 방식으로, 제1 레티클 인스턴스로서 사용될 레티클 인스턴스에서의 스와스의 각각에서의 프레임의 각각에서 적어도 하나의 정렬 타겟이 선택될 수도 있다.

하나의 그러한 실시형태가 도 5에서 도시된다. 이 실시형태에서, 웨이퍼(500)는, 본원에서 설명되는 실시형태에서 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로서 사용될 수도 있는 레티클 인스턴스(502)를 비롯하여 그 상에 형성되는 다수의 레티클 인스턴스를 포함한다. 이 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)(도 5에 도시되지 않음)은, 정렬 타겟이 제1 레티클 인스턴스에서의 각각의 스와스로부터 선택되는 정렬 타겟 선택 단계(504)를 수행할 수도 있다. 특히, 도 5에서 도시되는 바와 같이, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성되는 검사 서브시스템은, 스와스 1 내지 스와스 N을 비롯하여, 다수의 스와스(506)에서 제1 레티클 인스턴스를 주사할 수도 있다. (비록 레티클 인스턴스가 도 5에서 레티클 인스턴스를 수직으로 분할하는 4 개의 스와스에서 주사되는 것으로 도시되지만, 본원에서 설명되는 웨이퍼 상의 레티클 인스턴스는, 예를 들면, 레티클 및 다이 구성 및 검사 서브시스템 구성에 따라, 임의의 적절한 수의 스와스에서 주사될 수도 있다.) 이러한 방식으로, 검사 서브시스템은 검사 데이터의 다수의 스와스 또는 웨이퍼에 대한 출력을 생성할 수도 있다. 단계(504)에서 정렬 타겟을 선택하는 것은, 리피터 결함에 대해 스와스 중 어떤 하나 이상이 검사될 것인지에 따라, 스와스 중 적어도 하나(예를 들면, 하나의 스와스, 스와스 중 (모두는 아닌) 몇몇, 또는 스와스의 모두)에서 정렬 타겟을 선택하는 것을 포함할 수도 있다. 특히, 정렬 타겟은, 리피터 분석이 수행될 스와스의 각각에 대해 선택될 수도 있다. 게다가, 정렬 타겟은 스와스의 각각에 대해 독립적으로 선택될 수도 있다. 예를 들면, 스와스 중 하나에서의 정렬 타겟은, 스와스 중 다른 스와스(또는 다른 모든 스와스)에서의 정렬 타겟과 독립적으로 선택될 수도 있다.

각각의 스와스에서 선택되는 정렬 타겟의 수는, 스와스에 있는 프레임 수에 따라 변할 수도 있다. 예를 들면, 어떤 프레임에서든 스와스 정렬 타겟이 선택되고 있는 프레임의 각각에서 하나의 정렬 타겟이 선택될 수도 있다. 그러나, 각각의 프레임에서 하나보다 더 많은 타겟이 또한 선택될 수도 있다. 일반적으로, 본원에서 설명되는 실시형태에서 사용하기 위해 식별되고 선택되는 정렬 타겟이 많을수록, 리피터 분석을 위한 검색 범위는 더 작을 수 있다. 게다가, 각각의 프레임에서 적절한 정렬 타겟이 발견될 수 있다는 어떠한 보장도 없다. 특정 프레임에 대해 어떠한 정렬 타겟도 발견될 수 없으면, 전체 프레임에 대한 정규화된 교차 상관(또는 본원에서 설명되는 다른 정렬 방법)이 레티클 인스턴스를 정렬하기 위해 사용될 수도 있거나 또는 이웃하는 프레임에 대한 정보가 레티클 인스턴스를 정렬하기 위해 사용될 수 있다.

정렬 타겟은 임의의 적절한 정렬 타겟 및 패턴화된 피쳐를 포함할 수도 있다. 적절한 정렬 타겟은 소정의 기준을 충족하는 이미지 패턴일 수도 있다. 예를 들면, 정렬 타겟은, 그들이 상대적으로 높은 신뢰도로 정렬을 위해 사용될 수 있도록, 프레임 내의 어떤 영역 내에서 하나 이상의 특성(예를 들면, 형상, 사이즈, 방위, 그레이 레벨 변화, 등등)에서 고유한 패턴화된 피쳐를 포함하도록 선택될 수도 있다. 정렬 타겟은 또한, 그들을 이차원(x 및 y)에서의 정렬에 적합하게 만드는 피쳐를 포함하는 것이 바람직할 수도 있다. 일반적으로, 검사 출력 프레임 내에서 적절한 정렬 타겟을 선택하기 위한 많은 방식이 있으며, 정렬 타겟은 그들 방식 중 임의의 방식으로 본원에서 설명되는 바와 같이 선택될 수도 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 실시형태는, (예를 들면, 지적 재산권 이유 때문에) 설계 정보가 항상 이용 가능하지는 않을 수도 있기 때문에 웨이퍼에 대한 설계 정보(예를 들면, 설계 데이터)를 사용하지 않으면서 수행되는 것이 바람직하다는 것을 유의한다. 이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 정렬 타겟 선택은 (설계 정보를 사용하여 정렬 타겟을 선택하는 것과는 대조적으로) 검사 서브시스템에 의해 제1 레티클 인스턴스에 대해 생성되는 출력(예를 들면, 이미지)을 사용하여 수행될 수도 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는 설계 데이터 없이 리피터 분석을 위한 실질적으로 높은 상대적 결함 위치 정확도를 달성하는 능력을 제공한다.

도 5에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 정렬 타겟 저장 단계(508)를 수행하도록 구성될 수도 있다. 선택되는 정렬 타겟은 다수의 상이한 방식으로 저장될 수도 있다(또는 본원에서 설명되는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 중 하나 이상에 저장될 수도 있다). 본원에서 달리 언급되지 않는 한, 선택된 정렬 타겟에 대한 정보는 정렬 타겟에 대한 임의의 이용 가능한 정보를 포함할 수도 있지만, 그러나, 아마도, 정렬 타겟의 스와스 좌표, 정렬 타겟이 위치되는 프레임, 및 정렬 타겟이 위치되는 스와스를 최소한으로 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 저장되는 정렬 타겟의 데이터는 마치 다음과 같이 보일 수도 있다: Target(ID) =(정렬 타겟 스와스 좌표, 프레임 ID, 스와스 ID, ...). 그와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 저장된 타겟 정보(510)를 생성할 수도 있다. 저장된 타겟 정보는, 그 다음, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 사용될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 정렬 단계에서 사용되는 제1 프레임에 대한 출력은 프레임 중 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력은, 프레임 중 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 스와스에서의 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 그룹의 각각이 다수의 스와스의 전체보다 더 적은 스와스에 대응하게끔, 선택된 정렬 타겟을, 그들이 위치되는 다수의 스와스에 기초하여 그룹으로 분리하도록, 그리고 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분 중 어떤 것이, 그룹 중의 상이한 그룹에 대해, 검출하는 것, 정렬하는 것, 결정하는 것, 및 적용하는 것을 각각 수행하는지에 기초하여, 그룹 내의 선택된 정렬 타겟에 대한 정보를 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분에 저장하도록 구성된다. 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 정렬 타겟을 선택할 수도 있고, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 타겟을, 컴퓨터 서브시스템(들)에 포함되는 상이한 이미지 컴퓨터(image computer; IMC) 노드(도시되지 않음)에 저장할 수도 있고 타겟을 스와스별로 그룹화할 수도 있다. 특히, 타겟은, 타겟이 위치한 검사 출력의 스와스를 프로세싱할 IMC 노드에 저장될 수도 있다. 이러한 방식으로, IMC 노드는 본원에서 설명되는 다른 단계에 필요할 정렬 타겟만을 저장할 수도 있다. 그러한 그룹화 및 저장은 또한, 단지 IMC 노드로 제한되는 것이 아니라, 본원에서 설명되는 다른 저장 매체 중 임의의 것에 대해 사용될 수 있다.

이러한 방식으로, 도 5에서 도시되는 바와 같이, 하나의 실시형태에서, 스와스 1로부터 선택되는 정렬 타겟은, 정렬 타겟 중 하나의 그룹일 수도 있는 타겟 1로서 저장될 수도 있고, 스와스 N으로부터 선택되는 정렬 타겟은, 정렬 타겟의 다른 그룹일 수도 있는 타겟 N으로서 저장될 수도 있다. 정렬 타겟 정보는, 정렬 타겟이 선택된 임의의 다른 스와스에 대해서도 마찬가지로 저장될 수도 있다. 그와 같이, 정렬 타겟의 상이한 그룹이 컴퓨터 서브시스템(들)에 의해 생성될 수도 있고, 상이한 그룹의 각각은 상이한 스와스 중 하나에 대응할 수도 있다. 타겟의 상이한 그룹의 각각은, 그 다음, 타겟의 상이한 그룹을 사용할 상이한 IMC 노드에 저장될 수도 있다. 예를 들면, 타겟 1의 그룹은, 스와스 1에서 검사 출력을 프로세싱할 제1 IMC 노드에 저장될 수도 있고, 타겟 N의 그룹은, 스와스 N에서 검사 출력을 프로세싱할 IMC 노드 N에 저장될 수도 있다. 다른 그룹 내의 정렬 타겟에 대한 정보는 다른 IMC 노드에 유사한 방식으로 저장될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력은 프레임 중 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력은 프레임 중 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 검사 서브시스템이 생성된 에너지를 웨이퍼로 지향시키고 검출기가 검사 주사(inspection scan)를 위해 웨이퍼로부터 에너지를 검출하는 동안, 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력으로부터 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 스와스에서의 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있는 정렬 타겟 선택은, 웨이퍼 검사의 실행 시간 동안 수행될 수도 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는, (정렬 타겟 선택에 셋업 주사가 필요하지 않기 때문에) 셋업 주사 없이 리피터 분석을 위한 실질적으로 높은 상대적 결함 위치 정확도를 달성하는 능력을 제공한다. 그와 같이, 본원에서 설명되는 바와 같이 수행되는 정렬 타겟 선택은, 제1 검사된 레티클 인스턴스에 대한 상대적 정렬을 위한 런타임 타겟 식별일 수도 있다. 다시 말하면, 제1 레티클 인스턴스를 검사할 때, 정렬 타겟은 제1 레티클 인스턴스로부터 선택된다. 프레임당 적어도 하나의 타겟이 선택될 수 있다. 그러한 정렬 타겟 선택은, 본원에 설명되는 바와 같이 추가로 수행될 수도 있다.

도 6은 상기에서 설명되는 바와 같이 정렬 타겟이 제1 레티클 인스턴스로부터 선택된 이후 임의의 다른 검사된 레티클 인스턴스에 대해 수행될 수도 있는 런타임 프로세스를 도시한다. 도 6에서, 웨이퍼(600)는, 본원에서 설명되는 바와 같이 다수의 레티클 인스턴스 중 제1 인스턴스로서 사용될 수도 있는 레티클 인스턴스(602), 및 웨이퍼 상의 다른 검사된 레티클 인스턴스일 수도 있는 레티클 인스턴스(608)를 포함하는 다수의 레티클 인스턴스가 상부에 형성된다. 상기에서 추가로 설명되는 바와 같이, 제1 레티클 인스턴스(602)가 주사될 수도 있고 그에 의해 본원에서 설명되는 바와 같이 타겟(606)이 선택되는 출력의 다수의 스와스(604)를 생성할 수도 있다. 이 실시형태에서의 타겟은 검사 프로세스의 런타임 동안 선택될 수도 있고 컴퓨터 서브시스템(들)의 대응하는 IMC 노드(도시되지 않음) 상에 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 저장될 수도 있다. 예를 들면, 타겟 1은 IMC 노드 1에 저장될 수도 있고, ..., 타겟 N은 IMC 노드 N에 저장될 수도 있고, 계속 그런 식일 수도 있다. 그 다음, 다른 레티클 인스턴스(608)가 주사되고, 그에 의해, 다수의 스와스(610)를 생성하는 경우, 정렬 타겟(606)에 대한 출력은 정렬 단계(612)에서 대응하는 프레임 및 대응하는 스와스(610)에서의 정렬 사이트에 대한 출력에 정렬될 수도 있다. 이 정렬 단계는 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다.

그 다음, 정렬 단계의 결과는 변환 좌표 단계(614)에서 사용될 수도 있는데, 변환 좌표 단계(614)는, 정렬 사이트에 대한 출력의 스와스 좌표와 정렬 단계에서 그에 정렬되는 정렬 타겟에 대한 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여 다른 레티클 인스턴스에서의 정렬 사이트의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 것 및 웨이퍼 상에서 검출되는 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하는 것을 포함할 수도 있고, 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 결함이 검출된 다수의 레티클 인스턴스 중 다른 레티클 인스턴스에 기초하여 결정된다. 이러한 방식으로, 변환 좌표 단계(614)는, 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표를, 레티클 인스턴스(608)에서의 스와스 좌표로부터 제1 레티클 인스턴스(602)에서의 스와스 좌표로 변환할 수도 있다. 이들 단계는 웨이퍼 상에서 검사되는 모든 레티클 인스턴스에 대해 수행될 수도 있다.

이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태는, 런타임으로 식별된 타겟을 사용하여 레티클 인스턴스-스와스 좌표 변환을 수행할 수도 있다. 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 임의의 다른 레티클 인스턴스가 검사될 때, 제1 레티클 인스턴스의 타겟을 검사된 레티클 인스턴스에 정렬하는 것에 의해, 각각의 프레임(및 따라서 각각의 스와스)에 대한 제1 및 검사된 레티클 인스턴스의 스와스 좌표 사이의 오프셋이 결정될 수도 있다. 임의의 결함이 검출된 이후, 레티클 인스턴스-스와스 좌표에서의 그것의 위치는, 제1 레티클 인스턴스의 레티클 인스턴스-스와스 좌표로 변환된다. 이러한 방식으로, 모든 레티클 인스턴스에서의 결함의 위치는 제1 레티클 인스턴스의 스와스 좌표의 항으로 표현된다.

또 다른 실시형태에서, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력은 프레임 중 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력은 프레임 중 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 컴퓨터 서브시스템(들)은 검사 서브시스템의 검출기가 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 사용되는 출력을 생성하기 이전에 수행되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 단지 하나의 셋업 주사에서 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력으로부터 레티클의 다수의 인스턴스 중 하나에서의 다수의 스와스에서의 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 선택된 정렬 타겟에 대한 정보를 포함하는 데이터 구조를 생성하도록, 그리고 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 데이터 구조를 저장하도록 구성된다. 셋업에서 사용되는 "하나의 레티클 인스턴스" 또는 "셋업 레티클 인스턴스"는 웨이퍼 상의 임의의 레티클 인스턴스일 수 있다. 이러한 방식으로, 정렬 타겟은 웨이퍼의 셋업 주사에서 선택되어 저장될 수 있다. 예를 들면, 스루풋이 상대적으로 중요하고 검사(런타임) 동안 타겟 찾기가 허용되지 않는 경우, 셋업 주사가 사용되어 타겟을 오프라인에서 선택할 수 있다. 그러한 정렬 타겟 선택은 도 5에서 도시되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 그러나, 선택된 정렬 타겟에 대한 정보가 컴퓨터 서브시스템(들)의 IMC 노드에 저장될 수도 있는 상기에서 설명되는 검사 런타임 동안의 정렬 타겟 선택과는 달리, 셋업 주사 동안 정렬 타겟이 선택되는 경우, 정렬 타겟에 대한 정보는 오프라인 스토리지에 저장될 수도 있다. 오프라인 스토리지는, 예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)이 액세스 가능한 메모리 매체 또는 본원에서 설명되는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체 중 하나 내의 데이터베이스일 수도 있다. 이러한 방식으로, 본원에서 설명되는 실시형태는, 별개의 셋업 기반의 정렬 타겟 식별 및 타겟의 오프라인 스토리지를 포함할 수도 있다. 검사의 셋업 페이즈(phase) 동안 수행되는 정렬 타겟 선택은, 그 외에는, 본원에 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 예를 들면, 셋업 주사에서, 정렬 타겟은 하나의 레티클 인스턴스로부터 선택될 수도 있다. 프레임당 적어도 하나의 타겟이 선택될 수 있다. 그 다음, 타겟은 오프라인 데이터베이스와 같은 적절한 저장 매체에 저장된다.

검사의 셋업 페이즈 동안 선택되는 정렬 타겟은, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 결함 스와스 좌표 변환을 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 셋업 기반의 타겟을 사용하는 결함 스와스 좌표 변환은 도 6에서 도시되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 그러나, 상기에서 설명되는 런타임 정렬 타겟 선택과는 달리, 이 실시형태에서, 타겟(606)은 컴퓨터 서브시스템(들)의 IMC 노드 대신 오프라인 스토리지에 저장될 수도 있다. 검사 동안, 셋업 레티클 인스턴스의 스와스 좌표와 각각의 프레임에 대한 검사된 레티클 인스턴스의 스와스 좌표 사이의 오프셋은, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있는, 셋업 레티클 인스턴스의 타겟을, 검사된 레티클 인스턴스의 이미지에 정렬하는 것에 의해 계산될 수도 있다. 임의의 결함이 검출된 이후, 결함이 검출된 레티클 인스턴스의 레티클 인스턴스-스와스 좌표에서의 그것의 위치는, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 셋업 레티클 인스턴스의 레티클 인스턴스-스와스 좌표로 변환될 수도 있다. 이러한 방식으로, 모든 다른 레티클 인스턴스에서의 결함은, 셋업 레티클 인스턴스의 스와스 좌표의 항으로 표현될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력은 프레임 중 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 정렬 단계에서 사용되는 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 출력은 프레임 중 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 검사 서브시스템의 검출기가 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 사용되는 출력을 생성하기 이전에 수행되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 단지 하나의 셋업 주사에서 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력으로부터 레티클의 다수의 인스턴스 중 하나에서의 다수의 스와스에서의 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 선택된 정렬 타겟에 대한 위치 정보만을 포함하는 데이터 구조를 생성하도록, 그리고 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 데이터 구조를 저장하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 정렬 타겟은 선택될 수 있고 그들의 위치는 웨이퍼의 셋업 주사에서 저장될 수 있다. 데이터베이스(또는 다른 데이터 구조) 사이즈를 감소시키기 위해 셋업 동안 타겟 위치만이 저장될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는, 별개의 셋업 기반의 정렬 타겟 식별 및 타겟 위치의 오프라인 저장을 위해 구성될 수도 있다. 셋업 주사에서, 정렬 타겟은 "하나의 레티클 인스턴스" 또는 "셋업 레티클 인스턴스"로부터 선택된다. 프레임당 적어도 하나의 타겟이 선택될 수 있다. 그 다음, 타겟 위치 정보는 오프라인 데이터베이스 또는 임의의 다른 적절한 저장 매체에 저장될 수도 있다.

하나의 그러한 실시형태가 도 7에서 도시된다. 레티클 인스턴스는 셋업 레티클 인스턴스로서 선택될 수 있다. 도 7에서, 제1 레티클 인스턴스는 셋업 레티클 인스턴스로서 선택된다. 이 실시형태에서, 웨이퍼(700)는, 본원에서 설명되는 실시형태에서 다수의 레티클 인스턴스 중 하나로서 사용될 수도 있는 레티클 인스턴스(702)를 비롯하여 그 상에 형성되는 다수의 레티클 인스턴스를 포함할 수도 있다. 이 실시형태에서, 컴퓨터 서브시스템(들)(도 7에 도시되지 않음)은, 정렬 타겟이 셋업 레티클 인스턴스에서의 각각의 스와스로부터 선택되는 정렬 타겟 선택 단계(704)를 수행할 수도 있다. 특히, 도 7에서 도시되는 바와 같이, 본원에서 설명되는 바와 같이 구성되는 검사 서브시스템은, 스와스 1 내지 스와스 N을 비롯하여, 다수의 스와스(706)에서 셋업 레티클 인스턴스를 주사할 수도 있다. 이러한 방식으로, 검사 서브시스템은 검사 데이터의 다수의 스와스 또는 웨이퍼에 대한 출력을 생성할 수도 있다. 단계(704)에서 정렬 타겟을 선택하는 것은 본원에서 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 정렬 타겟은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 구성될 수도 있다.

도 7에서 도시되는 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 정렬 타겟 위치 저장 단계(708)를 수행하도록 구성될 수도 있다. 선택되는 정렬 타겟의 위치는 다수의 상이한 방식으로 저장될 수도 있다(또는 본원에서 설명되는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 중 하나 이상에 저장될 수도 있다). 본원에서 달리 언급되지 않는 한, 선택된 정렬 타겟에 대한 위치 정보는 정렬 타겟에 대한 임의의 이용 가능한 위치 정보를 포함할 수도 있지만, 그러나, 아마도, 정렬 타겟의 스와스 좌표, 정렬 타겟이 위치되는 프레임, 및 정렬 타겟이 위치되는 스와스를 최소한으로 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 저장되는 정렬 타겟의 데이터는 마치 다음과 같이 보일 수도 있다: Target(ID) =(정렬 타겟 스와스 좌표, 프레임 ID, 스와스 ID, ...). 그와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은, 이 경우에서는 위치 정보만 포함하는 저장된 타겟 위치 정보(710)를 생성할 수도 있다. 특히, 스와스 1에서의 정렬 타겟에 대해 저장되는 정렬 타겟 위치 정보는 위치 1을 포함할 수도 있고, ..., 스와스 N에서의 정렬 타겟에 대해 저장되는 정렬 타겟 위치 정보는 위치 N을 포함할 수도 있고, 등등일 수도 있다. 저장된 타겟 위치 정보는, 그 다음, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 사용될 수도 있다.

하나의 그러한 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 위치 정보에만 기초하여 웨이퍼의 검사 동안 레티클의 다수의 인스턴스에서의 선택된 정렬 타겟에 대해 검출기에 의해 생성되는 출력을 획득하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 타겟(예를 들면, 타겟 이미지)은 타겟 위치에 기초하여 검사 동안 생성될 수 있다. 하나의 이러한 실시형태는 도 8에서 도시된다. 이 도면에서, 웨이퍼(800)는, 본 실시형태에서 셋업 레티클 인스턴스로서 사용되는 레티클 인스턴스(802), 및 이 실시형태에서 다른 검사된 레티클 인스턴스인 레티클 인스턴스(808)를 포함하는 다수의 레티클 인스턴스를 포함한다. 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이, 셋업 주사에서, 레티클 인스턴스(802)가 주사되어, 그에 의해, 레티클 인스턴스에 대한 출력의 다수의 스와스(804)를 생성할 수도 있다. 그 다음, 그 출력은 정렬 타겟을 선택하기 위해 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 사용될 수도 있는데, 정렬 타겟에 대해서는, 위치 정보 만이 저장된 위치 정보(806)로서 저장될 수도 있다.

그러한 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 그룹의 각각이 다수의 스와스의 전체보다 더 적은 스와스에 대응하게끔, 선택된 정렬 타겟을, 그들이 위치되는 다수의 스와스에 기초하여 그룹으로 분리하도록, 그리고 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분 중 어떤 것이, 그룹 중의 상이한 그룹에 대해, 검출하는 것, 정렬하는 것, 결정하는 것, 및 적용하는 것을 각각 수행하는지에 기초하여, 그룹 내의 선택된 정렬 타겟에 대한 획득된 출력을 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분에 저장하도록 구성된다. 예를 들면, 선택된 정렬 타겟에 대한 위치 정보는 정렬 타겟이 위치되는 스와스에 기초하여 오프라인 스토리지에 저장될 수도 있다. 이러한 방식으로, 정렬 타겟은 스와스에 의해 그룹화될 수도 있고, 그 다음, 정렬 타겟의 상이한 그룹에 대한 위치 정보는 (예를 들면, 컴퓨터 서브시스템(들)의 어떤 부분이 각각의 스와스에 대해 생성되는 출력을 프로세싱할지에 기초하여) 컴퓨터 서브시스템(들)의 상이한 부분에 저장될 수도 있다. 정렬 타겟에 대한 위치 정보는 그 외에는 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 저장될 수도 있다.

웨이퍼의 검사 동안, 레티클 인스턴스(802)에서 식별되는 정렬 타겟 위치는, 타겟 위치 이미지화 단계(812)에서 도시되는 바와 같이, 저장된 위치 정보(806)에 기초하여 주사될 수도 있다. 이러한 방식으로, 타겟 위치 이미지화 단계(812)는 다수의 검사된 레티클 인스턴스의 제1 레티클 인스턴스 상에서 타겟 패치를 포착하여 저장하는 단계를 포함할 수도 있다. 레티클 인스턴스(808)는 또한 웨이퍼의 검사 동안 주사되어, 그에 의해, 그 레티클 인스턴스에 대한 다수의 스와스(810)를 생성할 수도 있다. 그 다음, 정렬 단계(814)는 단계(812)에서 포착되는 저장된 정렬 타겟 패치 및 대응하는 프레임 및 스와스에서의 대응하는 정렬 사이트에서 레티클 인스턴스(808)에 대해 생성되는 출력을 사용하여 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 그 다음, 정렬 단계의 결과는, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있는 좌표 변환 단계(816)를 위해 사용되어, 그에 의해, 레티클 인스턴스(808)에서 검출되는 결함의 스와스 좌표를 레티클 인스턴스(802)에서의 스와스 좌표로 변환할 수도 있다.

따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는 셋업 기반의 타겟 위치를 사용하여 레티클 인스턴스-스와스 좌표 변환을 위해 구성될 수도 있다. 검사 동안, 타겟 위치에 기초하여 타겟 패치(즉, 특정한 위치에서 생성되는 상대적으로 작은 이미지인 패치 이미지)가 이미지 컴퓨터 노드 상에 포착 및 저장될 수도 있다. 타겟 패치 포착 동안, 이미지 포착을 위해 정렬 타겟의 위치만이 주사될 수도 있다. 그러나, 타겟 패치 포착 동안, 검사될 제1 레티클 인스턴스의 전체가 주사되어, 그에 의해, 저장된 정렬 타겟 위치의 이미지뿐만 아니라 제1 레티클 인스턴스에서 결함을 검출하기 위해 사용될 출력 둘 모두를 생성할 수도 있다. 포착된 이미지의 타겟을, 검사된 레티클 인스턴스의 이미지에 정렬하는 것에 의해, 각각의 프레임에 대한 제1 레티클 인스턴스의 스와스 좌표와 검사된 레티클 인스턴스의 스와스 좌표 사이의 오프셋이 결정될 수도 있다. 임의의 결함이 검출된 이후, 결함이 검출되는 레티클 인스턴스의 레티클 인스턴스-스와스 좌표에서의 그것의 위치는, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 제1 레티클 인스턴스의 레티클 인스턴스-스와스 좌표로 변환된다. 이러한 방식으로, 모든 다른 레티클 인스턴스에서의 결함은, 제1 레티클 인스턴스의 스와스 좌표의 항으로 표현될 수 있다.

몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 웨이퍼에 대한 결함의 위치를 결정하도록 구성되지는 않는다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태 중 어느 것도 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 기준점에 대한 결함의 위치를 결정하는 것을 포함 또는 요구하지 않는다. 대신, 본원에서 설명되는 실시형태에서(또는 그에 의해) 결정되는 결함의 유일한 위치는, 결함 검출 단계에 의해 보고되는 스와스 좌표 및 적용 단계에 의해 결정되는 변환된 스와스 좌표이다. 본원에서 설명되는 실시형태가, 하나의 레티클 인스턴스에서의 결함의 스와스 좌표를 다른 레티클 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환하는 것에 의해 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 향상되는 상대적 결함 위치 정확도에 의해 야기되는 리피터 분석에서의 문제를 구체적으로 해결하기 위해 생성되었기 때문에, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 어떤 다른(예를 들면, 웨이퍼 상대) 결함 위치도 결정될 필요가 없다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 스와스에서의 프레임 중 다른 프레임에 대해 정렬, 결정, 및 적용 단계를 반복하도록 구성된다. 예를 들면, 비록 몇몇 실시형태가 제1 레티클 인스턴스에서의 제1 프레임 및 제1 스와스와 관련하여 본원에서 설명되지만, 실시형태는 제1 레티클 인스턴스에서의 다른 스와스에서의 다른 프레임에 대해 정렬, 결정 및 적용을 수행할 수도 있다. 다시 말하면, 본원에서 설명되는 실시형태는 웨이퍼 상에서 검사되고 있는 프레임 중 하나, 몇몇(예를 들면, 두 개 이상), 또는 모두에 대해 정렬, 결정, 및 적용 단계를 수행할 수도 있다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시형태는, 결함에 대해 보고되는 위치에 무관하게, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함 중 하나, 일부(예를 들면, 두 개 이상) 또는 모두에 대해 수행될 수도 있다.

본원에서 설명되는 실시형태는 결함 위치를 결정하기 위한 다른 방법 및 시스템에 비해 다수의 이점을 갖는다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 검사 동안 모든 레티클 인스턴스로부터의 결함 위치를 공통 좌표로 변환하고 상대적 결함 위치 정확도를 상당히 증가시킨다. 추가적인 예에서, 스와스 대 스와스(레티클 인스턴스 대 레티클 인스턴스) 오프셋은 결함 위치로부터 제거된다. 특히, 스와스 오프셋이 측정 또는 결정된 이후, 결함 위치는 하나의 레티클 인스턴스에서의 스와스로부터 제1 레티클 인스턴스에서의 대응하는 스와스로 변환될 수 있다. 따라서, 변환 이후, 스와스와 레티클 인스턴스 사이의 오프셋은 제거된다. 이러한 방식으로, 하나의 레티클 인스턴스-스와스에 대한 결함 위치의 변동(대략 0.1 픽셀 내지 대략 1 픽셀)은 다수의 스와스에 걸친 결함 위치의 변동(대략 10 픽셀)보다 훨씬 더 작다. 다른 예에서, 리피터 분석을 위해, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 제공되는 검색 영역 감소는, 100 배 내지 10,000 배일 수도 있고, 본원에서 설명되는 실시형태에 의해 제공되는 검색 범위(리피터 공차) 감소는 대략 10 배 내지 대략 100 배이다. 추가적인 예에서, 본원에서 설명되는 실시형태는 잘못된 리피터를 잠재적으로 상당히 감소시킨다. 다시 말하면, 본원에서 설명되는 실시형태는 리피터 분석을 위한 잘못된 리피터 카운트를 감소시킬 수 있다. 더구나, 본원에서 설명되는 실시형태는, 검사 출력을 설계 데이터 및 표준 기준 다이(standard reference die; SRD)에 정렬하는 방법과 같은 다른 결함 위치 결정 방법과는 달리, 비 컨텍스트 기반의 검사(non-context based inspection; 비 CBI) 및 멀티 다이 레티클 사용 사례에 특히 유리하다. 또한, 이전에 사용된 결함 위치 결정 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태는 셋업 주사를 반드시 요구하지는 않으며 사용하기가 더 용이하다.

더 구체적으로, 이전에 사용된 SRD 방법과 관련하여, 본원에서 설명되는 실시형태 및 그들 이전에 사용된 방법은, 동일한 상대적 결함 위치 정확도를 가질 수도 있다. 본원에서 설명되는 실시형태 및 SRD 방법은 또한, 둘 모두, 런타임 동안 타겟을 검사 이미지에 정렬시킬 수도 있고, 본원에서 설명되는 실시형태 중 일부 및 SRD 방법 둘 모두는 타겟 위치를 데이터베이스에 저장한다. 그러나, SRD 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태는 검사 동안 사용되는 (전체 다이의) 골든 기준 이미지(golden reference image)를 오프라인에서 생성하지 않는다. 게다가, SRD 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태 중 일부는 셋업 주사를 반드시 요구하지 않는다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시형태는 SRD 방법 및 시스템보다 개발 및 사용의 용이성이 더 간단하다. 더구나, SRD 방법 및 시스템 및 본원에서 설명되는 실시형태는 상이한 사용 사례에 적합하다. 특히, SRD 방법 및 시스템은 단일 다이 레티클 사용 사례에 적합하고, 한편, 본원에서 설명되는 실시형태는 설계 정보가 없는 멀티 다이 레티클에 특히 적합하다.

이전에 사용된 CBI 방법과 관련하여, 본원에서 설명되는 실시형태 및 그들 이전에 사용된 방법 둘 모두는 런타임 동안 타겟을 검사 이미지에 정렬할 수도 있다. 게다가, CBI 방법과 같이, 본원에서 설명되는 실시형태 중 일부는 타겟을 데이터베이스에 저장할 수도 있다. 그러나, 이전에 사용된 CBI 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태는 설계 정보를 요구하지 않으며 설계 데이터 정렬에 대한 어떠한 검사 출력도 요구되지 않는다. 게다가, CBI 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태 중 일부는 반드시 셋업 주사를 요구하지는 않는다. 추가적으로, CBI 방법 및 시스템과는 달리, 본원에서 설명되는 실시형태 중 일부는 정렬 타겟 출력(예를 들면, 이미지)을 저장하지 않으며 대신 정렬 타겟 위치 정보만을 저장한다. 더구나, 본원에서 설명되는 실시형태는 이전에 사용된 CBI 방법 및 시스템보다 잠재적으로 더 나은 상대적 결함 위치 정확도를 제공한다. 또한, CBI 방법 및 시스템 및 본원에서 설명되는 실시형태는 상이한 사용 사례에 적합하다. 특히, CBI 방법 및 시스템은 설계 정보 사용 사례를 갖는 멀티 다이 레티클에 적합하고, 한편 본원에서 설명되는 실시형태는 설계 정보가 없는 멀티 다이 레티클에 특히 적합하다.

본원에서 설명되는 실시형태는 또한, 성능을 희생시키지 않으면서, 리피터 분석을 위한 실질적으로 높은 결함 위치 정확도를 달성하는 더 간단한 방식을 제공한다. 구현이 더 간단하며 다른 현존하는 접근법보다 유저가 사용하는 것이 더 간단하다. EUV 인쇄 점검 사용 사례에 대한 방해율(nuisance rate)을 감소시키기 위해서는 리피터 분석이 상당히 중요한데, 이것은 향후 수 년 내에 진보된 반도체 제조사에 의해 채택될 가능성이 아주 높을 것이다.

본원에서 설명되는 실시형태의 각각은 본원에서 설명되는 바와 같이 추가로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태 중 두 개 이상은 하나의 단일의 실시형태로 결합될 수도 있다.

다른 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은, 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 구성되는 검사 서브시스템의 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 것을 포함한다. 결함의 위치는 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고된다. 검사 서브시스템의 검출기에 의해 생성되는 출력은 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스의 프레임의 출력을 포함하고, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 다수의 다이 중 적어도 두 개의 인스턴스를 포함한다.

방법은 또한, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 다수의 다이 중 제1 다이에서의 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력을, 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 다수의 다이 중 대응하는 다이에서의 다수의 스와스 중 대응하는 스와스에서의 프레임 중 대응하는 프레임에 대한 출력에 정렬하는 것을 포함한다. 게다가, 방법은, 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표와 정렬 단계에서 그와 정렬되는 프레임 중 제1 프레임에 대한 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서, 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 것을 포함한다.

방법은, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하는 것을 더 포함하는데, 여기서 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표에, 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 결함이 검출된 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 결함에 대해 보고되는 스와스 좌표를, 레티클의 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 레티클의 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환하게 된다. 검출하는 것, 정렬하는 것, 결정하는 것, 및 적용하는 것은, 검사 서브시스템에 커플링되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다.

방법의 단계의 각각은 본원에서 추가로 설명되는 바와 같이 수행될 수도 있다. 방법은 또한, 본원에서 설명되는 검사 서브시스템 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 방법의 단계는, 본원에서 설명되는 임의의 실시형태에 따라 구성될 수도 있는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다. 게다가, 상기에서 설명되는 방법은 본원에서 설명되는 시스템 실시형태 중 임의의 것에 의해 수행될 수도 있다.

추가적인 실시형태는 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 하나의 그러한 실시형태가 도 9에 도시되어 있다. 특히, 도 9에서 도시되는 바와 같이, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(900)는 컴퓨터 시스템(904) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어(902)를 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은, 본원에서 설명되는 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수도 있다.

본원에서 설명되는 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어(902)는 컴퓨터 판독 가능 매체(900) 상에 저장될 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는, 자기 또는 광학 디스크, 자기 테이프, 또는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체와 같은 저장 매체일 수도 있다.

프로그램 명령어는, 다른 것들 중에서도, 프로시져 기반의 기술, 컴포넌트 기반의 기술, 및/또는 객체 지향 기술을 비롯한 다양한 방식 중 임의의 것으로 구현될 수도 있다. 예를 들면, 프로그램 명령어는, 소망에 따라, 액티브X(ActiveX) 컨트롤, C++ 오브젝트, 자바빈(JavaBeans), 마이크로소프트 파운데이션 클래스(Microsoft Foundation Classes; "MFC"), SSE(Streaming SIMD Extension; 스트리밍 SIMD 확장) 또는 다른 기술 또는 방법론을 사용하여 구현될 수도 있다.

컴퓨터 시스템(904)은 본원에서 설명되는 실시형태 중 임의의 것에 따라 구성될 수도 있다.

본원에서 설명되는 방법 모두는, 방법 실시형태의 하나 이상의 단계의 결과를 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장하는 것을 포함할 수도 있다. 결과는 본원에서 설명되는 결과 중 임의의 것을 포함할 수도 있고 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 방식으로 저장될 수도 있다. 저장 매체는 본원에서 설명되는 임의의 저장 매체 또는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수도 있다. 결과가 저장된 이후, 결과는 저장 매체에서 액세스될 수 있고, 본원에서 설명되는 방법 또는 시스템 실시형태 중 임의의 것에 의해 사용될 수 있고, 유저에 대한 디스플레이를 위해 정형화될 수 있고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템에 의해 사용될 수 있고, 등등일 수 있다. 예를 들면, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템(들)은 리피터로서 식별되는 결함에 대한 정보를 레티클 복구 시스템(reticle repair system)으로 출력할 수도 있고, 레티클 복구 시스템은 리피터로서 식별되는 결함에 대한 정보를 사용하여 레티클에 대한 복구 프로세스(repair process)를 수행하고, 그에 의해, 레티클 상의 결함을 제거할 수도 있다.

본 설명의 관점에서, 기술 분야의 숙련된 자에게는, 본 발명의 다양한 양태의 다른 수정예 및 대안적 실시형태가 명백할 것이다. 예를 들면, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 따라서, 본 설명은, 단지 예증적인 것으로만 해석되어야 하며, 본 발명을 실행하는 일반적인 방식을 기술 분야의 숙련된 자에게 교시하는 목적을 위한 것이다. 본원에서 도시되고 설명되는 본 발명의 형태는 현 시점에서의 바람직한 실시형태로서 간주되어야 한다는 것이 이해되어야 한다. 엘리먼트 및 재료가 본원에서 예시되고 설명되는 것 대신 대용될 수도 있고, 부품 및 프로세스는 반대로 될 수도 있고, 본 발명의 소정의 피쳐는 독립적으로 활용될 수도 있는데, 이들 모두는, 본 발명의 본 설명의 이익을 가진 이후의 기술 분야의 숙련된 자에게 명백해질 것이다. 하기의 청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 취지와 범위를 벗어나지 않으면서, 본원에서 설명되는 엘리먼트에서 변경이 이루어질 수도 있다.

Claims (24)

1. 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템으로서,
   적어도 에너지 소스 및 검출기 - 상기 에너지 소스는 웨이퍼로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는 상기 웨이퍼로부터 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 출력을 생성하도록 구성되고, 상기 출력은 상기 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스(swath)의 프레임의 출력을 포함하고, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 상기 다수의 다이의 적어도 두 개의 인스턴스를 포함함 - 를 포함하는 검사 서브시스템; 및
   하나 이상의 컴퓨터 서브시스템
   을 포함하되, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은:
   상기 검출기에 의해 생성되는 상기 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 상기 웨이퍼 상의 결함 - 상기 결함의 위치는 상기 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고됨 - 을 검출하도록;
   상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 제1 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 상기 프레임 중 제1 프레임에 대한 상기 출력을, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 대응하는 다른 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 대응하는 다른 스와스에서의 상기 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 정렬하도록;
   상기 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표와 상기 정렬할 때 그와 정렬되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서, 상기 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하도록; 그리고
   상기 웨이퍼 상에서 검출되는 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하도록 - 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 상기 결함이 검출된 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표를, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환함 -
   구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 디바이스에 대한 설계 정보가 상기 웨이퍼 상에서 형성되지 않은 상태에서 상기 정렬하는 것, 상기 결정하는 것, 및 상기 적용하는 것을 수행하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
3. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은, 상기 웨이퍼 상에 형성되고 있는 디바이스에 대한 설계 정보를 사용하여 임의의 단계를 수행하도록 구성되지는 않는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
4. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 결함에 대한 상기 변환된 스와스 좌표에 기초하여 상기 결함이 리피터 결함(repeater defect)인지 여부를 결정하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
5. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 결함에 대한 상기 변환된 스와스 좌표에 기초하여 상기 웨이퍼 상에 패턴화된 피쳐를 인쇄하기 위해 사용되는 상기 레티클에 의해 상기 웨이퍼 상에서 상기 결함이 야기되는지 여부를 결정하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
6. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 결함에 대한 상기 변환된 스와스 좌표에 기초하여 상기 웨이퍼 상에 패턴화된 피쳐를 인쇄하기 위해 사용되는 상기 레티클에 의해 상기 웨이퍼 상에서 상기 결함이 야기되는지 여부를 결정하도록 구성되고, 상기 레티클은 극자외선(extreme ultraviolet) 레티클인, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
7. 제1항에 있어서, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 스와스 중 상기 제1 스와스에서의 상기 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록 구성되고, 상기 정렬 타겟을 선택하는 것은, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 스와스 중 상기 제1 스와스에서의 상기 프레임의 각각에서 상기 정렬 타겟 중 적어도 하나를 선택하는 것을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
8. 제1항에 있어서, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 스와스에서의 상기 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 그룹의 각각이 상기 다수의 스와스의 전체보다 더 적은 스와스에 대응하게끔, 상기 선택된 정렬 타겟을, 그들이 위치되는 상기 다수의 스와스에 기초하여 상기 그룹으로 분리하도록, 그리고 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분 중 어떤 것이, 상기 그룹 중의 상이한 그룹에 대해 상기 검출하는 것, 상기 정렬하는 것, 상기 결정하는 것, 및 상기 적용하는 것을 각각 수행하는지에 기초하여, 상기 그룹 내의 상기 선택된 정렬 타겟에 대한 정보를, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상기 상이한 부분에 저장하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
9. 제1항에 있어서, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템이 상기 생성된 에너지를 상기 웨이퍼로 지향시키고 상기 검출기가 검사 주사(inspection scan)를 위해 상기 웨이퍼로부터 상기 에너지를 검출하는 동안, 상기 검출기에 의해 상기 웨이퍼에 대해 생성되는 상기 출력으로부터 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 스와스에서의 상기 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
10. 제1항에 있어서, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 상기 검출기가 상기 웨이퍼 상의 상기 결함을 검출하기 위해 사용되는 상기 출력을 생성하기 이전에 수행되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 단지 하나의 셋업 주사에서 상기 검출기에 의해 상기 웨이퍼에 대해 생성되는 출력으로부터 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 하나에서의 상기 다수의 스와스에서의 상기 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 상기 선택된 정렬 타겟에 대한 정보를 포함하는 데이터 구조를 생성하도록, 그리고 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 상기 데이터 구조를 저장하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
11. 제1항에 있어서, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에서의 정렬 타겟에 대해 출력되고, 상기 정렬할 때 사용되는 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력은 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에서의 정렬 사이트에 대해 출력되고, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 상기 검출기가 상기 웨이퍼 상의 상기 결함을 검출하기 위해 사용되는 상기 출력을 생성하기 이전에 수행되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 단지 하나의 셋업 주사에서 상기 검출기에 의해 상기 웨이퍼에 대해 생성되는 출력으로부터 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 하나에서의 상기 다수의 스와스에서의 상기 프레임에서 정렬 타겟을 선택하도록, 상기 선택된 정렬 타겟에 대한 위치 정보만을 포함하는 데이터 구조를 생성하도록, 그리고 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 상기 데이터 구조를 저장하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
12. 제11항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 위치 정보에만 기초하여 상기 웨이퍼의 검사 동안 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 하나에서의 상기 선택된 정렬 타겟에 대해 상기 검출기에 의해 생성되는 상기 출력을 획득하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
13. 제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 그룹의 각각이 상기 다수의 스와스의 전체보다 더 적은 스와스에 대응하게끔, 상기 선택된 정렬 타겟을, 그들이 위치되는 상기 다수의 스와스에 기초하여 상기 그룹으로 분리하도록, 그리고 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상이한 부분 중 어떤 것이, 상기 그룹 중의 상이한 그룹에 대해, 상기 검출하는 것, 상기 정렬하는 것, 상기 결정하는 것, 및 상기 적용하는 것을 각각 수행하는지에 기초하여, 상기 그룹 내의 상기 선택된 정렬 타겟에 대한 상기 획득된 출력을 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템의 상기 상이한 부분에 저장하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
14. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 것은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 대한, 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 타겟 기반의 정렬(target-based alignment)을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
15. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 것은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 대한, 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 피쳐 기반의 정렬(feature-based alignment)을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
16. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 것은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 대한, 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 정규화된 교차 상관 기반의 정렬(normalized cross correlation-based alignment)을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
17. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 것은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 대한, 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 고속 푸리에 변환 기반의 정렬(Fast Fourier transform-based alignment)을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
18. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 것은, 상기 프레임 중 상기 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 대한, 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 차 제곱의 합 기반의 정렬(sum of squared difference-based alignment)을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
19. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 상기 웨이퍼에 대한 상기 결함의 위치를 결정하도록 구성되지는 않는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
20. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 스와스에서의 상기 프레임 중 다른 프레임에 대해 상기 정렬하는 것, 상기 결정하는 것, 및 상기 적용하는 것을 반복하도록 구성되는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
21. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼로 지향되는 상기 에너지는 광을 포함하고, 상기 웨이퍼로부터 검출되는 상기 에너지는 광을 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
22. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼로 지향되는 상기 에너지는 전자를 포함하고, 상기 웨이퍼로부터 검출되는 상기 에너지는 전자를 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하도록 구성되는 시스템.
23. 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체로서, 상기 컴퓨터 구현 방법은:
    검사 서브시스템의 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 상기 웨이퍼 상의 결함 - 상기 결함의 위치는 상기 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고되고, 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 상기 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는 상기 웨이퍼로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는 상기 웨이퍼로부터 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 상기 출력을 생성하도록 구성되고, 상기 출력은 상기 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스의 프레임의 출력을 포함하고, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 상기 다수의 다이의 적어도 두 개의 인스턴스를 포함함 - 을 검출하는 단계;
    상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 제1 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 상기 프레임 중 제1 프레임에 대한 상기 출력을, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 대응하는 다른 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 대응하는 다른 스와스에서의 상기 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 정렬하는 단계;
    상기 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표와 상기 정렬 단계에서 그와 정렬되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서, 상기 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상에서 검출되는 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하는 단계 - 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 상기 결함이 검출된 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표를, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환함 - 를 포함하는, 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
24. 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법으로서,
    검사 서브시스템의 검출기에 의해 웨이퍼에 대해 생성되는 출력에 결함 검출 방법을 적용하는 것에 의해 상기 웨이퍼 상의 결함 - 상기 결함의 위치는 상기 결함 검출 방법에 의해 스와스 좌표로 보고되고, 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 상기 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는 상기 웨이퍼로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는 상기 웨이퍼로부터 에너지를 검출하도록 그리고 상기 검출된 에너지에 응답하는 상기 출력을 생성하도록 구성되고, 상기 출력은 상기 웨이퍼 상의 다수의 다이의 각각에 대한 다수의 스와스의 프레임의 출력을 포함하고, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 레티클의 다수의 인스턴스의 각각은 상기 다수의 다이의 적어도 두 개의 인스턴스를 포함함 - 을 검출하는 단계;
    상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 제1 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 제1 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 제1 스와스에서의 상기 프레임 중 제1 프레임에 대한 상기 출력을, 상기 웨이퍼 상에 인쇄되는 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 다른 인스턴스에서의 상기 다수의 다이 중 대응하는 다른 다이에서의 상기 다수의 스와스 중 대응하는 다른 스와스에서의 상기 프레임 중 대응하는 다른 프레임에 대한 상기 출력에 정렬하는 단계;
    상기 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표와 상기 정렬 단계에서 그와 정렬되는 상기 프레임 중 상기 제1 프레임에 대한 상기 출력의 스와스 좌표 사이의 차이에 기초하여, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서, 상기 프레임의 각각에 대한 상이한 스와스 좌표 오프셋을 각각 결정하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상에서 검출되는 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 하나를 적용하는 단계 - 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표에, 상기 상이한 스와스 좌표 오프셋 중 어떤 것이 적용되는지는, 상기 결함이 검출된 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에 기초하여 결정되고, 그에 의해, 상기 결함에 대해 보고되는 상기 스와스 좌표를, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 다른 인스턴스에서의 스와스 좌표로부터, 상기 레티클의 상기 다수의 인스턴스 중 상기 제1 인스턴스에서의 스와스 좌표로 변환하고, 상기 검출하는 단계, 상기 정렬하는 단계, 상기 결정하는 단계, 및 상기 적용하는 단계는, 상기 검사 서브시스템에 커플링되는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행됨 - 를 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출되는 결함의 위치를 변환하기 위한 컴퓨터 구현 방법.

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